JP3386302B2 - 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス - Google Patents
化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイスInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化合物半導体の結
晶成長に用いられるｎ型ドーピング方法およびこのドー
ピング方法を用いた結晶成長方法並びにこの結晶成長方
法を用いて形成した結晶およびこの結晶を用いて作製し
たデバイスに関するものである。
晶成長に用いられるｎ型ドーピング方法およびこのドー
ピング方法を用いた結晶成長方法並びにこの結晶成長方
法を用いて形成した結晶およびこの結晶を用いて作製し
たデバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ、ＩｎＰ等をベースとした化合
物半導体の結晶成長において、ｎ型ドーピング層を形成
する方法としては、従来、一般的にＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 ガスを結晶成長中の装置内に流入させ、Ｓｉをキャリ
アとして結晶中に混入させる方法が用いられていた。Ｓ
ｉを結晶中に混入させるためには、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 等のガスに成長基板表面で熱エネルギーを与え、熱分
解させる必要がある。このため、熱エネルギー量すなわ
ち基板温度によって、結晶中に混入する単体Ｓｉの量が
変化する。熱エネルギーすなわち基板温度の影響を小さ
くするためには、流入させるガスの組成のうち、Ｓｉと
の結合エネルギーができるだけ小さいものを選択するこ
とにより、単体Ｓｉの結晶中への混入量がガス流量に比
例するようになる。
物半導体の結晶成長において、ｎ型ドーピング層を形成
する方法としては、従来、一般的にＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 ガスを結晶成長中の装置内に流入させ、Ｓｉをキャリ
アとして結晶中に混入させる方法が用いられていた。Ｓ
ｉを結晶中に混入させるためには、ＳｉＨ4 、Ｓｉ2 Ｈ
6 等のガスに成長基板表面で熱エネルギーを与え、熱分
解させる必要がある。このため、熱エネルギー量すなわ
ち基板温度によって、結晶中に混入する単体Ｓｉの量が
変化する。熱エネルギーすなわち基板温度の影響を小さ
くするためには、流入させるガスの組成のうち、Ｓｉと
の結合エネルギーができるだけ小さいものを選択するこ
とにより、単体Ｓｉの結晶中への混入量がガス流量に比
例するようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように、化合物半
導体の結晶中のドーピング濃度を制御するためには、ド
ーピング濃度が基板温度やＶ／III 比等の種々の条件に
依存せず、ガス流量にのみ依存することが望ましい。し
かし、従来Ｓｉのドーピングとして一般的に用いられて
いるＳｉ2 Ｈ6 ガスは、Ｓｉ2 −Ｈ6 の結合エネルギー
が成長基板面の熱エネルギーに対して十分に小さいとは
言えない。このため、Ｓｉ2 −Ｈ6 の結合を成長基板面
の熱エネルギーで分解する場合、Ｓｉ2 −Ｈ6 から分解
されて発生するＳｉの量が基板温度に大きく依存し、ド
ーピング濃度の制御が難しくなる。例えば、ＣＢＥ装置
においてＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いてＳｉのドーピングを行
った場合のキャリア濃度の成長基板温度依存性を図５に
示す。キャリア濃度は成長基板温度に大きく依存し、ま
たその活性化エネルギーは０. ８３ｅＶと、非常に大き
い。また、ドーピング濃度のＳｉ2 Ｈ6 流量依存性は、
１０18cm-3まではＳｉ2 Ｈ6 ガス流量に比例するが、こ
れ以上の流量では背圧が上がりすぎるため、分子線領域
での成長ができなくなる。さらに、Ｖ／III 比依存性も
大きく、高いＶ／III 比では特にドーピング効率が低く
なる。このように、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いてＳｉのドー
ピングを行った場合、そのドーピング濃度の制御は難し
く、特に、低い成長温度で高濃度のドーピングを必要と
するＩｎＰ、ＩｎＧａＰのドーピング材料としては適切
ではないという問題があった。
導体の結晶中のドーピング濃度を制御するためには、ド
ーピング濃度が基板温度やＶ／III 比等の種々の条件に
依存せず、ガス流量にのみ依存することが望ましい。し
かし、従来Ｓｉのドーピングとして一般的に用いられて
いるＳｉ2 Ｈ6 ガスは、Ｓｉ2 −Ｈ6 の結合エネルギー
が成長基板面の熱エネルギーに対して十分に小さいとは
言えない。このため、Ｓｉ2 −Ｈ6 の結合を成長基板面
の熱エネルギーで分解する場合、Ｓｉ2 −Ｈ6 から分解
されて発生するＳｉの量が基板温度に大きく依存し、ド
ーピング濃度の制御が難しくなる。例えば、ＣＢＥ装置
においてＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いてＳｉのドーピングを行
った場合のキャリア濃度の成長基板温度依存性を図５に
示す。キャリア濃度は成長基板温度に大きく依存し、ま
たその活性化エネルギーは０. ８３ｅＶと、非常に大き
い。また、ドーピング濃度のＳｉ2 Ｈ6 流量依存性は、
１０18cm-3まではＳｉ2 Ｈ6 ガス流量に比例するが、こ
れ以上の流量では背圧が上がりすぎるため、分子線領域
での成長ができなくなる。さらに、Ｖ／III 比依存性も
大きく、高いＶ／III 比では特にドーピング効率が低く
なる。このように、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いてＳｉのドー
ピングを行った場合、そのドーピング濃度の制御は難し
く、特に、低い成長温度で高濃度のドーピングを必要と
するＩｎＰ、ＩｎＧａＰのドーピング材料としては適切
ではないという問題があった。
【０００４】この発明は以上のような問題を解消するた
めになされたもので、ドーピング濃度が基板温度等の影
響を受けにくく、ドーピング濃度制御が容易なドーピン
グ方法を提案し、このドーピング方法を用いた結晶成長
方法によって所望のドーピング濃度が得られた信頼性の
高い結晶およびデバイスを提供するものである。
めになされたもので、ドーピング濃度が基板温度等の影
響を受けにくく、ドーピング濃度制御が容易なドーピン
グ方法を提案し、このドーピング方法を用いた結晶成長
方法によって所望のドーピング濃度が得られた信頼性の
高い結晶およびデバイスを提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる化合物
半導体へのｎ型ドーピング方法は、化合物半導体結晶が
成長しつつある加熱された基板が配置された高真空雰囲
気中にＳｉＩ４ ガスを流入する工程と、このＳｉＩ
４ ガスが加熱された基板近傍に到達し、基板表面より
熱エネルギーを与えられて熱分解し、Ｓｉがキャリアと
して成長中の化合物半導体結晶に混入する工程を含んだ
ものである。
半導体へのｎ型ドーピング方法は、化合物半導体結晶が
成長しつつある加熱された基板が配置された高真空雰囲
気中にＳｉＩ４ ガスを流入する工程と、このＳｉＩ
４ ガスが加熱された基板近傍に到達し、基板表面より
熱エネルギーを与えられて熱分解し、Ｓｉがキャリアと
して成長中の化合物半導体結晶に混入する工程を含んだ
ものである。
【０００６】また、ＳｉＩ ４ ガスは、ＨｅまたはＨ
２ 等のキャリアガスによって基板近傍まで導かれるも
のである。また、化合物半導体結晶は、ＧａＡｓ、Ｉｎ
ＰまたはＩｎＧａＰ等である。
２ 等のキャリアガスによって基板近傍まで導かれるも
のである。また、化合物半導体結晶は、ＧａＡｓ、Ｉｎ
ＰまたはＩｎＧａＰ等である。
【０００７】また、この発明に係わる化学ビーム堆積方
法は、化合物半導体へのｎ型ドーピング方法を、加熱さ
れた基板が配置された高真空雰囲気中に、目的とする結
晶の構成元素およびアルキル基を含む少なくとも一種の
分子化合物と、目的とする結晶の構成元素を含む別の分
子化合物が供給され、これらの分子化合物が分子線を形
成して基板近傍に到達し、基板上で反応して化合物半導
体結晶をエピタキシャル成長させる工程において用いた
ものである。
法は、化合物半導体へのｎ型ドーピング方法を、加熱さ
れた基板が配置された高真空雰囲気中に、目的とする結
晶の構成元素およびアルキル基を含む少なくとも一種の
分子化合物と、目的とする結晶の構成元素を含む別の分
子化合物が供給され、これらの分子化合物が分子線を形
成して基板近傍に到達し、基板上で反応して化合物半導
体結晶をエピタキシャル成長させる工程において用いた
ものである。
【０００８】また、この発明における化合物半導体結晶
は、上記結晶成長方法によって形成したものである。ま
た、この発明に係わる電子デバイスは、上記化合物半導
体結晶によって構成したものである。さらに、この発明
に係わる光デバイスは、上記化合物半導体結晶によって
構成したものである。
は、上記結晶成長方法によって形成したものである。ま
た、この発明に係わる電子デバイスは、上記化合物半導
体結晶によって構成したものである。さらに、この発明
に係わる光デバイスは、上記化合物半導体結晶によって
構成したものである。
【０００９】
実施の形態１．本発明の実施の形態１では、化学ビーム
堆積方法（ＣＢＥ：Chemical BeamEpitaxy ）で成長し
たｎ−ＧａＡｓに、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピ
ングを行う場合について説明する。図１は、本実施の形
態にて用いられるＣＢＥ装置の概念図である。図におい
て、１はＣＢＥ装置の成長室、２は成長基板で本実施の
形態ではｎ−ＧａＡｓ基板、３は自圧制御式恒温槽であ
り、この槽内には周囲にヒータを備えたトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）
等の有機金属化合物の供給装置が組み込まれている。４
は、ＳｉＩ4 ガスの供給装置が組み込まれた恒温槽、５
は各ガスの流量を調整するための流量計である。６、７
はそれぞれＨｅ、Ｈ2 キャリアガス供給装置であり、本
実施の形態ではＳｉＩ4 ガスはＨｅキャリアガスを用い
て成長室内に流入させた。８は、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 、Ｓ
ｉ2 Ｈ6 等の水素化物供給装置、９は水素化物にプレク
ラッキングを行い、装置に導入するためのヒータ、１０
は質量分析装置である。
堆積方法（ＣＢＥ：Chemical BeamEpitaxy ）で成長し
たｎ−ＧａＡｓに、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピ
ングを行う場合について説明する。図１は、本実施の形
態にて用いられるＣＢＥ装置の概念図である。図におい
て、１はＣＢＥ装置の成長室、２は成長基板で本実施の
形態ではｎ−ＧａＡｓ基板、３は自圧制御式恒温槽であ
り、この槽内には周囲にヒータを備えたトリエチルガリ
ウム（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）
等の有機金属化合物の供給装置が組み込まれている。４
は、ＳｉＩ4 ガスの供給装置が組み込まれた恒温槽、５
は各ガスの流量を調整するための流量計である。６、７
はそれぞれＨｅ、Ｈ2 キャリアガス供給装置であり、本
実施の形態ではＳｉＩ4 ガスはＨｅキャリアガスを用い
て成長室内に流入させた。８は、ＡｓＨ3 、ＰＨ3 、Ｓ
ｉ2 Ｈ6 等の水素化物供給装置、９は水素化物にプレク
ラッキングを行い、装置に導入するためのヒータ、１０
は質量分析装置である。
【００１０】本ＣＢＥ装置では、トリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）等の有機金属化合物を自圧制御式恒温槽３
内で温め、有機金属化合物分子の分圧を流量計で制御で
きる値以上に大きくし、その流量をキャリアガスを使用
せずに直接流量計で制御することができる。このため、
キャリアガスを用いることなく有機金属化合物のみで成
長室１内の成長基板２近傍へ到達するので、キャリアガ
スによる成長室１内の圧力の増加がなく、有機金属化合
物の分子の平均自由工程が十分に長くとれ、分子線的性
質が向上する。
（ＴＥＧａ）等の有機金属化合物を自圧制御式恒温槽３
内で温め、有機金属化合物分子の分圧を流量計で制御で
きる値以上に大きくし、その流量をキャリアガスを使用
せずに直接流量計で制御することができる。このため、
キャリアガスを用いることなく有機金属化合物のみで成
長室１内の成長基板２近傍へ到達するので、キャリアガ
スによる成長室１内の圧力の増加がなく、有機金属化合
物の分子の平均自由工程が十分に長くとれ、分子線的性
質が向上する。
【００１１】次に、本ＣＢＥ装置において、成長中のｎ
−ＧａＡｓにＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを
行う方法について説明する。III 族源としてはトリエチ
ルガリウム（ＴＥＧａ）、Ｖ族Ａｓ源としてはアルシン
（ＡｓＨ3 ）を用いた。トリエチルガリウム（ＴＥＧ
ａ）は、専用の容器（バブラー）に封入され、自圧制御
式恒温槽３内に保持される。自圧制御式恒温槽３内は、
常温から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金属の自圧が１
０Torr以上になる温度とする。ＴＥＧａの場合は３５°
Ｃで流量計規定の流量を流すことが可能である。ｎ型ド
ーピングを行うためのＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガ
スを用いて成長室内に流入させた。このようにして有機
金属分子（ＴＥＧａ）、水素化物（ＡｓＨ3 ）、ＳｉＩ
4 ガスを成長室内に導入し、真空中に放出された有機金
属分子および水素化物のガスは加熱された基板２上で反
応し、半導体材料すなわちＧａＡｓの堆積層が形成され
るとともに、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギ
ーを与えられ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＧａＡｓ
結晶中に混入し、ｎ型ドーピングが行われる。
−ＧａＡｓにＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを
行う方法について説明する。III 族源としてはトリエチ
ルガリウム（ＴＥＧａ）、Ｖ族Ａｓ源としてはアルシン
（ＡｓＨ3 ）を用いた。トリエチルガリウム（ＴＥＧ
ａ）は、専用の容器（バブラー）に封入され、自圧制御
式恒温槽３内に保持される。自圧制御式恒温槽３内は、
常温から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金属の自圧が１
０Torr以上になる温度とする。ＴＥＧａの場合は３５°
Ｃで流量計規定の流量を流すことが可能である。ｎ型ド
ーピングを行うためのＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガ
スを用いて成長室内に流入させた。このようにして有機
金属分子（ＴＥＧａ）、水素化物（ＡｓＨ3 ）、ＳｉＩ
4 ガスを成長室内に導入し、真空中に放出された有機金
属分子および水素化物のガスは加熱された基板２上で反
応し、半導体材料すなわちＧａＡｓの堆積層が形成され
るとともに、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギ
ーを与えられ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＧａＡｓ
結晶中に混入し、ｎ型ドーピングが行われる。
【００１２】以上のような方法で形成されたＳｉＩ4 に
よるＳｉドーピング層について評価を行った結果の図に
ついて説明する。図２は、ＳｉＩ4 によるＳｉドーピン
グｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度の成長基板温度依存性を
示す図である。ＳｉＩ4 をＨｅキャリアガスを用いて結
晶成長雰囲気中に流入した場合、各流量において、キャ
リア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6 ガスを用い
た場合と比較して小さい。Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いた場合
は、図５に示すように、一定のＳｉ2 Ｈ6 ガス流量であ
っても、結晶中の活性なキャリア濃度が成長基板温度に
大きく依存する。
よるＳｉドーピング層について評価を行った結果の図に
ついて説明する。図２は、ＳｉＩ4 によるＳｉドーピン
グｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度の成長基板温度依存性を
示す図である。ＳｉＩ4 をＨｅキャリアガスを用いて結
晶成長雰囲気中に流入した場合、各流量において、キャ
リア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6 ガスを用い
た場合と比較して小さい。Ｓｉ2 Ｈ6 ガスを用いた場合
は、図５に示すように、一定のＳｉ2 Ｈ6 ガス流量であ
っても、結晶中の活性なキャリア濃度が成長基板温度に
大きく依存する。
【００１３】図３は、ＳｉＩ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 をキャリア
ドーピングガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ層キャ
リア濃度のドーピングガス流量依存性を示す図である。
図３より、成長温度を５２０℃程度に設定した場合、Ｓ
ｉＩ4 では、キャリアガスであるＨｅの流量と合計して
も、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスの約２０％の流量で２×１０18cm-3
程度のキャリアドーピングが可能である。また、図４は
ＳｉＩ4 、Ｓｉ2 Ｈ6をキャリアドーピングガスとして
用いた場合のｎ−ＧａＡｓ中のＳｉ濃度とキャリア濃度
の関係を示す図である。ＳｉＩ4 を用いた場合、Ｓｉの
活性化率はほぼ１００％であり大変良好であるのに対
し、Ｓｉ2 Ｈ6 では８０％以下程度であり、不活性Ｓｉ
のＧａＡｓ結晶中への混入が確認された。
ドーピングガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ層キャ
リア濃度のドーピングガス流量依存性を示す図である。
図３より、成長温度を５２０℃程度に設定した場合、Ｓ
ｉＩ4 では、キャリアガスであるＨｅの流量と合計して
も、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスの約２０％の流量で２×１０18cm-3
程度のキャリアドーピングが可能である。また、図４は
ＳｉＩ4 、Ｓｉ2 Ｈ6をキャリアドーピングガスとして
用いた場合のｎ−ＧａＡｓ中のＳｉ濃度とキャリア濃度
の関係を示す図である。ＳｉＩ4 を用いた場合、Ｓｉの
活性化率はほぼ１００％であり大変良好であるのに対
し、Ｓｉ2 Ｈ6 では８０％以下程度であり、不活性Ｓｉ
のＧａＡｓ結晶中への混入が確認された。
【００１４】なお、本実施の形態ではＣＢＥ装置の例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、有機金属
分子線エピタキシャル成長方法（ＭＯＭＢＥ：Metalorg
anicMolecular Beam Epitaxy）、ガスソース分子線エ
ピタキシャル成長方法（ＧＳ−ＭＢＥ：Gas Source M
olecular Beam Epitaxy ）、有機金属化学気相堆積方
法（ＭＯＣＶＤ：Metalorganic Chemical Vapor Dep
osition ）、分子線エピタキシャル成長方法（ＭＢＥ：
Molecular Beam Epitaxy ）等の結晶成長方法にも適
用可能である。これらの結晶成長方法について以下に説
明する。
示したが、本発明はこれに限るものではなく、有機金属
分子線エピタキシャル成長方法（ＭＯＭＢＥ：Metalorg
anicMolecular Beam Epitaxy）、ガスソース分子線エ
ピタキシャル成長方法（ＧＳ−ＭＢＥ：Gas Source M
olecular Beam Epitaxy ）、有機金属化学気相堆積方
法（ＭＯＣＶＤ：Metalorganic Chemical Vapor Dep
osition ）、分子線エピタキシャル成長方法（ＭＢＥ：
Molecular Beam Epitaxy ）等の結晶成長方法にも適
用可能である。これらの結晶成長方法について以下に説
明する。
【００１５】現在、化合物半導体の結晶成長方法は、Ｍ
ＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥに大きく分類できる。ＭＢＥ
は、高真空中で行う真空蒸着法であり、原理的には超高
真空の成長室内に目的とする結晶の構成元素を納めた分
子線セルを設置し、これを加熱することで各元素を気化
させて別に加熱している成長用の下地基板に照射するこ
とでエピタキシャル成長を行う。成長室内は成長時でも
１０-5Torr程度の高い真空度を保つので、これらの気化
した原子や分子の平均自由工程は大きく、噴出した方向
にビームすなわち分子線を形成する。このようにして形
成された結晶は、成長表面、界面の平坦性に優れ、ま
た、成長に化学反応が寄与していないため、成長速度、
膜厚、組成に対する制御性が良好である。しかし、原料
を供給する分子線セルを装置内に設置する必要があるた
め、分子線セルのヒータから生じる不純物の問題や、セ
ルの交換等の諸問題があり、これらの問題解決の１つの
方法として、少なくとも１種の原料を気相の状態で供給
するＭＯＭＢＥ、ガスソースＭＢＥ等も考えられる。
ＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥに大きく分類できる。ＭＢＥ
は、高真空中で行う真空蒸着法であり、原理的には超高
真空の成長室内に目的とする結晶の構成元素を納めた分
子線セルを設置し、これを加熱することで各元素を気化
させて別に加熱している成長用の下地基板に照射するこ
とでエピタキシャル成長を行う。成長室内は成長時でも
１０-5Torr程度の高い真空度を保つので、これらの気化
した原子や分子の平均自由工程は大きく、噴出した方向
にビームすなわち分子線を形成する。このようにして形
成された結晶は、成長表面、界面の平坦性に優れ、ま
た、成長に化学反応が寄与していないため、成長速度、
膜厚、組成に対する制御性が良好である。しかし、原料
を供給する分子線セルを装置内に設置する必要があるた
め、分子線セルのヒータから生じる不純物の問題や、セ
ルの交換等の諸問題があり、これらの問題解決の１つの
方法として、少なくとも１種の原料を気相の状態で供給
するＭＯＭＢＥ、ガスソースＭＢＥ等も考えられる。
【００１６】これに対し、ＭＯＣＶＤは、熱力学的に不
安定で加熱によって分解され金属を遊離する有機金属化
合物の性質を利用したもので、加熱した基板結晶表面に
目的とする結晶の構成元素を含む少なくとも一種の有機
金属化合物と、目的とする結晶の構成元素を含む例えば
水素化物等の分子化合物をキャリアガスを用いて拡散供
給し、エピタキシャル成長を生じさせるものである。成
長室内は１０-3Torr程度の低圧から常圧までと広範囲の
成長条件に対応可能であり、多種類の材料の組み合わせ
により多様な結晶を得ることができることから、きわめ
て自由度の大きい成長方法である。しかし、結晶成長に
化学反応が寄与しており、成長速度制御が困難であるこ
と等から膜厚制御性に劣るという欠点がある。
安定で加熱によって分解され金属を遊離する有機金属化
合物の性質を利用したもので、加熱した基板結晶表面に
目的とする結晶の構成元素を含む少なくとも一種の有機
金属化合物と、目的とする結晶の構成元素を含む例えば
水素化物等の分子化合物をキャリアガスを用いて拡散供
給し、エピタキシャル成長を生じさせるものである。成
長室内は１０-3Torr程度の低圧から常圧までと広範囲の
成長条件に対応可能であり、多種類の材料の組み合わせ
により多様な結晶を得ることができることから、きわめ
て自由度の大きい成長方法である。しかし、結晶成長に
化学反応が寄与しており、成長速度制御が困難であるこ
と等から膜厚制御性に劣るという欠点がある。
【００１７】これら２つの成長方法の中間に位置する成
長方法がＣＢＥであり、ＣＢＥは有機金属、水素化物等
の分子化合物が分子線を形成し、加熱された基板上で反
応してエピタキシャル成長を生じさせるものである。Ｍ
ＯＣＶＤに比べ、膜厚制御性に優れる。以上のように、
化合物半導体結晶の成長方法としては、ＣＢＥ、ＭＯＭ
ＢＥ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等の種々の方法が
あるが、いずれの方法においても本発明によるｎ型ドー
ピング方法は適用可能であり、従来に比べてドーピング
濃度の制御が容易に行え、信頼性の高いドーピングが可
能である。
長方法がＣＢＥであり、ＣＢＥは有機金属、水素化物等
の分子化合物が分子線を形成し、加熱された基板上で反
応してエピタキシャル成長を生じさせるものである。Ｍ
ＯＣＶＤに比べ、膜厚制御性に優れる。以上のように、
化合物半導体結晶の成長方法としては、ＣＢＥ、ＭＯＭ
ＢＥ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ等の種々の方法が
あるが、いずれの方法においても本発明によるｎ型ドー
ピング方法は適用可能であり、従来に比べてドーピング
濃度の制御が容易に行え、信頼性の高いドーピングが可
能である。
【００１８】以上のように、本実施の形態によれば、Ｃ
ＢＥによるｎ−ＧａＡｓ結晶の成長過程においてｎ型用
ドーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピング
ｎ−ＧａＡｓ層を形成することにより、ドーピング濃度
が基板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ依存
するので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。ま
た、ＳｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない流
量で効率良くドーピングを行うことが可能であり、キャ
リア活性化率もほぼ１００％と良好である。このため、
所望のドーピング濃度が得られた信頼性の高いｎ−Ｇａ
Ａｓ結晶が容易に得られ、この結晶を用いることによ
り、高性能で信頼性の高い高周波デバイス等の電子デバ
イスあるいは半導体レーザ等の光デバイスを得ることが
可能となる。
ＢＥによるｎ−ＧａＡｓ結晶の成長過程においてｎ型用
ドーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピング
ｎ−ＧａＡｓ層を形成することにより、ドーピング濃度
が基板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ依存
するので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。ま
た、ＳｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない流
量で効率良くドーピングを行うことが可能であり、キャ
リア活性化率もほぼ１００％と良好である。このため、
所望のドーピング濃度が得られた信頼性の高いｎ−Ｇａ
Ａｓ結晶が容易に得られ、この結晶を用いることによ
り、高性能で信頼性の高い高周波デバイス等の電子デバ
イスあるいは半導体レーザ等の光デバイスを得ることが
可能となる。
【００１９】実施の形態２．実施の形態２では、ＣＢＥ
（Chemical Beam Epitaxy ）で成長したｎ−ＩｎＰ
に、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う場合
について説明する。本実施の形態においても、実施の形
態１と同様に、図１に示すＣＢＥ装置を用いた。本ＣＢ
Ｅ装置において、成長中のｎ−ＩｎＰにＳｉＩ4 ガスを
用いてＳｉのドーピングを行う方法について説明する。
III 族源としてはトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、
Ｖ族Ｐ源としてはＰＨ3 を用いた。トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ）は、専用の容器（バブラー）に封入さ
れ、自圧制御式恒温槽３内に保持される。自圧制御式恒
温槽３内は、常温から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金
属の自圧が１０Torr以上になる温度とする。ｎ型ドーピ
ングを行うためのＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガスを
用いて成長室内に流入させた。このようにして有機金属
分子（ＴＭＩｎ）、水素化物（ＰＨ3 ）、ＳｉＩ4 ガス
を成長室内に導入し、真空中に放出された有機金属分子
および水素化物のガスは加熱された基板２上で反応し、
半導体材料すなわちＩｎＰの堆積層が形成されるととも
に、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギーを与え
られ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＩｎＰ結晶中に混
入し、ｎ型ドーピングが行われる。
（Chemical Beam Epitaxy ）で成長したｎ−ＩｎＰ
に、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う場合
について説明する。本実施の形態においても、実施の形
態１と同様に、図１に示すＣＢＥ装置を用いた。本ＣＢ
Ｅ装置において、成長中のｎ−ＩｎＰにＳｉＩ4 ガスを
用いてＳｉのドーピングを行う方法について説明する。
III 族源としてはトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、
Ｖ族Ｐ源としてはＰＨ3 を用いた。トリメチルインジウ
ム（ＴＭＩｎ）は、専用の容器（バブラー）に封入さ
れ、自圧制御式恒温槽３内に保持される。自圧制御式恒
温槽３内は、常温から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金
属の自圧が１０Torr以上になる温度とする。ｎ型ドーピ
ングを行うためのＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガスを
用いて成長室内に流入させた。このようにして有機金属
分子（ＴＭＩｎ）、水素化物（ＰＨ3 ）、ＳｉＩ4 ガス
を成長室内に導入し、真空中に放出された有機金属分子
および水素化物のガスは加熱された基板２上で反応し、
半導体材料すなわちＩｎＰの堆積層が形成されるととも
に、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギーを与え
られ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＩｎＰ結晶中に混
入し、ｎ型ドーピングが行われる。
【００２０】以上のような方法で形成されたＳｉＩ4 に
よるＳｉドーピングｎ−ＩｎＰ層について評価を行った
結果、実施の形態１と同様に、各流量において、キャリ
ア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いた
場合と比較して小さく、Ｓｉの活性化率もほぼ１００％
であり大変良好であった。また、ｎ−ＩｎＰは５２０°
Ｃ以下程度の低温で成長しなければならないので、Ｓｉ
2 Ｈ6 ガスではＳｉが十分に分解せず所望のドーピング
濃度を得ることが難しいが、ＳｉＩ4 を用いた場合、低
温でも十分に分解し、キャリア活性化率も良好であるの
で、ｎ−ＩｎＰ層に対するｎ型ドーピングガスとして最
適である。
よるＳｉドーピングｎ−ＩｎＰ層について評価を行った
結果、実施の形態１と同様に、各流量において、キャリ
ア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6 ガスを用いた
場合と比較して小さく、Ｓｉの活性化率もほぼ１００％
であり大変良好であった。また、ｎ−ＩｎＰは５２０°
Ｃ以下程度の低温で成長しなければならないので、Ｓｉ
2 Ｈ6 ガスではＳｉが十分に分解せず所望のドーピング
濃度を得ることが難しいが、ＳｉＩ4 を用いた場合、低
温でも十分に分解し、キャリア活性化率も良好であるの
で、ｎ−ＩｎＰ層に対するｎ型ドーピングガスとして最
適である。
【００２１】なお、本実施の形態ではＣＢＥ装置の例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、ＭＯＭＢ
Ｅ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ等の結晶成
長方法にも適用可能である。
示したが、本発明はこれに限るものではなく、ＭＯＭＢ
Ｅ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ等の結晶成
長方法にも適用可能である。
【００２２】以上のように、本実施の形態によれば、Ｃ
ＢＥによるｎ−ＩｎＰ結晶の成長過程においてｎ型用ド
ーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピングｎ
−ＩｎＰ層を形成することにより、ドーピング濃度が基
板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ依存する
ので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。また、Ｓ
ｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない流量で効
率良くドーピングを行うことが可能であり、５２０°Ｃ
以下程度の低温でも十分に分解し、キャリア活性化率も
ほぼ１００％と良好である。このため、所望のドーピン
グ濃度が得られた信頼性の高いｎ−ＩｎＰ結晶およびこ
れを用いた電子デバイスあるいは光デバイスを容易に得
ることが可能となる。
ＢＥによるｎ−ＩｎＰ結晶の成長過程においてｎ型用ド
ーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピングｎ
−ＩｎＰ層を形成することにより、ドーピング濃度が基
板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ依存する
ので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。また、Ｓ
ｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない流量で効
率良くドーピングを行うことが可能であり、５２０°Ｃ
以下程度の低温でも十分に分解し、キャリア活性化率も
ほぼ１００％と良好である。このため、所望のドーピン
グ濃度が得られた信頼性の高いｎ−ＩｎＰ結晶およびこ
れを用いた電子デバイスあるいは光デバイスを容易に得
ることが可能となる。
【００２３】実施の形態３．実施の形態３では、ＣＢＥ
（Chemical Beam Epitaxy ）で成長したｎ−ＩｎＧａ
Ｐに、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う場
合について説明する。本実施の形態においても、実施の
形態１および２と同様に、図１に示すＣＢＥ装置を用い
た。本ＣＢＥ装置において、成長中のｎ−ＩｎＧａＰに
ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う方法につ
いて説明する。III 族源としてはトリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、Ｖ
族Ｐ源としてはＰＨ3を用いた。トリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）
は、専用の容器（バブラー）に封入され、自圧制御式恒
温槽３内に保持される。自圧制御式恒温槽３内は、常温
から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金属の自圧が１０To
rr以上になる温度とする。ｎ型ドーピングを行うための
ＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガスを用いて成長室内に
流入させた。このようにして有機金属分子（ＴＥＧａ、
ＴＭＩｎ）、水素化物（ＰＨ3 ）、ＳｉＩ4 ガスを成長
室内に導入し、真空中に放出された有機金属分子および
水素化物のガスは加熱された基板２上で反応し、半導体
材料すなわちＩｎＧａＰの堆積層が形成されるととも
に、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギーを与え
られ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＩｎＧａＰ結晶中
に混入し、ｎ型ドーピングが行われる。
（Chemical Beam Epitaxy ）で成長したｎ−ＩｎＧａ
Ｐに、ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う場
合について説明する。本実施の形態においても、実施の
形態１および２と同様に、図１に示すＣＢＥ装置を用い
た。本ＣＢＥ装置において、成長中のｎ−ＩｎＧａＰに
ＳｉＩ4 ガスを用いてＳｉのドーピングを行う方法につ
いて説明する。III 族源としてはトリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）、Ｖ
族Ｐ源としてはＰＨ3を用いた。トリエチルガリウム
（ＴＥＧａ）およびトリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）
は、専用の容器（バブラー）に封入され、自圧制御式恒
温槽３内に保持される。自圧制御式恒温槽３内は、常温
から８０°Ｃまでの加熱とし、有機金属の自圧が１０To
rr以上になる温度とする。ｎ型ドーピングを行うための
ＳｉＩ4 ガスは、Ｈｅキャリアガスを用いて成長室内に
流入させた。このようにして有機金属分子（ＴＥＧａ、
ＴＭＩｎ）、水素化物（ＰＨ3 ）、ＳｉＩ4 ガスを成長
室内に導入し、真空中に放出された有機金属分子および
水素化物のガスは加熱された基板２上で反応し、半導体
材料すなわちＩｎＧａＰの堆積層が形成されるととも
に、ＳｉＩ4 ガスが成長基板表面で熱エネルギーを与え
られ熱分解し、ＳｉがキャリアとしてＩｎＧａＰ結晶中
に混入し、ｎ型ドーピングが行われる。
【００２４】以上のような方法で形成されたＳｉＩ4 に
よるＳｉドーピングｎ−ＩｎＧａＰ層について評価を行
った結果、実施の形態１および２と同様に、各流量にお
いて、キャリア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6
ガスを用いた場合と比較して小さく、Ｓｉの活性化率も
ほぼ１００％であり大変良好であった。また、ｎ−Ｉｎ
ＧａＰは５２０°Ｃ以下程度の低温で成長しなければな
らないので、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスではＳｉが十分に分解せず
所望のドーピング濃度を得ることが難しいが、ＳｉＩ4
を用いた場合、低温でも十分に分解し、キャリア活性化
率も良好であるので、ｎ−ＩｎＧａＰ層に対するｎ型ド
ーピングガスとして最適である。
よるＳｉドーピングｎ−ＩｎＧａＰ層について評価を行
った結果、実施の形態１および２と同様に、各流量にお
いて、キャリア濃度の成長基板温度依存性はＳｉ2 Ｈ6
ガスを用いた場合と比較して小さく、Ｓｉの活性化率も
ほぼ１００％であり大変良好であった。また、ｎ−Ｉｎ
ＧａＰは５２０°Ｃ以下程度の低温で成長しなければな
らないので、Ｓｉ2 Ｈ6 ガスではＳｉが十分に分解せず
所望のドーピング濃度を得ることが難しいが、ＳｉＩ4
を用いた場合、低温でも十分に分解し、キャリア活性化
率も良好であるので、ｎ−ＩｎＧａＰ層に対するｎ型ド
ーピングガスとして最適である。
【００２５】なお、本実施の形態ではＣＢＥ装置の例を
示したが、本発明はこれに限るものではなく、ＭＯＭＢ
Ｅ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ，ＭＢＥ等の結晶成
長方法にも適用可能である。
示したが、本発明はこれに限るものではなく、ＭＯＭＢ
Ｅ、ガスソースＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ，ＭＢＥ等の結晶成
長方法にも適用可能である。
【００２６】以上のように、本実施の形態によれば、Ｃ
ＢＥによるｎ−ＩｎＧａＰ結晶の成長過程においてｎ型
用ドーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピン
グｎ−ＩｎＧａＰ層を形成することにより、ドーピング
濃度が基板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ
依存するので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。
また、ＳｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない
流量で効率良くドーピングを行うことが可能であり、５
２０°Ｃ以下程度の低温でも十分に分解し、キャリア活
性化率もほぼ１００％と良好である。このため、所望の
ドーピング濃度が得られた信頼性の高いｎ−ＩｎＧａＰ
結晶およびこれを用いた電子デバイスあるいは光デバイ
スを容易に得ることが可能となる。
ＢＥによるｎ−ＩｎＧａＰ結晶の成長過程においてｎ型
用ドーピングガスとしてＳｉＩ4 を用い、Ｓｉドーピン
グｎ−ＩｎＧａＰ層を形成することにより、ドーピング
濃度が基板温度の影響を受けにくくＳｉＩ4 流量にのみ
依存するので、ドーピング濃度の制御が容易に行える。
また、ＳｉＩ4 では、従来のＳｉ2 Ｈ6 と比べて少ない
流量で効率良くドーピングを行うことが可能であり、５
２０°Ｃ以下程度の低温でも十分に分解し、キャリア活
性化率もほぼ１００％と良好である。このため、所望の
ドーピング濃度が得られた信頼性の高いｎ−ＩｎＧａＰ
結晶およびこれを用いた電子デバイスあるいは光デバイ
スを容易に得ることが可能となる。
【図１】 この発明の実施の形態１〜３で用いたＣＢＥ
装置を示す概念図である。
装置を示す概念図である。
【図２】 ＳｉＩ4 によるＳｉドーピングｎ−ＧａＡｓ
層キャリア濃度の成長基板温度依存性を示す図である。
層キャリア濃度の成長基板温度依存性を示す図である。
【図３】 ＳｉＩ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 をキャリアドーピング
ガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度の
ドーピングガスおよびキャリアガス（Ｈｅ）の合計の流
量依存性を示す図である。
ガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度の
ドーピングガスおよびキャリアガス（Ｈｅ）の合計の流
量依存性を示す図である。
【図４】 ＳｉＩ4 、Ｓｉ2 Ｈ6 をキャリアドーピング
ガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ中Ｓｉ濃度とキャ
リア濃度の関係を示す図である。
ガスとして用いた場合のｎ−ＧａＡｓ中Ｓｉ濃度とキャ
リア濃度の関係を示す図である。
【図５】 従来のキャリアドーピングガスであるＳｉ2
Ｈ6 によるＳｉドーピングｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度
の成長基板温度依存性を示す図である。
Ｈ6 によるＳｉドーピングｎ−ＧａＡｓ層キャリア濃度
の成長基板温度依存性を示す図である。
１ ＣＢＥ装置の成長室、２ 成長基板、３ 自圧制御
式恒温層槽、４ ＳｉＩ4 ガス供給装置、５ 流量計、
６ Ｈｅキャリアガス供給装置、７ Ｈ2 キャリアガス
供給装置、８ 水素化物供給装置、９ ヒータ、１０
質量分析装置。
式恒温層槽、４ ＳｉＩ4 ガス供給装置、５ 流量計、
６ Ｈｅキャリアガス供給装置、７ Ｈ2 キャリアガス
供給装置、８ 水素化物供給装置、９ ヒータ、１０
質量分析装置。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平７−235503（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−316423（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−148083（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−86274（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/203,21/205
H01L 21/22,21/223
(54)【発明の名称】 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結
晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成され
た電子デバイスおよび光デバイス
Claims (7)
- 【請求項１】 化合物半導体結晶が成長しつつある加熱
された基板が配置された高真空雰囲気中にＳｉＩ４ ガ
スを流入する工程、上記ＳｉＩ４ ガスが上記加熱され
た基板近傍に到達し、上記基板表面より熱エネルギーを
与えられて熱分解し、Ｓｉがキャリアとして成長中の上
記化合物半導体結晶に混入する工程を含むことを特徴と
する化合物半導体へのｎ型ドーピング方法。 - 【請求項２】 ＳｉＩ４ ガスは、ＨｅまたはＨ２ 等
のキャリアガスによって基板近傍まで導かれることを特
徴とする請求項１記載の化合物半導体へのｎ型ドーピン
グ方法。 - 【請求項３】 化合物半導体結晶は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ
およびＩｎＧａＰのいずれか一つであることを特徴とす
る請求項１または請求項２記載の化合物半導体へのｎ型
ドーピング方法。 - 【請求項４】 請求項１〜請求項３のいずれか一項記載
の化合物半導体へのｎ型ドーピング方法を、加熱された
基板が配置された高真空雰囲気中に、目的とする結晶の
構成元素およびアルキル基を含む少なくとも一種の分子
化合物と、目的とする結晶の構成元素を含む別の分子化
合物が供給され、これらの分子化合物が分子線を形成し
て上記基板近傍に到達し、上記基板上で反応して化合物
半導体結晶をエピタキシャル成長させる工程において用
いたことを特徴とする化学ビーム堆積方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の結晶成長方法を用いて形
成したことを特徴とする化合物半導体結晶。 - 【請求項６】 請求項５記載の化合物半導体結晶によっ
て構成したことを特徴とする電子デバイス。 - 【請求項７】 請求項５記載の化合物半導体結晶によっ
て構成したことを特徴とする光デバイス。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33209795A JP3386302B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス |
| KR1019960045503A KR970052110A (ko) | 1995-12-20 | 1996-10-12 | 화합물 반도체에의 n형 도핑방법 |
| US08/747,664 US5821155A (en) | 1995-12-20 | 1996-11-13 | Method of growing n-type III-V semiconductor materials on a substrate using SiI4 |
| EP96118716A EP0780887A1 (en) | 1995-12-20 | 1996-11-21 | Method of N-type doping a compound semiconductor layer |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33209795A JP3386302B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171966A JPH09171966A (ja) | 1997-06-30 |
| JP3386302B2 true JP3386302B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=18251119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33209795A Expired - Fee Related JP3386302B2 (ja) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 化合物半導体へのｎ型ドーピング方法およびこれを用いた化学ビーム堆積方法並びにこれらの結晶成長方法によって形成された化合物半導体結晶およびこの化合物半導体結晶によって構成された電子デバイスおよび光デバイス |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5821155A (ja) |
| EP (1) | EP0780887A1 (ja) |
| JP (1) | JP3386302B2 (ja) |
| KR (1) | KR970052110A (ja) |
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| WO2002080245A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-10-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Phosphorus dopant control in low-temperature si and sige epitaxy |
| US6891202B2 (en) * | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Infinera Corporation | Oxygen-doped Al-containing current blocking layers in active semiconductor devices |
| JP2005135956A (ja) * | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光増幅器およびその製造方法ならびに光通信デバイス |
| JP2009135333A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
| EP3786321A3 (de) * | 2019-08-27 | 2021-03-17 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer schicht und damit versehenes substrat |
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| JPS6086274A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Seiko Epson Corp | 多結晶シリコン膜の製造方法 |
| US5171704A (en) * | 1991-02-28 | 1992-12-15 | At&T Bell Laboratories | Gaas device fabrication utilizing metalorganic molecular beam epitaxy (mombe) |
| US5234724A (en) * | 1991-08-08 | 1993-08-10 | Schmidt Instruments, Inc. | Low energy ion doping of growing diamond by cvd |
| US5580382A (en) * | 1995-03-27 | 1996-12-03 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Process for forming silicon doped group III-V semiconductors with SiBr.sub.4 |
-
1995
- 1995-12-20 JP JP33209795A patent/JP3386302B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-12 KR KR1019960045503A patent/KR970052110A/ko active IP Right Grant
- 1996-11-13 US US08/747,664 patent/US5821155A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-21 EP EP96118716A patent/EP0780887A1/en not_active Ceased
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| EP0780887A1 (en) | 1997-06-25 |
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