KR101225946B1 - 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 - Google Patents

방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것이다. 상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 1, 2 및 3으로 표시되는 반복단위를 포함하여 반사방지 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성이 매우 우수하다. 상기 방향족 고리 함유 중합체는 미세패턴의 형성을 위한 리쏘그래픽 공정에 유용하고, 스핀-온 도포 기법으로 도포 가능한 레지스트 하층막용 조성물에 사용될 수 있다. 본 발명의 중합체 및 조성물은 보다 짧은 파장을 이용한 리쏘그래픽 공정에 유용하고 최소 잔류 산 함량을 보유한다.
[화학식 1]
Figure 112008091141019-pat00001
[화학식 2]
Figure 112008091141019-pat00002
[화학식 3]
Figure 112008091141019-pat00003
상기 화학식 1 내지 3에서 R1 내지 R5, A, m, x, y 및 z의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.
방향족 고리, 레지스트 하층막, 반사방지 특성, 내에칭성

Description

방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법{HIGH ETCH RESISTANT POLYMER HAVING AROMATIC RINGS, COMPOSITION CONTAINING THE SAME, AND METHOD OF PATTERNING MATERIALS USING THE SAME}
본 발명은 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 매우 우수한 반사방지 특성, 기계적 특성 및 에칭 선택비 특성을 갖는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체와, 이를 포함하여 미세패턴의 형성을 위한 리쏘그래픽 공정에 유용하고, 스핀-온 도포 기법으로 도포 가능한 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법에 관한 것이다.
마이크로일렉트로닉스 산업에서 뿐만 아니라 마이크로스코픽 구조물(예를 들어, 마이크로머신, 마그네토레지스트 헤드 등)의 제작을 비롯한 다른 산업에서, 구조적 형상의 크기를 감소시키고자 하는 지속적인 요구가 존재한다. 마이크로일렉트 로닉스 산업에서, 마이크로일렉트로닉 디바이스의 크기를 감소시켜, 주어진 칩 크기에 보다 많은 양의 회로를 제공하고자 하는 요구가 존재한다.
효과적인 리쏘그래픽 기법은 형상 크기의 감소를 달성시키는데 필수적이다. 리쏘그래픽은 소정의 기판 상에 패턴을 직접적으로 이미지화시킨다는 측면에서 뿐만 아니라 그러한 이미지화에 전형적으로 사용된 마스크를 제조한다는 측면에서 마이크로스코픽 구조물의 제조에 영향을 미친다.
전형적인 리쏘그래픽 공정은 이미지화 방사선에 방사선-민감성 레지스트를 패턴 방식으로 노출시킴으로써 패턴화된 레지스트 층을 형성시키는 과정을 수반한다. 이어서, 이미지는 노출된 레지스트 층을 임의의 물질(전형적으로 수성 알칼리 현상액)과 접촉시킴으로써 현상시킨다. 이어서, 패턴은 패턴화된 레지스트 층의 개구부 내에 있는 그 물질을 에칭시킴으로써 이면 재료에 전사시킨다. 전사가 완료된 후, 잔류하는 레지스트 층은 제거한다.
상기 리쏘그래픽 공정 중 대부분은 이미지화층, 예컨대 방사선 민감성 레지스트 재료층과 이면층 간의 반사성을 최소화시키는데 반사방지 코팅(ARC)을 사용하여 해상도를 증가시킨다. 그러나, 패터닝 후 ARC의 에칭 중에 많은 이미지화층도 소모되어, 후속 에칭 단계 중에 추가의 패터닝이 필요하게 될 수 있다.
다시 말하면, 일부 리쏘그래픽 이미지화 공정의 경우, 사용된 레지스트는 레지스트 이면에 있는 층으로 소정의 패턴을 효과적으로 전사시킬 수 있을 정도로 후속적인 에칭 단계에 대한 충분한 내성을 제공하지 못한다. 따라서, 많은 실제 예(예를 들면, 초박막 레지스트 층이 필요한 경우, 에칭 처리하고자 하는 이면 재료 가 두꺼운 경우, 상당할 정도의 에칭 깊이가 필요한 경우 및/또는 소정의 이면 재료에 특정한 부식제(etchant)를 사용하는 것이 필요한 경우)에서, 일명 하드마스크 층이라는 것을 레지스트 층과 패턴화된 레지스트로부터 전사에 의해 패턴화될 수 있는 이면 재료 사이에 중간층로서 사용한다. 그 하드마스크 층은 패턴화된 레지스트 층으로부터 패턴을 수용하고, 이면 재료로 패턴을 전사시키는 데 필요한 에칭 공정을 견디어 낼 수 있어야 한다.
종래 기술에서는 많은 하드마스크 재료가 존재하긴 하지만, 개선된 하드마스크 조성물에 대한 요구가 지속되고 있다. 그러한 많은 종래 기술상 재료는 기판에 도포하기 어려우므로, 예를 들면 화학적 또는 물리적 증착, 특수 용매, 및/또는 고온 소성의 이용이 필요할 수 있다. 고온 소성에 대한 필요성 없이도 스핀-코팅 기법에 의해 도포될 수 있는 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다. 추가로, 상부 포토레지스트층을 마스크로 하여 선택적으로 용이하게 에칭될 수 있으며, 동시에 이면층이 금속 층인 경우 하드마스크층을 마스크로 하여 이면 층을 패턴화하는데 필요한 에칭 공정에 내성이 있는 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 적당한 저장 수명을 제공하고, 이미지화 레지스트 층과의 저해한 상호작용(예를 들어, 하드마스크로부터 산 오염에 의한 것)을 피하는 것도 바람직하다. 추가로, 보다 짧은 파장(예, 157, 193, 248nm)의 이미지 방사선에 대한 소정의 광학 특성을 지닌 하드마스크 조성물을 갖는 것이 바람직하다.
결론적으로 에칭 선택성이 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하며, 레지스트와 이면층 간의 반사성을 최소화하는 반사방지 조성물을 사용하여 리쏘그래픽 기 술을 수행하는 것이 요망된다. 이러한 리쏘그래픽 기술은 매우 세부적인 반도체 장치를 생산할 수 있게 할 것이다.
본 발명의 일 구현예는 에칭 선택성이 높고, 다중 에칭에 대한 내성이 충분하며, 레지스트와 이면층 간의 반사성을 최소화하는 방향족 고리 함유 중합체를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 구현예는 상기 방향족 고리 함유 중합체를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 리쏘그래픽 기술을 수행하는 데 있어서, 스핀-온 도포 기법(spin-on application technique)을 이용하여 도포가 가능하고, 산 오염물질의 함량이 최소이거나 전혀 없는 상기 중합체를 포함하는 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 구현예는 상기 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 기판 상의 이면 재료 층을 패턴화시키는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 평균적 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1, 2 및 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체를 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112008091141019-pat00004
(상기 화학식 1에서,
R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
x는 0 내지 5의 정수이고,
m은 0 내지 4의 정수이다.)
[화학식 2]
Figure 112008091141019-pat00005
(상기 화학식 2에서,
R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치 환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
y 및 z는 0 내지 3의 정수이다.)
[화학식 3]
Figure 112008091141019-pat00006
(상기 화학식 3에서,
A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있이다.)
본 발명의 다른 구현예에 따르면, (a) 상기 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체 또는 이들의 혼합물; 및 (b) 유기 용매를 포함하여 이루어진 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계; (b) 상기 재료 층 위에 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 레지스트 하층막(제1 하층막)을 형성시키는 단계; (c) 상기 레지스트 하층막 위에 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계; (d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계; (e) 상기 방사선-민감성 이미지 화 층 및 상기 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및 (f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하여 이루어진 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법을 제공한다.
기타 본 발명의 구현예들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 방향족 고리 함유 중합체 및 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물은 필름형성시 ArF(193nm), KrF(248nm) 파장영역 등 Deep UV(DUV)영역에서 반사방지막으로 사용하기에 유용한 범위의 굴절율 및 흡수도를 가짐으로써 레지스트와 이면층 간의 반사성을 최소화할 수 있다. 리쏘그래픽 기술수행시 에칭 선택비가 높고 다중 에칭에 대한 내성이 충분하여, 패턴 프로파일이나 마진면에서 우수한 패턴평가 결과를 가지는 리쏘그래픽 구조물을 제공할 수 있다. 또한, 상기 조성물은 산 오염물질의 함량이 최소이거나 전혀 없다는 장점이 있다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, 각각 알킬기, 할로겐기, 할로알킬기, 아릴기, 및 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 고리기 내에 N, O, S, 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "알킬기"라 함은 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 보다 바람직하기로는, 탄소수 1 내지 8인 저급알킬기이고; "알킬렌기"라 함은 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기, 보다 바람직하기로는, 탄소수 2 내지 20의 알킬렌기이고; "아릴기"라 함은 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 보다 바람직하기로는, 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며; "아릴렌기"라 함은 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기, 보다 바람직하기로는, 탄소수 6 내지 20의 아릴렌기이며; "헤테로아릴기"라 함은 탄소수 2 내지 30인 방향족환에 N, O, S, 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 헤테로아릴기, 보다 바람직하기로는, 탄소수 2 내지 20인 방향족환에 상기 헤테로원자를 1 내지 3개 포함하는 헤테로아릴기이며; "할로겐기"라 함은 F, Cl, Br, 및 I로 이루어진 군에서 선택되고, 보다 바람직하기로는, F 또는 Cl이다.
본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1 및 2로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체가 제공된다.
[화학식 1]
Figure 112008091141019-pat00007
(상기 화학식 1에서,
R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
x는 0 내지 5의 정수이고,
m은 0 내지 4의 정수이다.)
[화학식 2]
Figure 112008091141019-pat00008
(상기 화학식 2에서,
R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
y 및 z는 0 내지 3의 정수이다.)
[화학식 3]
Figure 112008091141019-pat00009
(상기 화학식 3에서,
A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있이다.)
상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체는 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 및 블록 공중합체 중에서 선택된 어느 형태도 가능하다.
또한, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 상기 화학식 1 내지 3으로 표시되는 반복단위를 1 : 1 내지 2 : 1 내지 2의 몰비로 포함할 때, 용해성 측면에서 이점이 있기 때문에 보다 바람직하다.
상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 경우 보다 바람직하다.
[화학식 4]
Figure 112008091141019-pat00010
(상기 화학식 4에서,
R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고,
x는 0 내지 5의 정수이고,
m은 0 내지 4의 정수이고,
y 및 z는 0 내지 3의 정수이고,
n은 1 ≤ n < 100 범위의 정수이다.)
또한, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 경우 보다 더 바람직하다.
[화학식 5]
Figure 112008091141019-pat00011
(상기 화학식 5에서,
R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루 어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고,
x는 0 내지 5의 정수이고,
y 및 z는 0 내지 3의 정수이고,
n은 1 ≤ n < 100 범위의 정수이다.)
특히, 상기 화학식 1, 4 내지 5의 R1과, 화학식 2, 4 내지 5에서, R2 내지 R5 중에서 선택된 적어도 하나가 히드록시기로 치환되는 경우 가교성능 및 코팅성면에서 이점이 있기 때문에 보다 바람직하다.
또한, 상기 화학식 3 내지 5에서, A는 치환 또는 비치환된 페닐렌; 치환 또는 비치환된 나프탈렌; 치환 또는 비치환된 안트라센; 치환 또는 비치환된 플루오렌; 치환 또는 비치환된 스틸벤; 및 치환 또는 비치환된 트리페닐아민으로 이루어진 군중에서 선택되는 것이 바람직하며, 특히 치환 또는 비치환된 스틸벤; 및 치환 또는 비치환된 트리페닐아민인 경우가 보다 바람직하다.
상기 방향족 고리 함유 중합체의 중량 평균 분자량은 2,000 내지 10,000 범위인 것을 용해성 개선 측면에서 보다 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 더 바람직하기로는 3,000 내지 8,000 범위인 것을 사용할 수 있다.
또한, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 동일 물성 재현측면에서, 분산도(polydispersity)가 1.2 내지 2.5 범위인 것을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체를 얻기 위한 모노머는 당분야에서 일반적으로 사용되는 것으로 특별히 한정하지 않으나, 상기 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체를 얻을 수 있는 모노머라면 그 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 상기 모노머의 보다 바람직한 예로는 아세틸렌계 화합물; 및 아릴렌계 비스-시클로펜타디엔온 단량체의 혼합 및 중합반응에 의하여 얻어질 수 있다. 보다 바람직하기로는 디엘스 엘더(Diels-Alder) 반응에 의하여 중합반응은 이루어질 수 있다.
보다 구체적인 예를 들자면, 아세틸렌계 화합물로는 4,4'-디에티닐-(4"-메틸)트리페닐아민, 4,4'-디에티닐스틸벤 등을 예로 들 수 있고, 아릴렌계 비스-시클로펜타디엔온의 구체적인 예로는 2,7-비스(2,4,5-트리페닐사이클로펜타디에논-3-일)-9,9'-디헥실플루오렌 등을 들 수 있다.
본 발명이 제공하는 방향족 고리 함유 중합체 및 이들의 혼합물는 각 중합체가 짧은 파장 영역(특히, 193nm, 248nm)에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리를 중합체의 골격 부분에 포함한다.
상기 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체는 짧은 파장 영역(특히, 193nm, 248nm)에서 강한 흡수를 갖는 방향족 고리를 중합체의 골격 부분에 포함하므로, 짧은 파장 영역(예, 157, 193, 248 nm 특히, 248 nm)에서 강한 흡수를 갖는다.
본 발명의 다른 구현예에 따르면, (a) 상기한 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체 또는 이들의 혼합물; 및 (b) 유기 용매를 포함하여 이루어진 레지스트 하층막용 조성물을 제공한다. 이 때, 상기 방향족 고리 함유 중합체의 특성은 상기 방향족 고리 함유 중합체를 설명하면서 기재한 바와 같다.
본 발명의 레지스트 하층막용 조성물에서, 상기 (a) 방향족 고리 함유 중합 체의 방향족 고리는 중합체의 골격 부분 내에 존재하는 것이 바람직하다. 상기 방향족 고리는 리쏘그래픽 공정시 짧은 파장(193nm, 248nm)의 방사선을 흡수함으로써, 본 발명의 조성물을 사용할 경우 별도의 반사방지 코팅(ARC) 없이도 이면층간의 반사성을 최소화시킬 수 있다. 한편, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 가교 성분과 반응하는 중합체를 따라 분포된 다수의 반응성 부위 예를들어, 히드록시기(-OH)를 함유하는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 레지스트 하층막용 조성물에 알콕시기(-OR, 여기서 R은 메틸기와 같은 알킬기)와 같은 가교 성분이 포함될 경우 자기가교반응을 일으켜, 추가적인 가교성분 없이도, 베이킹 공정에 의한 경화가 가능하다.
또한, 본 발명의 레지스트 하층막용 조성물은 종래의 스핀-코팅에 의해 층을 형성시키는데 도움이 되는 용액 및 막 형성(film-forming) 특성을 갖는다.
또한, 본 발명의 조성물에 포함되는 (b) 유기 용매는 (a) 방향족 고리 함유 중합체에 대한 충분한 용해성을 갖는 유기 용매라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(PGME), 사이클로헥사논, 에틸락테이트 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 (a) 방향족 고리 함유 중합체 또는 이들의 혼합물 1 내지 20 중량%, 보다 바람직하게는 3 내지 10 중량% 및 (b) 유기 용매 80 내지 99 중량%를 포함하여 이루어질 수 있는 바, 상기 두 성분은 목적하는 코팅 두께를 정확히 맞추기 위하여 상기한 범위의 함량으로 포함되는 것이 좋다.
또한, 상기 본발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 추가적으로 (c)촉매 또는 (d)첨가제를 더 포함하여 이루어질 수 있다. 보다 바람직하게 상기 본발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 (c)촉매 0.01 내지 0.5 중량% 또는 (d)첨가제는 0.1 내지 1 중량%를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 (c)촉매는 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체의 탄소화 반응을 촉진시킬 수 있는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 2,3-디클로로-5,6-디시아노벤조퀴논(DDQ) 등을 사용할 수 있다.
또한, 상기 (d)첨가제로는 본 발명에 따른 방향족 고리 함유 중합체의 탄소화 반응을 촉진시킬 수 있는 물질이라면 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면, 라디칼개시제, 계면 활성제 등을 첨가제로 사용할 수 있다. 특히, 상기 라디칼개시제의 보다 바람직한 예로서 아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 아조계, 퍼옥사이드(peroxide) 계열 개시제 등을 사용할 수 있다.
본 발명의 또 다른 구현예에 따르면, (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계; (b) 상기 재료 층 위에 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 레지스트 하층막을 형성시키는 단계; (c) 상기 레지스트 하층막 위 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계; (d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계; (e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및 (f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하여 이루어진 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법의 (c) 단계 이전에 상기 레지스트 하층막(제1 하층막) 위에 실리콘 함유 제2 하층막을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 실리콘 함유 제2 하층막을 형성시키는 단계 이후, 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법의 (c) 단계 이전에 제3 하층막(바닥 반사방지층, BARC)을 형성시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따라 기판 상의 재료를 패턴화하는 방법은 보다 구체적으로 하기와 같이 수행될 수 있다.
먼저, 알루미늄과 SiN(실리콘 나이트라이드)등과 같은 패턴화하고자 하는 재료를 통상적인 방법에 따라 실리콘 기판 위에 형성시킨다. 본 발명의 레지스트 하층막용 조성물이 사용되는 패턴화하고자 하는 재료는 전도성, 반전도성, 자성 또는 절연성 재료인 것이 모두 가능하다.
이어서, 본 발명의 레지스트 하층막용 조성물을 사용하여 500 내지 7000 Å 두께로 스핀-코팅에 의해 레지스트 하층막을 형성하고, 100 내지 500 ℃에서 10초 내지 10분간 베이킹하여 레지스트 하층막(제1 하층막)을 형성한다. 이 때, 상기 레지스트 하층막의 두께, 베이킹 온도 및 시간은 상기 범위로 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
레지스트 하층막이 형성되면 방사선-민감성 이미지화층을 형성시키고, 상기 이미지화층을 통한 노광(exposure) 공정에 의해 패턴이 형성될 영역을 노출시키는 현상(develop)공정을 진행한다. 이어서, 이미지화층 및 반사방지층을 선택적으로 제거하여 재료층의 부분을 노출시키고, 에칭가스를 이용하여 드라이 에칭을 진행한다. 상기 에칭가스의 일반적인 예로는 CHF3, CF4, CH4, Cl2, BCl3및 이들의 혼합가스로 이루어진 군 중에서 선택된 것을 사용할 수 있다. 패턴화된 재료 형상이 형성된 후에는 통상의 포토레지스트 스트립퍼에 의해 잔류하는 임의의 레지스트를 제거할 수 있다.
이러한 본 발명에 따른 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법에 의해 반도체 집적회로 디바이스가 제공될 수 있다.
따라서, 본 발명의 조성물 및 형성된 리쏘그래픽 구조물은 통상의 반도체 소자 제조공정에 따라 집적 회로 디바이스의 제조 및 설계에 사용될 수 있다. 예를 들면 금속 배선, 컨택트 또는 바이어스를 위한 홀, 절연 섹션(예, DT(Damascene Trench) 또는 STI(Shallow Trench Isolation)), 커패시터 구조물을 위한 트렌치 등과 같은 패턴화된 재료 층 구조물을 형성시키는 데 사용할 수 있다. 또한 본 발명은 임의의 특정 리쏘그래픽 기법 또는 디바이스 구조물에 국한되는 것이 아님을 이해해야 한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
또한, 여기에 기재되지 않은 내용은 이 기술 분야에서 숙련된 자이면 충분히 기술적으로 유추할 수 있는 것이므로 그 설명을 생략한다.
실시예 1
방향족 고리 함유 중합체의 합성
[화학식 6]
Figure 112008091141019-pat00012
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 2,7-비스(2,4,5-트리페닐사이클로펜타디에논-3-일)-9,9'-디헥실플루오렌 66.3 g 과 4,4'-디에티닐-(4"-메틸)트리페닐아민 21.5 g을 300 g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 녹인 용액을 담고 자기 교반기로 교반하고 있는 오일조에서 플라스크를 가열하여 반응용액의 내부온도가 100 ℃가 되도록 승온한 후, 12 시간 반응을 실시하였다.
반응종료 후 반응용기가 충분히 실온까지 냉각된 후, 반응종료를 위해 중화제로 트리에탄올아민 0.42 g (0.04 mol) 을 투입하여 종료하였다. 반응종료 후 물 / 메탄올 혼합물을 사용하여 산을 제거하였고, 이어서 메탄올을 사용하여 올리고머 및 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하고 상기 화학식 6으로 표시되는 방향족 고리 함유 중합체 (화학식 6, 중량평균 분자량 Mw=7,000, n=6)를 얻었다.
레지스트 하층막의 형성
상기 얻어진 방향족 고리 함유 중합체 10 g을 계량하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 90 g 에 넣어서 녹인 후 여과하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 레지스트 하층막용 조성물을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여, 5분간 400 ℃에서 구워서 두께 4000 Å의 레지스트 하층막을 형성시켰다.
실시예 2
방향족 고리 함유 중합체의 합성
[화학식 7]
Figure 112008091141019-pat00013
[화학식 8]
Figure 112008091141019-pat00014
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 2,7-비스(2,4,5-트리페닐사이클로펜타디에논-3-일)-9,9'-디헥실플루오렌 132.6 g, 2,7-디에티닐-9,9'-디노말헥실플루오렌 26.7 g, 4,4'-디에티닐-(4"-메틸)트리페닐아민 21.5 g을 500 g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 녹인 용액을 담고 자기 교반기로 교반하고 있는 오일조에서 플라스크를 가열하여 반응용액의 내부온도가 100 ℃가 되도록 승온한 후, 12 시간 반응을 실시하였다.
반응종료 후 반응용기가 충분히 실온까지 냉각된 후, 반응종료를 위해 중화제로 트리에탄올아민 0.42 g(0.04 mol)을 투입하여 종료하였다. 반응종료 후 물/메탄올 혼합물을 사용하여 산을 제거하였고, 이어서 메탄올을 사용하여 올리고머 및 모노머를 함유하는 저분자량체 및 상기 화학식 7 및 8로 표시되는 방향족 고리 함유 중합체 혼합물(화학식 7 및 8, Mw=6,500, m=2 ,n=3)을 얻었다.
레지스트 하층막의 형성
상기 얻어진 방향족 고리 함유 중합체 10 g을 계량하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 90 g 에 넣어서 녹인 후 여과하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 레지스트 하층막용 조성물을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여, 5분간 400 ℃에서 구워서 두께 4000 Å의 레지스트 하층막을 형성시켰다.
실시예 3
방향족 고리 함유 중합체의 합성
[화학식 9]
Figure 112008091141019-pat00015
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 2,7-비스(2,4,5-트리페닐사이클로펜타디에논-3-일)-9,9'-디헥실플루오렌 66.3 g, 4,4'-디에티닐스틸벤 16 g을 300 g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 녹인 용액을 담고 자기 교반기로 교반하고 있는 오일조에서 플라스크를 가열하여 반응용액의 내부온도가 100 ℃가 되도록 승온한 후, 12 시간 반응을 실시하였다.
반응종료 후 반응용기가 충분히 실온까지 냉각된 후, 반응종료를 위해 중화제로 트리에탄올아민 0.42 g (0.04 mol) 을 투입하여 종료하였다. 반응종료 후 물 / 메탄올 혼합물을 사용하여 산을 제거하였고, 이어서 메탄올을 사용하여 올리고머 및 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하고 상기 화학식 9로 표시되는 방향족 고 리 함유 중합체(화학식 9, Mw=5,000, n=4 )를 얻었다.
레지스트 하층막의 형성
상기 얻어진 방향족 고리 함유 중합체 10 g을 계량하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(Propylene glycol monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 90 g 에 넣어서 녹인 후 여과하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 레지스트 하층막용 조성물을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여, 5분간 400 ℃에서 구워서 두께 4000 Å의 레지스트 하층막을 형성시켰다.
실시예 4
기계교반기, 냉각관, 2 L의 4구 플라스크에 2,7-비스(2,4,5-트리페닐사이클로펜타디에논-3-일)-9,9'-디헥실플루오렌 66.3 g, 과 4,4'-디에티닐-(4"-메틸)트리페닐아민 21.5 g을 300 g의 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트(PGMEA)에 녹인 용액을 담고 자기 교반기로 교반하고 있는 오일조에서 플라스크를 가열하여 반응용액의 내부온도가 100 ℃가 되도록 승온한 후, 12 시간 반응을 실시하였다.
반응종료 후 반응용기가 충분히 실온까지 냉각된 후, 반응종료를 위해 중화제로 트리에탄올아민 0.42 g (0.04 mol) 을 투입하여 종료하였다. 반응종료 후 물 / 메탄올 혼합물을 사용하여 산을 제거하였고, 이어서 메탄올을 사용하여 올리고머 및 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하여 상기 화학식 6으로 표시되는 방향족 고리 함유 중합체 (화학식 6, Mw=7,000, n=6)를 얻었다.
레지스트 하층막의 형성
상기 얻어진 방향족 고리 함유 중합체 9.4 g을 계량하여 촉매제인 2,3-디클로로-5,6-디시아노벤조퀴논(DDQ) 0.1 g 및 라디칼 개시제인 아조비스이소부티로니트릴(AIBN) 0.5 g과 함께 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 90 g 에 넣어서 녹인 후 여과하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 레지스트 하층막용 조성물을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여, 5분간 400 ℃에서 구워서 두께 4000 Å의 레지스트 하층막을 형성시켰다.
비교예 1
9,9-비스히드록시페닐플루오렌과 1,4-비스메톡시메틸벤젠 공중합체의 합성
[화학식 10]
Figure 112008091141019-pat00016
기계교반기, 냉각관을 구비한 3 L의 4구 플라스크에 9,9-비스히드록시페닐플 루오렌 350.41 g (1.0 mol) 과 디에틸설페이트(Diethyl Sulfate) 3.08 g (0.02 mol)과 프로필렌글리콜모노메틸에테르 350 g을 넣고 반응기의 온도를 115 ℃로 유지시키면서 교반시켜 완전히 용해시켜 주었다. 10분 후에 1,4-비스메톡시메틸벤젠 166.22 g (1 mol)을 적하한 다음 동일한 온도에서 15시간 동안 반응을 실시하였다.
반응종료를 위해 중화제로 트리에탄올아민 2.98 g (0.02 mol) 을 투입하여 종료하였다. 반응종료 후 물 / 메탄올 혼합물을 사용하여 산을 제거하였고, 이어서 메탄올을 사용하여 올리고머 및 모노머를 함유하는 저분자량체를 제거하여 상기 화학식 8로 표시되는 중합체(Mw = 10,000, polydispersity = 2.0, n = 17)를 얻었다.
레지스트 하층막의 형성
상기 얻어진 상기 공중합체 0.8 g을 계량하여 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(propylene glycol monomethylether acetate, 이하 PGMEA이라 칭함) 9 g 에 넣어서 녹인 후 여과하여 레지스트 하층막용 조성물을 제조하였다.
상기 레지스트 하층막용 조성물을 실리콘웨이퍼에 스핀-코팅법으로 코팅하여, 60 초간 300 ℃에서 구워서 두께 1500 Å의 레지스트 하층막을 형성시켰다.
상기 실시예 1 내지 4 및 비교예 1에서 형성된 레지스트 하층막에 대한 굴절률(refractive index) n과 흡광계수(extinction coefficient) k를 각각 구하였다. 사용기기는 Ellipsometer(J. A. Woollam 사)이고 그 측정결과를 하기 표 1에 나타내었다.
필름 제조에
사용된 샘플		 광학 특성 (193nm)
n　(굴절율) k　(흡광계수)
실시예 1 1.51 0.49
실시예 2 1.50 0.50
실시예 3 1.50 0.50
실시예 4 1.50 0.51
비교예 1 1.43 0.73
평가결과, 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 ArF (193 nm) 파장에서 반사방지막으로서 사용가능한 굴절율 및 흡수도가 있음을 확인하였다.
실시예 5 내지 8
실시예 1 내지 4에서 제조된 각각의 레지스트 하층막 위에 ArF용 포토레지스트를 코팅하고 110 ℃에서 60초간 굽고 ArF 노광장비인 ASML1250 (FN70 5.0 active, NA 0.82)를 사용해 노광을 한 다음 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH, 2.38 중량% 수용액)으로 현상하였다. 그리고 FE-SEM을 사용하여 50 nm의 라인 앤드 스페이스(line and space) 패턴을 고찰하였다.
또한, 노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진과 광원과의 거리변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진을 고찰하여 표 2에 기록하였다.
비교예 2
실시예 1 내지 4에서 제조된 레지스트 하층막을 대신하여 비교예 1의 레지스트 하층막을 적용한 것을 제외하고는 실시예 5 내지 8과 동일한 과정으로 페턴화된 시편을 제조하여, 노광량의 변화에 따른 EL(expose latitude) 마진과 광원과의 거리변동에 따른 DoF(depth of focus) 마진을 고찰하여 표 2에 기록하였다.
필름 제조에
사용된 샘플		 패턴특성
EL 마진
(△mJ/exposure energy mJ)		 DoF 마진
(㎛)		 Profile
실시예 5 4 0.25 cubic
실시예 6 4 0.25 cubic
실시예 7 4 0.25 cubic
실시예 8 4 0.25 cubic
비교예 2 4 0.25 cubic
패턴평가결과, 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물 및 비교예 2에 따른 레지스트 하층막용 조성물 모두 패턴 프로파일이나 마진 면에서 양호한 결과를 확인할 수 있었다.
실시예 9 내지 12
실시예 5 내지 8에서 각각 패턴화된 시편을 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 진행하고 이어서 선택비를 달리한 CHF3/CF4 혼합가스를 사용하여 드라이 에칭을 다시 진행하였다. 마지막으로 O2가스를 사용하여 남아 있는 유기물을 모두 제거한 다음, FE-SEM으로 단면을 고찰하여 하기 표 3에 결과를 나타내었다.
비교예 3
비교예 2에서 제조된 패턴화된 시편을 사용하는 것을 제외하고 상기 실시예 9 내지 12에서와 동일한 방법으로 에칭을 진행한 후 단면을 고찰하여 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
필름 제조에
사용된 샘플		 레지스트 하층막
에칭 후 패턴 모양		 실리콘 나이트라이드
에칭후 패턴모양
실시예 9 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 10 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 11 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
실시예 12 수직모양(Anisotropic) 수직모양(Anisotropic)
비교예 3 활모양(Bowing) 테이퍼진 모양
에치 평가결과, 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 레지스트 하층막 에칭 후 및 실리콘 나이트라이드 에칭 후 패턴 모양이 각각의 경우 모두 양호한 것을 확인할 수 있었다. 이것은 본 발명에 따른 레지스트 하층막용 조성물의 에칭개스에 의한 내성이 충분하여 실리콘 나이트라이드의 에칭이 양호하게 수행된 것으로 판단된다.
에치 평가결과, 비교예 3에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 레지스트 하층막 에칭 후에 활모양의 등방성으로 에칭되는 것을 확인할 수 있었고, 이로인해 실리콘 나이트라이드의 에칭시 테이퍼 양상이 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 이는 해당 에치 조건에서의 비교예 3에 따른 레지스트 하층막용 조성물은 에칭가스에 의한 내성이 불충분하여, 실리콘 나이트라이드를 에칭하기 위한 에칭 선택비가 부족한 것으로 판단된다.
본 발명은 상기 실시예 들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. (a)하기 화학식 1, 2 및 3으로 표시되는 반복단위를 포함하는 방향족 고리 함유 중합체 또는 이들의 혼합물; 및
    (b) 유기 용매;
    를 포함하여 이루어지는 것인 레지스트 하층막용 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112008091141019-pat00022
    (상기 화학식 1에서,
    R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    x는 0 내지 5의 정수이고,
    m은 0 내지 4의 정수임.)
    [화학식 2]
    Figure 112008091141019-pat00023
    (상기 화학식 2에서,
    R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    y 및 z는 0 내지 3의 정수임.)
    [화학식 3]
    Figure 112008091141019-pat00024
    (상기 화학식 3에서,
    A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있음.)
  6. 제5항에 있어서,
    상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 4로 표시되는 것인 레지스트 하층막용 조성물.
    [화학식 4]
    Figure 112008091141019-pat00025
    (상기 화학식 4에서,
    R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고,
    x는 0 내지 5의 정수이고,
    m은 0 내지 4의 정수이고,
    y 및 z는 0 내지 3의 정수이고,
    n은 1 ≤ n < 100 범위의 정수임.)
  7. 제5항에 있어서,
    상기 방향족 고리 함유 중합체는 하기 화학식 5로 표시되는 것인 레지스트 하층막용 조성물.
    [화학식 5]
    Figure 112008091141019-pat00026
    (상기 화학식 5에서,
    R1은 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    R2 내지 R5는 서로 같거나 다른 것으로, 각각 독립적으로, 수소; 히드록시기; 할로겐기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 및 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군 중에서 선택되고,
    A는 단일결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 및 치환 또는 비치환된 직쇄 또는 분지된 알킬렌기로 이루어진 군 중에서 선택되고, 상기 알킬렌기는 선택적으로, 하나 이상의 -CH2-가 아민; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 알케닐렌기 및 아조기로 이루어진 군 중에서 선택된 치환기로 치환될 수 있고,
    x는 0 내지 5의 정수이고,
    y 및 z는 0 내지 3의 정수이고,
    n은 1 ≤ n < 100 범위의 정수임.)
  8. 제5항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막용 조성물은
    (a) 방향족 고리 함유 중합체 또는 이들의 혼합물 1 내지 20 중량% 및
    (b) 유기 용매 80 내지 99 중량%
    를 포함하여 이루어지는 것인 레지스트 하층막용 조성물.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 레지스트 하층막용 조성물은 (c)촉매 또는 (d)첨가제를 더 포함하여 이루어지는 것인 레지스트 하층막용 조성물.
  10. (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;
    (b) 상기 재료 층 위에 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 레지스트 하층막용 조성물을 이용한 레지스트 하층막(제1 하층막)을 형성시키는 단계;
    (c) 상기 레지스트 하층막 위에 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;
    (d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;
    (e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 레지스트 하층막의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및
    (f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭하는 단계를 포함하여 이루어진 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법의 (c) 단계 이전에 실리콘 함유 제2 하층막을 형성시키는 단계를 더 포함하여 이루어진 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 실리콘 함유 제2 하층막을 형성시키는 단계 이후, 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법의 (c) 단계 이전에 제3 하층막(바닥 반사방지층, BARC)을 형 성시키는 단계를 더 포함하여 이루어진 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법은 반도체 집적회로 디바이스(device)의 제조방법인 것인 기판상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
  14. 제5항, 제6항, 제8항 및 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    m은 3 또는 4인 레지스트 하층막용 조성물.
KR1020080138774A 2008-12-31 2008-12-31 방향족 고리 함유 중합체, 이를 포함하는 레지스트 하층막용 조성물 및 이를 이용한 재료의 패턴화 방법 KR101225946B1 (ko)

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