JPH0845888A - 純水洗浄装置 - Google Patents
純水洗浄装置Info
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- JPH0845888A JPH0845888A JP6197788A JP19778894A JPH0845888A JP H0845888 A JPH0845888 A JP H0845888A JP 6197788 A JP6197788 A JP 6197788A JP 19778894 A JP19778894 A JP 19778894A JP H0845888 A JPH0845888 A JP H0845888A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、純水の正確な比抵抗検出が行なわれ
得るようにした、純水洗浄装置を提供することを目的と
する。 【構成】洗浄液として純水が供給される洗浄槽１１と、
該洗浄槽の上縁の周囲に配設されたオーバーフロー受け
部１３と、該オーバーフロー受け部からトラップ１４を
介して使用済みの純水を排出する外部排出管１５と、上
記トラップ内に配設された比抵抗計１６とを含んでいる
ように、純水洗浄装置１０を構成する。
得るようにした、純水洗浄装置を提供することを目的と
する。 【構成】洗浄液として純水が供給される洗浄槽１１と、
該洗浄槽の上縁の周囲に配設されたオーバーフロー受け
部１３と、該オーバーフロー受け部からトラップ１４を
介して使用済みの純水を排出する外部排出管１５と、上
記トラップ内に配設された比抵抗計１６とを含んでいる
ように、純水洗浄装置１０を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体ウェハ洗
浄プロセスにおいて、半導体ウェハの薬液処理後に、純
水洗浄するための純水洗浄装置に関し、特に純水の比抵
抗計を測定することにより、半導体ウェハの薬液残留を
確認するようにした、純水洗浄装置に関するものであ
る。
浄プロセスにおいて、半導体ウェハの薬液処理後に、純
水洗浄するための純水洗浄装置に関し、特に純水の比抵
抗計を測定することにより、半導体ウェハの薬液残留を
確認するようにした、純水洗浄装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば半導体ウェハの洗浄プロセ
スにおいて、半導体ウェハを薬液処理した後、純水によ
り薬液を洗浄するために、純水洗浄装置が使用されてい
る。
スにおいて、半導体ウェハを薬液処理した後、純水によ
り薬液を洗浄するために、純水洗浄装置が使用されてい
る。
【０００３】このような純水洗浄装置は、例えば図３及
び図４に示すように構成されている。即ち、図３及び図
４において、純水洗浄装置１は、洗浄液、この場合純水
が収容される洗浄槽２と、該洗浄槽２内に純水を供給す
るために該洗浄槽２の底部中央に開口している給水管３
と、該洗浄槽２の上縁に配設された比抵抗計センサ部４
と、から構成されている。
び図４に示すように構成されている。即ち、図３及び図
４において、純水洗浄装置１は、洗浄液、この場合純水
が収容される洗浄槽２と、該洗浄槽２内に純水を供給す
るために該洗浄槽２の底部中央に開口している給水管３
と、該洗浄槽２の上縁に配設された比抵抗計センサ部４
と、から構成されている。
【０００４】上記比抵抗計センサ部４は、液体の比抵抗
を測定するためのものであり、図示しない本体部に接続
されることにより、洗浄槽２内の純水の比抵抗を検出す
るようになっている。
を測定するためのものであり、図示しない本体部に接続
されることにより、洗浄槽２内の純水の比抵抗を検出す
るようになっている。
【０００５】このように構成された純水洗浄装置１によ
れば、半導体ウェハの洗浄を行なう場合には、先づ洗浄
槽２内に、複数枚、例えば２５乃至５０枚程度の半導体
ウェハ５を支持台に載置した状態で、収容する。続い
て、給水管３を介して洗浄槽２内に純水を供給する。こ
れにより、洗浄槽２内に純水が満たされた後は、洗浄槽
２内の純水は、該洗浄槽２の上縁からオーバーフローす
ることになる。かくして、給水管３から洗浄槽２内に供
給された純水は、半導体ウェハ５を洗浄し、該洗浄槽２
の上縁から溢れて排出される。このとき、純水は、半導
体ウェハ５の表面に付着している薬液を洗い流すことに
より、半導体ウェハ５を洗浄する。
れば、半導体ウェハの洗浄を行なう場合には、先づ洗浄
槽２内に、複数枚、例えば２５乃至５０枚程度の半導体
ウェハ５を支持台に載置した状態で、収容する。続い
て、給水管３を介して洗浄槽２内に純水を供給する。こ
れにより、洗浄槽２内に純水が満たされた後は、洗浄槽
２内の純水は、該洗浄槽２の上縁からオーバーフローす
ることになる。かくして、給水管３から洗浄槽２内に供
給された純水は、半導体ウェハ５を洗浄し、該洗浄槽２
の上縁から溢れて排出される。このとき、純水は、半導
体ウェハ５の表面に付着している薬液を洗い流すことに
より、半導体ウェハ５を洗浄する。
【０００６】この際、洗浄槽２内の純水は、半導体ウェ
ハ５の表面から洗い流した薬液を含んでいることから、
比抵抗が比較的小さくなっている。従って、洗浄槽２内
の純水の比抵抗を、比抵抗計センサ部４により常時、即
ち連続的にまたは断続的に検出することにより、洗浄槽
２内に収容されている半導体ウェハの薬液残留量が確認
され得る。
ハ５の表面から洗い流した薬液を含んでいることから、
比抵抗が比較的小さくなっている。従って、洗浄槽２内
の純水の比抵抗を、比抵抗計センサ部４により常時、即
ち連続的にまたは断続的に検出することにより、洗浄槽
２内に収容されている半導体ウェハの薬液残留量が確認
され得る。
【０００７】そして、半導体ウェハ５の洗浄が完了する
と、純水の薬液濃度が徐々に低下するので、比抵抗計セ
ンサ部４による純水の比抵抗が、所定値より大きくなっ
たとき、半導体ウェハの薬液残留量が実質的になくなっ
たと判断して、半導体ウェハの洗浄を終了するようにし
ている。
と、純水の薬液濃度が徐々に低下するので、比抵抗計セ
ンサ部４による純水の比抵抗が、所定値より大きくなっ
たとき、半導体ウェハの薬液残留量が実質的になくなっ
たと判断して、半導体ウェハの洗浄を終了するようにし
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな純水洗浄装置１においては、洗浄槽２の任意の位置
に、比抵抗計センサ部４を配設することにより、洗浄槽
２内の純水の比抵抗を検出している。これに対して、洗
浄槽２内の純水は、全体が均一の薬液濃度にはなってい
ないので、図示の場合のように、比抵抗計センサ部４の
配設位置とオーバーフロー位置が離れている場合には、
洗浄槽２内の純水の比抵抗検出が正確に行なわれ得ない
ので、洗浄終了の判定が困難であり、洗浄の信頼性が低
下して，場合によっては、半導体ウェハの洗浄不足を招
いてしまうという問題があった。
うな純水洗浄装置１においては、洗浄槽２の任意の位置
に、比抵抗計センサ部４を配設することにより、洗浄槽
２内の純水の比抵抗を検出している。これに対して、洗
浄槽２内の純水は、全体が均一の薬液濃度にはなってい
ないので、図示の場合のように、比抵抗計センサ部４の
配設位置とオーバーフロー位置が離れている場合には、
洗浄槽２内の純水の比抵抗検出が正確に行なわれ得ない
ので、洗浄終了の判定が困難であり、洗浄の信頼性が低
下して，場合によっては、半導体ウェハの洗浄不足を招
いてしまうという問題があった。
【０００９】本発明は、以上の点に鑑み、純水の正確な
比抵抗検出が行なわれ得るようにした、純水洗浄装置を
提供することを目的としている。
比抵抗検出が行なわれ得るようにした、純水洗浄装置を
提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、洗浄液として純水が供給される洗浄槽と、該洗浄
槽の上縁の周囲に配設されたオーバーフロー受け部と、
該オーバーフロー受け部からトラップを介して使用済み
の純水を排出する外部排出管と、上記トラップ内に配設
された比抵抗計とを含んでいることを特徴とする、純水
洗浄装置により、達成される。
れば、洗浄液として純水が供給される洗浄槽と、該洗浄
槽の上縁の周囲に配設されたオーバーフロー受け部と、
該オーバーフロー受け部からトラップを介して使用済み
の純水を排出する外部排出管と、上記トラップ内に配設
された比抵抗計とを含んでいることを特徴とする、純水
洗浄装置により、達成される。
【００１１】本発明による純水洗浄装置は、好ましく
は、上記オーバーフロー受け部が、洗浄槽から溢れた純
水が外部排出管の接続箇所に向かって流れるように、傾
斜している。
は、上記オーバーフロー受け部が、洗浄槽から溢れた純
水が外部排出管の接続箇所に向かって流れるように、傾
斜している。
【００１２】
【作用】上記構成によれば、洗浄槽からオーバーフロー
した純水は、全量がオーバーフロー受け部に入り、外部
排出管を介して外部に排出されるので、外部排出管を通
過するときに、比抵抗計によって比抵抗が測定され得
る。従って、比抵抗計は、オーバーフローした純水の全
量が通過するトラップ内にて、純水の比抵抗を測定する
ので、正確な純水の比抵抗が測定され得ることになる。
かくして、半導体ウェハの薬液残留の有無が、確実に検
出され得るので、洗浄不足が発生するようなことはな
く、洗浄の信頼性が向上することになる。
した純水は、全量がオーバーフロー受け部に入り、外部
排出管を介して外部に排出されるので、外部排出管を通
過するときに、比抵抗計によって比抵抗が測定され得
る。従って、比抵抗計は、オーバーフローした純水の全
量が通過するトラップ内にて、純水の比抵抗を測定する
ので、正確な純水の比抵抗が測定され得ることになる。
かくして、半導体ウェハの薬液残留の有無が、確実に検
出され得るので、洗浄不足が発生するようなことはな
く、洗浄の信頼性が向上することになる。
【００１３】上記オーバーフロー受け部が、洗浄槽から
溢れた純水が外部排出管の接続箇所に向かって流れるよ
うに、傾斜している場合には、オーバーフロー受け部に
純水が溜ってしまうようなことがなく、確実に外部排出
管内に流れることになる。従って、より正確な純水の比
抵抗検出が行なわれ得ることになる。
溢れた純水が外部排出管の接続箇所に向かって流れるよ
うに、傾斜している場合には、オーバーフロー受け部に
純水が溜ってしまうようなことがなく、確実に外部排出
管内に流れることになる。従って、より正確な純水の比
抵抗検出が行なわれ得ることになる。
【００１４】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明による純水洗浄装
置の一実施例を示している。図１において、純水洗浄装
置１０は、洗浄液、この場合純水が収容される洗浄槽１
１と、該洗浄槽１１内に純水を供給するために該洗浄槽
１１の底部中央に開口している給水管１２と、該洗浄槽
１１の上縁から溢れた純水を受けるためのオーバーフロ
ー受け部１３と、該オーバーフロー受け部１３からトラ
ップ１４を介して純水を排出するための外部排出管１５
とを含んでいる。
明を詳細に説明する。図１は、本発明による純水洗浄装
置の一実施例を示している。図１において、純水洗浄装
置１０は、洗浄液、この場合純水が収容される洗浄槽１
１と、該洗浄槽１１内に純水を供給するために該洗浄槽
１１の底部中央に開口している給水管１２と、該洗浄槽
１１の上縁から溢れた純水を受けるためのオーバーフロ
ー受け部１３と、該オーバーフロー受け部１３からトラ
ップ１４を介して純水を排出するための外部排出管１５
とを含んでいる。
【００１５】上記オーバーフロー受け部１３は、好まし
くは、外部排出管１５の接続箇所に向かって下がるよう
に、傾斜して形成されている。これにより、洗浄槽１１
の上縁から溢れてオーバーフロー受け部１３に入った純
水は、該オーバーフロー受け部１３内にて、外部排出管
１５の接続箇所に向かって流れ、全量が、外部排出管１
５内に流出するようになっている。
くは、外部排出管１５の接続箇所に向かって下がるよう
に、傾斜して形成されている。これにより、洗浄槽１１
の上縁から溢れてオーバーフロー受け部１３に入った純
水は、該オーバーフロー受け部１３内にて、外部排出管
１５の接続箇所に向かって流れ、全量が、外部排出管１
５内に流出するようになっている。
【００１６】上記トラップ１４内には、比抵抗計センサ
部１６が配設されている。この比抵抗計センサ部１６
は、液体の比抵抗を測定するためのものであり、図示し
ない本体部に接続されることにより、トラップ１４内を
流れる純水の比抵抗を検出するようになっている。
部１６が配設されている。この比抵抗計センサ部１６
は、液体の比抵抗を測定するためのものであり、図示し
ない本体部に接続されることにより、トラップ１４内を
流れる純水の比抵抗を検出するようになっている。
【００１７】本発明による純水洗浄装置１０は、以上の
ように構成されており、半導体ウェハの洗浄を行なう場
合には、先づ洗浄槽１１内に、複数枚、例えば２５乃至
５０枚程度の半導体ウェハ１７を支持台に載置した状態
で、収容する。続いて、給水管１２を介して洗浄槽１１
内に純水を供給する。これにより、洗浄槽１１内に純水
が満たされた後は、洗浄槽１１内の純水は、該洗浄槽１
１の上縁からオーバーフローすることになる。かくし
て、給水管１２から洗浄槽１１内に供給された純水は、
半導体ウェハ１７を洗浄し、該洗浄槽１１の上縁から溢
れて排出される。このとき、純水は、半導体ウェハ１７
の表面に付着している薬液を洗い流すことにより、半導
体ウェハ１７を洗浄する。
ように構成されており、半導体ウェハの洗浄を行なう場
合には、先づ洗浄槽１１内に、複数枚、例えば２５乃至
５０枚程度の半導体ウェハ１７を支持台に載置した状態
で、収容する。続いて、給水管１２を介して洗浄槽１１
内に純水を供給する。これにより、洗浄槽１１内に純水
が満たされた後は、洗浄槽１１内の純水は、該洗浄槽１
１の上縁からオーバーフローすることになる。かくし
て、給水管１２から洗浄槽１１内に供給された純水は、
半導体ウェハ１７を洗浄し、該洗浄槽１１の上縁から溢
れて排出される。このとき、純水は、半導体ウェハ１７
の表面に付着している薬液を洗い流すことにより、半導
体ウェハ１７を洗浄する。
【００１８】そして、洗浄槽１１の上縁から溢れた純水
は、該洗浄槽１１の上縁の周囲に配設されたオーバーフ
ロー受け部１３内に入って、外部排出管１５の接続箇所
に向かって流れた後、外部排出管１５内に流入する。そ
の後、外部排出管１５内に流入した純水は、トラップ１
４を介して、外部に排出される。かくして、洗浄槽１１
から溢れた純水は、全量が、外部排出管１５を介して外
部に排出されることになる。
は、該洗浄槽１１の上縁の周囲に配設されたオーバーフ
ロー受け部１３内に入って、外部排出管１５の接続箇所
に向かって流れた後、外部排出管１５内に流入する。そ
の後、外部排出管１５内に流入した純水は、トラップ１
４を介して、外部に排出される。かくして、洗浄槽１１
から溢れた純水は、全量が、外部排出管１５を介して外
部に排出されることになる。
【００１９】この際、外部排出管１５を流れる純水は、
半導体ウェハ１７の表面から洗い流した薬液を含んでい
ることから、比抵抗が比較的小さくなっている。従っ
て、トラップ１４内の純水の比抵抗を、比抵抗計センサ
部１６により常時、即ち連続的にまたは断続的に検出す
ることにより、洗浄槽１１内に収容されている半導体ウ
ェハの薬液残留量が確認され得る。この際、トラップ１
４には洗浄槽１１から溢れた純水の全量が流れることか
ら、比抵抗計センサ部１６は、排出される純水の比抵抗
を正確に検出し得ることになる。
半導体ウェハ１７の表面から洗い流した薬液を含んでい
ることから、比抵抗が比較的小さくなっている。従っ
て、トラップ１４内の純水の比抵抗を、比抵抗計センサ
部１６により常時、即ち連続的にまたは断続的に検出す
ることにより、洗浄槽１１内に収容されている半導体ウ
ェハの薬液残留量が確認され得る。この際、トラップ１
４には洗浄槽１１から溢れた純水の全量が流れることか
ら、比抵抗計センサ部１６は、排出される純水の比抵抗
を正確に検出し得ることになる。
【００２０】そして、半導体ウェハ１７の洗浄が完了す
ると、純水の薬液濃度が徐々に低下するので、比抵抗計
センサ部１６による純水の比抵抗が、所定値より大きく
なったとき、半導体ウェハの薬液残留量が実質的になく
なったと判断して、半導体ウェハの洗浄を終了する。
ると、純水の薬液濃度が徐々に低下するので、比抵抗計
センサ部１６による純水の比抵抗が、所定値より大きく
なったとき、半導体ウェハの薬液残留量が実質的になく
なったと判断して、半導体ウェハの洗浄を終了する。
【００２１】尚、上記実施例においては、半導体ウェハ
の洗浄プロセスとしての薬液処理後の半導体ウェハの純
水洗浄の場合について説明したが、これに限らず、他の
工程における純水洗浄においても、本発明を適用し得る
ことは明らかである。
の洗浄プロセスとしての薬液処理後の半導体ウェハの純
水洗浄の場合について説明したが、これに限らず、他の
工程における純水洗浄においても、本発明を適用し得る
ことは明らかである。
【００２２】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、洗
浄槽からオーバーフローした純水は、全量がオーバーフ
ロー受け部に入り、外部排出管を介して外部に排出され
るので、外部排出管を通過するときに、比抵抗計によっ
て比抵抗が測定され得る。従って、比抵抗計は、オーバ
ーフローした純水の全量が通過するトラップ内にて、純
水の比抵抗を測定するので、正確な純水の比抵抗が測定
され得ることになる。かくして、半導体ウェハの薬液残
留の有無が、確実に検出され得るので、洗浄不足が発生
するようなことはなく、洗浄の信頼性が向上することに
なる。かくして、本発明によれば、純水の正確な比抵抗
検出が行なわれ得るようにした、極めて優れた純水洗浄
装置が提供され得ることになる。
浄槽からオーバーフローした純水は、全量がオーバーフ
ロー受け部に入り、外部排出管を介して外部に排出され
るので、外部排出管を通過するときに、比抵抗計によっ
て比抵抗が測定され得る。従って、比抵抗計は、オーバ
ーフローした純水の全量が通過するトラップ内にて、純
水の比抵抗を測定するので、正確な純水の比抵抗が測定
され得ることになる。かくして、半導体ウェハの薬液残
留の有無が、確実に検出され得るので、洗浄不足が発生
するようなことはなく、洗浄の信頼性が向上することに
なる。かくして、本発明によれば、純水の正確な比抵抗
検出が行なわれ得るようにした、極めて優れた純水洗浄
装置が提供され得ることになる。
【図１】本発明による純水洗浄装置の一実施例を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】図１の純水洗浄装置の概略平面図である。
【図３】従来の純水洗浄装置の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図４】図１の純水洗浄装置の概略平面図である。
１０ 純水洗浄装置 １１ 洗浄槽 １２ 給水管 １３ オーバーフロー受け部 １４ トラップ １５ 外部排出管 １６ 比抵抗計センサ部 １７ 半導体ウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄液として純水が供給される洗浄槽
と、該洗浄槽の上縁の周囲に配設されたオーバーフロー
受け部と、該オーバーフロー受け部からトラップを介し
て使用済みの純水を排出する外部排出管と、上記トラッ
プ内に配設された比抵抗計とを含んでいることを特徴と
する、純水洗浄装置。 - 【請求項２】 上記オーバーフロー受け部が、洗浄槽か
ら溢れた純水が外部排出管の接続箇所に向かって流れる
ように、傾斜していることを特徴とする、請求項１に記
載の純水洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197788A JPH0845888A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 純水洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6197788A JPH0845888A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 純水洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845888A true JPH0845888A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=16380368
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6197788A Pending JPH0845888A (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 純水洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0845888A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100486211B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼세정방법 |
| KR100527677B1 (ko) * | 1998-07-15 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | 비저항 측정부가 구비된 반도체소자 제조용 웨트스테이션 |
| US7597012B2 (en) | 2006-06-15 | 2009-10-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System and method for using a spray/liquid particle count (LPC) to measure particulate contamination |
| CN110137116A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-16 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 清洗槽 |
| JP2020072189A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP6197788A patent/JPH0845888A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100486211B1 (ko) * | 1997-09-18 | 2005-06-16 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼세정방법 |
| KR100527677B1 (ko) * | 1998-07-15 | 2006-02-01 | 삼성전자주식회사 | 비저항 측정부가 구비된 반도체소자 제조용 웨트스테이션 |
| US7597012B2 (en) | 2006-06-15 | 2009-10-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System and method for using a spray/liquid particle count (LPC) to measure particulate contamination |
| JP2020072189A (ja) * | 2018-10-31 | 2020-05-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| CN110137116A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-16 | 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） | 清洗槽 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |