JP2012109583A5 - - Google Patents
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- 窒化物層上の光電子又は電子デバイスであって、
前記窒化物層がシリコン基板の上又は上方に堆積されており、
前記窒化物層が、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの少なくとも1つを含み、
前記窒化物層が第1の側及び第2の側を有し、前記第1の側は前記シリコン基板と前記第2の側との間に存在し、
前記窒化物層が、前記第2の側に隣接した部分よりも高いアルミニウム含量を前記第1の側に隣接して有するグレーデッド窒化層である、光電子又は電子デバイス。 - 窒化物層上の光電子又は電子デバイスであって、
前記窒化物層がシリコン基板の上又は上方に堆積されており、
前記窒化物層が、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの少なくとも1つを含み、
前記窒化物層が圧縮応力を有する、光電子又は電子デバイス。 - 前記窒化物層が、該窒化物層の成長温度での圧縮応力を有する請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記圧縮応力が、正味の(net)圧縮応力である請求項2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層の表面の転位密度が1010cm−2以下である請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層が緩衝層を含み、
前記緩衝層が、GaN、AlGaN、又はグレーデッドAlGaNを含む、請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。 - 前記窒化物層が亀裂を有さない請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層がアルミニウム及びガリウムを含む請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層が、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する、請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層が、前記第1の側に隣接して少なくとも20%のアルミニウム含量を有し、かつ、前記第2の側に隣接して20%未満のアルミニウム含量を有する、請求項1に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記グレードの様々な組成物が、前記窒化物層の厚みの20%〜80%又は少なくとも80%にわたって存在する請求項9に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記第2の側に隣接した、又は前記光電子又は電子デバイスに隣接した前記窒化物層が窒化ガリウムである請求項8に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層と前記光電子又は電子デバイスとの間にGaN層を少なくとも1つさらに有する、請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 電界効果トランジスタである請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記電界効果トランジスタの飽和電流が少なくとも25mAであり、かつ/又は、前記電界効果トランジスタが、525mA/mm未満である前記電界効果トランジスタのゲート幅1単位あたりの電流を支持可能である、請求項14に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層がAlyGa1−yNを含む請求項14に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層がグレーデッドAlyGa1−yN層である請求項14に記載の光電子又は電子デバイス。
- AlxGa1−xN層又はInGaAlN層をさらに含む、請求項14に記載の光電子又は電子デバイス。
- 緩衝層と前記窒化物層とが、前記シリコン基板上で単一堆積工程において組み合わされて前記デバイスに含まれ、前記窒化物層がGaNを含む、請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層が単結晶窒化物層である請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層が、室温において圧縮応力を有する請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層がガリウムを含む請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- 前記窒化物層の表面の転位密度が109cm−2以下である、請求項1又は2に記載の光電子又は電子デバイス。
- シリコン基板の上又は上方に窒化物層を堆積させること、及び
上記窒化物層の上に光電子又は電子デバイスを堆積させること、
を含むデバイスの製造方法であって、
前記窒化物層が第1の側及び第2の側を有し、前記第1の側は前記シリコン基板と前記第2の側との間に存在し、
前記窒化物層が、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの少なくとも1つを含み、
前記窒化物層が、前記第2の側に隣接した部分よりも高いアルミニウム含量を前記第1の側に隣接して有するグレーデッド窒化層である、製造方法。 - シリコン基板の上又は上方に窒化物層を堆積させること、及び
上記窒化物層の上に光電子又は電子デバイスを堆積させること、
を含むデバイスの製造方法であって、
前記窒化物層が、アルミニウム、ガリウム、及びインジウムの少なくとも1つを含み、
前記窒化物層が圧縮応力を有する、製造方法。 - 前記圧縮応力が、該窒化物層の成長温度での圧縮応力である請求項25に記載の製造方法。
- 前記圧縮応力が正味の(net)圧縮応力である請求項25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層の堆積が、前記窒化物層の表面の転位密度が1010cm−2以下となるように堆積させるように行われる、請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層の堆積と、緩衝層の堆積とを前記シリコン基板上での単一堆積工程において組み合わせることをさらに含み、
前記窒化物層がGaNを含む、請求項24又は25に記載の製造方法。 - 前記窒化物層の堆積が、前記窒化物層が亀裂を有さないように行われる請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層がアルミニウム及びガリウムを含む請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層がGaN、AlGaN、又はグレーデッドAlGaNを含む請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層が、当初組成物から最終組成物までの実質的に連続したグレードの様々な組成物を有する、請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記当初組成物が、前記最終組成物よりも高いアルミニウム含量を有する請求項33に記載の製造方法。
- 前記当初組成物のアルミニウム含量が少なくとも20%であり、前記最終組成物のアルミニウム含量が20%未満である請求項33に記載の製造方法。
- 前記グレードの様々な組成物が、前記グレーデッド層の厚みの20%〜80%又は少なくとも80%にわたって存在する、請求項33に記載の製造方法。
- 前記最終組成物が窒化ガリウムである、請求項33に記載の製造方法。
- 前記窒化物層上に少なくとも1つ以上のGaN層を堆積させること、及び
前記少なくとも1つ以上のGaN層上に前記光電子又は電子デバイスを堆積させること、
をさらに含む請求項24又は25に記載の製造方法。 - 前記窒化物層を堆積させた後に、前記シリコン基板を除去することをさらに含む請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層と基板を形成することを更に含む請求項39に記載の製造方法。
- 前記基板がGaN基板である請求項40に記載の製造方法。
- 前記デバイスが電界効果トランジスタである請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層が、前記第1の側に隣接して少なくとも20%のアルミニウム含量を有し、かつ、前記第2の側に隣接して20%未満のアルミニウム含量を有する、請求項24又は25に記載の製造方法。
- AlxGa1−xN層又はInGaAlN層をさらに含む、請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層が、室温において圧縮応力を有する請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層が、有機金属化学気相成長法により形成される請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層が単結晶窒化物層である請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層がガリウムを含む請求項24又は25に記載の製造方法。
- 前記窒化物層の表面の転位密度が109cm−2以下である、請求項24又は25に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22283700P | 2000-08-04 | 2000-08-04 | |
US60/222,837 | 2000-08-04 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002518510A Division JP5095064B2 (ja) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | シリコン基板上に堆積された窒化物層を有する半導体フィルムおよびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013121497A Division JP2013216573A (ja) | 2000-08-04 | 2013-06-10 | 基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012109583A JP2012109583A (ja) | 2012-06-07 |
JP2012109583A5 true JP2012109583A5 (ja) | 2012-07-19 |
JP5331868B2 JP5331868B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=22833905
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002518510A Expired - Lifetime JP5095064B2 (ja) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | シリコン基板上に堆積された窒化物層を有する半導体フィルムおよびその製造方法 |
JP2011278534A Expired - Fee Related JP5331868B2 (ja) | 2000-08-04 | 2011-12-20 | 窒化物層上の光電子又は電子デバイス及びその製造方法 |
JP2013121497A Withdrawn JP2013216573A (ja) | 2000-08-04 | 2013-06-10 | 基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002518510A Expired - Lifetime JP5095064B2 (ja) | 2000-08-04 | 2001-08-03 | シリコン基板上に堆積された窒化物層を有する半導体フィルムおよびその製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013121497A Withdrawn JP2013216573A (ja) | 2000-08-04 | 2013-06-10 | 基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US7687888B2 (ja) |
EP (2) | EP1307903A1 (ja) |
JP (3) | JP5095064B2 (ja) |
AU (1) | AU2001279163A1 (ja) |
WO (1) | WO2002013245A1 (ja) |
Families Citing this family (90)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7335737B2 (en) | 1998-10-28 | 2008-02-26 | Baylor College Of Medicine | Ovary-specific genes and proteins |
AU2001279163A1 (en) | 2000-08-04 | 2002-02-18 | The Regents Of The University Of California | Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates |
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US6956250B2 (en) | 2001-02-23 | 2005-10-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials including thermally conductive regions |
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US11792898B2 (en) | 2012-07-01 | 2023-10-17 | Ideal Industries Lighting Llc | Enhanced fixtures for area lighting |
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KR102002898B1 (ko) | 2012-09-04 | 2019-07-23 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 버퍼 구조체 및 이를 포함하는 반도체 소자 |
CN104641453B (zh) | 2012-10-12 | 2018-03-30 | 住友电气工业株式会社 | Iii族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造iii族氮化物半导体器件的方法 |
JP6322890B2 (ja) | 2013-02-18 | 2018-05-16 | 住友電気工業株式会社 | Iii族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにiii族窒化物半導体デバイスの製造方法 |
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KR102098250B1 (ko) | 2013-10-21 | 2020-04-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
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TWI570911B (zh) * | 2014-05-19 | 2017-02-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 半導體結構 |
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US9806182B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-10-31 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation using elemental diboride diffusion barrier regions |
US9704705B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-07-11 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation via reaction with active species |
US9799520B2 (en) | 2015-09-08 | 2017-10-24 | Macom Technology Solutions Holdings, Inc. | Parasitic channel mitigation via back side implantation |
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- 2001-08-03 JP JP2002518510A patent/JP5095064B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-03 US US09/922,122 patent/US7687888B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-03 EP EP20100013685 patent/EP2276059A1/en not_active Ceased
- 2001-08-03 WO PCT/US2001/024347 patent/WO2002013245A1/en active Application Filing
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- 2007-09-14 US US11/855,785 patent/US7655090B2/en not_active Expired - Lifetime
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