JP6494446B2 - 基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Description
(1)円形の場合には、当該パターンの直径は隣り合う前記第2の親水性ポリマー間のピッチの理論値の0.8〜1.5倍
(2)楕円形又は角丸長方形の場合には、当該パターンの長手方向の長さは(A+n)L0、短手方向の最も幅広の部分の長さは、(0.8〜1.5)L0
に設定されていることを特徴としている。ここで、Aは0.7〜1.3の範囲の任意の定数、L0は、前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーとの間の相互作用パラメータであるχパラメータと、前記親水性ポリマー及び前記疎水性ポリマーの分子量とにより定まる、隣り合う前記第2の親水性ポリマー間のピッチ、nは自然数である。
その後カセットステーション10のウェハ搬送装置23によって所定のカセット載置板21のカセットCに搬送される。
30 現像装置
31 有機溶剤供給装置
32 反射防止膜形成装置
33 中性層形成装置
34 レジスト塗布装置
35 塗布膜形成装置
36 レジスト除去装置
37 ブロック共重合体塗布装置
40 熱処理装置
41 紫外線照射装置
42 アドヒージョン装置
43 周辺露光装置
44 ポリマー分離装置
300 制御部
400 反射防止膜
401 中性層
402 レジスト膜
403 レジストパターン
404 ポリスチレン膜
410 ブロック共重合体
411 親水性ポリマー
412 疎水性ポリマー
E パターン
F 保護層
HM ハードマスク層
W ウェハ
Claims (6)
- 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記基板上に形成された、その一部が除去された所定のパターンを有する下地膜上に、中性層を形成する中性層形成工程と、
前記中性層形成工程後の基板における、前記下地膜が除去された領域内に、疎水性の塗布膜により円形、楕円形又は角丸長方形のパターンを形成する塗布膜パターン形成工程と、
前記塗布膜のパターンが形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去工程を有し、
前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、前記疎水性ポリマーはポリスチレンであり、
前記疎水性の塗布膜は、ポリスチレン膜であり、
前記中性層は、ポリメタクリル酸メチルとポリスチレンとのランダム共重合体または交互共重合体により形成され、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離工程において、前記疎水性の塗布膜によるパターン上に円柱状の第1の親水性ポリマーが、前記疎水性の塗布膜以外の領域に円柱状の第2の親水性ポリマーがそれぞれ配列するように、20%〜40%に調整され、
前記疎水性の塗布膜によるパターンが、
(1)円形の場合には、当該パターンの直径は隣り合う前記第2の親水性ポリマー間のピッチの理論値の0.8〜1.5倍
(2)楕円形又は角丸長方形の場合には、当該パターンの長手方向の長さは(A+n)L0、短手方向の最も幅広の部分の長さは(0.8〜1.5)L0
に設定されていることを特徴とする、基板処理方法。
A:0.7〜1.3の範囲の任意の定数
L0:前記ブロック共重合体における、前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーとの間の相互作用パラメータであるχパラメータと、前記親水性ポリマー及び前記疎水性ポリマーの分子量とにより定まる、隣り合う前記第2の親水性ポリマー間のピッチの理論値
n:自然数 - 親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
前記基板上に中性層を形成する中性層形成工程と、
前記中性層形成工程後の基板上の所定の位置に、疎水性の塗布膜により楕円形又は角丸長方形のパターンを形成する塗布膜パターン形成工程と、
前記塗布膜のパターンが形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記のブロック共重合体を前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記親水性ポリマーを選択的に除去するポリマー除去工程を有し、
前記親水性ポリマーはポリメタクリル酸メチルであり、前記疎水性ポリマーはポリスチレンであり、
前記疎水性の塗布膜は、ポリスチレン膜であり、
前記中性層は、ポリメタクリル酸メチルとポリスチレンとのランダム共重合体または交互共重合体により形成され、
前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、前記ポリマー分離工程において、前記疎水性の塗布膜によるパターン上に円柱状の第1の親水性ポリマーが、前記疎水性の塗布膜以外の領域に円柱状の第2の親水性ポリマーがそれぞれ配列するように、20%〜40%に調整され、
前記疎水性の塗布膜による楕円形又は角丸長方形の長手方向の長さは、(A+n)L0に、短手方向の最も幅広の部分の長さは、(0.8〜1.5)L0に設定されていることを特徴とする、基板処理方法。
A:0.7〜1.3の範囲の任意の定数
L0:前記ブロック共重合体における、前記親水性ポリマーと前記疎水性ポリマーとの間の相互作用パラメータであるχパラメータと、前記親水性ポリマー及び前記疎水性ポリマーの分子量とにより定まる、前記第2の親水性ポリマー間のピッチの理論値
n:自然数 - 前記塗布膜パターン形成工程の前に、基板上に形成された中性層のうち、前記下地膜が除去された領域に対応する部分を除去する中性層除去工程をさらに有することを特徴とする、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記ブロック共重合体における前記親水性ポリマーの分子量の比率は、32%〜34%であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項5に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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