JP5029539B2 - 多結晶シリコンの洗浄方法及び多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
酸洗工程で用いられる酸液として、フッ化水素酸と硝酸との混合液が使用されており、この酸液中に多結晶シリコンを浸漬させることで、多結晶シリコン表面を溶解して汚染物質や酸化膜を除去する。その後、多結晶シリコン表面に残留した酸液を除去するために純水によって水洗を行う。
この構成の結晶シリコンの洗浄方法においては、電気伝導度Cが2μS/cm以下となった後に水洗を終了するので、従来のpH測定やイオン濃度測定では測定不可能な酸濃度まで低下したことを精度良く判断でき、多結晶シリコンの清浄度を確実に向上させることが可能となる。
析出した多結晶シリコンの表面から汚染物質を除去するとともに、その除去のために使用した酸の残留のない高品質の多結晶シリコンを得ることができる。
本実施形態である多結晶シリコンの製造方法は、いわゆるシーメンス法によって多結晶シリコンのインゴットを析出させ、そのインゴットを切断・破砕加工して得られた塊状の多結晶シリコンの表面を洗浄するものである。図1に、本実施形態である多結晶シリコンの洗浄方法を有する多結晶シリコンの製造方法のフロー図を示す。
多結晶シリコンのインゴットはいわゆるシーメンス法によって製造される。詳述すると、図4に示すように反応炉20内にシリコンの芯棒21を複数本立てておき、この反応炉20内に原料供給管22からトリクロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスを供給する。そして、シリコンの芯棒21に通電することにより、トリクロロシランと水素とを反応させ、高純度のシリコンを芯棒21の表面に析出させるとともに塩酸ガスを生成する。この反応を進行させることで直径140mm程度の概略円柱状をなす多結晶シリコンのインゴットRを得ることができる。反応炉20内のガスはガス排出管23から外部に排出される。
こうして得られた円柱状のインゴットRは、単結晶シリコン製造用坩堝に装入可能な大機さにするため、切断・破砕加工が施される。本実施形態では、インゴットを加熱後に急冷して亀裂を生じさせ、その後ハンマーによって破砕することで図5に示すようなチャンクと呼ばれる塊状の多結晶シリコンSを得る。
切断・破砕工程によって様々な大きさの塊状の多結晶シリコンが生成することになる。これらの塊状の多結晶シリコンをその大きさ別に分級させる。
まず、酸液が貯留された酸洗槽中にバスケットBに収容された多結晶シリコンSを浸漬させて多結晶シリコンSの表面を溶解洗浄する酸洗工程を行う。
酸液は、主成分を硝酸とし、これに少量のフッ化水素酸を加えた混合酸液を使用する。
ここで、多結晶シリコンSを収容するバスケットBは、前記酸液に対して耐食性を有するポリエチレン、ポリプロピレン、ポリテトラフルオロエチレン等の合成樹脂で構成されている。
前述の酸洗工程の後に、酸液を除去するために純水Wによる水洗を行う。
水洗工程では、純水Wを貯留した水洗槽11に、バスケットBに収容された多結晶シリコンSを浸漬させる。ここで、バスケットBや多結晶シリコンSの表面に残留している酸液が純水W内へと洗い流されていく。水洗槽11中の純水Wは、外部へと排出され、新たな純水Wが水洗槽11内へと供給される。このような純水Wの入れ替えを少なくとも1回以上行い、酸液の除去を進めて行く。
このように水洗工程によって酸液が除去された多結晶シリコンSは、乾燥後に梱包されて出荷される。
そして、単結晶シリコンの原料として単結晶シリコン製造用坩堝に充填されて溶解される。
この入れ替えが1回というのは、水洗槽11に洗浄対象の多結晶シリコンSを所定時間
浸漬させた後、純水排出手段12から水洗槽11内の純水Wを排出し、その後、純水供給手段13によって水洗槽11の容積分の量の純水Wが新たに供給されることをいう。
例えば、電気伝導度Cが2μS/cm以下となった後に水洗工程を終了するものとして説明したが、これに限定されることはなく、多結晶シリコンに要求される清浄度に応じて適宜設定することが好ましい。ただし、電気伝導度Cを2μS/cm以下とすることで、硝酸濃度は0.1mg/L未満となり、確実に酸液を除去することが可能となる。
さらに、塊状の多結晶シリコンを洗浄するものとして説明したが、多結晶シリコンの形状に限定はなく、例えば円柱状の多結晶シリコンインゴットを洗浄するものであってもよい。この場合、多結晶シリコンは、単結晶シリコン用原料以外に、太陽電池用原料としても用いられる。
11 水洗槽
12 純水排出手段
13 純水供給手段
14 電気伝導度測定手段
20 反応炉
21 シリコンの芯棒
22 原料ガス供給管
23 ガス排出管
Claims (3)
- 多結晶シリコンの洗浄方法であって、
酸液による酸洗工程と、この酸洗工程の後に純水で洗浄する水洗工程とを有し、
該水洗工程では、純水を貯留した水洗槽に前記多結晶シリコンを浸漬し、少なくとも1回以上前記水洗槽内の純水を入れ替えて、前記多結晶シリコンの表面に残留した前記酸液の除去を行うとともに、
前記水洗槽中の純水の電気伝導度Cを測定し、前記電気伝導度Cの測定値によって前記水洗工程の終了を判断することを特徴とする多結晶シリコンの洗浄方法。 - 前記電気伝導度Cが2μS/cm以下となった後に前記水洗工程を終了することを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコンの洗浄方法。
- クロロシランガスと水素ガスとを含む原料ガスの反応により多結晶シリコンを析出させるシリコン析出工程と、析出した多結晶シリコンを洗浄する洗浄工程とを有し、該洗浄工程は請求項1又は2に記載の洗浄方法により行うことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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JPS61215212A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-25 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
JPS6325209A (ja) * | 1986-07-18 | 1988-02-02 | Kawasaki Steel Corp | 多結晶シリコンウエハの製造方法 |
JPH01294513A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体多結晶ウエハの製造方法 |
US4997490A (en) * | 1990-08-02 | 1991-03-05 | Bold Plastics, Inc. | Method of cleaning and rinsing wafers |
JPH06291100A (ja) * | 1992-03-06 | 1994-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム |
JPH05296959A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Fuji Electric Co Ltd | ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置 |
JPH0722366A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-01-24 | Kawasaki Steel Corp | シリコンウエハ洗浄装置 |
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US5837662A (en) * | 1997-12-12 | 1998-11-17 | Memc Electronic Materials, Inc. | Post-lapping cleaning process for silicon wafers |
JP2000302594A (ja) | 1999-02-18 | 2000-10-31 | Mitsubishi Materials Polycrystalline Silicon Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法 |
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