JPH06291100A - 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム - Google Patents
半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システムInfo
- Publication number
- JPH06291100A JPH06291100A JP4932092A JP4932092A JPH06291100A JP H06291100 A JPH06291100 A JP H06291100A JP 4932092 A JP4932092 A JP 4932092A JP 4932092 A JP4932092 A JP 4932092A JP H06291100 A JPH06291100 A JP H06291100A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- rinsing
- tank
- resistivity
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の製造工程におけるエッチング等の
処理後の半導体ウエハの洗浄を目的とする。 【構成】半導体用水洗槽に比抵抗センサを取付け水洗槽
内の純水の比抵抗を計測し、それにもとずいて水洗槽内
へ供給する純水量および水洗槽からの排水を制御する。 【効果】半導体ウエハの洗浄が向上する。
処理後の半導体ウエハの洗浄を目的とする。 【構成】半導体用水洗槽に比抵抗センサを取付け水洗槽
内の純水の比抵抗を計測し、それにもとずいて水洗槽内
へ供給する純水量および水洗槽からの排水を制御する。 【効果】半導体ウエハの洗浄が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
係り、特にエッチング等の所望の処理を行なった半導体
ウエハを純水にて洗浄する水洗槽およびそれを使用した
システムに適用して有効な技術に関するものである。
係り、特にエッチング等の所望の処理を行なった半導体
ウエハを純水にて洗浄する水洗槽およびそれを使用した
システムに適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては種々の工程
がある。このような工程の中でもエッチング工程のうち
ウエットエッチングは種々の反応液を用いて所望の部分
を除去するものであるため、エッチング液は完全に除去
しなければ後の工程において特性不良等の原因になるこ
とがある。このためエッチング工程においてはエッチン
グ処理後に純水を用いて半導体ウエハを水洗し完全にエ
ッチング液を除去しエッチング工程を終了する。従来、
このような純水による水洗には水洗槽に純水を流し込み
時間推量によってウエハの水洗を行ない水洗終了後にエ
ッチング終了とするものが一般的であった。またエッチ
ングの他の方法であるドライエッチングにおいてはエッ
チング終了にはエッチングに用いたガスの濃度の測定等
でエッチング終了測定を行なっていた。このようなドラ
イエッチングの終了点の検出を示したものとして「Ｓｅ
ｍｉｃｏｍｄｏｃｔｏｒ ｗｏｒｌｄ」１９８５年１０
月号、１５５頁から１５９頁がある。
がある。このような工程の中でもエッチング工程のうち
ウエットエッチングは種々の反応液を用いて所望の部分
を除去するものであるため、エッチング液は完全に除去
しなければ後の工程において特性不良等の原因になるこ
とがある。このためエッチング工程においてはエッチン
グ処理後に純水を用いて半導体ウエハを水洗し完全にエ
ッチング液を除去しエッチング工程を終了する。従来、
このような純水による水洗には水洗槽に純水を流し込み
時間推量によってウエハの水洗を行ない水洗終了後にエ
ッチング終了とするものが一般的であった。またエッチ
ングの他の方法であるドライエッチングにおいてはエッ
チング終了にはエッチングに用いたガスの濃度の測定等
でエッチング終了測定を行なっていた。このようなドラ
イエッチングの終了点の検出を示したものとして「Ｓｅ
ｍｉｃｏｍｄｏｃｔｏｒ ｗｏｒｌｄ」１９８５年１０
月号、１５５頁から１５９頁がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウエットエッ
チングにおいては、ドライエッチングに見られるような
エッチングの終点検出の方法はと異なり、エッチング処
理後の半導体ウエハの水洗を終了し工程終了する。工程
終了については水洗時間および水量管理となっている。
従って、半導体ウエハに付着した薬品が充分に洗浄でき
なかった場合は、半導体ウエハが水洗不足となりその後
の工程において特性不良を発生することがあるという問
題があった。
チングにおいては、ドライエッチングに見られるような
エッチングの終点検出の方法はと異なり、エッチング処
理後の半導体ウエハの水洗を終了し工程終了する。工程
終了については水洗時間および水量管理となっている。
従って、半導体ウエハに付着した薬品が充分に洗浄でき
なかった場合は、半導体ウエハが水洗不足となりその後
の工程において特性不良を発生することがあるという問
題があった。
【０００４】本願発明の目的は上記したような問題を解
決し水洗効果が充分な半導体装置の水洗槽およびそれを
使用した水洗終点管理システムを提供することにある。
決し水洗効果が充分な半導体装置の水洗槽およびそれを
使用した水洗終点管理システムを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものを記載すれば下記のとおりであ
る。すなわち所望の処理を行なった半導体の水洗を行な
う水洗槽において、前記水洗槽は比抵抗計を有し、前記
比抵抗計における情報に基ずいて水洗槽への純水の供給
を制御することを特徴とする半導体用水洗槽である。ま
た所望の処理を行なった半導体の水洗を行なうシステム
において、水洗槽と、前記水洗槽に備え付けられた比抵
抗計と、前記比抵抗計の信号を比較し水洗終点を判定す
る装置を備えてなることを特徴とする半導体水洗終点管
理システムである。
発明のうち代表的なものを記載すれば下記のとおりであ
る。すなわち所望の処理を行なった半導体の水洗を行な
う水洗槽において、前記水洗槽は比抵抗計を有し、前記
比抵抗計における情報に基ずいて水洗槽への純水の供給
を制御することを特徴とする半導体用水洗槽である。ま
た所望の処理を行なった半導体の水洗を行なうシステム
において、水洗槽と、前記水洗槽に備え付けられた比抵
抗計と、前記比抵抗計の信号を比較し水洗終点を判定す
る装置を備えてなることを特徴とする半導体水洗終点管
理システムである。
【０００６】
【作用】上記した手段によれば、純水の純度が比抵抗計
により比抵抗で表され、水洗の開始と終了を同じ比抵抗
になった時点を検出することにより、一定時間を経ても
比抵抗が同一にならない場合は水洗不足とし純水の流量
制御を行ない、比抵抗を計測して開始時点と同じになれ
ば水洗の終点として、水洗終点時期の判断が可能とな
る。
により比抵抗で表され、水洗の開始と終了を同じ比抵抗
になった時点を検出することにより、一定時間を経ても
比抵抗が同一にならない場合は水洗不足とし純水の流量
制御を行ない、比抵抗を計測して開始時点と同じになれ
ば水洗の終点として、水洗終点時期の判断が可能とな
る。
【０００７】
【実施例】図１は本願発明の第１の実施例である半導体
水洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した
概略図であり、図２は図１に示した水洗槽の配置を示し
た概略図、表１は図１の水洗槽に設けられた比抵抗計の
抵抗値を示した表である。
水洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した
概略図であり、図２は図１に示した水洗槽の配置を示し
た概略図、表１は図１の水洗槽に設けられた比抵抗計の
抵抗値を示した表である。
【０００８】図１に示したように本願発明の水洗槽３は
比抵抗センサー４が取り付けられている。前記比抵抗セ
ンサー４には比抵抗計８が電気的に接続されており前記
比抵抗計８は水洗槽３の配水管６に取付けられた電磁弁
７と純水供給制御を行なうとともに前記比抵抗計センサ
ー４からの信号をもとに水洗終点を判定する制御装置９
に電気的に接続されている。さらに図２に示したように
水洗槽はエッチング液をおおまかに撹拌する第１水洗
槽、第２水洗槽および図１に示した比抵抗センサー４を
有する第３水洗槽からなっている。
比抵抗センサー４が取り付けられている。前記比抵抗セ
ンサー４には比抵抗計８が電気的に接続されており前記
比抵抗計８は水洗槽３の配水管６に取付けられた電磁弁
７と純水供給制御を行なうとともに前記比抵抗計センサ
ー４からの信号をもとに水洗終点を判定する制御装置９
に電気的に接続されている。さらに図２に示したように
水洗槽はエッチング液をおおまかに撹拌する第１水洗
槽、第２水洗槽および図１に示した比抵抗センサー４を
有する第３水洗槽からなっている。
【０００９】以下、本実施例の水洗槽について説明す
る。半導体の製造処理であるエッチング工程を行なうた
めに図示しない装置において所望のエッチング液に浸積
された半導体ウエハは治具に保持された状態で前記水洗
槽１に搬送され浸され撹拌を行なう。次ぎに第２水洗槽
にてさらに撹拌されエッチング液をおおまかに洗い流す
（図示せず）。
る。半導体の製造処理であるエッチング工程を行なうた
めに図示しない装置において所望のエッチング液に浸積
された半導体ウエハは治具に保持された状態で前記水洗
槽１に搬送され浸され撹拌を行なう。次ぎに第２水洗槽
にてさらに撹拌されエッチング液をおおまかに洗い流す
（図示せず）。
【００１０】その後第３水洗槽に搬送され最終水洗が行
なわれる。通常第３水洗槽には少量の純水、例えば水洗
槽の２０ｌの純水に対して約２ｌから３ｌ／毎秒の純水
が供給されている。この半導体ウエハを浸す前に予め水
洗槽に供給されている純水の比抵抗値を比抵抗センサー
４により計測しておき制御装置９にその値を記憶させて
おく。次ぎに半導体ウエハ１１が搬送され水洗槽３の純
水に浸され水洗されるに従って水洗槽の純水の比抵抗は
増加する。
なわれる。通常第３水洗槽には少量の純水、例えば水洗
槽の２０ｌの純水に対して約２ｌから３ｌ／毎秒の純水
が供給されている。この半導体ウエハを浸す前に予め水
洗槽に供給されている純水の比抵抗値を比抵抗センサー
４により計測しておき制御装置９にその値を記憶させて
おく。次ぎに半導体ウエハ１１が搬送され水洗槽３の純
水に浸され水洗されるに従って水洗槽の純水の比抵抗は
増加する。
【００１１】この増加に伴い比抵抗センサー４から送ら
れる情報信号により比抵抗計８は制御装置９に信号を送
り、前記水洗槽３の電磁弁７が開き比抵抗の上がった純
水が配水管６排出されるとともに、制御装置９から純水
供給装置５に純水供給の情報信号が送られ上記した純粋
に送られ７ｌから９ｌ／毎秒の純水が供給されるように
なる。この時純水は比抵抗計の示す値に応じて増減す
る。この結果半導体ウエハの水洗が進み、水洗槽の純水
の比抵抗は低下する。
れる情報信号により比抵抗計８は制御装置９に信号を送
り、前記水洗槽３の電磁弁７が開き比抵抗の上がった純
水が配水管６排出されるとともに、制御装置９から純水
供給装置５に純水供給の情報信号が送られ上記した純粋
に送られ７ｌから９ｌ／毎秒の純水が供給されるように
なる。この時純水は比抵抗計の示す値に応じて増減す
る。この結果半導体ウエハの水洗が進み、水洗槽の純水
の比抵抗は低下する。
【００１２】このように純水の比抵抗が半導体ウエハが
浸される以前に戻った時点において制御装置９では純水
による水洗が終了したものと判定し終点検出信号を電磁
弁７を閉じる信号を出し純水の排出量を押さえ、同時に
純水供給装置５にも信号を送りそれまで多量に供給され
ていた純水は増加以前の量が流れるようになる。この時
点で半導体ウエハの洗浄が終了する。これに伴って半導
体ウエハの水洗が終了する。
浸される以前に戻った時点において制御装置９では純水
による水洗が終了したものと判定し終点検出信号を電磁
弁７を閉じる信号を出し純水の排出量を押さえ、同時に
純水供給装置５にも信号を送りそれまで多量に供給され
ていた純水は増加以前の量が流れるようになる。この時
点で半導体ウエハの洗浄が終了する。これに伴って半導
体ウエハの水洗が終了する。
【００１３】本実施例においては比抵抗計センサーおよ
び制御装置等のシステムを設けるだけで水洗効果の高い
半導体水洗装置を得ることが可能であるという効果が得
られる。
び制御装置等のシステムを設けるだけで水洗効果の高い
半導体水洗装置を得ることが可能であるという効果が得
られる。
【００１４】
【発明の効果】本願において開示される発明によって得
られる代表的な効果を記載すれば下記のとおりである。
られる代表的な効果を記載すれば下記のとおりである。
【００１５】すなわち水洗槽に比抵抗計を取付けその値
を監視し半導体ウエハ水洗終了を確認することが可能と
なるため、後の工程においての半導体装置の特性に残留
するエッチング液が影響することがなくなるため歩留が
大幅に向上する。
を監視し半導体ウエハ水洗終了を確認することが可能と
なるため、後の工程においての半導体装置の特性に残留
するエッチング液が影響することがなくなるため歩留が
大幅に向上する。
【図１】図１は本願発明の第１の実施例である半導体水
洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した概
略図。
洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した概
略図。
【図２】図２は図１に示した水洗槽の配置を示した概略
図。
図。
【図３】表１は比抵抗計の抵抗値を示した表。
１．．第１水洗槽、２．．第２水洗槽、３．．第３水洗
槽、４．．比抵抗センサー、５．．純水供給装置、
６．．排水管、７．．電磁弁、８．．比抵抗計、９．．
制御装置
槽、４．．比抵抗センサー、５．．純水供給装置、
６．．排水管、７．．電磁弁、８．．比抵抗計、９．．
制御装置
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【実施例】図１は本願発明の第１の実施例である半導体
水洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した
概略図であり、図２は図１に示した水洗槽の配置を示し
た概略図、図３は図１の水洗槽に設けられた比抵抗計の
抵抗値を示したグラフである。
水洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した
概略図であり、図２は図１に示した水洗槽の配置を示し
た概略図、図３は図１の水洗槽に設けられた比抵抗計の
抵抗値を示したグラフである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本願発明の第１の実施例である半導体水
洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した概
略図。
洗槽の要部である水洗槽およびそのシステムを示した概
略図。
【図２】図２は図１に示した水洗槽の配置を示した概略
図。
図。
【図３】図３は比抵抗計の抵抗値を示したグラフ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
Claims (2)
- 【請求項１】所望の処理を行なった半導体の水洗を行な
う水洗槽において、前記水洗槽は比抵抗計を有し、前記
比抵抗計における情報に基ずいて水洗槽への純水の供給
を制御することを特徴とする半導体用水洗槽。 - 【請求項２】所望の処理を行なった半導体の水洗を行な
うシステムにおいて、水洗槽と、前記水洗槽に備え付け
られた比抵抗計と、前記比抵抗計の信号とを比較し水洗
終点を判定する装置を備えてなることを特徴とする半導
体水洗終点管理システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932092A JPH06291100A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4932092A JPH06291100A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291100A true JPH06291100A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=12827683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4932092A Pending JPH06291100A (ja) | 1992-03-06 | 1992-03-06 | 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291100A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010168275A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 |
| JP2012126643A (ja) * | 2007-09-04 | 2012-07-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄装置 |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4932092A patent/JPH06291100A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012126643A (ja) * | 2007-09-04 | 2012-07-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄装置 |
| JP2010168275A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-08-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄方法及び洗浄装置並びに多結晶シリコンの製造方法 |
| US9238876B2 (en) | 2008-12-26 | 2016-01-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Method of washing polycrystalline silicon, apparatus for washing polycrystalline silicon, and method of producing polycrystalline silicon |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910007226B1 (ko) | 레지스트패턴현상방법 및 그 방법에 사용되는 현상장치 | |
| JPH0431173B2 (ja) | ||
| US20060213538A1 (en) | Semiconductor cleaning apparatus and semiconductor cleaning method | |
| EP0257197B1 (en) | Method and apparatus for controlling the organic contamination level in an electroless plating bath | |
| US20050133066A1 (en) | Substrate treating method and apparatus | |
| TWI249766B (en) | Wafer cleaning method and equipment | |
| JPH06291100A (ja) | 半導体用水洗槽およびそれを使用した水洗終点管理システム | |
| JP3128812B2 (ja) | ウェットエッチング装置 | |
| US5571644A (en) | Method and apparatus for developing resist | |
| JPS60163435A (ja) | 半導体ウエハ洗浄装置 | |
| US20010015215A1 (en) | Semiconductor wafer rinse device | |
| JP2010087138A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP3350129B2 (ja) | エッチング装置 | |
| JPH0845888A (ja) | 純水洗浄装置 | |
| JPS6016427A (ja) | 酸化膜エツチング装置 | |
| JPS61159739A (ja) | 被洗浄物の洗浄終了検出方法 | |
| JP2000100761A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP3203786B2 (ja) | シリコンのエッチング方法および装置 | |
| JP2994288B2 (ja) | 薬液用フィルターの処理方法およびその装置 | |
| JPS6242535Y2 (ja) | ||
| JPH01138721A (ja) | ウェットエッチング装置 | |
| JP3519603B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001279477A (ja) | 基板処理装置 | |
| US20060043073A1 (en) | Substrate treating method and apparatus | |
| JPH05296959A (ja) | ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置 |