JP2011063471A - 多結晶シリコン塊および多結晶シリコン塊の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シーメンス法で得られたシリコン多結晶棒の電極側端近傍では、クロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が高い。そこで、多結晶シリコン棒100の破砕工程に先立ち、反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒100の電極側端から少なくとも70mmまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を設ける。これにより、バルク中のクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が150ppta以上の多結晶シリコン部分を除去することができる。より低不純物濃度の多結晶シリコン塊を得るためには、少なくとも155mmまでの多結晶シリコン部分を除去すればよい。
【選択図】図2
Description
31 第1のシリコン芯線
32 第2のシリコン芯線
33 接続用シリコン芯線
51,52 導電性ホルダ
61,62 金属電極
100 多結晶シリコン棒
H 重金属不純物濃度の高い領域
Claims (12)
- バルクから検出されるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの不純物濃度の総計が150ppta以下である多結晶シリコン塊。
- 前記不純物濃度の総計が100ppta以下である請求項1に記載の多結晶シリコン塊。
- 前記不純物濃度の総計が75ppta以下である請求項2に記載の多結晶シリコン塊。
- 前記不純物濃度は誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS)法による分析値である請求項1乃至3の何れか1項に記載の多結晶シリコン塊。
- 前記多結晶シリコン塊の表面はシリコン酸化膜で被覆されている請求項1乃至請求項4の何れか1項に記載の多結晶シリコン塊。
- 1回の操業で10本までの単結晶シリコンインゴットをCZ法で引き上げるマルチプリング用途の多結晶シリコン塊であって、
バルクから検出されるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの不純物濃度の総計が75ppta以下であり表面がシリコン酸化膜で被覆されている多結晶シリコン塊。 - 一方端が第1の電極に接続され他方端が第2の電極に接続された芯線上にシリコンを析出させて多結晶シリコン棒を成長する気相成長工程と、前記多結晶シリコン棒を反応炉外に取り出す刈取工程と、前記多結晶シリコン棒を多結晶シリコン塊とする破砕工程とを備え、
前記破砕工程に先立ち、前記反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒の電極側端から少なくとも70mmまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を備えている、多結晶シリコン塊の製造方法。 - 前記足切工程において、電極側端から少なくとも155mmまでの多結晶シリコン部分を除去する、請求項7に記載の多結晶シリコン塊の製造方法。
- 前記刈取工程において、前記多結晶シリコン棒の表面を袋状部材で被覆した状態で反応炉外に取り出す請求項7又は8に記載の多結晶シリコン塊の製造方法。
- 前記多結晶シリコン棒を反応炉外に取り出した後に該多結晶シリコン棒の表面を被覆した袋状部材の開口部を封止する請求項9に記載の多結晶シリコン塊の製造方法。
- 前記袋状部材はポリエチレン製袋である請求項9又は10に記載の多結晶シリコン塊の製造方法。
- 前記破砕工程の後工程として洗浄工程を備え、
該洗浄工程は、オゾン水を用いた酸化処理により前記多結晶シリコン塊の表面をシリコン酸化膜で被覆し、該多結晶シリコン塊の表面がシリコン酸化膜で被覆された状態で終了する請求項7乃至11の何れか1項に記載の多結晶シリコン塊の製造方法。
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