KR100819162B1 - 반사방지성을 갖는 하드마스크 조성물 및 이를 이용한재료의 패턴화 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- (a) 하기 화학식 1 혹은 2로 표시되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체; 및(b) 유기 용매를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.[화학식 1](상기 식에서, n은 1≤n≤190의 범위이고,수소 또는 히드록시기 이다.)[화학식 2](상기 식에서, m과 n은 각각 1≤m<190, 1≤n<190 및 2≤m+n≤190의 범위이고,중 어느 하나를 포함하고,하나를 포함하며, X,Y,Z는 독립적으로 수소 또는 히드록시기 이다.)
- 제 1항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 (c) 산 또는 염기촉매를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 (d) 가교 성분을더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은(a) 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%;(b) 유기용매 75~98.8 중량%;(c) 산 또는 염기 촉매 0.001~0.05 중량%; 및(d) 가교 성분 0.1~5 중량%를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 중량 평균 분자량이1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 가교 성분은 멜라민 수지, 아미노 수지, 글리콜루릴화합물 및 비스에폭시 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 산 촉매는 p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트(p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트(PyridiniumP-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트 및 유기 술폰산의 알킬 에스테르로 이루어진 군에서선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 염기 촉매는 -메틸이미다졸(2-methyl imidazole), 1-벤질-2-페닐 이미다졸(1-benzyl-2-phenyl imidazole), 2-페닐 이미다졸(2-phenylimidazole) 또는 2-에틸-4-메틸 이미다졸(2-ethyl-4-methyl imidazole)의 이미다졸계; 2,4-디아미노-6(2'-메틸이미다졸일-(1'))-에틸-s-트리아진 이소시아누릭산 부가물(2,4-diamino-6(2'-methylimidazolyl-(1'))-ehtyl-s-triazine isocyanuricacid adduct)의 아진(Azine)계; 및 1,8-디아자바이시클로[5,4,0]-운데크-7-엔(1,8-Diazabicyclo[5,4,0]-undec-7-ene, DBU) 또는 1,5-디아자바이시클로[4,3,0]-논-5-엔(1,5-Diazabicyclo[4,3,0]-non-5-ene, DBN)의 루이스 염기로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 상기 재료 층 위로 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 조성물을이용한 반사방지 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 상기 반사방지 하드마스크 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 반사방지 하드마스크 층의 일부를 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 일부를 노출시키는 단계; 및(f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 기판상 재료의 패턴화 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에 실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시키는 단계를 포함하는것을 특징으로 하는 기판상 재료의 패턴화 방법.
- 제 11 항에 있어서,실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시킨 후, 상기 (c) 단계 이전에 바닥반사방지코팅층(BARC)을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판상 재료의 패턴화 방법.
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