CN102618920A - 一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法 - Google Patents

一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法 Download PDF

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陆昌忠
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Abstract

本发明涉及一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法，该方法是将硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤控制，A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；D：当炉内熔料至剩余3～5%尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；E：开始引晶。采用本发明，逐步提高功率值进行单晶炉逐步升温，可以促进硅料充分吸热，并利用余热进行少部分硅料的熔化，都有利于降低能耗；另据实验结果表明，对石墨热场的使用寿命也有显著提高，可以从原来平均使用40炉左右提高至70炉左右。

Description

一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法
技术领域
本发明涉及一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法。
背景技术
目前，单晶炉熔料工艺采用的是直接升温法，即直接将单晶炉的温度由低温升至高温后，开始并直至硅料全部熔化，然后继续在高温状态下挥发热量30～60分钟，才进行降温，再开始引晶。这种方法既耗费大量热能，又降低了单晶炉中石墨热场的使用寿命。 
发明内容
本发明的目的是提供能节约热能，又能提高石墨热场使用寿命的一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法。
本发明采取的技术方案是：一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法，其特征在于将硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤进行单晶炉的热能控制，A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；D：当炉内熔料至剩余3～5%尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；E：开始引晶。
采用本发明，逐步提高功率值进行单晶炉逐步升温，可以促进硅料充分吸热，并利用余热进行少部分硅料的熔化，都有利于降低能耗；另据实验结果表明，对石墨热场的使用寿命也有显著提高，可以从原来平均使用40炉左右提高至70炉左右。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对发明作进一步说明。
将100公斤的硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤进行单晶炉的热能控制：
A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；
B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；
C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；一般在4～5小时后开始塌料。
D：大约在1小时后，当炉内熔料至剩余3～5%（3～5公斤）尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；
E：开始引晶。
通过上述，采用逐步提高功率值进行单晶炉逐步升温，可以促进硅料充分吸热，并利用余热进行少部分硅料的熔化，都有利于降低能耗；另据实验结果表明，对石墨热场的使用寿命也有显著提高，可以从原来平均使用40炉左右提高至70炉左右。

Claims (1)

1.一种单晶炉熔料过程中的热能控制方法，其特征在于将硅料置于单晶炉中后，按以下操作步骤进行单晶炉的热能控制，A：按40～45千瓦/小时的功率升低温，并保持恒定功率15～30分钟；B：按65～75千瓦/小时的功率升中温，并保持恒定功率15～30分钟；C：按75～85千瓦/小时的功率升高温，并保持恒定功率；D：当炉内熔料至剩余3～5%尚未熔化的硅料时，按65～75千瓦/小时的功率降至中温，并保持恒定功率30～60分钟，使硅料全部熔化；E：开始引晶。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103074682A (zh) * 2013-02-17 2013-05-01 英利集团有限公司 一种生产单晶硅的熔料工艺
JP2020045258A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
CN112553683A (zh) * 2020-11-03 2021-03-26 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于晶体生长的化料方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1367275A (zh) * 2001-01-20 2002-09-04 上海德波赛康科研有限公司 块状碳化硅单晶生长的制备方法
EP1942211A1 (en) * 2003-10-31 2008-07-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal
US20090072202A1 (en) * 2007-07-15 2009-03-19 Bing Yan Ren Device and process for growing ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells
CN101922040A (zh) * 2009-06-10 2010-12-22 江国庆 单晶炉内一种控氧生长的装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1367275A (zh) * 2001-01-20 2002-09-04 上海德波赛康科研有限公司 块状碳化硅单晶生长的制备方法
EP1942211A1 (en) * 2003-10-31 2008-07-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of and equipment for manufacturing group III nitride crystal
US20090072202A1 (en) * 2007-07-15 2009-03-19 Bing Yan Ren Device and process for growing ga-doped single silicon crystals suitable for making solar cells
CN101922040A (zh) * 2009-06-10 2010-12-22 江国庆 单晶炉内一种控氧生长的装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103074682A (zh) * 2013-02-17 2013-05-01 英利集团有限公司 一种生产单晶硅的熔料工艺
CN103074682B (zh) * 2013-02-17 2015-10-07 英利集团有限公司 一种生产单晶硅的熔料工艺
JP2020045258A (ja) * 2018-09-20 2020-03-26 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP7082550B2 (ja) 2018-09-20 2022-06-08 グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 シリコン単結晶の製造方法
CN112553683A (zh) * 2020-11-03 2021-03-26 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于晶体生长的化料方法
CN112553683B (zh) * 2020-11-03 2022-05-24 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于晶体生长的化料方法

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PB01 Publication
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WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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