KR20110127120A - 다결정 규소의 제조법 - Google Patents

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KR20110127120A
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히로유키 오다
다쿠야 아사노
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가부시끼가이샤 도꾸야마
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Abstract

본 발명은 반응 용기로부터 배출되는 배기 가스 중에서 인-규소 화합물의 생성이 유효하게 방지되어, 배기 가스 중에 포함되는 실란 화합물의 재이용을 가능하게 하는 다결정 규소의 제조법을 제공하기 위한 것이다. 본 발명의 해결 수단은, 전극 상에 세워 설치된 규소 코어재를 구비한 반응 용기 내에, 실란 가스와 수소 가스를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 통전에 의해 상기 규소 코어재를 규소의 석출 온도로 가열하여, 생성된 규소를 상기 규소 코어재 상에 석출시켜 다결정 규소 로드를 형성하고, 반응 후의 배기 가스를 반응 용기로부터 배출하는 다결정 규소의 제조 방법에 있어서, 반응 용기로부터 배출된 배기 가스를, 800 ℃에서부터 500 ℃까지의 온도 강하가 0.1초 이하가 되도록 급랭시키는 것을 특징으로 한다.

Description

다결정 규소의 제조법{PROCESS FOR PRODUCING POLYCRYSTALLINE SILICON}
본 발명은 반응 용기 내에 세워 설치하여 배치된 규소 코어재 상에 화학 기상 석출법에 의해서 다결정 규소를 석출시켜, 로드(rod) 형상으로 다결정 규소를 얻는 다결정 규소의 제조법에 관한 것이다.
종래부터, 반도체 또는 태양광 발전용 웨이퍼의 원료로서 사용되는 규소를 제조하는 방법은 다양하게 알려져 있고, 그 중의 몇가지는 이미 공업적으로 실시되어 있다. 예를 들면 그 중 하나는 시멘스법이라고 불리는 방법으로, 반응 용기 내에 배치된 규소 코어재를 통전에 의해서 규소의 석출 온도로 가열하고, 여기에 트리클로로실란(SiHCl3) 등의 실란 화합물의 가스 및 수소 가스를 공급하여, 환원 반응에 의해서 규소를 생성시켜, 생성된 규소를 규소 코어재 상에 석출시키는 방법이다. 이 방법은 고순도의 다결정 규소가 로드의 형태로 얻어지는 것이 특징이고, 가장 일반적인 방법으로서 실시되고 있다(특허문헌 1, 2 참조).
또한, 벨 자(bell jar)로부터 배출되는 배기 가스를 0.2초 이하로 1000 ℃에서 800 ℃ 이하로 급랭시킴으로써, 배기 가스 중의 디클로로실란의 테트라클로로실란으로의 전환을 방지하는 방법이 제안되어 있다(특허문헌 3 참조).
일본 특허 공개 제2004-149324호 공보 일본 특허 공개 제2005-112662호 공보 일본 특허 공개 (소)57-140309호 공보
그런데, 상기한 방법을 실시하는 데 있어서 이용되는 반응 용기는 전극이 장착된 바닥판과 상기 바닥판에 부착된 스테인레스 스틸제 벨 자로 이루어져 있고, 이 바닥판의 전극에 규소 코어재가 세워 설치된 구조를 갖고 있다. 이러한 구조의 반응 용기를 사용하여, 전극을 통한 통전에 의해 규소 코어재를 가열하고, 동시에 반응 용기 내에 실란 가스와 수소 가스를 반응 가스로서 공급함으로써 규소 코어선형으로 다결정 규소가 석출되어, 다결정 규소 로드가 얻어지고, 한편 미반응된 가스나 부생성물을 포함하는 배기 가스는 상기한 반응이 행해지면서, 반응 용기 내에서 배출되게 된다.
그런데, 상기한 바와 같이 하여 다결정 규소 로드를 제조하는 경우에 있어서, 반응 용기 내에서 배출되는 가스에는 미반응된 실란 화합물이나 수소 및 부생한 염화수소와 함께, 카본제 전극에 불순물로서 포함되는 인의 방출에 의해서 생성된 포스핀(PH3)이 포함되어 있는데, 이 포스핀에서 유래되는 인-규소 화합물이 배기 가스로부터 분리되는 실란 화합물 중에 혼입되어, 배기 가스 중에서 분리된 실란 화합물을 원료로서 재이용하면, 인분(燐分)이 반응 용기 중에 점차로 축적되어, 얻어지는 다결정 규소 로드에 부착되어 순도를 저하시키는 등의 문제가 있어, 그의 개선이 요구되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 3에서 제안되어 있는 바와 같이, 배기 가스를 급랭하여 1000 ℃ 내지 800 ℃의 온도 영역에서의 체류 시간을 0.2초 이하로 한 경우에 있어서도, 상기한 바와 같은 인분의 축적 등의 문제를 방지할 수는 없었다.
따라서, 본 발명의 목적은 반응 용기로부터 배출되는 배기 가스 중에서 인분을 유효하게 제거하는 것이 가능하고, 배기 가스 중에 포함되는 실란 화합물의 재이용을 가능하게 하는 다결정 규소의 제조법을 제공하는 데에 있다.
본 발명에 따르면, 전극 상에 세워 설치된 규소 코어재를 구비한 반응 용기 내에, 실란 가스와 수소 가스를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 통전에 의해 상기 규소 코어재를 규소의 석출 온도로 가열하여, 생성된 규소를 상기 규소 코어재 상에 석출시켜 다결정 규소 로드를 형성하고, 반응 후의 배기 가스를 반응 용기로부터 배출하는 다결정 규소의 제조 방법에 있어서, 반응 용기로부터 배출된 배기 가스를, 800 ℃에서부터 500 ℃까지의 온도 강하가 0.1초 이하가 되도록 급랭시키는 것을 특징으로 하는 다결정 규소의 제조 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 반응 용기로부터 배출된 배기 가스를, 800 ℃에서부터 500 ℃까지의 온도 강하가 0.1초 이하가 되도록 급랭시킴으로써, 배기 가스 중에 포함되는 실란 화합물과 인분을 심랭(深冷) 등에 의해 용이하게 분리할 수 있고, 이의 재이용이 가능해진다.
이 원리를 설명하면, 이하와 같이 추정된다.
즉, 반응 용기 안은, 규소를 생성시키고 규소 코어재 상에 생성된 규소를 석출시키기 위해서, 800 ℃ 이상의 온도로 유지되어 있고, 이러한 고온에서는 반응 용기 내의 카본 히터나 카본제 전극 등에 불순물로서 포함되는 인이 고온의 반응 용기 내에서 수소와 반응하여 포스핀을 생성한다. 또한, 800 ℃ 이상의 고온에서는 열역학적 평형에 의해 클로로실란의 분해물(SiCl2, SiHCl 등)이 안정적으로 존재할 수 있고, 이러한 분해물은 포스핀과는 거의 반응하지 않는다.
그런데, 배기 가스 온도가 800 ℃ 이하가 되면, 상기한 분해물은 안정적으로 존재할 수 없기 때문에 H2나 HCl과 반응하여, 트리클로로실란이나 디클로로실란 중에 변화한다. 이 때, 분위기 중의 포스핀이 존재하면, 트리클로로실란이나 디클로로실란과 반응하여 실릴포스핀[Si(PH2)Cl3] 등의 인-규소 화합물을 생성하게 된다. 이로부터 이해되는 바와 같이, 반응 용기로부터 배출되는 배기 가스의 온도가 500 내지 800 ℃의 온도로 유지되어 있으면, 실릴포스핀[Si(PH2)Cl3] 등의 인-규소 화합물이 생성되어 버린다.
그런데, 포스핀 자체는 심랭 등에 의해 실란 화합물과 용이하게 분리할 수 있지만, 실릴포스핀 등의 인-규소 화합물은 실란 화합물(예를 들면 트리클로로실란 등) 등의 실란 화합물과의 분리가 매우 곤란하다. 따라서, 이러한 인-규소 화합물은 배기 가스로부터 분리된 실란 화합물 중에 혼입되고, 이 실란 화합물이 반응 용기에 순환 공급되면, 반응 용기 중에 점차 축적되게 된다.
그런데, 본 발명에서는 이 배기 가스를 급랭시켜, 800 ℃ 내지 500 ℃의 온도 범위로 유지되는 (상기 온도 범위에 있는) 시간이 0.1초 이하로 현저하게 짧다. 이 결과, 실릴포스핀 등의 실란 화합물과 분리되기 어려운 인-규소 화합물의 생성이 유효하게 억제되어, 배기 가스 중에 포함되는 실란 화합물을 배기 가스로부터 분리시켜 용이하게 재이용 가능해지고, 이것을 다시 반응 용기 중에 순환시킨 경우에 있어서도, 반응 용기 중에 인분이 축적되어 얻어지는 다결정 규소 로드의 품질을 저하시키는 등의 문제점을 유효하게 방지할 수 있는 것으로 추정된다.
도 1은 본 발명에서 이용하는 규소 제조 장치의 개략 구조를 나타내는 측단면도이다.
도 1에 있어서, 본 발명에서 이용하는 규소 제조를 위한 반응 용기는 그 전체를 (1)로 표시하고 있고, SUS 등으로 형성된 바닥판 (3)을 벨 자 (5)로 덮음으로써 형성된 반응실 (A)를 구비하고 있다. 이 벨 자 (5)는 볼트 조임 등에 의해 개폐 가능하게 바닥판 (3)에 부착되어 있다. 또한, 바닥판 (3)에는 전극 (7)이 설치되어 있고, 이 전극 (7)에 접속하여 역 U자형 형상의 규소 코어선 (9)가 세워 설치되어 있고, 전극 (7)을 통해 규소 코어선 (9)에 통전되도록 구성되어 있다.
또한, 전극은 카본, SUS, Cu 등에 의해 형성되어 있고, 카본은 내재하는 불순물이 반응 용기 중에 휘산되는 것을 방지하기 위해서 SiC 등의 코팅이 실시되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 규소 코어선 (9)는 1개밖에 표시되어 있지 않지만, 이 규소 코어선 (9)는 통상 반응실 (A)(벨 자 (5))의 용적에 따라서 복수개 설치되어 있고, 규소 코어선 (9)의 각각이 전극 (7)에 접속되어 세워 설치되어, 각 규소 코어선 (9)에 통전되도록 되어 있다.
또한, 바닥판 (3)에는 그의 내부에 냉각관 (13, 13')이 삽입되어 있고, 이들 냉각관에 의해 물 등의 냉각 매체를 순환시켜 공급함으로써, 바닥판 (3) 등을 냉각시킬 수 있게 되어 있다.
또한 벨 자 (5)는, 반응실 (A) 안이 고온이 되기 때문에, 내열성 및 경량성이 양호하고 반응에 악영향을 주지 않고, 나아가 용이하게 냉각할 수 있도록, 스테인레스 스틸에 의해 형성되어 있고, 이 벨 자 (5)의 외면은 냉각 쟈켓(도시하지 않음)으로 덮여 있다.
상기한 바와 같이 형성된 반응실 (A)에는 바닥판 (3)을 통해 가스 공급관 (15) 및 가스 배출관 (17)이 삽입되어 있고, 가스 공급관 (15)를 통해, 소정의 반응 가스가 반응실 (A) 안으로 공급되고, 미반응 가스나 부생하는 화합물의 가스는 반응실 (A)로부터 배기되도록 되어 있다. 또한, 가스 배출관 (17)에는 반응실 (A)에서 배출된 배기 가스를 즉시 급랭할 수 있도록, 냉각기 (19)가 부착되어 있다.
상기한 규소 제조용의 반응 용기 (1)을 이용한 다결정 규소 로드의 제조는 이하와 같이 하여 행해진다.
전극 (7)을 통해 규소 코어선 (9)로의 통전을 개시하고, 통전 가열에 의해서, 규소 코어선 (9)의 온도를 규소의 석출 온도 이상으로 가열시킨다. 규소의 석출 온도는 약 800 ℃ 이상인데, 규소 코어선 (9) 상에 규소를 신속하게 석출시키기 위해서, 일반적으로는 1000 내지 1100 ℃ 정도의 온도로 유지되도록, 규소 코어선 (9)를 통전 가열시킨다.
규소 코어선 (9)로의 통전을 개시함과 동시에, 또는 규소 코어선 (9)의 온도가 규소의 석출 온도 이상에 다다른 시점에서, 반응실 A 내에, 반응성 가스로서 실란 가스 및 수소 가스를 가스 공급관 (15)로부터 공급하여, 이들 반응성 가스의 반응(실란의 환원 반응)에 의해서 규소를 생성시키고, 동시에 가스 배출관 (17)로부터 미반응 가스 등을 포함하는 배기 가스를 반응실 (A)로부터 배출한다. 실란 가스로서는 모노실란, 트리클로로실란, 테트라클로로실란, 모노클로로실란, 디클로로실란 등의 실란 화합물의 가스 및 이들의 혼합 가스가 사용되고, 일반적으로는 트리클로로실란 가스가 바람직하게 사용된다. 트리클로로실란 가스와 수소 가스를 이용한 경우를 예로 들면, 규소 생성의 환원 반응은 하기 반응식으로 표시된다.
SiHCl3+H2→Si+3HCl
또한, 트리클로로실란의 일부로부터는 부반응에 의해 디클로로실란이나 모노클로로실란 또는 모노실란 등이 생성된다.
상기 반응성 가스에 있어서는, 일반적으로 수소 가스가 과잉으로 사용된다.
또한, 상기한 환원 반응과 동시에, 하기와 같이 트리클로로실란의 열 분해에 의해서도 규소가 생성된다.
4SiHCl3→Si+3SiCl4+2H2
상기한 반응에 의해 생성된 규소(Si)은 규소 코어선 (9) 상에 석출되고, 이 반응을 계속하여 행함으로써, 규소 코어선 (9) 상의 규소가 성장하여 최종적으로 다결정 규소로 이루어지는 규소 로드 (20)이 얻어지게 된다.
상기한 바와 같이 하여, 일정한 두께의 규소 로드 (20)이 얻어진 단계에서 반응을 종료하여, 규소 코어선 (9)으로의 통전을 정지하고, 반응실 A 내에 잔존하는 미반응된 실란 가스, 수소 가스 및 부생한 사염화규소나 염화수소 등을 배기한 후, 벨 자 (5)를 개방하고, 규소 로드 (20)을 꺼낸다.
또한, 반응실 A 내에 공급된 반응 가스가 안정된 흐름을 형성하여 규소 로드와 접촉하여 배기 가스로서 배출되도록, 가스 공급관 (15) 및 가스 배출관 (17)의 배치 등을 설정하는 것이 바람직하다. 이를 위해, 반응실 (A) 내에서, 바닥판 (3)의 주연 부분에 복수개의 가스 공급관 (15)를 주상(周狀)으로 배열하고, 바닥판 (3)의 중심 부분에 가스 배출관 (17)을 배치하는 양태를 채용할 수 있다. 또한, 이것과는 반대로, 바닥판 (3)의 중심 부분에 가스 공급관 (15)를 설치하고, 그의 주연 부분에 복수개의 가스 배출관 (17)을 주상으로 배열할 수도 있다. 이들 경우, 가스 공급관 (15)의 선단(가스 공급구) 및 가스 배출관 (17)의 선단(배기 가스 도입구)은 바닥판 (3)의 근방에 배치되어 있는 것이 좋다.
본 발명에서는 미반응된 실란 가스나 수소 가스, 및 부생하는 염화수소 가스, 그 밖의 부생물을 포함하는 배기 가스가 가스 배출관 (17)을 통해 반응실 (A)로부터 배출되는데, 이 배기 가스는 가스 배출관 (17)에 부착되어 있는 냉각기 (19)에 의해서, 반응실 (A)에서의 배출 직후에 보다 급랭되어, 적어도 800 ℃에서부터 500 ℃까지는 0.1초 이하의 단시간에 강온된다. 즉, 상기한 배기 가스 중에는 카본제의 전극 (7) 등에 불순물로서 포함되는 인에서 유래되는 포스핀(PH3)이 포함되어 있고, 500 내지 800 ℃의 온도 영역에서 이 포스핀이 클로로실란의 분해물과 공존하면, 양자가 반응하여 실란 화합물과의 분리가 곤란한 실릴포스핀이 생성되지만, 본 발명에서는 이 온도 영역에 배기 가스가 유지되는 시간이 0.1초 이하로 현저하게 짧기 때문에, 실릴포스핀 등의 생성을 유효하게 방지할 수 있다.
또한, 800 ℃에서부터 500 ℃까지 0.1초 이하의 단시간에 강온하는 것은 현저한 급랭이어서, 쉘 앤드 튜브형 등의 통상적인 사양의 냉각기 (19)로는 냉각기가 현저하게 대형화되어 장치 비용의 현저한 증대를 초래한다. 이 때문에, 본 발명에서는 냉각기 (19)로서, 복수개의 분무 노즐을 구비하고, 상기 노즐로부터 액상의 테트라클로로실란을 분무함으로써 냉각을 행하는 형태의 것을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 냉각기 (19)를 반응 용기 (1)로부터 떨어진 위치에 배치하고, 배기 가스의 온도가 800 ℃ 근방까지 강하한 시점에 급랭을 행하는 것이 바람직하다. 반응 용기 (1)에 가까운 위치에 냉각기 (19)를 배치하면 배기 가스의 온도가 고온인 상태에서 급랭이 행해지기 때문에, 800 내지 500 ℃의 온도 영역에서의 체류 시간을 0.1초 이하로 하기 위해서는 냉각기 (19)를 현저히 대형인 것으로 하고 대용량의 냉매를 사용하지 않으면 안되어, 공업적 실시가 곤란해지기 때문이다.
또한, 급랭 정도는 가스 배출관 (17)로부터 배출되는 가스 유량과 함께, 냉각기 (19) 전후의 배기 가스의 온도를 온도 센서로 모니터링함으로써 확인할 수 있다.
상기한 바와 같이 하여 가스 배출관 (17)로부터 배출되는 배기 가스는 실란 화합물과 분리하기 곤란한 실릴포스핀 등의 P-Si 화합물을 포함하고 있지 않기 때문에, 예를 들면 심랭 등에 의해, 실란 화합물이나 포스핀, 또는 규소 중합체 등의 부생물을 서로 분리하고, 또한 염화수소 가스는 흡착탑 등에 의해 포집되고, 남은 수소 가스는 회수되거나 또는 다시 반응실 A 내로 순환된다. 또한, 분리된 실란 화합물은 회수되어, 적절하게 정제 공정을 거쳐, 반응실 A 내로의 재순환 등에 재이용된다. 특히 본 발명에서는 증류에 의해 P분(실릴포스핀)이 혼입되지 않은 고순도의 트리클로로실란 등을 회수할 수 있기 때문에, 공업적으로 매우 유용하다. 또한, 얻어지는 다결정 규소 로드 중의 P분도 현저히 억제되어 있어, 고순도의 것을 얻을 수 있다.
<실시예>
본 발명의 우수한 효과를 다음 실시예에서 설명한다.
<실시예 1>
도 1에 나타내는 구조를 가지며 하기 사양의 반응 용기를 준비하였다.
반응실 A의 용적: 2 ㎥
바닥판: 스테인레스 스틸제
벨 자의 벽: 스테인레스 스틸제
규소 코어선: 10개(역 U자형 5쌍, 바닥판에 부착되어 있는 전극에 접속하여 세워 설치)
냉각기: 관내에 분무 노즐을 5개 구비하고, 냉매로서 액상 테트라클로로실란을 분무하는 형태의 것
상기한 장치에서 규소 코어선에 통전시켜 그의 온도를 약 1000 ℃로 가열하고, 동시에 트리클로로실란 가스 및 수소 가스를 1:4의 몰비로 반응 용기 내에 공급하여, 직경 120 mm가 될 때까지 다결정 규소를 석출시켰다.
또한, 냉각기는 배기 가스 온도가 800 ℃가 되는 위치에서 가스 배출관에 부착하여, 반응실 A로부터 배기 가스를 배출하면서 행하였다. 이 때, 냉각기 전후의 배기 가스 온도의 모니터링으로부터, 배기 가스 온도는 800 ℃에서 500 ℃로 0.07초로 강온된 것을 확인하였다.
추가로 상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여 실란 화합물을 정제한 바, 정제 실란(트리클로로실란)류 중에 인은 전혀 존재하지 않았다. 또한, 심랭 후에 흡착에 의해 염화수소를 제거한 수소를 분석한 바, 인은 전혀 존재하지 않고, 흡착에 의해 제거되어 있는 것을 확인하였다.
또한, 정제 실란(트리클로로실란) 중에 인이 존재하지 않음은 정제 실란을 석영제의 CVD 반응관을 통해서 Si를 석출시키고, 이 Si 중의 P가 존재하지 않는다는 것으로부터 확인하였다. 인이 존재하지 않는다는 것으로부터, 실릴포스핀이 전혀 생성되지 않은 것을 알 수 있었다.
<실시예 2>
노즐수가 4개인 냉각기를 이용하여 반응을 행한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 조건에서 석출을 행하고, 냉각기 전후의 배기 가스 온도의 모니터링으로부터, 배기 가스 온도가 800 ℃에서 500 ℃로 0.09초로 강온되도록 배기 가스의 냉각 정도를 조정하였다.
추가로 상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여 실란 화합물을 정제한 바, 정제 실란류 중에 인은 전혀 존재하지 않았다. 또한, 심랭 후에 흡착에 의해 염화수소를 제거한 수소를 분석한 바, 인은 전혀 존재하지 않고, 흡착에 의해 제거되어 있는 것을 확인하였다.
<비교예 1>
냉각기로서 분무 노즐이 관내에 1개 설치되어 있는 형태의 것을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 석출을 행하였다. 이 때, 냉각기 후의 배기 가스 온도는 680 ℃이었고, 이 결과로부터 계산하면 800 ℃에서 500 ℃까지의 배기 가스의 체류 시간은 2초 이상이었다.
상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여, 얻어진 트리클로로실란을 석영제 CVD에서 정제한 바, 정제 실란류 중에 실릴포스핀 환산으로 60 ppba의 양으로 인이 존재하고 있었다.
<비교예 2>
냉각기로서 분무 노즐이 관내에 4개 설치되어 있고 용량이 실시예 1에서 이용한 것에 비하여 2배인 형태의 것을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 석출을 행하였다. 이 때, 냉각기 후의 배기 가스 온도는 500 ℃이고, 800 ℃에서 500 ℃까지의 배기 가스의 체류 시간은 0.2초였다.
상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여 실란 화합물을 정제한 바, 정제 실란류 중에 실릴포스핀 환산으로 15 ppba의 양으로 인이 존재하고 있었다.
<비교예 3>
냉각기로서 분무 노즐이 관내에 4개 설치되고 있고 용량이 실시예 1에서 이용한 것에 비하여 5배인 형태의 것을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일 조건에서 석출을 행하였다. 이 때, 냉각기 후의 배기 가스 온도는 500 ℃이고, 800 ℃에서 500 ℃까지의 배기 가스의 체류 시간은 0.5초였다.
상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여 실란 화합물을 정제한 바, 정제 실란류 중에 실릴포스핀 환산으로 21 ppba의 양으로 인이 존재하고 있었다.
<비교예 4>
냉매로서 물을 이용한 열 교환기를 이용하여 실시예 1과 동일 조건에서 석출을 행하였다. 이 때, 열 교환기의 출구측의 온도는 500 ℃이고, 800 ℃에서 500 ℃까지의 배기 가스의 체류 시간은 0.5초였다.
상기 배출 가스를 심랭에 의해 회수한 실란 화합물을 증류하여 실란 화합물을 정제한 바, 정제 실란류 중에 실릴포스핀 환산으로 20 ppba의 양으로 인이 존재하고 있고, 또한 포스핀의 존재도 확인되었다.
3: 바닥판
5: 벨 자
7: 전극
9: 규소 코어선
17: 가스 배출관
19: 냉각기
20: 규소 로드

Claims (1)

  1. 전극 상에 세워 설치된 규소 코어재를 구비한 반응 용기 내에, 실란 가스와 수소 가스를 포함하는 반응 가스를 공급하고, 통전에 의해 상기 규소 코어재를 규소의 석출 온도로 가열하여, 생성된 규소를 상기 규소 코어재 상에 석출시켜 다결정 규소 로드(rod)를 형성하고, 반응 후의 배기 가스를 반응 용기로부터 배출하는 다결정 규소의 제조 방법이며, 반응 용기로부터 배출된 배기 가스를, 800 ℃에서부터 500 ℃까지의 온도 강하 시간이 0.1초 이하가 되도록 급랭시키는 것을 특징으로 하는 다결정 규소의 제조 방법.
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