KR100687873B1 - 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents

유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서 사용되는 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 유기 반사 방지막 조성물은, 2000-100000의 중량 평균 분자량을 가지는 노볼락 수지와, 하기 화학식 1의 구조로 표시되는 가교제 중합체와, 열산 발생제와, 유기 용매를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112005026531208-pat00001
상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알킬기를 나타내고, R3 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, a, b는 각 단량체의 몰분율로써, a는 0.9-0.99를 나타내며, b는 0.01-0.1을 나타낸다.
유기 반사 방지막, 노볼락 수지, 하드 마스크

Description

유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법{ORGANIC ANTI-REFLECTIVE COATING COMPOSITION AND PATTERN-FORMING METHOD USING IT}
도 1은 종래 기술에 의한 패턴 형성 방법을 간략히 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법에 따라 포토레지스트 패턴까지를 형성한 모습을 나타낸 전자 현미경 사진이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 형성 방법에 따라 최종적으로 초미세 패턴을 형성한 모습을 나타낸 전자 현미경 사진이다.
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정 중 초미세 패턴 형성 공정에서 사용되는 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
최근 들어 반도체 소자가 더욱 초미세화·고집적화됨에 따라, 포토레지스트 패턴을 이용하여 형성하여야 하는 패턴이 더욱 미세화되고 있으며, 이에 따라 포토레지스트 패턴의 선폭 역시 더욱 미세화될 필요가 생기게 되었다. 그런데, 포토레 지스트 패턴의 가로, 세로비(aspect ratio)에 의한 포토레지스트 패턴의 무너짐을 방지하기 위해서는, 상기 미세화된 포토레지스트 패턴의 선폭을 고려하여 포토레지스트 패턴를 소정 두께 이하로 형성하지 않으면 안된다. 예를 들어, 70nm 이하의 미세 패턴을 형성하고자 하는 경우, 포토레지스트 패턴의 선폭 역시 70nm 이하로 되어야 하므로, 포토레지스트 패턴은 100nm 이하의 두께로 형성되지 않으면 안되며, 이러한 두께를 상회할 경우 포토레지스트 패턴의 가로, 세로비(aspect ratio)에 의한 포토레지스트 패턴의 무너짐이 발생한다.
그러나, 포토레지스트 패턴의 두께가 지나치게 작아지는 경우, 이를 식각 마스크로 하부층을 패터닝하는 공정에서, 포토레지스트 패턴이 상기 식각에 대해 충분히 견딜 수 없게 됨에 따라, 최종 형성된 하부층의 미세 패턴에도 식각에 의한 손상이 발생하는 문제가 발생하였다.
이 때문에, 종래에는 포토레지스트 패턴의 무너짐 현상을 방지하는 동시에 식각에 의해 하부층의 미세 패턴이 손상되는 문제점을 방지하기 위하여, 상기 포토레지스트 패턴과 이에 의해 패터닝될 하부층 사이에 하드마스크를 형성하고, 이를 이용하여 하부층의 미세 패턴을 형성하는 방법이 제안된 바 있다.
이하, 이러한 종래 기술의 패턴 형성 방법을 첨부한 도 1을 참고로 설명하기로 한다.
도 1은 종래 기술에 의한 패턴 형성 방법을 간략히 나타낸 도면이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 우선, 소정의 하부 구조가 형성된 반도체 기판(10) 상에 패터닝될 하부층(12), 아몰포스 카본 하드마스크(14), 실리콘 옥시나이 트라이드층(SiON층; 16), 반사 방지막(18) 및 포토레지스트(20)를 순차 적층한다.
여기서, 상기 아몰포스 카본은 400℃ 이상의 고온에서 견딜 수 있기 때문에, 이러한 아몰포스 카본 하드마스크(14) 위에 실리콘 옥시나이트라이드층(SiON층; 16)을 증착하는 것이 가능하다. 이로 인해, 포토레지스트(20)의 두께가 매우 얇더라도, 상기 아몰포스 카본 하드마스크(14)가 두꺼운 하부층(12)을 식각할 수 있는 하드마스크로 작용할 수 있으므로, 하부층(12)의 패터닝 공정에서 식각에 의한 하부층(12)의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 상기 포토레지스트(20)는 패터닝될 선폭 및 가로, 세로비(aspect ratio)를 고려하여, 패터닝된 후의 포토레지스트(20)가 무너지지 않을 정도의 얇은 두께로 형성한다.
한편, 상기 하부층(12), 아몰포스 카본 하드마스크(14), 실리콘 옥시나이트라이드층(16), 반사 방지막(18) 및 포토레지스트(20)를 순차 적층한 후에는, 상기 포토레지스트(20)에 대한 노광 및 현상 공정을 진행하여 상기 포토레지스트(20)를 패터닝한다.
그리고 나서, 상기 패터닝된 포토레지스트(20)를 식각 마스크로 하부의 반사 방지막(18) 및 실리콘 옥시나이트라이드층(16)을 패터닝하고, 계속하여 상기 패터닝된 실리콘 옥시나이트라이드층(16) 등을 식각 마스크로 하부의 아몰포스 카본 하드마스크(14)를 패터닝한다.
이후, 상기 패터닝된 아몰포스 카본 하드마스크(14)를 식각 마스크로 하부층(12)을 패터닝한다. 그리고, 하부층(12) 위에 잔류하고 있는 아몰포스 카본 하드마 스크(14), 실리콘 옥시나이트라이드층(16) 및 반사 방지막(18) 등을 제거하고, 세정 공정을 진행하면, 최종적으로 하부층(12)의 미세 패턴을 형성할 수 있다.
즉, 이러한 종래 기술에 따르면, 상기 패터닝된 포토레지스트(20)의 가로, 세로비를 고려하여, 이러한 패터닝된 포토레지스트(20)가 무너지지 않을 얇은 두께로 포토레지스트(20)를 형성하더라도, 상기 아몰포스 카본 하드마스크(14) 및 실리콘 옥시나이트라이드층(16)에 의해 패터닝될 하부층(12)이 보호되어, 패터닝 공정에서의 식각에 의한 하부층(12)의 손상을 방지할 수 있다.
그러나, 이러한 종래 기술에 따르면, 패터닝 공정마다 아몰포스 카본 하드마스크(14) 및 실리콘 옥시나이트라이드층(16)을 별도로 형성하여야 하기 때문에, 공정이 복잡해지고, 또한, 상기 아몰포스 카본 하드마스크(14) 및 실리콘 옥시나이트라이드층(16)을 증착하기 위한 신규한 증착 장비가 필요하게 되고, 신규한 CVD 가스가 필요하게 되어, 공정의 경제성이 매우 떨어지는 문제점이 있었다.
이에 본 발명의 목적은 별도의 하드마스크를 형성할 필요없이도, 포토레지스트 패턴의 무너짐을 방지할 수 있는 동시에, 패터닝 공정에서 식각에 의한 하부층의 손상을 방지할 수 있도록 하는 유기 반사 방지막 조성물을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 유기 반사 방지막 조성물을 사용한 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 2000-100000의 중량 평균 분자량을 가지는 노볼락 수지와, 하기 화학식 1의 구조로 표시되는 가교제 중합체와, 열산 발생제와, 유기 용매를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112005026531208-pat00002
상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알킬기를 나타내고, R3 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, a, b는 각 단량체의 몰분율로써, a는 0.9-0.99를 나타내며, b는 0.01-0.1을 나타낸다.
이하, 상기 본 발명에 의한 유기 반사 방지막 조성물의 구성을 상세히 살피기로 한다.
본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은 우선, 소정의 중량 평균 분자량을 가지는 노볼락 수지를 포함한다. 이러한 노볼락 수지는 당업자에게 자명하게 알려진 바와 같이, 포름알데히드와 페놀의 중합 반응에 의해 형성된 중합체로서, 이러한 노볼락 수지에 포함된 벤젠링이 노광 공정에서 사용되는 특정 파장의 빛을 흡수하 여, 이를 포함하는 조성물에 의해 형성된 유기 반사 방지막이 포토레지스트 하부에서의 난반사를 방지할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물에 이러한 노볼락 수지가 포함됨으로서, 이에 의해 형성된 유기 반사 방지막이 충분한 식각 선택비를 가지면서도 포토레지스트 하부에 두껍게 증착, 형성될 수 있게 되므로, 본 발명의 유기 반사 방지막이 하드마스크의 역할을 함께 할 수 있게 된다. 즉, 후술하는 실시예에서도 명백히 뒷받침되는 바와 같이, 패터닝 공정시 식각에 의한 하부층의 손상을 방지하기 위해 별도의 하드마스크를 형성하지 않더라도, 본 발명의 조성물에 의해 형성된 유기 반사 방지막이 이러한 하드마스크의 역할을 함께 할 수 있게 된다.
상기한 바와 같이, 이러한 노볼락 수지가 유기 반사 방지막에 적당한 흡광성을 부여하는 한편, 이를 포함하는 본 발명의 조성물에 의해 형성된 유기 반사 방지막이 하드마스크의 역할을 함께 할 수 있도록 하기 위해, 상기 노볼락 수지는 2000-100000의 중량 평균 분자량을 가지게 된다.
또한, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은 하기 화학식 1의 구조로 표시되는 가교제 중합체를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112005026531208-pat00003
상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알킬기를 나타내고, R3 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, a, b는 각 단량체의 몰분율로써, a는 0.9-0.99를 나타내며, b는 0.01-0.1을 나타낸다.
위 중합체는 종래부터 포토레지스트 하부의 유기 반사 방지막을 형성하기 위해 가교제 중합체로 사용되던 물질로서, 유기 반사 방지막 내에서 흡광성을 나타내는 성분(예를 들어, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물에 포함된 노볼락 수지)과 가교 반응을 일으켜 유기 반사 방지막이 다수의 가교 결합을 포함하게 함으로서, 유기 반사 방지막이 포토레지스트의 용매에 용해되지 않고, 포토레지스트 하부에 양호하게 성막될 수 있게 하는 역할을 한다.
이러한 가교제 중합체의 분자량은 종래의 유기 반사 방지막 조성물에 사용되던 동일 가교제 중합체의 통상적인 구성에 따르며, 이는 해당 유기 반사 방지막 내에 형성되어야 할 가교 결합의 정도를 고려하여 당업자가 자명하게 결정할 수 있다.
본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은 또한 열산 발생제를 포함하는데, 이러한 열산 발생제로는 종래의 유기 반사 방지막 조성물에서 열산 발생제로 사용되던 물질을 모두 사용할 수 있으나, 특히, 하기 화학식 2의 구조를 가지는 2-하이드록시 사이클로헥실 파라톨루엔설포네이트 (2-hydroxy cyclohexyl p-toluenesulfonate)를 사용함이 바람직하다.
[화학식 2]
Figure 112005026531208-pat00004
이러한 열산 발생제는 상기 가교제 중합체와 노볼락 수지의 하이드록시기 사이에 일어나는 가교 반응을 활성화시키기 위한 촉매로서, 상기 열산 발생제를 포함하는 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물을 도포한 후 베이크 등의 열공정을 수행하면, 상기 열산 발생제로부터 산이 발생되고, 이렇게 발생된 산의 존재 하에 상기한 바와 같은 가교 반응이 촉진되어, 포토레지스트의 용매에 용해되지 않는 유기 반사 방지막이 형성된다.
또한, 상기 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물에 있어서, 상기 유기 용매로는 종래부터 유기 반사 방지막 조성물에 대한 용매로서 사용되던 통상적인 유기용매를 모두 사용할 수 있으나, 바람직하게는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 등을 사용할 수 있으며, 특히 바람직하게는, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트를 사용할 수 있다.
그리고, 상기 본 발명에 의한 유기 반사 방지막 조성물에 있어서, 상기 노볼락 수지는 조성물에 포함되는 가교제 중합체의 100 중량부에 대해 50-200 중량부로 포함됨이 바람직하며, 상기 열산 발생제는 조성물에 포함되는 가교제 중합체의 100 중량부에 대해 10-200중량부로 포함됨이 바람직하고, 상기 유기 용매는 본 발명의 조성물에 포함되는 가교제 중합체 및 노볼락 수지의 합계량 100 중량부에 대하여 1000-10000중량부로 포함됨이 바람직하다.
상기 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물이 각 구성 성분을 이러한 조성비로 포함함으로서, 포토레지스트 하부에서의 난반사 등을 효과적으로 방지할 수 있는 동시에, 포토레지스트에 의한 하부층의 패터닝 공정에서 식각에 의한 하부층의 손상을 방지하는 하드마스크로서의 역할을 더욱 바람직하게 할 수 있다.
본 발명은 또한, 반도체 기판 상에 소정의 하부층을 형성하는 단계; 상기 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물을 상기 하부층 상부에 도포하는 단계; 상기 결과물에 대해 베이크 공정을 진행하여 유기 반사 방지막을 형성하는 단계; 상기 유기 반사 방지막 상부에 포토레지스트를 도포하고, 노광한 다음 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 유기 반사 방지막을 패터닝하는 단계; 및 상기 패터닝된 유기 반사 방지막을 마스크로 하부층을 패터닝하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
이러한 본 발명의 패턴 형성 방법은 상술한 바와 같은 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물을 이용함을 특징으로 하고 있다. 즉, 이러한 본 발명의 조성물을 사용하여 포토레지스트의 하부에 유기 반사 방지막을 형성하면, 이러한 유기 반사 방지막이 포토레지스트 하부에서 난반사를 방지하는 반사 방지막으로서의 역할을 할 수 있는 동시에, 패터닝될 하부층을 보호하는 하드마스크로서의 역할을 함께 할 수 있으므로, 하부층의 패터닝 공정시에 식각에 의해 하부층이 손상되는 종래 기술의 문제점을 방지할 수 있다.
따라서, 상기 본 발명의 패턴 형성 방법에 따르면, 포토레지스트의 가로, 세로비(aspect ratio)를 고려하여, 미세한 선폭의 포토레지스트 패턴이 무너지지 않을 정도의 얇은 두께로 포토레지스트를 형성하더라도, 별도의 하드마스크를 형성할 필요도 없이, 상기 유기 반사 방지막에 의해 하부층이 보호되어 패터닝 공정에서 식각에 의해 하부층이 손상되는 것을 방지할 수 있으므로, 공정의 단순화 및 경제성에 크게 기여할 수 있다.
상기 본 발명에 의한 패턴 형성 방법에서, 상기 포토레지스트는 실리콘계 물질을 포함하는 실리콘계 포토레지스트로 됨이 바람직하다. 즉, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물 및 패턴 형성 방법은 실리콘계 포토레지스트와 함께 적용되어, 본 발명의 구성에 따라 형성된 유기 반사 방지막이 하드마스크의 역할 및 반사 방지막의 역할을 가장 효과적으로 동시에 수행할 수 있다.
또한, 상기 본 발명의 패턴 형성 방법에서, 상기 베이크 공정은 150-300℃의 온도에서 1-5분간 수행함이 바람직하다. 이러한 조건으로 베이크를 진행함으로서, 가교제 중합체와 노볼락 수지의 하이드록시기 사이에 가교 결합이 더욱 촉진되어 포토레지스트의 용매에 용해되지 않는 반사 방지막이 형성될 수 있다.
그리고, 상기 본 발명에 의한 패턴 형성 방법에 있어서, 상기 노광 공정의 직전 또는 직후에 베이크 공정을 부가적으로 진행할 수 있으며, 이러한 베이크 공정은 70-200℃의 온도에서 수행됨이 바람직하다.
본 발명에 의한 상기 유기 반사 방지막 조성물 및 패턴 형성 방법은 주로 193nm ArF 광원을 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 적용되나, KrF, EUV를 포함하 는 원자외선(DUV), E-빔, X-선 또는 이온빔 등을 사용하여 수행되는 초미세패턴 형성 공정에 있어서도 마찬가지로 적용될 수 있다.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 통하여 본 발명의 구성 및 작용을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 본 실시예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것은 아니고 단지 예시로 제시된 것이다.
(실시예 1) 가교제 중합체의 제조
아크롤레인 100g과 AIBN 2g을 둥근 플라스크 내의 테트라하이드로퓨란 용매 66g에 넣고, 진공 상태로 만든 후, 65℃의 온도에서 5 시간 동안 중합 반응을 진행하였다. 중합 반응이 진행됨에 따라, 흰색 고체가 생성되는데, 반응 완료 후 이 흰색 고체를 필터하고 에틸 에테르로 세척함으로서 폴리아크롤레인 중합체를 얻었다(수율 80%).
이와 같이 제조된 폴리아크롤레인 중합체 80g, 메탄올 500g을 1000ml의 둥근 바닥 플라스크에 넣고, 트리플로오르술폰산 1ml를 촉매로 넣어준 후, 상온에서 24시간 동안 반응시켰다. 처음에 녹지 않았던 흰색 고체 상태의 폴리아크롤레인 중합체가 반응이 완료됨에 따라 메탄올에 녹는 것이 관찰되었다. 반응 완료 후, 결과물을 트리에틸아민으로 중화시키고, 메탄올을 증류기로 제거하여 걸쭉한 상태로 만들고 나서, 증류수에서 침전을 잡아 진공 건조하여 상기 화학식 1의 가교제 중합체(R1 및 R2 는 메틸이고, R3는 수소)를 수득하였다(수율 63%).
(실시예 2) 본 발명에 의한 유기 반사 방지막 조성물 제조
상기 실시예 1에서 제조된 화학식 1의 가교제 중합체(R1 및 R2 는 메틸이고, R3는 수소) 8g, 분자량이 12000인 노볼락 수지 2g, 화학식 2의 2-하이드록시 사이클로헥실 파라톨루엔설포네이트 1.0g을 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트(PGMEA) 7g에 용해시켜 본 발명에 의한 유기 반사 방지막 조성물을 제조하였다.
(실시예 3) 미세 패턴의 형성
실리콘 웨이퍼 위에, 실리콘 산화막(SiO2)를 400nm의 두께로 증착하고, 상기 실시예 2에서 제조한 유기 반사 방지막 조성물을 상기 실리콘 산화막의 위에 400nm의 두께로 도포하였다. 240℃에서 60 초간 베이크 공정을 진행하여 유기 반사 방지막을 성막한 후에, 유기 반사 방지막 위에 실리콘계 포토레지스트를 도포하고, 이에 대한 노광 및 현상 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이러한 포토레지스트 패턴의 전자 현미경 사진은 도 2에 나타난 바와 같다.
계속하여, 이러한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하부의 유기 반사 방지막을 식각하고, 이와 같이 식각된 유기 반사 방지막을 마스크로 실리콘 산화막을 식각하여, 최종적으로 실리콘 산화막에 대한 미세 패턴을 형성하였다. 이러한 미세 패턴의 전자 현미경 사진은 도 3에 나타난 바와 같다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물 및 패턴 형성 방법을 이용하여, 하부에서의 난반사(정재파)에 의한 손상없이 양호한 포토레지스트 패턴이 형성되었음을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은 포토레지스트의 하부에서 난반사를 방지하여 포토레지스트 패턴이 정재파에 의한 손상없이 양호하게 형성될 수 있게 하는 반사 방지막으로서의 우수한 작용을 나타냄을 알 수 있다.
또한, 도 4를 참조하면, 최종 형성된 실리콘 산화막 패턴이 패터닝 과정에서의 식각에 의한 손상없이 양호하게 형성되었음을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 유기 반사 방지막 조성물은, 포토레지스트 하부에서 패터닝될 하부막을 보호하는 하드마스크로서의 우수한 작용을 나타내어, 포토레지스트가 얇게 형성되는 경우에도, 패터닝 공정시의 식각에 의한 실리콘 산화막의 손상을 방지할 수 있음을 알 수 있다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 별도의 하드마스크를 형성하지 않고 유기 반사 방지막의 단일막을 형성하는 것만으로, 포토레지스트 하부에서의 난반사를 방지할 수 있는 동시에, 포토레지스트가 얇게 형성되는 경우에도 패터닝시의 식 각에 의한 하부층의 손상을 방지할 수 있다.
따라서, 별도의 하드마스크를 형성할 필요가 전혀 없게 되므로, 반도체 공정의 패턴 형성 공정을 현저히 단순화시킬 수 있으며, 별도의 증착 장비 등이 필요치 않게 되어, 공정의 경제성에도 크게 기여할 수 있다.

Claims (8)

  1. 2000-100000의 중량 평균 분자량을 가지는 노볼락 수지와, 하기 화학식 1의 구조로 표시되는 가교제 중합체와, 열산 발생제와, 유기 용매를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112005026531208-pat00005
    상기 식에서, R1 및 R2 는 각각 측쇄 또는 직쇄 치환된 C1 ~ C10 의 알킬기를 나타내고, R3 는 수소 또는 메틸기를 나타내며, a, b는 각 단량체의 몰분율로써, a는 0.9-0.99를 나타내며, b는 0.01-0.1을 나타낸다.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 열산 발생제로는 하기 화학식 2의 구조를 가지는 2-하이드록시 사이클로헥실 파라톨루엔설포네이트를 사용하는 유기 반사 방지막 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112006079284381-pat00006
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 노볼락 수지는 조성물에 포함되는 가교제 중합체의 100 중량부에 대해 50-200 중량부로 포함되는 유기 반사 방지막 조성물.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열산 발생제는 조성물에 포함되는 가교제 중합체의 100 중량부에 대해 10-200중량부로 포함되는 유기 반사 방지막 조성물.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기 용매는 조성물에 포함되는 가교제 중합체 및 노볼락 수지의 합계량 100 중량부에 대하여 1000-10000중량부로 포함되는 유기 반사 방지막 조성물.
  6. 반도체 기판 상에 소정의 하부층을 형성하는 단계;
    제 1 항 또는 제 2 항에 의한 유기 반사 방지막 조성물을 상기 하부층 상부에 도포하는 단계;
    상기 결과물에 대해 베이크 공정을 진행하여 유기 반사 방지막을 형성하는 단계;
    상기 유기 반사 방지막 상부에 포토레지스트를 도포하고, 노광한 다음 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 유기 반사 방지막을 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 유기 반사 방지막을 마스크로 하부층을 패터닝하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 실리콘계 물질을 포함하는 패턴 형성 방법.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 베이크 공정은 150-300℃의 온도에서 1-5분간 수행하는 패턴 형성 방법.
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