KR101719146B1 - 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 - Google Patents
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 47
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 73
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 59
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 73
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 21
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 10
- -1 triphenyl hexafluoroarsenate Chemical compound 0.000 claims description 10
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 1,3,4,6-tetrakis(methoxymethyl)-3a,6a-dihydroimidazo[4,5-d]imidazole-2,5-dione Chemical group COCN1C(=O)N(COC)C2C1N(COC)C(=O)N2COC XGQJGMGAMHFMAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WBUSZOLVSDXDOC-UHFFFAOYSA-M (4-methoxyphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(OC)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WBUSZOLVSDXDOC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- WTQHTDIBYAAFEX-UHFFFAOYSA-N 1-decylsulfonylsulfonyldecane Chemical compound CCCCCCCCCCS(=O)(=O)S(=O)(=O)CCCCCCCCCC WTQHTDIBYAAFEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LOZJPUXMNANKIQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-3-nitro-4-(nitromethyl)benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=C(C[N+]([O-])=O)C([N+]([O-])=O)=C1CC1=CC=CC=C1 LOZJPUXMNANKIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004593 Epoxy Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 2
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 2
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LXAWHMFHGHNIHC-UHFFFAOYSA-N sulfanyl trifluoromethanesulfonate Chemical compound FC(F)(F)S(=O)(=O)OS LXAWHMFHGHNIHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 claims description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 150000002009 diols Chemical group 0.000 claims 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims 1
- 150000003893 lactate salts Chemical class 0.000 claims 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 abstract description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 abstract description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 abstract description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical group CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 2,2-Bis(hydroxymethyl)propionic acid Chemical compound OCC(C)(CO)C(O)=O PTBDIHRZYDMNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEWZVZIVELJPQZ-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxypropane Chemical compound COC(C)(C)OC HEWZVZIVELJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 2
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YAJAYSBYPCXMRT-UHFFFAOYSA-N CC([CH2-])=O.COC(C)(OC)C(=O)OC(=O)C(C)(OC)OC Chemical compound CC([CH2-])=O.COC(C)(OC)C(=O)OC(=O)C(C)(OC)OC YAJAYSBYPCXMRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQWPBERLXDBJKQ-UHFFFAOYSA-N COC(C(=O)O)(C)OC.[CH2-]C(=O)C Chemical compound COC(C(=O)O)(C)OC.[CH2-]C(=O)C UQWPBERLXDBJKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007824 aliphatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylpyridin-2-amine Chemical compound CN(C)C1=CC=CC=N1 PSHKMPUSSFXUIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N perfluorobutanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F JGTNAGYHADQMCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical compound [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
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- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- Power Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
본 발명은 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자의 미세 패턴 형성 공정에 적용 가능한 식각 내성이 우수한 마스크막을 형성하기 위하여, 실리콘과 탄화수소 성분을 포함하는 가교 결합이 용이한 선형 구조의 화합물을 포함하는 하드마스크용 화합물과 상기 하드마스크용 화합물, 가교제, 가교밀도 보조 수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서는 포토레지스트 패턴 형성 전에 피식각층 상부에 상기 하드마스크용 조성물을 스핀 코팅법으로 도포한 다음 경화함으로써, 식각 내성이 우수하며 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보할 수 있는 하드마스크막을 형성할 수 있다.
Description
본 발명은 하드마스크용 유-무기 중합체 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 응용 분야가 확장되어 감에 따라, 집적도가 향상된 대용량 메모리 소자를 제조하기 위한 새로운 공정 기술의 개발이 요구되고 있다. 예를 들면, 0.07㎛ 이하의 선폭(critical dimension; CD)을 가지는 라인 패턴 또는 콘택홀 패턴을 형성하기 위하여, I-line 또는 KrF(248nm)의 장파장 광원을 노광원으로 사용하는 리소그라피 공정 대신 ArF(193nm) 또는 VUV(157nm) 등의 화학증폭형의 원자외선(Deep Ultra Violet; DUV) 단파장 광원을 노광원으로 사용하는 리소그라피 공정이 도입되었다.
하지만, 반도체 소자의 고집적화에 의해 리소그라피 공정으로 얻어지는 포토레지스트 패턴의 아스펙트 비(aspect ratio)가 증가하면서 후속 세정 공정 시에 포토레지스트 패턴 간의 모세관력(capillary force)이 증가하여 포토레지스트 패턴이 붕괴하는 문제가 유발되었다.
이러한 단점을 개선하기 위하여, 100nm 이하의 미세 패턴 형성 공정 시에 포토레지스트 패턴 붕괴를 방지하기 위하여 포토레지스트막 코팅 두께를 200nm 이하로 낮추는 경우, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하는 식각 공정에서 하부 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 충분히 확보할 수 없어 균일한 회로 패턴을 형성하는 것이 불가능하였다.
특히, 단파장 광원에 적합한 포토레지스트 물질의 경우 벤젠과 같은 방향족 화합물 대신 지방족 화합물을 주성분으로 포함하기 때문에 효율적인 식각 공정을 위한 충분한 식각 내성을 확보하기가 매우 어렵다. 예컨대, 실리콘산화막(SiO2)과 같은 절연막으로 이루어진 피식각층 등을 식각 할 때 피식각층 변형이 유발되어 반도체 소자 제조가 거의 불가능하다.
최근 이러한 단점을 개선하기 위하여 반도체 기판의 피식각층(실리콘 산화막)과 포토레지스트막 사이에 포토레지스트막과 식각 선택비가 유사하거나 상대적으로 높은 절연막이나, 비정질 탄소(amorphous carbon)층으로 이루어진 다층 하드마스크막을 도입하여 피식각층에 대한 포토레지스트막의 식각 선택비를 개선하는 방법이 적용되고 있다. 상기 비정질 탄소층은 유기물과 같은 성질의 물질로서, 얇은 두께로 형성되어도 하부층에 대해 충분한 선택비를 얻을 수 있기 때문에 형성되는 포토레지스트막의 코팅 두께에 제약을 받지 않는다.
하지만, 상기 비정질 탄소층 및 절연막 증착 공정은 포토레지스트 코팅 공정과는 다른 별도의 증착 장비를 필요로 할 뿐만 아니라, 다층을 형성하기 위해 복잡한 공정 단계를 수행해야 하기 때문에 증착 효율이 매우 낮다. 따라서, 생산량(throughput)이 낮아져 제조 비용이 증가하는 또 다른 문제점이 발생한다.
이에 공정의 단순화와 공정 비용 절감을 위하여 비정질 탄소층의 대체 물질로 반사방지막의 역할을 수행함과 동시에 증착 방법이 간단하고, 우수한 식각 내성을 가지는 하드마스크막의 개발이 시급한 실정이다.
본 발명에서는 피식각층 패턴을 형성하기 위한 패턴 형성 공정 시에 가교 결합이 용이한 선형구조의 하드마스크용 화합물과 이를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명에서는 상기 하드마스크용 조성물을 이용하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여,
본 발명에서는 무기 성분인 실리콘과 유기 성분인 탄화수소 성분을 모두 함유하며, 가교 결합이 유리한 선형구조로 이루어진 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 하드마스크용 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 식에서, R1은 C1∼C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다.
본 발명의 하드마스크용 화합물은 유기 성분인 탄소 원자와 무기 성분인 실리콘의 결합 구조에 의해 하드마스크막의 식각 선택비를 향상시킬 수 있는 물질로서, 화합물 전체 중량을 100이라고 할 때 15∼45% 정도의 실리콘(Si) 성분을 함유해야 피식각층에 대한 하드마스크막의 식각 선택비를 확보할 수 있다. 상기 화합물의 분자량은 1,100∼1,600이며, 보다 구체적으로 하기 화학식 1a의 화합물로 나타낼 수 있다.
[화학식 1a]
상기 식에서, n은 4∼6이다.
이때, 상기 화학식 1a의 화합물은 염기 분위기하의 메틸렌 클로라이드 용매 내에서 하기 화학식 2의 화합물과 아세토나이드-2,2-비스(메톡시)프로피온산(acetonide-2,2-bis(methoxy)propionic acid)을 1:10.4의 당량으로 에스테르화(esterification) 반응시킨 후, 산 분위기하에서 이온교환 수지를 이용하여 말단기의 아세토나이드그룹을 분해시켜 히드록시 그룹(hydroxyl group)을 얻을 수 있다.
[화학식 2]
상기 식에서, n은 4∼6이다.
또한, 본 발명에서는 상기 화학식 1의 화합물로 표시되는 하드마스크용 화합물과, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 하드마스크용 조성물을 제공한다.
이때, 상기 가교제는 벤젠고리 혹은 지방족 고리 주쇄에 2개 이상의 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는 분자량 100∼10,000의 고분자 화합물로서, 촉매 존재 하에서 상기 하드마스크용 화합물과 반응하여 가교 구조를 형성한다. 바람직하게, 상기 가교제로는 테트라메톡시-메틸글리코우릴 수지(tetramethoxy-methylglycoluril) 또는 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지 (O-cresol novolac epoxy resin)를 들 수 있다. 상기 가교제는 하드마스크용 조성물 내에서 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 하이드록시(-OH) 작용기를 포함하는 분자량 100∼5,000의 고분자 화합물로서, 바람직하게 폴리(4-히드록시스티렌)을 들 수 있다. 상기 가교밀도 보조수지는 촉매 존재하에서 상기 하드마스크용 화합물 및 가교제와 함께 반응하여 경화물의 가교밀도를 높인다. 상기 가교밀도 보조수지는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것이 바람직하다.
상기 벤젠고리를 주쇄로 가지는 가교제 및 가교밀도 보조수지는 DUV 광원, 특히 193 nm의 ArF 광원에 대해 높은 흡광도를 나타내므로, 하부층으로부터의 반사광 및 정재파 등을 제거하여 상기 광원 파장 영역에서의 광 흡수도를 증가시킬 수 있다. 만약, 상기 가교제의 함량이 10중량부 미만이거나, 가교밀도 보조수지의 함량이 10중량부 미만이면 본 발명의 하드마스크용 조성물의 코팅 특성이 저하될 뿐만 아니라, 하드마스크막 상부에 포토레지스트막을 형성할 때 포토레지스트 용매에 하드마스크막이 용해되는 단점이 있다. 반면, 상기 가교제의 함량이 100중량부를 초과하거나, 가교밀도 보조수지의 함량이 50중량부를 초과하는 경우 조성물 내의 가교 밀도 비율이 높아져 포토레지스트막에 대한 식각 상대 속도가 많이 감소하기 때문에 공정 시간이 증가하는 등 공정 효율이 감소한다.
상기 촉매제는 짧은 베이크 시간 동안 화합물 간의 가교 결합 반응을 활성화시켜 충분한 가교 밀도를 얻기 위한 물질로서, 예를 들면 열산발생제 또는 광산발생제 등을 들 수 있다.
상기 열산발생제는 종래 열산발생제로 사용되는 물질이라면 특별히 제한하지 않으며, 구체적으로는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명의 실시예에서는 열산발생제로서 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트를 사용하였다.
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 식에서, A 는 설포닐 기를 포함하는 작용기로, 바람직하게는 
또는 
이며, n 은 0 또는 1이다.
상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 퍼플루오로부테인설포네이트(Triphenylsulfonium perfluoro-1-butanesulfonate), 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 등을 예로 들 수 있다.
상기 촉매제의 함량은 촉매 기능을 수행할 수 있는 범위 내에서 적절히 선택할 수 있는데, 예를 들면 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부로 첨가할 수 있다. 만약, 촉매제의 함량이 10중량부를 초과하는 경우 과도한 가교 결합 밀도에 의해 하드마스크막에서 크랙이 발생하여 후속 식각 공정 시에 결함이 발생한다. 반면에, 촉매제 함량이 0.1중량부 미만일 경우에는 본 발명의 하드마스크 조성물 내에서 가교 결합이 충분히 형성되지 않아, 코팅 후 하드마스크막 상부에 포토레지스트를 코팅할 때 포토레지스트 용매가 하드마스크막 내부로 침투하면서 하드마스크막이 일부 스웰링(Swelling) 되기 때문에 균일한 하드마스크막을 얻을 수 없다. 따라서, 후속 공정에서 균일한 패턴을 형성할 수 있다.
상기 유기 용매는 통상적인 포토레지스트 조성물 용매로 사용되는 유기 용매라면 특별히 제한을 두지않으며, 예를 들면 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 2-헵타논, 테트라하이드로퓨란(THF) 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 하나 이상 의 용매를 들 수 있다. 상기 유기용매는 상기 하드마스크용 화합물 100중량부에 대하여 300∼10,000중량부로 포함되는데, 유기용매의 함량이 10,000중량부를 초과하는 경우 충분한 두께의 하드마스크막을 얻을 수 없고, 300중량부 미만인 경우에는 하드마스크막이 두껍게 형성되어 패턴을 안정하게 식각하기 어렵다.
또한, 본 발명에서는
반도체 기판의 피식각층 상부에 본 발명에 따른 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;
상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계;
상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 제공한다.
상기 피식각층은 실리콘 산화막 또는 산화 질화막과 같은 절연막을 이용할 수 있으며, 바람직하게는 실리콘 산화막을 이용한다.
또한, 본 발명의 방법에서는 상기 하드마스크막에 대한 식각 선택비를 확보하기 위하여 본 발명의 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전에 피식각층 상부에 비정질 카본층이나 탄소 함량이 높은 폴리머층을 형성할 수 있다.
상기 하드마스크 조성물 도포 공정은 종래 포토레지스트막 형성용 장비를 이용하여 수행할 수 있다. 또한, 상기 하드마스크 조성물에 대한 경화 공정은 조성물 내에 포함된 촉매제의 종류에 따라 노광 또는 베이크 공정 조건을 다르게 실시한다. 즉, 상기 본 발명의 하드마스크용 조성물을 웨이퍼 상에 도포한 후 베이크 공정 또는 노광 공정 등을 수행하면 조성물에 포함된 산 촉매제로부터 산이 발생하고, 발생한 산 존재 하에서 상기 화합물과 가교제 및 가교밀도 보조수지 간에 가교 결합 반응이 일어나, 포토레지스트 용매에 용해되지 않는 경화된 하드마스크막이 형성된다.
상기 베이크 공정은 100∼300℃에서 1∼5분간 수행하고, 상기 노광 공정은 ArF 이머젼 스캐너 장비를 이용하여 1 내지 100mJ/cm2의 노광에너지로 수행된다. 상기 본 발명의 하드마스크막은 통상의 제거 공정, 예를 들면 시너, 알칼리 용매 또는 불소 가스를 이용하는 제거 공정에 의해 제거가 용이하다.
또한, 본 발명의 포토레지스트 패턴은 통상적으로 알려진 리소그라피 공정, 예를 들어 하드마스크막 상부에 일반적인 단파장 광원용 포토레지스트막을 도포한 후, 건식 또는 이머젼 리소그라피 공정을 실시하여 형성된 것으로, 상기 리소그라피 공정 조건에 특별한 제한을 두지 않는다. 이때, 상기 리소그라피 공정에서는 포토레지스트막 형성 전에 하드마스크막 상부에 반사방지막을 더 형성할 수도 있다.
상기 본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성 방법은 주로 ArF 광원을 사용하는 초미세 패턴 형성 공정에 적용되나, KrF, VUV, EUV, E-빔, X-선 또는 이온빔을 사용하여 수행되는 초미세 패턴 형성 공정에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에서는 상기 패턴 형성 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법에 의하여 제조된 반도체 소자를 제공한다.
전술한 바와 같이 본 발명에서는 포토레지스트막 도포 전에 피식각층 상부에, 단파장 영역에 대해 높은 광흡수도를 가지는 벤젠 고리 화합물을 포함하는 수지와 실리콘 및 탄화수소가 함유된 유-무기 중합체 화합물 간의 가교 결합에 의해 우수한 식각 내성을 가지는 하드마스크막을 형성하기 때문에 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 하드마스크막은 일반적인 스핀 코팅 방법으로 형성할 수 있기 때문에 종래 다층 마스크막 증착 단계를 공정 단계를 단순화할 수 있어, 공정 시간, 증착 공정 장비 및 증착용 물질 등에 의한 제조 비용을 감소할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 하드마스크막의 경우 벤젠 구조의 화합물을 함유하고 있어 노광 공정 시에 포토레지스트 하부층에서 발생하는 난반사광 및 정재파 등을 효과적으로 제거할 수 있으므로 반사방지막으로서의 역할도 동시에 수행할 수 있다.
이하, 본 발명의 반도체 소자의 패턴 형성 방법을 도면을 들어 더욱 상세히 설명한다.
도 2a를 참조하면, 기판(21) 상부에 피식각층(23)을 형성한다.
상기 피식각층은 산화질화막 또는 산화막 등을 이용하여 형성한다,
이어서, 상기 피식각층(23) 상부에 본 발명의 하드마스크용 조성물을 코팅한 다음, 노광 또는 베이크에 의한 경화 공정을 수행하여 하드마스크막(25)을 형성한다. 이때, 상기 하드마스크막 형성 전에 상기 피식각층 상부에 비정질 탄소층 또는 탄소 함량이 높은 폴리머층을 추가 형성할 수도 있다.
상기 하드마스크용 조성물은 가교 결합이 유리한 선형구조를 가지는 하기 화학식 1a의 화합물, 가교제인 O-크레졸 노볼락 에폭시 수지, 가교 밀도 보조 수지인 폴리(4-히드록시스티렌), 열산발생제인 2-히드록시헥실파라톨루에닐설포네이트 및 유기용매인 프로필렌글리콘 모토메틸에테르 아세테이트를 포함한다.
[화학식 1a]
상기 식에서, R1은 C1∼C10의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다.
상기 베이크 공정은 100∼300℃에서 1∼5분간 수행하며, 베이크 공정 동안 열산발생제로부터 발생된 산에 의해 하드마스크막 내에서 가교 밀도가 더 높아진다. 상기 하드마스크막은 약 100∼1500nm 두께로 형성된다.
그 다음, 상기 하드마스크막(25) 상부에 통상적인 화학증폭형 포토레지스트 조성물을 코팅한 다음 베이크하여 포토레지스트막(27)을 형성한다.
상기 포토레지스트막은 100∼2000nm 두께로 형성한다.
상기 도 2a의 포토레지스트막(27)에 대한 노광 및 현상 공정을 수행하여 포토레지스트 패턴(27-1)을 형성하고, 다시 상기 포토레지스트 패턴(27-1)을 식각 마스크로 하드마스크막(25)에 대한 식각 공정을 수행하여, 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 하드마스크막 패턴(25-1)을 형성한다.
상기 도 2b의 포토레지스트 패턴(27-1) 및 하드마스크 패턴(25-1)이 적층되어 있는 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층(23)에 대한 식각 공정을 수행하여 도 2c에 도시한 바와 같은 피식각층 패턴(23-1)을 형성한다.
이때, 상기 각각의 식각 공정은 O2, Cl2, Ar, N2O2, CF4 및 C2F6 로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 가스를 이용하며, 전력 (power)은 식각 장비, 사용하는 가스 또는 공정 종류 등에 따라 매우 다양하게 적용될 수 있다. 구체적으로, 상기 하드마스크막 식각 공정은 CF4, O2 및 이들의 혼합 식각 가스를 이용하면서 RF 전력 (source RF power) 80∼1000W, 바이어스 전력 (bias power) 0∼300W 조건 하에서 실시하는 것이 바람직하다.
이어서, 일반적인 시너 조성물, 알칼리 용매 또는 불소 가스를 이용한 제거 공정으로 식각 공정 후 잔류하는 포토레지스트 패턴(27-1) 및 하드마스크 패턴(25-1)을 제거한다. 그 결과, 도 2d에 도시한 바와 같이 기판(21) 상부에 균일한 피식각층 패턴(23-1)을 형성할 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에서는 가교 결합이 유리한 선형구조의 화합물을 포함하는 하드마스크용 조성물을 이용하여 식각 내성이 우수한 단층 구조의 하드마스크막을 형성함으로써, 하드마스크막 형성 공정 단계의 단순화와 제조 공정 시간 및 비용을 단축하여 생산 효율성을 높일 수 있다.
도 1은 본 발명에서 제조된 화학식 1a의 중합체의 NMR 그래프.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 패턴 형성 방법을 도시한 공정 개략도.
도 3a 및 도 3b는 실험예 1의 식각량 측정을 위한 전자현미경(SEM) 사진.
도 4a 및 도 4b는 실시예 3의 패턴 형성 방법에 대한 SEM 사진.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 패턴 형성 방법을 도시한 공정 개략도.
도 3a 및 도 3b는 실험예 1의 식각량 측정을 위한 전자현미경(SEM) 사진.
도 4a 및 도 4b는 실시예 3의 패턴 형성 방법에 대한 SEM 사진.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
I. 본 발명의 하드마스크용 조성물 제조
제조예 1
2,2-비스 하이드록시메틸 프로피온산(CAS NO. 4767-03-7)(10g)과 2,2-디메톡시프로판(CAS NO. 77-76-9)(13.8ml), 파라 톨루엔설폰산 모노하이드레이트(CAS NO. 6192-525)(0.71g)을 아세톤(100ml)에 첨가하고 상온에서 2시간 동안 교반하였다. NH3/EtOH 용액으로 촉매를 중화시킨 후 회전농축기를 이용하여 용매를 제거하였다. 남은 용액을 다시 메틸렌 클로라이드와 증류수를 이용하여 세척한 후 유기용매 내에 녹아있는 아세토나이드-2,2-비스(메톡시)프로피온산 화합물을 얻었다.
실시예 1
화학식 2의 실라놀 터미네이티드 폴리다이페놀실록산(Silanol terminated polydiphenylsiloxane, JSI Silicone 사 제조)(3.0g)과 상기 제조예 1의 아세토나이드-2,2-비스(메톡시)프로피온산 무수물(7.0g), 디메틸아미노피리딘(0.3g) 및 피리딘(6.4g)을 메틸렌 클로라이드(50ml)에 첨가한 후 상온에서 12시간 교반하였다. 얻어진 혼합 용액에 증류수(200ml)를 넣고 반응을 종결시켰다. 10% NaHSO4(500ml), 10% Na2CO3(500ml) 및 소금물(brine, NaCl)(500ml)을 이용하여 결과물을 차례로 세척한 후 여과 건조하여 보호된 1차 화합물을 얻었다.
이어서, 상기 1차 화합물(3.0g)과 이온교환수지(DOWEX 50W-X2, Sigma-Aldrich, CAS NO. 69011-20-7)(3.0g)를 메탄올(50ml)에 넣고 50℃에서 12시간 동안 교반한 후 세라이트(celite) 필터를 통과시켰다. 걸러진 용액을 여과 건조하여 정제된 4개 히드록시 그룹을 가진 상기 화학식 1a의 유-무기 중합체 화합물을 얻었다(Mw. 1191.74∼1588.34)(도 1의 NMR 참조).
실시예 2
상기 실시예 1의 화합물(8g), 폴리(4-히드록시스티렌)(CAS No.24979-70-2)(2g), 테트라메톡시메틸글리코우릴(CAS No.17464-88-9)(1.5g) 및 트리페닐설포늄 퍼플루오로 부테인설포네이트(CAS No.144317-44-2)(0.5g)를 테트라하이드로퓨란(THF)(60g)에 용해시킨 다음 0.2㎛ 미세 필터를 통과시켜 본 발명의 하드마스크 조성물을 제조하였다.
II. 본 발명의 하드마스크막에 대한 식각 선택비 실험
실험예 1
스핀 코팅(Spin Coating) 공정을 이용하여 상기 실시예 2의 하드마스크 조성물과 포토레지스트 조성물(MicroChem사, SU-8 2002)을 각각 실리콘 웨이퍼 상부에 도포한 다음, 150℃ 온도에서 90초간 각각 베이크하여 본 발명의 하드마스크막과 포토레지스트막을 형성하였다.
상기 하드마스크막 및 포토레지스트막에 대해 CF4, O2 및 CF4와 O2를 7:7, 4:10 및 10:4의 비율로 혼합한 식각 가스를 이용하면서 약 150W의 RF 전력 및 약 20W의 바이어스 전력 조건하에서 각각 20초간 식각 공정을 실시하였다. 각각의 식각 가스에 대한 하드마스크막(도 3a 참조) 및 포토레지스트막(도 3b 참조)의 식각량을 하기 표 1에 나타내었다.
| 식각량 (nm/20sec) | |||
| 사용가스 | 포토레지스트막 (SU-8 2002) |
본 발명의 하드마스크막 |
포토레지스트막에 대한 하드마스크막의 식각선택비 |
| 최초두께 | 2004nm | 981.3nm | - |
| CF4 | 94 | 287 | 3.05 |
| O2 | 152 | 175 | 1.10 |
| CF4/O2 (7:7) | 211 | 162 | 0.70 |
| CF4/O2 (4:10) | 797 | 500 | 0.62 |
| CF4/O2 (10:4) | 94 | 403 | 4.28 |
종래 하드마스크막으로 사용되던 비정질 탄소층의 경우 증착이 어렵고, 식각 속도가 포토레지스트막과 유사하여 피식각층에 대한 포토레지스트막의 식각 선택비를 확보하기가 어려웠다. 이에 반하여, 본 발명의 하드마스크막은 상기 표 1에 나타낸 바와 같이 대부분의 식각 가스, 특히 CF4 식각 가스 및 CF4/O2 혼합 식각 가스(10:4)의 경우 식각 속도가 포토레지스트막에 비하여 약 3배 이상 높기 때문에 피식각층에 대한 포토레지스트 패턴의 식각 선택비를 확보할 수 있다. 따라서, 본 발명의 하드마스크막은 피식각층과 포토레지스트막 사이에 적용하는 마스크막으로 사용하기 적합하다.
한편, CF4/O2 혼합 식각 가스(7:7 및 4:10)를 사용하는 경우 하드마스크막에 비해 포토레지스트막에 대한 식각 속도가 높고, 이 중에서 CF4/O2 혼합 식각 가스(4:10)를 사용하는 경우 포토레지스트막뿐만 아니라 하드마스크막의 식각 속도가 매우 높은 것으로 나타났다. 이는 CF4 가스가 무기물을 식각하는 기능과 동시에 유기물의 결합을 끊어내어 기능을 가져 많은 유기물들이 동시에 식각 된다는 것을 알 수 있었다.
III. 본 발명의 하드마스크막을 이용한 패턴 형성 방법
실시예 3
헥사메틸디실라잔(HMDS) 처리된 실리콘 웨이퍼에 피식각층으로 실리콘 산화막을 증착하고, 그 상부에 실시예 1의 하드마스크 조성물을 3000rpm 속도로 스핀 코팅한 다음, 150℃ 온도에서 90초간 베이크하여 하드마스크막을 형성하였다,
상기 하드마스크막 상부에 반사방지막 및 포토레지스트막(MicroChem사, SU-8 2002)을 0.17㎛ 두께로 코팅하고, 150℃에서 90초간 베이크한 다음, ArF 스캐너(NA=0.85, ASML사)를 사용하여 노광하고, 다시 150℃에서 90초간 베이크하였다. 베이크 종료 후, MicroChem사의 현상액으로 현상하여 80nm L/S 의 포토레지스트 패턴을 형성하였다(도 4a 참조).
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 하드마스크를 식각하여 하드마스크 패턴을 형성한 다음(도 4b 참조), 상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하면서 동일한 식각 공정 조건으로 피식각층에 대한 식각 공정을 수행하여 균일한 80nm L/S 의 미세 피식각층 패턴을 형성하였다. 상기 식각 공정은 CF4/O2 가스가 10:4의 비율로 혼합된 식각 가스와 150W의 RF 전력 및 약 20W의 바이어스 전력 조건 하에서 20초간 수행되었다.
21: 기판
23: 피식각층
23-1: 피식각층 패턴
25: 하드마스크막
25-1: 하드마스크 패턴
27: 포토레지스트막
27-1: 포토레지스트 패턴
23: 피식각층
23-1: 피식각층 패턴
25: 하드마스크막
25-1: 하드마스크 패턴
27: 포토레지스트막
27-1: 포토레지스트 패턴
Claims (22)
- 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물:
[화학식 1]
상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다. - 청구항 1에 있어서,
상기 화합물은 전체 화합물 중량에 대해 15∼45%의 실리콘(Si) 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물. - 삭제
- 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 화합물:
[화학식 1a]
상기 식에서, n은 4∼6이다. - 하기 화학식 1의 화합물로 표시되는 하드마스크용 화합물, 가교제, 가교밀도 보조수지, 촉매제 및 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:
[화학식 1]
상기 식에서, R1은 C1∼C10 의 직쇄 또는 측쇄 알킬이고, n은 4∼6이다. - 청구항 5에 있어서,
상기 화학식 1의 화합물은 하기 화학식 1a의 화합물로 표시되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:
[화학식 1a]
상기 식에서, n은 4∼6이다. - 청구항 5에 있어서,
상기 가교제는 벤젠고리 또는 지방족 고리 주쇄에 메톡시 또는 에폭시 구조의 작용기를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 7에 있어서,
상기 가교제는 테트라메톡시-메틸글리코우릴 수지 또는 o-크레졸 노볼락 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 가교제는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼100중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 가교밀도 보조수지는 벤젠 고리 주쇄에 디올(diol) 작용기를 포함하는 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 10에 있어서,
상기 가교밀도 보조수지는 폴리(4-히드록시스티렌)인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 가교밀도 보조수지는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 10∼50중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 촉매제는 열산발생제 또는 광산발생제인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 13에 있어서,
상기 열산발생제는 하기 화학식 3 및 화학식 4로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물:
[화학식 3]
[화학식 4]
상기 식에서, A 는 설포닐기를 포함하는 작용기이고, n 은 0 또는 1이다. - 청구항 13에 있어서,
상기 광산발생제는 프탈이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디설폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄설포네이트, 디페닐파라메톡시페닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐 설포늄트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐 설포늄트리플레이트, 트리페닐 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트 또는 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 촉매제는 상기 하드마스크용 화합물 전체 100중량부에 대하여 0.1∼10중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 유기용매는 에틸 3-에톡시프로피오네이트, 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 테트로하이드로퓨란(THF), 2-헵타논 및 에틸락테이트로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 용매인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 청구항 5에 있어서,
상기 유기용매는 상기 하드마스크용 화합물 100중량부에 대하여 500∼10,000중량부로 포함되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 조성물. - 기판의 피식각층 상부에 청구항 5의 하드마스크용 조성물을 도포하는 단계;
상기 하드마스크용 조성물에 대한 경화 공정을 실시하여 하드마스크막을 형성하는 단계;
상기 하드마스크막 상부에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하드마스크막을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 하드마스크 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법. - 청구항 19에 있어서,
상기 피식각층은 실리콘 산화막 또는 산화 질화막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법. - 청구항 19에 있어서,
상기 하드마스크용 조성물을 코팅하기 전, 피식각층 상부에 비정질 카본층 또는 탄소 함량이 높은 폴리머층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법. - 청구항 19에 있어서,
상기 경화 공정은 노광 또는 베이크 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 패턴 형성 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100032881A KR101719146B1 (ko) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100032881A KR101719146B1 (ko) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20110113472A KR20110113472A (ko) | 2011-10-17 |
| KR101719146B1 true KR101719146B1 (ko) | 2017-03-24 |
Family
ID=45028817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020100032881A KR101719146B1 (ko) | 2010-04-09 | 2010-04-09 | 하드마스크용 화합물 및 이를 포함하는 하드마스크 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101719146B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101788093B1 (ko) | 2014-03-19 | 2017-10-19 | 제일모직 주식회사 | 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 |
| KR102349952B1 (ko) * | 2018-01-17 | 2022-01-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 하드마스크용 조성물 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100725794B1 (ko) | 2005-12-26 | 2007-06-08 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
| KR100872758B1 (ko) | 2000-07-14 | 2008-12-08 | 에이비비 리써치 리미티드 | 중합체 매트릭스 수지 기재의 부피 변형된 주물 화합물 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070106212A (ko) * | 2006-04-28 | 2007-11-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하드마스크막과 포토레지스트막 계면의 혼합 방지용 조성물및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US20090096106A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Air Products And Chemicals, Inc. | Antireflective coatings |
-
2010
- 2010-04-09 KR KR1020100032881A patent/KR101719146B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100872758B1 (ko) | 2000-07-14 | 2008-12-08 | 에이비비 리써치 리미티드 | 중합체 매트릭스 수지 기재의 부피 변형된 주물 화합물 |
| KR100725794B1 (ko) | 2005-12-26 | 2007-06-08 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110113472A (ko) | 2011-10-17 |
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