JP2005154254A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005154254A5
JP2005154254A5 JP2004195666A JP2004195666A JP2005154254A5 JP 2005154254 A5 JP2005154254 A5 JP 2005154254A5 JP 2004195666 A JP2004195666 A JP 2004195666A JP 2004195666 A JP2004195666 A JP 2004195666A JP 2005154254 A5 JP2005154254 A5 JP 2005154254A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
growth rate
crystal
crystal growth
dissolution
diffusion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004195666A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2005154254A (ja
JP4534631B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004195666A external-priority patent/JP4534631B2/ja
Priority to JP2004195666A priority Critical patent/JP4534631B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to EP04023416A priority patent/EP1538241B1/en
Priority to EP08003737A priority patent/EP1942211B1/en
Priority to DE602004018452T priority patent/DE602004018452D1/de
Priority to TW093130254A priority patent/TWI399796B/zh
Priority to CNB2004100896735A priority patent/CN100550303C/zh
Priority to KR1020040087631A priority patent/KR20050041994A/ko
Priority to US10/904,249 priority patent/US20050098090A1/en
Publication of JP2005154254A publication Critical patent/JP2005154254A/ja
Publication of JP2005154254A5 publication Critical patent/JP2005154254A5/ja
Publication of JP4534631B2 publication Critical patent/JP4534631B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to KR1020110022579A priority patent/KR101122327B1/ko
Priority to KR1020110022581A priority patent/KR101075931B1/ko
Priority to KR1020110022578A priority patent/KR101187999B1/ko
Priority to KR1020110022580A priority patent/KR101117364B1/ko
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Description

しかし、上記の従来のナトリウムフラックス法においては、Ｇａ−Ｎａ融液への窒素の溶解および拡散が遅く、ＧａＮ結晶の結晶成長速度が小さかった。そこで、産業界においては、結晶の成長速度の大きいＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法の開発が強く望まれていた。
米国特許第５８６８８３７号明細書 特開２００１−５８９００号公報 特開２００１−１０２３１６号公報 特開２００１−６４０９８号公報 特開２００２−１２８５８７号公報
JP2004195666A 2003-10-31 2004-07-01 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法 Expired - Fee Related JP4534631B2 (ja)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004195666A JP4534631B2 (ja) 2003-10-31 2004-07-01 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
EP04023416A EP1538241B1 (en) 2003-10-31 2004-10-01 Group III nitride crystal, method of its manufacturing, and equipment for manufacturing group III nitride crystal
EP08003737A EP1942211B1 (en) 2003-10-31 2004-10-01 Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal
DE602004018452T DE602004018452D1 (de) 2003-10-31 2004-10-01 Kristall eines Nitrids der Gruppe III, Verfahren zur dessen Herstellung und Vorrichtung zur Herstellung eines Kristalls eines Nitrids der Gruppe III
TW093130254A TWI399796B (zh) 2003-10-31 2004-10-06 Iii族氮化物結晶、其製造方法及製造iii族氮化物結晶之設備
CNB2004100896735A CN100550303C (zh) 2003-10-31 2004-10-29 第ⅲ族氮化物晶体及其制备方法
KR1020040087631A KR20050041994A (ko) 2003-10-31 2004-10-30 Ⅲ족 질화물 결정 및 그 제조 방법, 그리고 ⅲ족 질화물결정의 제조 장치
US10/904,249 US20050098090A1 (en) 2003-10-31 2004-11-01 Group III Nitride Crystal, Method of Its Manufacture, and Equipment for Manufacturing Group III Nitride Crystal
KR1020110022580A KR101117364B1 (ko) 2003-10-31 2011-03-14 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법 및 제조 장치
KR1020110022578A KR101187999B1 (ko) 2003-10-31 2011-03-14 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법
KR1020110022579A KR101122327B1 (ko) 2003-10-31 2011-03-14 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 방법
KR1020110022581A KR101075931B1 (ko) 2003-10-31 2011-03-14 Ⅲ족 질화물 결정의 제조 장치

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003373025 2003-10-31
JP2004195666A JP4534631B2 (ja) 2003-10-31 2004-07-01 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法

Related Child Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009239483A Division JP5212332B2 (ja) 2003-10-31 2009-10-16 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2009239485A Division JP5299213B2 (ja) 2003-10-31 2009-10-16 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2009239484A Division JP5212333B2 (ja) 2003-10-31 2009-10-16 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2009239486A Division JP2010018519A (ja) 2003-10-31 2009-10-16 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および製造装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005154254A JP2005154254A (ja) 2005-06-16
JP2005154254A5 true JP2005154254A5 (ja) 2007-04-26
JP4534631B2 JP4534631B2 (ja) 2010-09-01

Family

ID=34467811

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004195666A Expired - Fee Related JP4534631B2 (ja) 2003-10-31 2004-07-01 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20050098090A1 (ja)
EP (2) EP1538241B1 (ja)
JP (1) JP4534631B2 (ja)
KR (5) KR20050041994A (ja)
CN (1) CN100550303C (ja)
DE (1) DE602004018452D1 (ja)
TW (1) TWI399796B (ja)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005298269A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
KR101286337B1 (ko) * 2005-08-24 2013-07-15 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법, 반도체디바이스의 제조 방법, 및 이들 제조 방법에 사용하는용액과 융액
JP4788524B2 (ja) * 2005-08-24 2011-10-05 三菱化学株式会社 第１３族金属窒化物結晶の製造方法およびこれらの製造方法に用いる溶液と融液
US8101020B2 (en) 2005-10-14 2012-01-24 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth apparatus and manufacturing method of group III nitride crystal
JP4863264B2 (ja) * 2006-03-17 2012-01-25 豊田合成株式会社 半導体結晶の製造方法
US20090081109A1 (en) * 2005-11-17 2009-03-26 Mosaic Crystals Ltd. GaN CRYSTAL SHEET
CN101405438B (zh) 2006-03-23 2012-06-27 日本碍子株式会社 氮化物单晶的制造装置
JP2007254201A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 単結晶の製造方法
JP5187846B2 (ja) * 2006-03-23 2013-04-24 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法および装置
JP5187848B2 (ja) 2006-03-23 2013-04-24 日本碍子株式会社 単結晶の製造方法
JP4827107B2 (ja) 2006-03-24 2011-11-30 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP4936310B2 (ja) * 2006-04-07 2012-05-23 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造装置
JP2007284267A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ結晶の製造方法
JP4720672B2 (ja) * 2006-08-14 2011-07-13 住友金属工業株式会社 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
WO2008117571A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Ngk Insulators, Ltd. 窒化物単結晶の製造方法
EP2135979B1 (en) 2007-03-27 2013-12-18 NGK Insulators, Ltd. Method for manufacturing nitride single crystal
JP4881496B2 (ja) * 2007-04-24 2012-02-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
US8361222B2 (en) 2007-04-24 2013-01-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride-based compound semiconductor
JP5338672B2 (ja) * 2007-09-28 2013-11-13 株式会社リコー Ｉｉｉ族元素窒化物の単結晶の製造方法および製造装置
JP4941448B2 (ja) * 2007-10-26 2012-05-30 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置
JP2009114035A (ja) * 2007-11-08 2009-05-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体製造装置および製造方法
JP5560528B2 (ja) * 2008-01-28 2014-07-30 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物単結晶インゴットの製造方法、及びｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
JP4886722B2 (ja) * 2008-03-25 2012-02-29 日本碍子株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP5229792B2 (ja) * 2008-03-25 2013-07-03 国立大学法人大阪大学 Ｉｉｉ族元素窒化物結晶の製造方法およびそれにより得られるｉｉｉ族元素窒化物結晶
JP5056688B2 (ja) * 2008-09-15 2012-10-24 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
JP5310257B2 (ja) * 2009-05-21 2013-10-09 株式会社リコー 窒化物結晶製造方法
JP2010077022A (ja) * 2009-11-30 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイス
JP5729182B2 (ja) 2010-08-31 2015-06-03 株式会社リコー ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶の製造方法、ｎ型ＩＩＩ族窒化物単結晶および結晶基板
CN102618920A (zh) * 2012-04-25 2012-08-01 浙江华友电子有限公司 一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法
JP5522204B2 (ja) * 2012-06-14 2014-06-18 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法
CN103603031A (zh) * 2013-12-06 2014-02-26 北京大学东莞光电研究院 一种通过调控釜体内部流场制备高质量单晶体材料的方法
CN106460228B (zh) * 2014-03-03 2019-04-26 国立大学法人大阪大学 Iii族氮化物结晶的制造方法及iii族氮化物结晶制造装置
JP6534030B2 (ja) * 2014-08-28 2019-06-26 国立大学法人名古屋大学 ＡｌＮ単結晶の作製方法
CN104878451B (zh) * 2015-06-16 2017-07-28 北京大学东莞光电研究院 一种氮化物单晶生长装置
WO2019039207A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板および機能素子
CN111052414B (zh) * 2017-08-24 2023-07-21 日本碍子株式会社 13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件
WO2019039190A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板および機能素子
WO2019038892A1 (ja) 2017-08-24 2019-02-28 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板および機能素子
CN111052415B (zh) 2017-08-24 2023-02-28 日本碍子株式会社 13族元素氮化物层、自立基板以及功能元件
US11309455B2 (en) 2017-08-24 2022-04-19 Ngk Insulators, Ltd. Group 13 element nitride layer, free-standing substrate and functional element
WO2019039249A1 (ja) * 2017-08-24 2019-02-28 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板および機能素子
JP6854902B2 (ja) * 2017-08-24 2021-04-07 日本碍子株式会社 １３族元素窒化物層、自立基板および機能素子
JP7051094B2 (ja) * 2018-05-01 2022-04-11 国立大学法人東北大学 窒化アルミニウム結晶の製造方法
CN109706524A (zh) * 2019-03-07 2019-05-03 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种降低氮化镓单晶氧原子浓度的方法
US11280024B2 (en) * 2019-03-18 2022-03-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing a group III nitride semiconductor by controlling the oxygen concentration of the furnace internal atmosphere
JP7063293B2 (ja) * 2019-03-18 2022-05-09 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
JP7147644B2 (ja) * 2019-03-18 2022-10-05 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190630A (en) * 1978-01-03 1980-02-26 Vsesojuzny Nauchno-Isslekovatelsky Institut Monokristallov Stsintillyatsionnykh Materialov I Osobo Chistykh Khimicheskikh Veschestv Apparatus for pulling single crystals from melt
JPH07277897A (ja) * 1994-04-04 1995-10-24 Katsutoshi Yoneya 窒化アルミニウム単結晶の合成方法
US5868837A (en) 1997-01-17 1999-02-09 Cornell Research Foundation, Inc. Low temperature method of preparing GaN single crystals
US6270569B1 (en) * 1997-06-11 2001-08-07 Hitachi Cable Ltd. Method of fabricating nitride crystal, mixture, liquid phase growth method, nitride crystal, nitride crystal powders, and vapor phase growth method
TW428331B (en) * 1998-05-28 2001-04-01 Sumitomo Electric Industries Gallium nitride single crystal substrate and method of producing the same
US6562124B1 (en) * 1999-06-02 2003-05-13 Technologies And Devices International, Inc. Method of manufacturing GaN ingots
JP3929657B2 (ja) 1999-09-29 2007-06-13 株式会社リコー 結晶成長方法およびｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP4094780B2 (ja) 1999-08-24 2008-06-04 株式会社リコー 結晶成長方法および結晶成長装置並びにｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法および結晶製造装置
US6592663B1 (en) * 1999-06-09 2003-07-15 Ricoh Company Ltd. Production of a GaN bulk crystal substrate and a semiconductor device formed on a GaN bulk crystal substrate
JP4011828B2 (ja) 1999-06-09 2007-11-21 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の結晶成長方法及びｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2001128587A (ja) 1999-11-05 2001-05-15 Kochi Prefecture 付着性水産生物飼育装置およびこれを用いた飼育方法
JP2001338887A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置
US20020148402A1 (en) * 2001-04-13 2002-10-17 Sindo Kou Growing of homogeneous crystals by bottom solid feeding
US7001457B2 (en) * 2001-05-01 2006-02-21 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
TWI277666B (en) * 2001-06-06 2007-04-01 Ammono Sp Zoo Process and apparatus for obtaining bulk mono-crystalline gallium-containing nitride
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
JP2003137698A (ja) * 2001-10-26 2003-05-14 Ulvac Japan Ltd Ｉｉｉ−ｖ族半導体材料
US6949140B2 (en) * 2001-12-05 2005-09-27 Ricoh Company, Ltd. Crystal growth method, crystal growth apparatus, group-III nitride crystal and group-III nitride semiconductor device
US7097707B2 (en) * 2001-12-31 2006-08-29 Cree, Inc. GaN boule grown from liquid melt using GaN seed wafers
US7063741B2 (en) * 2002-03-27 2006-06-20 General Electric Company High pressure high temperature growth of crystalline group III metal nitrides
JP4248276B2 (ja) * 2003-03-17 2009-04-02 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物の結晶製造方法
JP4216612B2 (ja) * 2003-01-29 2009-01-28 株式会社リコー Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005154254A5 (ja)
JP2003518501A5 (ja)
TW200726550A (en) Core-shell type nanoparticles and method for preparing the same
WO2006069738A8 (de) Verwendung von nichtionischen tensiden bei der metallgewinnung
TWI255955B (en) Composition and process for the manufacture of an improved electrophoretic display
EP1666562A3 (en) Interfused nanocrystals and method of preparing the same
SG116532A1 (en) Message delivery with configurable assurances and features between two endpoints.
RS50218B (sr) Kristalni monohidrat, postupak za njegovo pripremanje i njegova primena za pripremanje leka
GB2452687A (en) Nickel-based brazing alloy and method for brazing
TW200511573A (en) Transition metal alloys for use as a gate electrode and devices incorporating these alloys
ZA200409466B (en) Process for manufacturing a gallium rich gallium nitride film.
DE60117289D1 (de) Schnelllösliche tabletten
TW200710295A (en) Nitride semiconductor substrate, and method for working nitride semiconductor substrate
EP1522612A4 (en) COMPOUND III-V SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
EP2851068A3 (en) Composition comprising a nsaid and paracetamol
NO20083426L (no) IPBC-inneholdene koacervater
WO2007012626A3 (de) Neues verfahren zur herstellung von tiotropiumsalzen
WO2003026610A3 (en) Process for the preparation of fast dissolving dosage form
RU2007116722A (ru) Улучшения мягких припоев или улучшения, имеющие отношения к мягким припоям
EP1553216A3 (en) Method of manufacturing group-III nitride crystal
RS51092B (sr) Escitalopram bromhidrat i postupak za njegovo pripremanje
JP2007531613A5 (ja)
TW200732524A (en) Method for producing semiconductor crystal
JP2004126843A5 (ja)
WO2005038930A3 (de) Verfahren zum strukturieren und feldeffekttransistoren