JP2011509231A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. ＩＩＩ族窒化物結晶断片を製造する方法であって、
   （ａ）アンモサーマル法によって形成されたＩＩＩ族窒化物断片を、該断片の表面に汚染物質を集中するために十分な温度および圧力において、ある時間の間、アニールすることと、
   （ｂ）ステップ（ａ）に続いて、該断片の該汚染物質の量を減少させるために、該断片の該表面のある量を取り除くことと
   を含む、方法。
2. ＩＩＩ族窒化物インゴットが前記アンモサーマル法によって成長させられ、断片は、該インゴットからスライスされ、次いで、該断片がステップ（ａ）および（ｂ）を受ける、請求項１に記載の方法。
3. アニールが還元雰囲気において実行される、請求項１または２に記載の方法。
4. アニール温度が少なくとも約５００℃である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
5. アニール温度が少なくとも約８００℃である、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
6. アニール温度が約１３００℃以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
7. アニール温度が約１１００℃と１３００℃との間である、請求項６に記載の方法。
8. 還元雰囲気がアンモニアを含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
9. 還元雰囲気が水素を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
10. 前記断片がウエハである、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
11. 前記ウエハの厚さが０．１ｍｍと１ｍｍとの間である、請求項１０に記載の方法。
12. 前記ウエハの両面が前記雰囲気に露出される、請求項１０または１１に記載の方法。
13. 前記ＩＩＩ族窒化物がＧａＮである、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
14. 前記断片のＧａ極側面の一部分を取り除くことをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
15. 前記断片の前記Ｇａ極側面の前記一部分を取り除くステップは、請求項１のステップ（ａ）の後に実行される、請求項１４に記載の方法。
16. 請求項１〜１５の方法のいずれかによって製造されるＩＩＩ族窒化物断片。
17. 請求項１〜１５の方法のいずれかによって製造されるＧａＮ断片。
18. 前記断片の透明度が改善される、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
19. Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、ＮｉあるいはＣｏのような重金属不純物の濃度が約１×１０^１７ｃｍ^−３より小さい、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
20. Ｌｉ、Ｎａ、ＫあるいはＭｇのような軽金属不純物の濃度が約１×１０^１７ｃｍ^−３より小さい、請求項１７に記載のＧａＮ断片。
21. 請求項１６に記載のＩＩＩ族窒化物断片の上、または、請求項１７〜２０のいずれかに記載のＧａＮ断片の上に形成された半導体デバイス。
22. 請求項１６に記載のＩＩＩ族窒化物断片の上、または、請求項１７〜２０のいずれかに記載のＧａＮ断片の上に形成された光電子デバイス。