JPH07326576A - ３−５族化合物半導体の薄膜成長方法 - Google Patents
３−５族化合物半導体の薄膜成長方法Info
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- JPH07326576A JPH07326576A JP11640094A JP11640094A JPH07326576A JP H07326576 A JPH07326576 A JP H07326576A JP 11640094 A JP11640094 A JP 11640094A JP 11640094 A JP11640094 A JP 11640094A JP H07326576 A JPH07326576 A JP H07326576A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、３−５族化合物半導体の薄膜成長方
法において、より低温の成長温度で高品質の化合物半導
体膜を成長させる。 【構成】ガスセル１３よりアルシンを、ガスセル１２よ
りＴＥＧを供給して基板ホルダ１１に保持されたＧａＡ
ｓ基板１上にＧａＡｓ薄膜を形成する際に、３族原料供
給時に電子銃１４から電子線を基板１に照射する。
法において、より低温の成長温度で高品質の化合物半導
体膜を成長させる。 【構成】ガスセル１３よりアルシンを、ガスセル１２よ
りＴＥＧを供給して基板ホルダ１１に保持されたＧａＡ
ｓ基板１上にＧａＡｓ薄膜を形成する際に、３族原料供
給時に電子銃１４から電子線を基板１に照射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属原料を用いる
３−５族化合物半導体の薄膜成長方法に関する。
３−５族化合物半導体の薄膜成長方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）や有
機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ）など３族原
料に有機金属を用いる薄膜成長法は、多数枚成長がで
き、選択成長性も優れているなど多くの利点があるた
め、光デバイスや低雑音デバイスの素子の作製に広く用
いられている。
機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ）など３族原
料に有機金属を用いる薄膜成長法は、多数枚成長がで
き、選択成長性も優れているなど多くの利点があるた
め、光デバイスや低雑音デバイスの素子の作製に広く用
いられている。
【０００３】３族の有機金属化合物の中で一般に用いら
れるものは、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ），トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ原料として
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ），トリエチルアルミ
ニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ原料としてトリメチルイジウム
（ＴＭＩ），トリエチルイジウム（ＴＥＩ）等である。
また５族原料としては、アルシン（ＡｓＨ3 ），ホスフ
ィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が用いられる場合が多い。
れるものは、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭ
Ｇ），トリエチルガリウム（ＴＥＧ）、Ａｌ原料として
トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ），トリエチルアルミ
ニウム（ＴＥＡ）、Ｉｎ原料としてトリメチルイジウム
（ＴＭＩ），トリエチルイジウム（ＴＥＩ）等である。
また５族原料としては、アルシン（ＡｓＨ3 ），ホスフ
ィン（ＰＨ3 ）等の水素化物が用いられる場合が多い。
【０００４】最近では、３族原料からのカーボンの混入
を抑えるため、３族原料の水素化物ＧａＨ3 ，ＡｌＨ3
と５族有機化合物とを結合させ、錯体として安定化させ
た新物質を膜成長に用いる試みが行われている。この新
物質の代表的なものにトリメチルアミンアラン（ＴＭＡ
Ａ）があり、化学式は、ＡｌＨ3 ：Ｎ（ＣＨ3 ）3 と表
記される。
を抑えるため、３族原料の水素化物ＧａＨ3 ，ＡｌＨ3
と５族有機化合物とを結合させ、錯体として安定化させ
た新物質を膜成長に用いる試みが行われている。この新
物質の代表的なものにトリメチルアミンアラン（ＴＭＡ
Ａ）があり、化学式は、ＡｌＨ3 ：Ｎ（ＣＨ3 ）3 と表
記される。
【０００５】この物質は、通常の有機原料と異なりＡｌ
とカーボン（Ｃ）との直接的な結合がないため、膜中に
取り込まれるＣが少ないという利点を有している。この
物質については、例えばシー・アール・アバーナシー
他、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｃ．Ｒ．Ａ
ｂｅｒｎａｔｈｙ ｅｔ．ａｌ：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５６ｐｐ２６５４−２６
５６（１９９０）に報告されている。また、トリメチル
アミンアランの他に、ジメチルアミンガラン［Ｇａ
Ｈ3 ：Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］等、他の錯体化合物を用いた膜
成長も試みられている。
とカーボン（Ｃ）との直接的な結合がないため、膜中に
取り込まれるＣが少ないという利点を有している。この
物質については、例えばシー・アール・アバーナシー
他、アプライド・フィジックス・レターズ（Ｃ．Ｒ．Ａ
ｂｅｒｎａｔｈｙ ｅｔ．ａｌ：Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈ
ｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ）５６ｐｐ２６５４−２６
５６（１９９０）に報告されている。また、トリメチル
アミンアランの他に、ジメチルアミンガラン［Ｇａ
Ｈ3 ：Ｎ（ＣＨ3 ）2 ］等、他の錯体化合物を用いた膜
成長も試みられている。
【０００６】上述したこれらの原料を用いて、ＭＯＶＰ
ＥやＭＯＭＢＥで最近活発に行われている薄膜の成長法
として選択成長がある。選択成長は、まず素子を構成す
る下層を形成しておき、不要な部分をＳｉＯ2 などの絶
縁物でマスクして、必要な部分だけに別の層を成長させ
る方法である。
ＥやＭＯＭＢＥで最近活発に行われている薄膜の成長法
として選択成長がある。選択成長は、まず素子を構成す
る下層を形成しておき、不要な部分をＳｉＯ2 などの絶
縁物でマスクして、必要な部分だけに別の層を成長させ
る方法である。
【０００７】例えば図３に示す高電子移動度トランジス
タ（ＨＥＭＴ）において、ｉ−ＧａＡｓバッファー層２
上のｉ−ＧａＡｓチャネル層６及びｎ−ＡｌＧａＡｓ電
子供給層７の両側面に形成するコンタクト層のみに高ド
ープのＧａＡｓ層４を選択成長すれば、ソース抵抗を低
減でき、デバイス特性を向上させることができる。
タ（ＨＥＭＴ）において、ｉ−ＧａＡｓバッファー層２
上のｉ−ＧａＡｓチャネル層６及びｎ−ＡｌＧａＡｓ電
子供給層７の両側面に形成するコンタクト層のみに高ド
ープのＧａＡｓ層４を選択成長すれば、ソース抵抗を低
減でき、デバイス特性を向上させることができる。
【０００８】尚図３において１はＧａＡｓ基板，８はＴ
ｉＡｌやＷＳｉからなるゲートメタルである。
ｉＡｌやＷＳｉからなるゲートメタルである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】薄膜を選択成長させる
場合、低温成長ができることは重要である。例えば図３
に示したＨＥＭＴ製造工程における選択成長の場合、す
でにデバイス構造が形成されているため、再成長プロセ
スを６００℃程度の高温で行うと、下地のバッファー層
２やチャネル層６，電子供給層７のエピタキシャル層の
組成やキャリア濃度が拡散によって変わってしまうこと
がある。またすでにゲートメタル８などが付けてある場
合、メタル／半導体界面の電気的特性が５００℃以上の
高温では劣化するという問題がある。従ってＧａＡｓ膜
の場合、再成長は５００℃以下で行うことが望ましい
が、ＴＭＧやＴＥＧのような通常の有機原料を用いて５
００℃以下の低温成長を行うと、３族元素と有機化合物
の結合が完全に切れないため、膜中にＣが残留し、高純
度化ができないという問題がある。
場合、低温成長ができることは重要である。例えば図３
に示したＨＥＭＴ製造工程における選択成長の場合、す
でにデバイス構造が形成されているため、再成長プロセ
スを６００℃程度の高温で行うと、下地のバッファー層
２やチャネル層６，電子供給層７のエピタキシャル層の
組成やキャリア濃度が拡散によって変わってしまうこと
がある。またすでにゲートメタル８などが付けてある場
合、メタル／半導体界面の電気的特性が５００℃以上の
高温では劣化するという問題がある。従ってＧａＡｓ膜
の場合、再成長は５００℃以下で行うことが望ましい
が、ＴＭＧやＴＥＧのような通常の有機原料を用いて５
００℃以下の低温成長を行うと、３族元素と有機化合物
の結合が完全に切れないため、膜中にＣが残留し、高純
度化ができないという問題がある。
【００１０】ＴＭＡＡのような３族原料の水素化物と５
族有機化合物との錯体を用いる場合、膜中にＣが取り込
まれることが少ないが、５００℃以下の低温では錯体が
分解しないという問題がある。また別な問題として、例
えばＡｌＧａＡｓのような混晶薄膜を基板上に成長させ
る場合に、Ｇａの有機原料とＡｌの有機原料の分解特性
の違いから基板温度によって、混晶の組成が異なってし
まうという現象も見られる。
族有機化合物との錯体を用いる場合、膜中にＣが取り込
まれることが少ないが、５００℃以下の低温では錯体が
分解しないという問題がある。また別な問題として、例
えばＡｌＧａＡｓのような混晶薄膜を基板上に成長させ
る場合に、Ｇａの有機原料とＡｌの有機原料の分解特性
の違いから基板温度によって、混晶の組成が異なってし
まうという現象も見られる。
【００１１】本発明の第１の目的は、より低温で高品質
の３−５族化合物半導体の薄膜成長方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、基板温度が異なっても混
晶の組成を一定にできる３−５族化合物半導体の薄膜成
長方法を提供することにある。
の３−５族化合物半導体の薄膜成長方法を提供すること
にある。本発明の他の目的は、基板温度が異なっても混
晶の組成を一定にできる３−５族化合物半導体の薄膜成
長方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、３族原料とし
て有機金属原料を用いる、３−５族化合物半導体の薄膜
成長方法において、３族原料供給時に電子線を基板に照
射することを特徴とする薄膜成長方法である。
て有機金属原料を用いる、３−５族化合物半導体の薄膜
成長方法において、３族原料供給時に電子線を基板に照
射することを特徴とする薄膜成長方法である。
【００１３】
【作用】３族原子には空のｐ電子軌道があり、電子受容
体（Ｌｅｗｉｓ酸）として働く。３族化合物は３族原子
と水素やメチル基等とが電子を共有することで安定な化
合物として存在する。３族化合物に電子を供給すると３
族原子が安定化し、３族原子と結合している水素やメチ
ル基との結合が弱くなり切れ易くなる。従って、電子線
を膜の成長時に照射すれば、３族有機原料は５００℃以
下の低温でも容易に分解し、膜中にカーボンや水素が取
り込まれることはない。
体（Ｌｅｗｉｓ酸）として働く。３族化合物は３族原子
と水素やメチル基等とが電子を共有することで安定な化
合物として存在する。３族化合物に電子を供給すると３
族原子が安定化し、３族原子と結合している水素やメチ
ル基との結合が弱くなり切れ易くなる。従って、電子線
を膜の成長時に照射すれば、３族有機原料は５００℃以
下の低温でも容易に分解し、膜中にカーボンや水素が取
り込まれることはない。
【００１４】またＴＭＡとＴＭＧのように温度によって
分解効率の異なる原料を用いて混晶膜を成長する場合で
も、これらの原料が一様に分解するので一定の組成の膜
を成長させることができる。
分解効率の異なる原料を用いて混晶膜を成長する場合で
も、これらの原料が一様に分解するので一定の組成の膜
を成長させることができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。図
１は、本発明の実施例に用いる成長装置の構成図であ
る。本実施例では、薄膜の成長方法として有機金属分子
線エピタキシー（ＭＯＭＢＥ）法を用いた。成長装置は
超高真空が保持される成長室１０と、３族原料及び５族
原料を供給するガスセル１２，１３と、電子線を供給す
る電子銃１４と、基板を加熱できる基板ホルダー１１に
よって主に構成されている。
１は、本発明の実施例に用いる成長装置の構成図であ
る。本実施例では、薄膜の成長方法として有機金属分子
線エピタキシー（ＭＯＭＢＥ）法を用いた。成長装置は
超高真空が保持される成長室１０と、３族原料及び５族
原料を供給するガスセル１２，１３と、電子線を供給す
る電子銃１４と、基板を加熱できる基板ホルダー１１に
よって主に構成されている。
【００１６】実施例１として、ＧａＡｓ薄膜を４００℃
の低温で成長した場合について説明する。成長手順は、
まず成長室１０内の基板ホルダー１１上にＧａＡｓ基板
１をセットしたのち、マスフローコントローラ１５を介
しガスセル１３からアルシンを供給し、Ａｓ雰囲気中で
基板を６００℃に加熱し、表面の酸化膜除去を行った。
アルシンの流量はマスフローコントローラ１５により１
０ＳＣＣＭにセットした。次に基板温度を４００℃にセ
ットしたのち、マスフローコントローラ１６を介しガス
セル１２からＴＥＧを１ＳＣＣＭ流して基板１に供給し
た。この流量はマスフローコントローラ１６により制御
した。この時同時に電子銃１４から電子線を基板１に照
射した。電子線エネルギーは１．０ｋｅＶとした。
の低温で成長した場合について説明する。成長手順は、
まず成長室１０内の基板ホルダー１１上にＧａＡｓ基板
１をセットしたのち、マスフローコントローラ１５を介
しガスセル１３からアルシンを供給し、Ａｓ雰囲気中で
基板を６００℃に加熱し、表面の酸化膜除去を行った。
アルシンの流量はマスフローコントローラ１５により１
０ＳＣＣＭにセットした。次に基板温度を４００℃にセ
ットしたのち、マスフローコントローラ１６を介しガス
セル１２からＴＥＧを１ＳＣＣＭ流して基板１に供給し
た。この流量はマスフローコントローラ１６により制御
した。この時同時に電子銃１４から電子線を基板１に照
射した。電子線エネルギーは１．０ｋｅＶとした。
【００１７】以上のような手順で、ＧａＡｓ基板１上に
ＧａＡｓ薄膜を４μｍの厚さに成長しホール測定を行っ
たところ、電子線を照射しない従来の方法で４００℃の
低温成長したものは、残留カーボンのためキャリア濃度
１０19ｃｍ-3台、移動度５０ｃｍ2 ／Ｖｓの高いｐ型に
なるの対し、本実施例１によるものは１×１０14ｃｍ-3
のｐ型を示し、室温の移動度も４００ｃｍ2 ／Ｖｓと良
好なＧａＡｓ薄膜が得られた。
ＧａＡｓ薄膜を４μｍの厚さに成長しホール測定を行っ
たところ、電子線を照射しない従来の方法で４００℃の
低温成長したものは、残留カーボンのためキャリア濃度
１０19ｃｍ-3台、移動度５０ｃｍ2 ／Ｖｓの高いｐ型に
なるの対し、本実施例１によるものは１×１０14ｃｍ-3
のｐ型を示し、室温の移動度も４００ｃｍ2 ／Ｖｓと良
好なＧａＡｓ薄膜が得られた。
【００１８】次に実施例２として、３族有機原料にＴＥ
Ｇ，ＴＥＡを用いてＡｌＧａＡｓ薄膜を成長した場合に
ついて説明する。成長手順は実施例１とほぼ同様であ
る。３族有機原料の場合は別々のマスフローコントロー
ラで、ＴＥＧ流量を０．７ＳＣＣＭ，ＴＥＡ流量を０．
３ＳＣＣＭとした。基板温度は、５００〜６００℃であ
る。
Ｇ，ＴＥＡを用いてＡｌＧａＡｓ薄膜を成長した場合に
ついて説明する。成長手順は実施例１とほぼ同様であ
る。３族有機原料の場合は別々のマスフローコントロー
ラで、ＴＥＧ流量を０．７ＳＣＣＭ，ＴＥＡ流量を０．
３ＳＣＣＭとした。基板温度は、５００〜６００℃であ
る。
【００１９】この実施例２の場合図２に示すように、従
来の成長方法では、ＴＥＧとＴＭＡの分解効率の違いか
ら、Ａｌx Ｇａ1-x ＡｓのＡｌ組成（Ｘ）が成長温度で
変わってしまうのに対し、本実施例２の方法では、Ａｌ
組成は成長温度によらず一定となることがわかる。
来の成長方法では、ＴＥＧとＴＭＡの分解効率の違いか
ら、Ａｌx Ｇａ1-x ＡｓのＡｌ組成（Ｘ）が成長温度で
変わってしまうのに対し、本実施例２の方法では、Ａｌ
組成は成長温度によらず一定となることがわかる。
【００２０】なお上記実施例では、ＧａＡｓ，ＡｌＧａ
Ａｓの薄膜の形成について述べたが、ＡｌＡｓ，ＩｎＰ
など他の３−５族化合物半導体もしくはその混晶におい
ても同様の効果がある。また成長装置、３族及び５族の
原料及び成長条件等は、上記実施例に限らず本特許の請
求範囲を逸脱しない範囲において任意に変えることがで
きる。
Ａｓの薄膜の形成について述べたが、ＡｌＡｓ，ＩｎＰ
など他の３−５族化合物半導体もしくはその混晶におい
ても同様の効果がある。また成長装置、３族及び５族の
原料及び成長条件等は、上記実施例に限らず本特許の請
求範囲を逸脱しない範囲において任意に変えることがで
きる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、３族の有
機原料供給時に薄膜を形成する基板表面に電子線を照射
することにより、低温でも良好な電気的特性を有する３
−５族化合物半導体の薄膜を成長することができる。ま
た混晶を成長する場合、成長温度によらず一定の組成の
ものが成長できる。
機原料供給時に薄膜を形成する基板表面に電子線を照射
することにより、低温でも良好な電気的特性を有する３
−５族化合物半導体の薄膜を成長することができる。ま
た混晶を成長する場合、成長温度によらず一定の組成の
ものが成長できる。
【図１】本発明の実施例に用いる成長装置の構成図。
【図２】基板温度とＡｌ組成との関連を示す図。
【図３】膜の選択成長を説明するためのＨＥＭＴの断面
図。
図。
１ ＧａＡｓ基板 ２ バッファー層 ４ コンタクト層 ６ チャネル層 ７ 電子供給層 ８ ゲートメタル １０ 成長室 １１ 基板ホルダ １２，１３ ガスセル １４ イオン銃 １５，１６ マスフローコントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 ３族原料として有機金属原料を用いる、
３−５族化合物半導体の薄膜成長方法において、３族原
料供給時に薄膜を形成する基板の表面に電子線を照射す
ることを特徴とする３−５族化合物半導体の薄膜成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640094A JPH07326576A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | ３−５族化合物半導体の薄膜成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11640094A JPH07326576A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | ３−５族化合物半導体の薄膜成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07326576A true JPH07326576A (ja) | 1995-12-12 |
Family
ID=14686109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11640094A Pending JPH07326576A (ja) | 1994-05-30 | 1994-05-30 | ３−５族化合物半導体の薄膜成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07326576A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506323A (ja) * | 2000-08-04 | 2004-02-26 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194717A (ja) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成法 |
| JPS6233420A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nec Corp | ガリウム砒素薄膜形成方法 |
| JPS6233421A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nec Corp | インジウムリン薄膜形成方法 |
| JPH03268421A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05259079A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Nec Corp | 半導体成長方法および半導体レーザの製造方法 |
| JPH05259582A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Nec Corp | 半導体成長方法および半導体レーザの製造方法 |
| JPH06112124A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Nec Corp | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 |
-
1994
- 1994-05-30 JP JP11640094A patent/JPH07326576A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61194717A (ja) * | 1985-02-23 | 1986-08-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成法 |
| JPS6233420A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nec Corp | ガリウム砒素薄膜形成方法 |
| JPS6233421A (ja) * | 1985-08-06 | 1987-02-13 | Nec Corp | インジウムリン薄膜形成方法 |
| JPH03268421A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05259582A (ja) * | 1992-03-10 | 1993-10-08 | Nec Corp | 半導体成長方法および半導体レーザの製造方法 |
| JPH05259079A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | Nec Corp | 半導体成長方法および半導体レーザの製造方法 |
| JPH06112124A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Nec Corp | 有機金属分子線エピタキシャル成長方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004506323A (ja) * | 2000-08-04 | 2004-02-26 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 基板上に堆積された窒化ガリウムフィルムにおける応力の制御方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970204 |