JP5881565B2 - 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 58
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 124
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 claims description 76
- 229920001600 hydrophobic polymer Polymers 0.000 claims description 70
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 70
- 229920001477 hydrophilic polymer Polymers 0.000 claims description 67
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 58
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 55
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 10
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 6
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 claims description 6
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 221
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 94
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
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- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
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- B81C2201/0147—Film patterning
- B81C2201/0149—Forming nanoscale microstructures using auto-arranging or self-assembling material
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Description
2 塗布現像処理装置
3 エッチング処理装置
30 現像装置
31 洗浄装置
32 反射防止膜形成装置
33 中性層形成装置
34 レジスト塗布装置
35 ブロック共重合体塗布装置
40 熱処理装置
41 紫外線照射装置
202〜205 エッチング装置
300 制御部
400 反射防止膜
401 中性層
402 レジストパターン
402a ライン部
402b、402c スペース部
403 親水性領域
404 ブロック共重合体
405 親水性ポリマー
406 疎水性ポリマー
500 親水膜形成装置
510 親水膜
550 疎水膜形成装置
560 疎水膜
W ウェハ
Claims (13)
- 第1のポリマーと第2のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記第1のポリマーと前記第2のポリマーに対して中間の親和性を有する中性層を基板上に形成する中性層形成工程と、
前記中性層上にレジストパターンが形成された基板に対して、前記レジストパターンから露出した前記中性層の露出面を表面処理する中性層処理工程と、
前記中性層処理工程後に前記レジストパターンが除去された基板に対して、前記ブロック共重合体を前記中性層上に塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記中性層上の前記ブロック共重合体を前記第1のポリマーと前記第2のポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、を有し、
前記レジストパターンは、平面視において直線状のライン部と直線状のスペース部を有するパターンであり、
前記ブロック共重合体における前記第1のポリマーの分子量の比率は、40%〜60%であり、
前記ポリマー分離工程において、前記スペース部に前記第1のポリマーと前記第2のポリマーが交互に奇数層に相分離されることを特徴とする、基板処理方法。 - 前記中性層処理工程における表面処理は、前記中性層の露出面の疎水化処理又は親水化処理のいずれかであることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記中性層上に形成されたレジストパターンは、リフローにより線幅を広げたものであることを特徴とする、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記レジストパターンのスペース部は、前記ポリマー分離工程において相分離する第1のポリマー又は第2のポリマーのいずれかの1層以上2層未満の幅を有することを特徴とする、請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記中性層処理工程の表面処理において、前記中性層の露出面に紫外線を照射して、当該露出面を親水化することを特徴とする、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記紫外線の波長は172nmであることを特徴とする、請求項5に記載の基板処理方法。
- 前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に親水性を有する親水膜を形成して、当該露出面を親水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記親水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記親水膜が残っていることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記中性層処理工程において、前記中性層の露出面と前記レジストパターン上に疎水性を有する疎水膜を形成して、当該露出面を疎水化し、
前記ブロック共重合体塗布工程において処理される基板には、前記レジストパターンと共に、当該レジストパターン上の前記疎水膜が除去され、前記中性層の露出面のみに前記疎水膜が残っていることを特徴とする、請求項2〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記相分離したブロック共重合体から、前記第1のポリマー又は前記第2のポリマーのいずれかを選択的に除去するポリマー除去工程を有していることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1のポリマーは親水性を有する親水性ポリマーであり、前記第2のポリマーは、疎水性を有する疎水性ポリマーであることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、
前記疎水性ポリマーはポリスチレンであることを特徴とする、請求項10に記載の基板処理方法。 - 請求項1〜11のいずれかに記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項12に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196737A JP5881565B2 (ja) | 2012-09-07 | 2012-09-07 | 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
PCT/JP2013/072704 WO2014038420A1 (ja) | 2012-09-07 | 2013-08-26 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
TW102131552A TW201426845A (zh) | 2012-09-07 | 2013-09-02 | 基板處理方法、程式、電腦記憶媒體及基板處理系統 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012196737A JP5881565B2 (ja) | 2012-09-07 | 2012-09-07 | 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014053439A JP2014053439A (ja) | 2014-03-20 |
JP2014053439A5 JP2014053439A5 (ja) | 2014-11-13 |
JP5881565B2 true JP5881565B2 (ja) | 2016-03-09 |
Family
ID=50237032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012196737A Active JP5881565B2 (ja) | 2012-09-07 | 2012-09-07 | 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5881565B2 (ja) |
TW (1) | TW201426845A (ja) |
WO (1) | WO2014038420A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6177723B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP6267143B2 (ja) | 2015-03-05 | 2018-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
JP6346115B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2018-06-20 | 東芝メモリ株式会社 | パターン形成方法 |
JP6494446B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04364021A (ja) * | 1991-06-11 | 1992-12-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP4753672B2 (ja) * | 2005-09-16 | 2011-08-24 | 独立行政法人農業・食品産業技術総合研究機構 | 樹脂製マイクロチャネルアレイの製造方法及びこれを用いた血液測定方法 |
US7989026B2 (en) * | 2008-01-12 | 2011-08-02 | International Business Machines Corporation | Method of use of epoxy-containing cycloaliphatic acrylic polymers as orientation control layers for block copolymer thin films |
US7521094B1 (en) * | 2008-01-14 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Method of forming polymer features by directed self-assembly of block copolymers |
JP5802740B2 (ja) * | 2010-04-14 | 2015-11-04 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィで使用される自己組織化可能な重合体の秩序化された層を提供する方法 |
NL2006639A (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-06 | Asml Netherlands Bv | Self-assemblable polymer and method for use in lithography. |
-
2012
- 2012-09-07 JP JP2012196737A patent/JP5881565B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-26 WO PCT/JP2013/072704 patent/WO2014038420A1/ja active Application Filing
- 2013-09-02 TW TW102131552A patent/TW201426845A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201426845A (zh) | 2014-07-01 |
WO2014038420A1 (ja) | 2014-03-13 |
JP2014053439A (ja) | 2014-03-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140929 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150602 |
|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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