JP2001338887A - Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置 - Google Patents
Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置Info
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- JP2001338887A JP2001338887A JP2000157041A JP2000157041A JP2001338887A JP 2001338887 A JP2001338887 A JP 2001338887A JP 2000157041 A JP2000157041 A JP 2000157041A JP 2000157041 A JP2000157041 A JP 2000157041A JP 2001338887 A JP2001338887 A JP 2001338887A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高圧をかけずに成長速度を高めることができ
るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提
供すること。 【解決手段】 本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長
装置１は、III族元素を含むIII族融液５を収容する融液
収容部２ａと、融液収容部２ａを収容すると共に窒素ガ
スを導入するための導入口４を有する成長容器２と、導
入口４から導入された窒素ガスを励起して窒素プラズマ
にする励起手段３と、を備え、窒素プラズマは融液収容
部２ａ内のIII族融液５に到達可能であることを特徴と
する。
るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提
供すること。 【解決手段】 本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長
装置１は、III族元素を含むIII族融液５を収容する融液
収容部２ａと、融液収容部２ａを収容すると共に窒素ガ
スを導入するための導入口４を有する成長容器２と、導
入口４から導入された窒素ガスを励起して窒素プラズマ
にする励起手段３と、を備え、窒素プラズマは融液収容
部２ａ内のIII族融液５に到達可能であることを特徴と
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＧａＮ、ＡｌＮ、
ＩｎＮ等のIII-V族窒化物系半導体を成長させる方法及
び装置に関するものである。
ＩｎＮ等のIII-V族窒化物系半導体を成長させる方法及
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ等の
III-V族窒化物系半導体を成長させる方法の一つとし
て、高圧溶液法が知られている。この高圧溶液法で例え
ばＧａＮ結晶を成長させるには、成長容器内でＧａ融液
に窒素ガスを接触させた状態で当該成長容器内を高圧に
し、これにより窒素ガスをＧａに溶け込ませる。
III-V族窒化物系半導体を成長させる方法の一つとし
て、高圧溶液法が知られている。この高圧溶液法で例え
ばＧａＮ結晶を成長させるには、成長容器内でＧａ融液
に窒素ガスを接触させた状態で当該成長容器内を高圧に
し、これにより窒素ガスをＧａに溶け込ませる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記高
圧溶液法には、次のような問題があった。すなわち、高
圧溶液法は、何万気圧をも成長容器内に加える必要があ
るため、設備が大掛かりになり、コスト高になるという
問題があった。一方、設備を簡略化してコスト削減を図
るために成長容器内に加える圧力を低下させると、成長
速度が遅くなり、実用性に乏しくなってしまう。
圧溶液法には、次のような問題があった。すなわち、高
圧溶液法は、何万気圧をも成長容器内に加える必要があ
るため、設備が大掛かりになり、コスト高になるという
問題があった。一方、設備を簡略化してコスト削減を図
るために成長容器内に加える圧力を低下させると、成長
速度が遅くなり、実用性に乏しくなってしまう。
【０００４】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、高圧をかけずに成長速度を高めることができ
るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提
供することを目的とする。
のであり、高圧をかけずに成長速度を高めることができ
るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長方法は、III
族元素を含むIII族融液に、窒素プラズマを接触させる
ことでIII-V族窒化物系半導体を成長させることを特徴
とする。
に、本発明のIII-V族窒化物系半導体の成長方法は、III
族元素を含むIII族融液に、窒素プラズマを接触させる
ことでIII-V族窒化物系半導体を成長させることを特徴
とする。
【０００６】本発明に係るIII-V族窒化物系半導体の成
長方法によれば、分子状態よりも反応を起こし易い窒素
プラズマがＧａ等のIII族元素を含んだIII族融液に接触
するため、窒素をIII族融液に溶け込ませ易く、高圧を
かけることなく容易にＧａＮ等のIII-V族窒化物系半導
体を成長させることができる。しかも、窒素プラズマが
III族融液の表面に接触するとIII族融液の表面の温度が
上昇し、III族融液の表面から底部に向けて温度勾配が
形成されるため、III族融液の底部にＧａＮを速い成長
速度で成長させることができる。
長方法によれば、分子状態よりも反応を起こし易い窒素
プラズマがＧａ等のIII族元素を含んだIII族融液に接触
するため、窒素をIII族融液に溶け込ませ易く、高圧を
かけることなく容易にＧａＮ等のIII-V族窒化物系半導
体を成長させることができる。しかも、窒素プラズマが
III族融液の表面に接触するとIII族融液の表面の温度が
上昇し、III族融液の表面から底部に向けて温度勾配が
形成されるため、III族融液の底部にＧａＮを速い成長
速度で成長させることができる。
【０００７】また、本発明に係るIII-V族窒化物系半導
体の成長方法において、III族融液の底部を冷却しなが
ら窒素プラズマを当該III族融液に接触させることが好
ましい。
体の成長方法において、III族融液の底部を冷却しなが
ら窒素プラズマを当該III族融液に接触させることが好
ましい。
【０００８】これにより、III族融液の表面から底部へ
の温度勾配をさらに急にすることができ、III族融液の
底部から表面に向けてIII-V族窒化物系半導体が速い成
長速度で成長する。このようにIII族融液の底部から表
面に向けてIII-V族窒化物系半導体を成長させると、当
該半導体の表面がIII族融液で覆われるため窒素プラズ
マの衝突によって損傷しにくくなり、III-V族窒化物系
半導体の結晶性を向上させることができる。
の温度勾配をさらに急にすることができ、III族融液の
底部から表面に向けてIII-V族窒化物系半導体が速い成
長速度で成長する。このようにIII族融液の底部から表
面に向けてIII-V族窒化物系半導体を成長させると、当
該半導体の表面がIII族融液で覆われるため窒素プラズ
マの衝突によって損傷しにくくなり、III-V族窒化物系
半導体の結晶性を向上させることができる。
【０００９】また、本発明のIII-V族窒化物系半導体の
成長装置は、III族元素を含むIII族融液を収容する融液
収容部と、融液収容部を収容すると共に窒素ガスを導入
するための導入口を有する成長容器と、導入口から導入
された窒素ガスを励起して窒素プラズマにする励起手段
と、を備え、窒素プラズマは融液収容部内のIII族融液
に到達可能であることを特徴とする。
成長装置は、III族元素を含むIII族融液を収容する融液
収容部と、融液収容部を収容すると共に窒素ガスを導入
するための導入口を有する成長容器と、導入口から導入
された窒素ガスを励起して窒素プラズマにする励起手段
と、を備え、窒素プラズマは融液収容部内のIII族融液
に到達可能であることを特徴とする。
【００１０】本発明に係るIII-V族窒化物系半導体の成
長装置によれば、導入口から成長容器内に導入された窒
素ガスは、励起手段によって窒素プラズマにされる。そ
して、この窒素プラズマが融液収容部内のＧａ等のIII
族元素を含むIII族融液に接触することにより、ＧａＮ
等のIII-V族窒化物系半導体が成長する。ここで、分子
状態よりも反応を起こし易い窒素プラズマをIII族融液
に接触させるため、窒素をIII族融液に溶け込ませ易
く、高圧をかけることなく容易にIII-V族窒化物系半導
体を成長させることができる。しかも、窒素プラズマが
III族融液の表面に接触するとIII族融液の表面の温度が
上昇し、III族融液の表面から底部に向けて温度勾配が
形成されるため、III族融液の底部にＧａＮを速い成長
速度で成長させることができる。
長装置によれば、導入口から成長容器内に導入された窒
素ガスは、励起手段によって窒素プラズマにされる。そ
して、この窒素プラズマが融液収容部内のＧａ等のIII
族元素を含むIII族融液に接触することにより、ＧａＮ
等のIII-V族窒化物系半導体が成長する。ここで、分子
状態よりも反応を起こし易い窒素プラズマをIII族融液
に接触させるため、窒素をIII族融液に溶け込ませ易
く、高圧をかけることなく容易にIII-V族窒化物系半導
体を成長させることができる。しかも、窒素プラズマが
III族融液の表面に接触するとIII族融液の表面の温度が
上昇し、III族融液の表面から底部に向けて温度勾配が
形成されるため、III族融液の底部にＧａＮを速い成長
速度で成長させることができる。
【００１１】また、本発明に係るIII-V族窒化物系半導
体の成長装置において、融液収容部の底部を冷却する冷
却手段をさらに備えることが好ましい。
体の成長装置において、融液収容部の底部を冷却する冷
却手段をさらに備えることが好ましい。
【００１２】このような構成を採用した場合、冷却手段
で融液収容部の底部を冷却することにより、III族融液
の表面から底部への温度勾配をさらに急にすることがで
き、III族融液の底部から表面に向けてIII-V族窒化物系
半導体が速い成長速度で成長する。このようにIII族融
液の底部から表面に向けてIII-V族窒化物系半導体を成
長させると、当該半導体の表面がIII族融液で覆われる
ため窒素プラズマの衝突によって損傷しにくくなり、II
I-V族窒化物系半導体の結晶性を向上させることができ
る。
で融液収容部の底部を冷却することにより、III族融液
の表面から底部への温度勾配をさらに急にすることがで
き、III族融液の底部から表面に向けてIII-V族窒化物系
半導体が速い成長速度で成長する。このようにIII族融
液の底部から表面に向けてIII-V族窒化物系半導体を成
長させると、当該半導体の表面がIII族融液で覆われる
ため窒素プラズマの衝突によって損傷しにくくなり、II
I-V族窒化物系半導体の結晶性を向上させることができ
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装
置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一
要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省
略する。
明に係るIII-V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装
置の好適な実施形態について詳細に説明する。尚、同一
要素には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省
略する。
【００１４】［第１実施形態］図１は、本実施形態の成
長装置１を示す断面図である。同図に示すように、本実
施形態の成長装置１は、石英製の成長容器２と、この成
長容器２の外周を取り巻く高周波コイル３と、を備えて
おり、成長容器２の上部には、窒素ガスを内部に導入す
るための導入管（導入口）４が嵌挿されている。また、
成長容器２の内部には、III族融液であるＧａ融液５が
収容されている。尚、本実施形態では、成長容器２の底
部２ａ自体がＧａ融液５を収容するための融液収容部と
しての役割を果たしているが、Ｇａ融液を収容するため
の容器を融液収容部として成長容器２内に装備してもよ
い。
長装置１を示す断面図である。同図に示すように、本実
施形態の成長装置１は、石英製の成長容器２と、この成
長容器２の外周を取り巻く高周波コイル３と、を備えて
おり、成長容器２の上部には、窒素ガスを内部に導入す
るための導入管（導入口）４が嵌挿されている。また、
成長容器２の内部には、III族融液であるＧａ融液５が
収容されている。尚、本実施形態では、成長容器２の底
部２ａ自体がＧａ融液５を収容するための融液収容部と
しての役割を果たしているが、Ｇａ融液を収容するため
の容器を融液収容部として成長容器２内に装備してもよ
い。
【００１５】また、高周波コイル３は、図示を省略する
電源から高周波電流を供給されることで、導入管４から
成長容器２内に導入された窒素ガスを高周波加熱によっ
て励起し、プラズマ状態にするものである。以下におい
て、プラズマ状態にある窒素を窒素プラズマと称する。
なお、窒素プラズマには、Ｎ*（窒素ラジカル）や、Ｎ2
+、Ｎ2 -等のイオン状のプラズマが含まれる。
電源から高周波電流を供給されることで、導入管４から
成長容器２内に導入された窒素ガスを高周波加熱によっ
て励起し、プラズマ状態にするものである。以下におい
て、プラズマ状態にある窒素を窒素プラズマと称する。
なお、窒素プラズマには、Ｎ*（窒素ラジカル）や、Ｎ2
+、Ｎ2 -等のイオン状のプラズマが含まれる。
【００１６】次に、図１を参照して、本実施形態のIII-
V族窒化物系半導体の成長方法を説明する。まず、導入
管４より窒素ガスを５×１０-3ｌ／ｍｉｎ（標準状態
で）導入し、高周波コイル３に高周波電流を流す。する
と、図中の破線Ｘで示す領域において窒素ガスが励起さ
れ、窒素プラズマとなる。そして、この窒素プラズマが
Ｇａ融液５に接触することで、III族窒化物系半導体で
あるＧａＮ（窒化ガリウム）１０が成長する。尚、Ｇａ
融液５の温度を約１０００℃、成長容器２内の圧力を約
１０００〜５０００Ｐａとして窒素ガスを成長容器２内
に１時間導入したところ、ＧａＮ１０の膜厚は約５０〜
１００μｍとなった。
V族窒化物系半導体の成長方法を説明する。まず、導入
管４より窒素ガスを５×１０-3ｌ／ｍｉｎ（標準状態
で）導入し、高周波コイル３に高周波電流を流す。する
と、図中の破線Ｘで示す領域において窒素ガスが励起さ
れ、窒素プラズマとなる。そして、この窒素プラズマが
Ｇａ融液５に接触することで、III族窒化物系半導体で
あるＧａＮ（窒化ガリウム）１０が成長する。尚、Ｇａ
融液５の温度を約１０００℃、成長容器２内の圧力を約
１０００〜５０００Ｐａとして窒素ガスを成長容器２内
に１時間導入したところ、ＧａＮ１０の膜厚は約５０〜
１００μｍとなった。
【００１７】ここで、本実施形態では、分子状態よりも
反応を起こし易い窒素プラズマがＧａ融液５に接触する
ため、窒素がＧａ融液５に溶け込み易く、窒素とＧａと
を反応させ易い。このため、高圧をかけることなく容易
にＧａＮ１０を成長させることができる。しかも、窒素
プラズマは分子状態の窒素よりもエネルギ状態が高いた
め、窒素プラズマがＧａ融液５の表面に接触するとＧａ
融液５の表面の温度が上昇し、Ｇａ融液５の表面から底
部に向けて温度勾配が形成される。これにより、Ｇａ融
液５の底部にＧａＮ１０を速い成長速度で成長させるこ
とができる。
反応を起こし易い窒素プラズマがＧａ融液５に接触する
ため、窒素がＧａ融液５に溶け込み易く、窒素とＧａと
を反応させ易い。このため、高圧をかけることなく容易
にＧａＮ１０を成長させることができる。しかも、窒素
プラズマは分子状態の窒素よりもエネルギ状態が高いた
め、窒素プラズマがＧａ融液５の表面に接触するとＧａ
融液５の表面の温度が上昇し、Ｇａ融液５の表面から底
部に向けて温度勾配が形成される。これにより、Ｇａ融
液５の底部にＧａＮ１０を速い成長速度で成長させるこ
とができる。
【００１８】本実施形態のようにＧａ融液５の底部から
表面に向けてＧａＮ１０が成長すると、ＧａＮ１０の表
面がＧａ融液５で覆われるため窒素プラズマの衝突によ
って損傷しにくくなり、ＧａＮ１０の結晶品質を向上さ
せることができる。
表面に向けてＧａＮ１０が成長すると、ＧａＮ１０の表
面がＧａ融液５で覆われるため窒素プラズマの衝突によ
って損傷しにくくなり、ＧａＮ１０の結晶品質を向上さ
せることができる。
【００１９】また、上述のように本実施形態では成長容
器２内を高圧にすることなく常圧ないし低圧のままＧａ
Ｎ１０を成長させることができるため、温度制御、圧力
制御、及び窒素ガスの導入作業等が、高圧炉を使用する
場合と比較して格段に容易になり、しかも、設備を簡略
化でき、コストを大幅に削減することができる。
器２内を高圧にすることなく常圧ないし低圧のままＧａ
Ｎ１０を成長させることができるため、温度制御、圧力
制御、及び窒素ガスの導入作業等が、高圧炉を使用する
場合と比較して格段に容易になり、しかも、設備を簡略
化でき、コストを大幅に削減することができる。
【００２０】また、本実施形態において、成長容器２内
に滞留させるＧａ融液５を少なくしてＧａ融液５の厚さ
を薄くすれば、Ｇａ融液５の表面に衝突した窒素プラズ
マがＧａ融液５の底部に到達するまでの時間を短縮する
ことができ、ＧａＮ１０の成長速度をさらに高めること
ができる。また、Ｇａ融液５の厚さを薄くすることでＧ
ａ融液５における対流を抑制することができ、これによ
り、ＧａＮ１０の成長界面の温度が安定し、ＧａＮ１０
の結晶品質を一層向上することができる。
に滞留させるＧａ融液５を少なくしてＧａ融液５の厚さ
を薄くすれば、Ｇａ融液５の表面に衝突した窒素プラズ
マがＧａ融液５の底部に到達するまでの時間を短縮する
ことができ、ＧａＮ１０の成長速度をさらに高めること
ができる。また、Ｇａ融液５の厚さを薄くすることでＧ
ａ融液５における対流を抑制することができ、これによ
り、ＧａＮ１０の成長界面の温度が安定し、ＧａＮ１０
の結晶品質を一層向上することができる。
【００２１】［第２実施形態］次に、図２を参照して、
本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態の成長装
置１が第１実施形態と異なるのは、成長容器２の底部を
冷却する冷却部１１が設けられている点である。冷却部
１１は、ステンレスによって形成されており、成長容器
２の底部下面すなわち融液収容部の下面に接触してい
る。
本発明の第２実施形態を説明する。本実施形態の成長装
置１が第１実施形態と異なるのは、成長容器２の底部を
冷却する冷却部１１が設けられている点である。冷却部
１１は、ステンレスによって形成されており、成長容器
２の底部下面すなわち融液収容部の下面に接触してい
る。
【００２２】このような冷却部１１で成長容器２の底部
を冷却すると、Ｇａ融液５の表面から底部への温度勾配
がさらに急になり、より確実にＧａ融液５の底部から表
面に向けてＧａＮ１０を成長させることができると共
に、成長速度を高めることができる。尚、ＧａＮ１０が
Ｇａ融液５の表層部から底部に向けて成長する場合は、
析出したＧａＮ１０が障壁となって窒素プラズマがＧａ
Ｎ１０の下方に位置するＧａ融液５に到達することがで
きなくなるため多量のＧａＮ１０を得ることができない
が、本実施形態によればこのような問題を回避すること
ができる。
を冷却すると、Ｇａ融液５の表面から底部への温度勾配
がさらに急になり、より確実にＧａ融液５の底部から表
面に向けてＧａＮ１０を成長させることができると共
に、成長速度を高めることができる。尚、ＧａＮ１０が
Ｇａ融液５の表層部から底部に向けて成長する場合は、
析出したＧａＮ１０が障壁となって窒素プラズマがＧａ
Ｎ１０の下方に位置するＧａ融液５に到達することがで
きなくなるため多量のＧａＮ１０を得ることができない
が、本実施形態によればこのような問題を回避すること
ができる。
【００２３】Ｇａ融液５の温度を約１０００℃とし、成
長容器２内の圧力を約１０００〜５０００Ｐａとし、冷
却部１１によって成長容器２の底部を約８００℃に冷却
して窒素ガスを成長容器２内に１時間導入したところ、
ＧａＮ１０の膜厚は約１５０μｍとなった。
長容器２内の圧力を約１０００〜５０００Ｐａとし、冷
却部１１によって成長容器２の底部を約８００℃に冷却
して窒素ガスを成長容器２内に１時間導入したところ、
ＧａＮ１０の膜厚は約１５０μｍとなった。
【００２４】尚、冷却部１１は、必ずしもステンレスで
形成する必要はなく、この他、銅等の金属、グラファイ
ト、又はカーボン等によって形成してもよい。さらに、
冷却部１１として、成長容器２の底部を冷却する空冷フ
ァンを設けてもよい。
形成する必要はなく、この他、銅等の金属、グラファイ
ト、又はカーボン等によって形成してもよい。さらに、
冷却部１１として、成長容器２の底部を冷却する空冷フ
ァンを設けてもよい。
【００２５】図３は、第２実施形態の変形例である。本
変形例では、成長容器２を支持部材１８によって支持し
ている。この支持部材１８には円形の貫通孔１６が形成
されており、成長容器２の底部はこの貫通孔１６から露
出し、支持部材１８が載置されると共にＧａ融液５の温
度よりも低温の床２０と対面している。このように構成
した場合も、Ｇａ融液５の底部から床２０への熱輻射に
よってＧａ融液５の底部を冷却することができる。これ
により、Ｇａ融液５の表面から底部への温度勾配を急に
することができ、Ｇａ融液５の底部から表面に向けてＧ
ａＮ１０を成長させることができる。尚、成長容器２の
底部下面に、光の透過率の良いサファイアロッド等を垂
下させ、当該サファイアロッドを介してＧａ融液５の底
部の熱を輻射によって床２０へ放出させてもよい。
変形例では、成長容器２を支持部材１８によって支持し
ている。この支持部材１８には円形の貫通孔１６が形成
されており、成長容器２の底部はこの貫通孔１６から露
出し、支持部材１８が載置されると共にＧａ融液５の温
度よりも低温の床２０と対面している。このように構成
した場合も、Ｇａ融液５の底部から床２０への熱輻射に
よってＧａ融液５の底部を冷却することができる。これ
により、Ｇａ融液５の表面から底部への温度勾配を急に
することができ、Ｇａ融液５の底部から表面に向けてＧ
ａＮ１０を成長させることができる。尚、成長容器２の
底部下面に、光の透過率の良いサファイアロッド等を垂
下させ、当該サファイアロッドを介してＧａ融液５の底
部の熱を輻射によって床２０へ放出させてもよい。
【００２６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記各実
施形態に限定されるものではない。例えば、成長容器内
に導入された窒素をプラズマ状態にする手法として、マ
イクロ波を窒素に照射して励起させる手法や、インパル
ス式の高周波高電圧を利用する公知の手法を利用しても
よい。また、III-V族窒化物系半導体として、ＧａＮの
他、ＡｌＮ、ＩｎＮ等も成長させることができる。
施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記各実
施形態に限定されるものではない。例えば、成長容器内
に導入された窒素をプラズマ状態にする手法として、マ
イクロ波を窒素に照射して励起させる手法や、インパル
ス式の高周波高電圧を利用する公知の手法を利用しても
よい。また、III-V族窒化物系半導体として、ＧａＮの
他、ＡｌＮ、ＩｎＮ等も成長させることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るIII-
V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置によれば、
分子状態よりも反応を起こし易い窒素プラズマがＧａ等
のIII族元素を含んだIII族融液に接触するため、窒素を
III族融液に溶け込ませ易く、高圧をかけることなく容
易にＧａＮ等のIII-V族窒化物系半導体を成長させるこ
とができる。しかも、窒素プラズマがIII族融液の表面
に接触するとIII族融液の表面の温度が上昇し、III族融
液の表面から底部に向けて温度勾配が形成されるため、
III族融液の底部にＧａＮを速い成長速度で成長させる
ことができる。
V族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置によれば、
分子状態よりも反応を起こし易い窒素プラズマがＧａ等
のIII族元素を含んだIII族融液に接触するため、窒素を
III族融液に溶け込ませ易く、高圧をかけることなく容
易にＧａＮ等のIII-V族窒化物系半導体を成長させるこ
とができる。しかも、窒素プラズマがIII族融液の表面
に接触するとIII族融液の表面の温度が上昇し、III族融
液の表面から底部に向けて温度勾配が形成されるため、
III族融液の底部にＧａＮを速い成長速度で成長させる
ことができる。
【図１】本発明に係るIII-V族窒化物系半導体の成長装
置の第１実施形態を示す断面図である。
置の第１実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係るIII-V族窒化物系半導体の成長装
置の第２実施形態を示す断面図である。
置の第２実施形態を示す断面図である。
【図３】第２実施形態の変形例を示す図である。
１…成長装置、２…成長容器、２ａ…成長容器の底部
（融液収容部）、３…高周波コイル（励起手段）、４…
導入管（導入口）、５…Ｇａ融液（III族融液）、１０
…ＧａＮ（III-V族窒化物系半導体）１１…冷却部（冷
却手段）、１６…貫通孔、１８…支持部材、２０…床。
（融液収容部）、３…高周波コイル（励起手段）、４…
導入管（導入口）、５…Ｇａ融液（III族融液）、１０
…ＧａＮ（III-V族窒化物系半導体）１１…冷却部（冷
却手段）、１６…貫通孔、１８…支持部材、２０…床。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE15 CC04 EC03 EG30 EJ10 HA12 5F053 AA03 AA48 BB38 BB57 DD20 FF01 GG01 HH01 HH04 RR03 RR05
Claims (4)
- 【請求項１】 III族元素を含むIII族融液に、窒素プラ
ズマを接触させることでIII-V族窒化物系半導体を成長
させることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体の成長
方法。 - 【請求項２】 前記III族融液の底部を冷却しながら前
記窒素プラズマを当該III族融液に接触させることを特
徴とする請求項１記載のIII-V族窒化物系半導体の成長
方法。 - 【請求項３】 III族元素を含むIII族融液を収容する融
液収容部と、 前記融液収容部を収容すると共に、窒素ガスを導入する
ための導入口を有する成長容器と、 前記導入口から導入された窒素ガスを励起して窒素プラ
ズマにする励起手段と、を備え、 前記窒素プラズマは前記融液収容部内のIII族融液に到
達可能であることを特徴とするIII-V族窒化物系半導体
の成長装置。 - 【請求項４】 前記融液収容部の底部を冷却する冷却手
段をさらに備えることを特徴とする請求項３記載のIII-
V族窒化物系半導体の成長装置。
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|---|---|---|---|
| JP2000157041A JP2001338887A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000157041A JP2001338887A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001338887A true JP2001338887A (ja) | 2001-12-07 |
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ID=18661740
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|---|---|---|---|
| JP2000157041A Pending JP2001338887A (ja) | 2000-05-26 | 2000-05-26 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体の成長方法及び成長装置 |
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2000
- 2000-05-26 JP JP2000157041A patent/JP2001338887A/ja active Pending
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