JP2006201361A - シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 - Google Patents

シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006201361A
JP2006201361A JP2005011596A JP2005011596A JP2006201361A JP 2006201361 A JP2006201361 A JP 2006201361A JP 2005011596 A JP2005011596 A JP 2005011596A JP 2005011596 A JP2005011596 A JP 2005011596A JP 2006201361 A JP2006201361 A JP 2006201361A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate layer
composition
forming
film
etching
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005011596A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Yamashita
直紀 山下
三雄 ▲萩▼原
Mitsuo Hagiwara
Yasushi Fujii
恭 藤井
Yoshikane Sakamoto
好謙 坂本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2005011596A priority Critical patent/JP2006201361A/ja
Priority to PCT/JP2005/019585 priority patent/WO2006077684A1/ja
Priority to US11/795,521 priority patent/US20080107971A1/en
Priority to KR1020077016056A priority patent/KR20070087063A/ko
Priority to TW094139913A priority patent/TW200628987A/zh
Publication of JP2006201361A publication Critical patent/JP2006201361A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/16—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0752—Silicon-containing compounds in non photosensitive layers or as additives, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H01L21/0276—Photolithographic processes using an anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105—Etching inorganic layers
    • H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
    • H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
    • H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
    • H01L21/32137—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas of silicon-containing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

【課題】 耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）を改善した中間層形成用組成物を提供する。
【解決手段】 中間層形成用組成物を、
下記一般式（1）
【化１】
Figure 2006201361

（式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有させて構成する。
【選択図】 なし

Description

本発明は、シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、被加工層とホトレジスト層との間に形成される中間層（ハードマスク）を形成するための組成物であって、上記ホトレジスト層をパターニングする際に使用される露光光の反射を防止することができるとともに、ホトレジスト層および被加工層に対して十分なエッチングレートの差を有する中間層を形成するための組成物およびそれを用いたパターン形成方法に関するものである。
集積回路素子の製造においては、高集積度の集積回路を得るために、リソグラフィープロセスにおける加工サイズの微細化が進んでいる。このリソグラフィープロセスは、被加工層上にホトレジスト組成物を塗布、露光、現像してレジストパターンを形成し、そのレジストパターンを配線層、誘電体層等の被加工膜に転写する方法である。
従来、レジストパターンから露出した被加工膜の露出領域は、ドライエッチングによって除去されていた。しかし、レジスト層（以下、「レジストパターン」ともいう。）は、加工サイズの微細化に伴う露光光源の短波長化等により薄膜化されており、充分なドライエッチング耐性を確保できず、被加工膜の高精度な加工が困難となっている。
そこで、現在、レジストパターンを被加工膜へ精度良く転写するために、中間層（ハードマスク）が被加工膜とホトレジスト層との間に挿入されることが検討されるようになっている。例えば、被加工膜上に、シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物を含有し、ガラス転移温度が０℃以上の有機シリコン膜を形成する工程等を含むことにより、寸法制御性よくパターンを形成することを可能とするパターン形成方法が、公開されている（例えば、特許文献１参照）。
特開平１０−２０９１３４号公報
しかしながら、中間層の耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）などのパターニングを考慮した諸特性の改善は不十分であり、これらの特性を同時に満足させる中間層形成用組成物が求められている。
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、耐エッチング特性や、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）を改善した中間層形成用組成物を提供することを課題とする。
本発明者らは、上記課題解決のため、中間層形成用組成物の開発に着手した結果、
下記一般式（１）
Figure 2006201361
 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有して中間層形成用組成物を構成して使用すれば、上記問題点を解決する良好な作用および効果が得られることを知るに至った。
すなわち、本発明にかかる中間層形成用組成物は、
下記一般式（１）
Figure 2006201361
 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有してなることを特徴とする。
上記構成を特徴とする本発明によれば、短波長光線の反射を防止することができ、ホトレジスト層および被加工層に対して十分なエッチングレートの差を有する中間層を形成することができる中間層形成用組成物を提供することができる。
また、本発明のパターン形成方法は、上記中間層形成用組成物を被加工膜上に塗布し、中間層を形成する中間層形成工程と、上記中間層形成工程で形成された中間層上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンをマスクとして、上記中間層をドライエッチングする中間層エッチング工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の中間層形成用組成物を用いることにより、寸法精度の高いパターンを形成することができる。また、短波長光線の反射を防止することができ、ホトレジスト層および被加工層に対して十分なエッチングレートの差を有する。
以下、本発明の実施形態を説明する。
本発明の中間層（ハードマスク）形成用組成物は、
下記一般式（1）
Figure 2006201361
 （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、
を少なくとも含有することを特徴とする。
〔１〕シリルフェニレン系ポリマー（Ａ）
本発明に用いられるシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）は、上記一般式（１）で表される繰り返し単位を有するポリマーである。
上記Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基である。このようなアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基等が挙げられ、中でもメチル基、プロピル基が好ましい。
上記一般式（１）中のＲ1とＲ2とは互いに異なっていることが好ましい。それは、Ｒ1とＲ2とが互いに異なっていると、このポリマー（Ａ）の溶剤（Ｂ）への溶解性をコントロールすることができるからである。Ｒ1とＲ2との好適な組み合わせは、Ｒ1とＲ2との炭素数の差が２以上となる組み合わせである。また、Ｒ1およびＲ2の少なくとも一方は、炭素数が１０以下であることが好ましい。Ｒ1とＲ2との組み合わせは、具体的には、例えば、メチル基とプロピル基との組み合わせ等が好ましい。
上述のようにＲ1とＲ2とを互いに異ならせることによって、ポリマー（Ａ）の溶剤（Ｂ）への溶解性を、例えば１〜２ｗｔ％であるものを１０〜４０ｗｔ％程度にコントロールすることができる。ポリマー（Ａ）の中でも、溶剤（Ｂ）への溶解性は、０．５ｗｔ％〜５０ｗｔ％のものが好ましく、１ｗｔ％〜２０ｗｔ％のものがより好ましい。
上記中間層形成用組成物から形成される中間層（ハードマスク）の膜厚は、用途によって一律に限定することはできないが、その下限値が１０ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上であり、その上限値は１０００ｎｍ以下、好ましく５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。
また、上述のようにポリマー（Ａ）の溶剤（Ｂ）への溶解性をコントロールすることにより、中間層形成用組成物におけるポリマー濃度の調整が可能となり、このポリマー濃度により、形成される中間層（ハードマスク）の膜厚を調整することが容易となる。
また、本発明の中間層形成用組成物から形成される中間層（ハードマスク）は、繰り返し構造内に芳香環を有している上記一般式（１）の化合物を含んでいるため反射防止性能に優れている。特に１９３ｎｍ程度の短波長光線に対する反射防止性能に優れている。また、上記一般式（１）の化合物の主骨格がシリルフェニレン系材料であるため、ポリシリコン膜、酸化シリコン膜、チッ化シリコン膜等の無機被膜と比較して、エッチングガス、特にＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＳＦ6等のハロゲン化ガスに対するエッチング耐性に優れる。なお、この中間層（ハードマスク）上に形成されるレジスト層は、有機層であるため、このエッチングガスに対して上記中間層（ハードマスク）よりもエッチング耐性に優れる。
さらに、上記一般式（１）中のｍを調整することにより、芳香環の割合を調整することができ、上記中間層形成用組成物から形成される中間層（ハードマスク）の吸収特性を適宜調節することができる。但し、上記一般式（１）中のｍは、大きすぎると芳香環の数が少なくなるため、１９３ｎｍ付近における光の吸収量が減ってしまう。従って、ｍは０〜２０が好ましく、０〜１０であることがより好ましく、特に好ましいのは、ｍ＝０である。
本発明の中間層形成用組成物に用いられるシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）は、一般式（１）中、ｎで表される繰り返し単位数が、１〜２００のものが好ましく、重量平均分子量が１００〜１００００、好ましくは１０００〜５０００の範囲のものが好適である。それは、主に、成膜性、膜の平坦性を確保することが容易となるからであり、エッチング耐性にも優れるからである。特に分子量が低すぎると、シリルフェニレン系ポリマー（Ａ）が揮発してしまい、成膜できない可能性がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定することができる。
〔２〕溶剤（Ｂ）
本発明に用いる溶剤（Ｂ）としては、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等の一価アルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ヘキサントリオール等の多価アルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコールのモノエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、メチルエチルケトン、シクロアルキルケトン、メチルイソアミルケトン等のケトン類、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル（ＰＧＤＭ）、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールの水酸基をすべてアルキルエーテル化した多価アルコールエーテル類などが挙げられる。これらの中でも、シクロアルキルケトンまたはアルキレングリコールジアルキルエーテルがより好適である。さらに、アルキレングリコールジメチルエーテルとしては、ＰＧＤＭ（プロピレングリコールジメチルエーテル）が好適である。これらの有機溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その配合量は、中間層形成用組成物全体量に対して７０〜９９質量％の範囲が適当である。
本発明の中間層形成用組成物には、上記シリルフェニレン系ポリマー（Ａ）以外のポリマーとして、従来慣用のポリアリーレンエーテルなどの低誘電性ポリマーを混合して用いることができる。その場合の混合量は、混合後の組成物の短波長光に対する反射防止能が実用の範囲に納まる程度である必要がある。この従来の低誘電性ポリマーの混合割合により、エッチング速度を制御することができる。また、アルコキシシランの加水分解物および／または縮合物等のシロキサンポリマーを混合してもよい。
〔３〕パターン形成方法
本発明の中間層形成用組成物を用いたパターン形成方法の例を挙げる。
このパターン形成方法は、少なくとも以下の工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）を有する。
（ｉ）本発明の中間層形成用組成物を被加工膜上に塗布し、中間層を形成する中間層形成工程。
（ｉｉ）上記中間層形成工程で形成された中間層上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程。
（ｉｉｉ）上記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンをマスクとして、中間層をドライエッチング処理する中間層エッチング工程。
さらに、以下の（ｉｖ）の工程を有することにより被加工層にパターンを形成することができる。
（ｉｖ）中間層エッチング工程で得られた中間層をマスクとして、上記被加工膜をドライエッチング処理する被加工膜エッチング工程。
さらに、上記レジストパターン、中間層を剥離・除去する工程があってもよい。
以下に上記各工程を詳細に説明する。
上記工程（ｉ）における被加工膜には、ハロゲン化ガスに対するエッチングレートが上記中間層よりも大きいものが挙げられ、例えば、有機被膜、ならびにシリコン基板、ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜およびチッ化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜等のシリコン系被膜、金属配線などの無機被膜が挙げられる。これらの被加工膜は、塗布法、ＣＶＤ法等のいかなる方法で形成されたものであってもよい。
上記中間層は、本発明の中間層形成用組成物を、被加工膜上に塗布し、加熱処理を行なって乾燥させることにより形成することができる。また、上記乾燥後に焼成処理を行なって硬化させてもよい。塗布方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法など、任意の方法を用いることができる。中間層の膜厚は、適用するデバイスにより適宜選択される。
上記加熱処理は、例えば８０〜３００℃程度のホットプレート上で１〜６分程度行なえばよい。この加熱処理は好ましくは３段階以上、段階的に昇温することが好ましい。具体的には、大気中または窒素などの不活性ガス雰囲気中、７０〜１２０℃程度のホットプレート上で３０秒〜２分程度第１回目の乾燥処理を行なった後、１３０〜２２０℃程度で３０秒〜２分程度第２回目の乾燥処理を行い、さらに１５０〜３００℃程度で３０秒〜２分程度第３回目の乾燥処理を行なう加熱処理が挙げられる。このようにして３段階以上、好ましくは３〜６段階程度の段階的な乾燥処理を行なうことによって、塗膜の表面を均一とすることができる。
上記加熱処理された塗膜は、次に焼成処理を施してもよい。焼成は、例えば３００〜４００℃程度の温度で、窒素雰囲気中等で行なえばよい。
また、上記被加工膜と中間層との間に下層膜を設けてもよい。
上記工程（ｉｉ）で形成されるレジストパターンは、例えば、上記中間層上にホトレジストを塗布し、乾燥させてホトレジスト層を形成し、このホトレジスト層を、露光、現像することにより形成することができる。なお、本願の中間層形成用組成物から形成される中間層は、特に１９３ｎｍ付近の波長の光に対する反射防止能を有しており、上記ホトレジストとしてＡｒＦレジストを用いることにより良好なレジストパターンを形成することができる。また、上記中間層とホトレジスト層との間に反射防止膜等を設けてもよい。これにより、他の波長の露光光であっても上記反射防止膜を変更することにより露光光の反射を抑制して良好なレジストパターンを形成することができる。
なお、露光、現像処理は、通常のリソグラフィーで常用のプロセスを用いることができる。
上記工程（ｉｉｉ）におけるドライエッチング処理で用いられるエッチングガスとしては、例えばハロゲン化ガスを含むガス等が挙げられる。このようなハロゲン化ガスとしては、レジストパターンよりも中間層に対するエッチングレートが大きくなるものを適宜選択して使用することができる。このようなハロゲン化ガスとしては、具体的には、例えばＣ4Ｆ8、ＣＨ2Ｆ2等が挙げられる。このようなエッチングガスを用いることにより、レジストパターンの腐食を抑制しつつ、中間層をエッチングすることができ、レジストパターンを中間層に転写することができる。
上記工程（ｉｖ）におけるドライエッチング処理で用いられるエッチングガスとしては、ハロゲン化ガスが好ましく、例えばＣＦ4、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、ＣＨ2Ｆ2、ＳＦ6等が挙げられる。
本発明の中間層形成用組成物により形成された中間層を使用した場合、無機被膜、特にシリコン系被膜にパターンを形成することが容易となる。
以下、本発明の実施例を示し、本発明について更に詳細に説明するが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。なお、使用した試薬については特に記載したものを除いては、一般に市販しているものを用いた。
（実施例１）
[１９３ｎｍ波長光での吸光度、屈折率、反射率]
本実施例では、下記化学式（２）の繰り返し単位を有し、分子量４０００のシリルフェニレン系ポリマー（Ａ１）を用いた。
Figure 2006201361
 （式中、ｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
このポリマー（Ａ１）のプロピレングリコールジメチルエーテル（ＰＧＤＭ）３質量％溶液（中間層形成用組成物）を調製した。
上述の中間層形成用組成物をスピンコート法によってシリコンウェハ上に塗布し、ホットプレート上で大気中、８０℃、１分間の加熱処理を行った。次いで、１５０℃で１分間、さらに３４０℃で１分間の加熱処理を行った（乾燥処理）。得られた被膜（中間層（ハードマスク））の膜厚は、３５ｎｍであった。
分光エリプソメータ「ＷＯＯＬＬＡＭ」（Ｊ．Ａ．ＷＯＯＬＬＡＭ製）を用いて１９３ｎｍでの吸光度（ｋ）、屈折率（ｎ）を測定した。その結果、吸光度は０．６６６、屈折率は１．５１８であった。次いで、この吸光度および屈折率を用いて反射率シミュレーションを行なった。その結果、波長４０ｎｍでの反射率は、０．８２％であった。これらの結果より、吸光度、屈折率、反射率すべて良好であることが確認された。
（実施例２）
[ドライエッチング試験]
実施例１と同様にして被膜（中間層（ハードマスク））を得た。得られた中間層に対してドライエッチング処理を行ない、処理前後での膜厚変化を測定しエッチングレートを求めた。
上記ドライエッチング処理は、以下の通りにして行った。
（１）ＣＦ4／ＣＨＦ3／Ｈｅからなるエッチャー（流量：１２０ｓｃｃｍ）を用い、ＣＨＦ3の量を変化させて、温度２０〜２５℃、出力７００Ｗ、圧力３００ｍＴｏｒｒの条件下において、上記被膜について６０秒間のドライエッチングを行った。その結果を図１に示す。ここで、図１は、本発明の中間層形成用組成物から形成された中間層およびＴｈ．ＳｉＯ2膜（熱酸化により形成されたシリコン酸化膜）のエッチングレートを示すグラフである。
（２）ＣＦ6／Ｏ2からなるエッチングガス（流量：１１０ｓｃｃｍ）を用い、ＣＦ6／Ｏ2の割合を変えて、温度１００℃、出力５００Ｗ、圧力５００ｍＴｏｒｒ下の条件下において、６０秒間のドライエッチングを行った。その結果を図２に示す。ここで、図２は、本発明の中間層形成用組成物から形成された中間層、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｏ4膜（ＣＶＤ法で形成したＳｉ3Ｎ4膜）のエッチングレートを示すグラフである。
（比較例１）
[ドライエッチング試験]
実施例２の（１）と同様にして、Ｔｈ．ＳｉＯ2膜に対してドライエッチング処理を行ない、エッチングレートを測定した。その結果を図１に示す。
（比較例２）
[ドライエッチング試験]
実施例２の（２）と同様にして、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4膜に対してドライエッチング処理を行い、エッチングレートを測定した。その結果を図２に示す。
以上実施例１、２および比較例１、２より、本発明の中間層形成用組成物から形成された中間層は、Ｔｈ．ＳｉＯ2膜、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜、およびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｎ4膜と比べてエッチング耐性があることが認められた。
（実施例３）
[パターン形状の評価]
実施例１と同様にして塗布液（中間層形成用組成物）を得た。得られた中間層形成用組成物をスピンコート法によってＴｈ．ＳｉＯ2膜上に塗布し、ホットプレート上で大気中、８０℃、１分間の加熱処理を行った。次いで、１５０℃で１分間、さらに３２０℃で１分間の加熱処理を行った（乾燥処理）。得られた中間層の膜厚は、３５ｎｍであった。上記中間層の上に、アセタール系のＡｒＦレジスト組成物を回転塗布し、１０５℃にて９０秒間加熱処理し、膜厚１２００ｎｍのＡｒＦレジスト層を形成した。この基板に対して、ＮＳＲ Ｓ−３０６Ｃ（ニコン社製）を用いて露光処理し、続いて２．３８ｗｔ％ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液にて６０秒間の現像処理を行い、レジストパターン（レジスト層）を形成した。その結果、良好なレジストパターンが形成された。
次いで、ＣＦ6／Ａｒ（流量：１０／１００ｓｃｃｍ）からなるエッチングガスを用いて、温度−１０℃、出力１６００／５０Ｗ、圧力３ｍＴｏｒｒの条件下において、上記中間層をドライエッチングすることにより、上記レジストパターンを上記中間層に転写した。その結果、レジストパターンが中間層に良好に転写された。
さらに、Ｃ4Ｆ8／ＣＨ2Ｆ2／Ｏ2／Ａｒ（流量：７／３１／２／１００ｓｃｃｍ）からなるエッチングガスを用いて、温度２０℃、出力１６００／１５０Ｗ、圧力３ｍＴｏｒｒの条件下において、上述のようにして得られた転写中間層を介して下層のＴｈ．ＳｉＯ2膜のエッチングを行なった。その結果、良好なパターンが形成された。最終的に、ラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）＝２１８／５８ｎｍ、２３８／５１ｎｍ、２３０／８２ｎｍのパターンを形成することができた。
（実施例４）
[パターン形状の評価]
本実施例では、上記化学式（２）の繰り返し単位を有し、分子量１０００のシリルフェニレン系ポリマー（Ａ２）を用いた。
このポリマー（Ａ２）１．０ｇのプロピレングリコールジメチルエーテル（ＰＧＤＭ）３質量％溶液（中間層形成用組成物）を調製した。
上述の中間層形成用組成物をスピンコート法によってＴｈ．ＳｉＯ2膜上に塗布し、ホットプレート上で大気中、８０℃、１分間の加熱処理を行った。次いで１５０℃で１分間、さらに３２０℃で１分間の加熱処理を行った（乾燥処理）。
実施例３と同様にして、レジストパターンを形成した。次いで、中間層を実施例３と同様にしてエッチングした。さらに、実施例３と同様にして得られた転写中間層を介して下層のＴｈ．ＳｉＯ2膜をエッチングした。その結果、どの過程においても良好なパターンが形成された。
以上のように、本発明の中間層形成用組成物は、リソグラフィーを用いたパターン形成に有用である。
本発明の中間層形成用組成物から形成された中間層およびＴｈ．ＳｉＯ2膜のエッチングレートを示すグラフである。 本発明の中間層形成用組成物から形成された中間層、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜およびＣＶＤ−Ｓｉ3Ｏ4膜のエッチングレートを示すグラフである。

Claims (10)

  1. 被加工膜とレジスト層との間に形成される中間層形成用組成物であって、
    下記一般式（１）
    Figure 2006201361
     （式中、Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立して水素または炭素数１〜２０のアルキル基であり、ｍおよびｎは繰り返し単位数を表す整数である。）
    で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、
    溶剤（Ｂ）と、
    を少なくとも含有することを特徴とする中間層形成用組成物。
  2. 前記一般式（１）中のＲ1とＲ2とは、互いに異なっていることを特徴とする請求項１に記載の中間層形成用組成物。
  3. 前記一般式（１）中のＲ1とＲ2とにおける炭素原子の数の差は、２以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の中間層形成用組成物。
  4. 前記シリルフェニレン系ポリマー（Ａ）の重量平均分子量は、１００〜１００００であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の中間層形成用組成物。
  5. 前記露光処理に用いられる露光光の波長は、１９３ｎｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の中間層形成用組成物。
  6. 前記溶剤（Ｂ）は、シクロアルキルケトンまたはアルキレングリコールジアルキルエー
    テルであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の中間層形成用組成物。
  7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載の中間層形成用組成物を被加工膜上に塗布し、中間層を形成する中間層形成工程と、
    前記中間層形成工程で形成された中間層上に、レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
    前記レジストパターン形成工程で形成されたレジストパターンをマスクとして、前記中間層をドライエッチング処理する中間層エッチング工程と、
    を含むことを特徴とするパターン形成方法。
  8. さらに、前記中間層エッチング工程で得られた中間層をマスクとして、前記被加工膜をドライエッチング処理する被加工膜エッチング工程を含むことを特徴とする請求項７に記載のパターン形成方法。
  9. 前記被加工膜エッチング工程において、前記ドライエッチング処理はエッチングガスとしてハロゲン化ガスを用いる処理であることを特徴とする請求項８に記載のパターン形成方法。
  10. 前記被加工膜は、無機被膜であることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
JP2005011596A 2005-01-19 2005-01-19 シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 Withdrawn JP2006201361A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005011596A JP2006201361A (ja) 2005-01-19 2005-01-19 シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
PCT/JP2005/019585 WO2006077684A1 (ja) 2005-01-19 2005-10-25 シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
US11/795,521 US20080107971A1 (en) 2005-01-19 2005-10-25 Silylphenylene Polymer Composition For The Formation Of Interlayers And Process For The Formation Of Patterns By Using The Same
KR1020077016056A KR20070087063A (ko) 2005-01-19 2005-10-25 실릴페닐렌계 폴리머를 함유하는 중간층 형성용 조성물 및그것을 사용한 패턴형성방법
TW094139913A TW200628987A (en) 2005-01-19 2005-11-14 Composition for forming intermediate layer including silylphenylene-based polymer, and pattern formation method using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005011596A JP2006201361A (ja) 2005-01-19 2005-01-19 シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006201361A true JP2006201361A (ja) 2006-08-03

Family

ID=36692079

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005011596A Withdrawn JP2006201361A (ja) 2005-01-19 2005-01-19 シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080107971A1 (ja)
JP (1) JP2006201361A (ja)
KR (1) KR20070087063A (ja)
TW (1) TW200628987A (ja)
WO (1) WO2006077684A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011032475A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Cheil Industries Inc レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、これを含むレジスト下層膜組成物、およびこの組成物を用いた素子のパターン形成方法
WO2018230671A1 (ja) * 2017-06-16 2018-12-20 Jsr株式会社 パターン形成方法及びｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009199061A (ja) * 2007-11-12 2009-09-03 Rohm & Haas Electronic Materials Llc オーバーコートされたフォトレジストと共に用いるためのコーティング組成物
US8647809B2 (en) 2011-07-07 2014-02-11 Brewer Science Inc. Metal-oxide films from small molecules for lithographic applications

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6270948B1 (en) * 1996-08-22 2001-08-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming pattern
JP3435318B2 (ja) * 1996-08-22 2003-08-11 株式会社東芝 パターン形成方法
JP3486123B2 (ja) * 1998-12-28 2004-01-13 株式会社東芝 パターントランスファ組成物及びパターントランスファ方法
JP3886779B2 (ja) * 2001-11-02 2007-02-28 富士通株式会社 絶縁膜形成用材料及び絶縁膜の形成方法
JP2006002125A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd カルボシラン系ポリマーを含んでなる被膜形成用組成物、および該組成物から得られた被膜
US7427464B2 (en) * 2004-06-22 2008-09-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Patterning process and undercoat-forming material

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011032475A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Cheil Industries Inc レジスト下層膜用芳香族環含有重合体、これを含むレジスト下層膜組成物、およびこの組成物を用いた素子のパターン形成方法
WO2018230671A1 (ja) * 2017-06-16 2018-12-20 Jsr株式会社 パターン形成方法及びｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物
JPWO2018230671A1 (ja) * 2017-06-16 2020-04-16 Jsr株式会社 パターン形成方法及びｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物
JP7048903B2 (ja) 2017-06-16 2022-04-06 Jsr株式会社 パターン形成方法及びｅｕｖリソグラフィー用ケイ素含有膜形成組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070087063A (ko) 2007-08-27
WO2006077684A1 (ja) 2006-07-27
US20080107971A1 (en) 2008-05-08
TW200628987A (en) 2006-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7050137B2 (ja) ハードマスクおよび充填材料として安定な金属化合物、その組成物、およびその使用方法
KR890003264B1 (ko) 3층 레지스트 및 레지스트 패턴의 형성방법
JP6810696B2 (ja) ハードマスク組成物および半導体基板上での微細パターンの形成方法
KR101570251B1 (ko) 규소 함유 반사 방지막 형성용 조성물, 규소 함유 반사 방지막 형성 기판 및 패턴 형성 방법
JP5271274B2 (ja) レジスト下層膜加工用ハードマスク組成物、前記ハードマスク組成物を用いた半導体集積回路デバイスの製造方法、および前記方法によって製造された半導体集積回路デバイス
KR100816735B1 (ko) 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의　제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스
KR100826104B1 (ko) 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물　및　이를 이용한패턴화된 재료 형상의　제조방법
JP4881396B2 (ja) 反射防止膜材料
TWI632437B (zh) 用於形成凸紋影像的方法
JP2010529499A (ja) 反射防止ハードマスク組成物およびそれを使用した基板上の材料のパターン化方法
KR20100110363A (ko) 다중 다크 필드 노출에 의한, 하드마스크 패턴화를 위한 온-트랙 공정
TWI490656B (zh) 可切換之抗反射塗料
KR20160065811A (ko) 폴리산을 포함하는 메탈함유 레지스트 하층막 형성조성물
CN113015940A (zh) 用于高分辨率图案化的含硅烷醇有机-无机杂化涂层
JP2005352110A (ja) 犠牲膜形成用組成物、パターン形成方法、犠牲膜及びその除去方法
JP2009244722A (ja) レジスト下層膜用組成物及びその製造方法
JP2007258683A (ja) 有機シラン系重合体を含むレジスト下層膜用ハードマスク組成物およびこれを用いた半導体集積回路デバイスの製造方法
KR20170093113A (ko) 할로겐함유 카르본산아미드기를 가지는 가수분해성 실란을 포함하는 리소그래피용 레지스트 하층막 형성 조성물
JP2006201361A (ja) シリルフェニレン系ポリマーを含有する中間層形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
EP3394675B1 (en) Materials containing metal oxides, processes for making same, and processes for using same
KR20130017729A (ko) 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 반도체 집적회로 디바이스의 제조방법
KR20080057927A (ko) 고 내에칭성 반사방지 하드마스크 조성물, 패턴화된 재료형상의　제조방법 및 그 제조방법으로 제조되는 반도체집적회로 디바이스
KR101225946B1 (ko) 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법
KR100995080B1 (ko) 레지스트 하층막, 고내에칭성 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법
Nakayama et al. New 193-nm bottom antireflective coatings

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090303

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090327

A072 Dismissal of procedure [no reply to invitation to correct request for examination]

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20090731