JPH05296959A - ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置 - Google Patents

ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置

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Publication number
JPH05296959A
JPH05296959A JP10330892A JP10330892A JPH05296959A JP H05296959 A JPH05296959 A JP H05296959A JP 10330892 A JP10330892 A JP 10330892A JP 10330892 A JP10330892 A JP 10330892A JP H05296959 A JPH05296959 A JP H05296959A
Authority
JP
Japan
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specific resistance
pure water
measuring device
tank
wafer
Prior art date
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Pending
Application number
JP10330892A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Shimada
島田  勉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ウェーハの洗浄工程中に常に高い測定精
度を保って洗浄用水の比抵抗が測定できるようにしたウ
ェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置を提供する。 【構成】ウェーハ洗浄工程で洗浄槽内に流す純水の比抵
抗を測定してウェーハ洗浄効果を判定するための比抵抗
測定装置として、比抵抗計3をオーバーフローリンス方
式の洗浄槽1のコーナーに近い箇所に据付け、かつ該比
抵抗計の測定電極3a,3bを鉛直に立てて上方から槽
内の水中に直接浸漬させ、洗浄工程で槽内に流す純水の
比抵抗を測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハのプロ
セス処理工程、特にウエット処理の最終洗浄(ファイナ
ルリンス)工程でウェーハ洗浄効果を確認するために適
用するウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、半導体ウェーハは薬液処
理後に洗浄槽に搬入し、ここで純水を連続的に流して洗
浄処理(オーバーフローリンス方式)を行うようにして
いる。また、特に多槽浸漬式洗浄装置では、ウェーハ洗
浄効果を確認するために、ファイナルリンス槽で純水の
比抵抗を洗浄工程中に測定,監視し、槽内の純水の比抵
抗が十分に上昇(ウェーハ洗浄が十分に進んで槽内の水
中に不純物が無くなれば純水の比抵抗が高まる)した時
点で洗浄を終了するプロセス制御方式が一般に採用され
ている。
【0003】次に、ウェーハ洗浄槽における従来の純水
比抵抗測定装置の構成を図3に示す。図において、1は
洗浄用水(純水)を槽内の底部から連続供給して上面周
囲から溢流させて排水するオーバーフローリンス方式の
洗浄槽、1aは純水供給管、1bはオーバーフローした
排水を受ける外槽、洗浄槽1から引出した導水パイプ
(フッ素樹脂パイプ)2に比抵抗計3を装備した測定セ
ル4が接続されている。なお、5は比抵抗計3の測定部
である。
【0004】一方、前記の比抵抗計3は、図4に示すよ
うに先端を開放した内外二重構造の円筒形測定電極3
a,3bを備え、かつ外周電極3bの根元側周面には複
数箇所に排水穴3cが開口している。そして、測定電極
3aと3bとの間に電圧を印加した状態で電極間に純水
を流すことにより、電極間に流れる電流の値から純水の
比抵抗が演算,測定される。
【0005】かかる構成で、カセット6に納めた半導体
ウェーハ7を洗浄するには、ウェーハ7をカセット6と
一緒に洗浄槽1の水中に浸漬し、ここで連続的に純水を
流しながらウェーハを洗浄する。また、この洗浄工程で
は洗浄槽1から導水パイプ2を通じて抽出した純水を測
定セル4に装備した比抵抗計3に導いて純水の比抵抗を
測定,監視し、その測定値からウェーハの洗浄効果を間
接的に判定するようにしている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の比抵抗測定装置では、比抵抗の測定精度,およびメ
ンテナンスの面で次記のような問題点がある。すなわ
ち、図3の装置では洗浄槽1と比抵抗計3を装備の測定
セル4との間が導水パイプ2を介して接続されていため
に、導水パイプ2,測定セル4の内部には洗浄槽1から
取り込んだ純水が停滞し易くなる。しかも測定系内で純
水が停滞すると、水中に含まれている不純物が蓄積した
り,水中にバクテリアが発生し、これが外乱要因となっ
て洗浄槽内を流れる純水の比抵抗が正確に測定できなく
なるといった不具合が派生する。
【0007】一方、洗浄槽1は定期的に水を抜いて点検
を行い、ウェーハ洗浄作業の再開時には槽内を洗浄して
から純水を導入するようにしているが、この定期点検時
には導水パイプ2,測定セル4も水抜きするために、周
囲の空気中に混在している浮遊塵埃などの不純物が配管
系内に侵入して付着するおそれがある。しかも、作業再
開に当たって導水パイプ2に洗浄水を流しても、パイプ
内部に付着した不純物を完全に除去することが中々困難
である。
【0008】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記課題を解決し、半導体ウェーハ
の洗浄工程中に常に高い測定精度を保って洗浄用水の比
抵抗を測定できるようにしたウェーハ洗浄槽の純水比抵
抗測定装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
り、比抵抗計をオーバーフローリンス方式の洗浄槽の上
方に据付け、該比抵抗計の測定電極を洗浄槽内の水中に
直接浸漬させて配備することにより達成される。また、
前記構成においては、比抵抗計の測定電極を鉛直に立て
て洗浄水槽内に浸漬配置し、さらにその設置場所を洗浄
槽内のコーナー近くに定めて配置するのがより効果的で
ある。
【0010】
【作用】上記のように比抵抗計の測定電極を洗浄槽内で
純水中に直接浸漬したことにより、不純物の停滞,バク
テリア発生の要因となる導水パイプ,測定セルなどの介
在物無しに、洗浄槽内を流れる純水の比抵抗を直接測定
できる。一方、オーバーフローリンス方式の洗浄槽では
水流が槽内の下から上に向けて流れる。また上面よりオ
ーバーフローする水流分布は、実測結果から二辺の槽壁
で挟まれた槽内のコーナー近くに水流が最も集中するこ
とが確認されている。したがって、このことを基に比抵
抗計を洗浄槽内のコーナーに近い箇所に据付け、かつそ
の測定電極を鉛直方向に立てて洗浄槽内に浸漬すること
で、比抵抗計の測定電極に水流が間断なく流れるように
なるので、純水比抵抗の測定精度がより一層向上する。
【0011】
【実施例】以下本発明の実施例を図1,図2に基づいて
説明する。なお、図中で図3と対応する同一部材には同
じ符号が付してある。すなわち、図示実施例において
は、方形状をなす洗浄槽1に対して、比抵抗計3が槽内
のコーナーに近い箇所に位置して槽の上方に設けた支持
具8に取付けてあり、かつ比抵抗計3は測定電極の開口
端面を下向きにして鉛直方向に槽内の水面下に没するよ
うに設置されている。
【0012】かかる構成により、半導体ウェーハ7の洗
浄時には洗浄槽1の槽内を流れる純水が比抵抗計3の測
定電極を通流し、ここで純水の比抵抗が測定される。こ
の場合に、比抵抗計3は前記のようにオーバーフロー水
流が集中する洗浄槽1のコーナーに測定電極を鉛直に立
てて浸漬配置されているので、洗浄槽1の槽内を下方か
ら上方に向けて流れる水流が比抵抗計3の測定電極(図
4参照)に対してその開口端面から間断なく通流する。
これにより、半導体ウェーハ7の洗浄進行に伴って変化
する純水の比抵抗を精度よく測定することができる。
【0013】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の構成によれ
ば半導体ウェーハの洗浄工程で洗浄用水としての槽内に
流す純水の比抵抗を常に高精度で測定することができ、
これによりウェーハ洗浄効果の判定に対する信頼性の大
幅な改善が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明実施例の構成配置図
【図2】図1の平面図
【図3】従来におけるウェーハ洗浄槽の従来比抵抗測定
装置の構成配置図
【図4】比抵抗計の構造図
【符号の説明】
1 洗浄槽 1a 純水供給管 3 比抵抗計 3a 測定電極 3b 測定電極 7 ウェーハ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】ウェーハ洗浄工程で洗浄槽内に流す純水の
    比抵抗を測定するための比抵抗測定装置であって、比抵
    抗計をオーバーフローリンス方式の洗浄槽の上方に据付
    け、該比抵抗計の測定電極を洗浄槽内の水中に直接浸漬
    させて測定するよう配備したことを特徴とするウェーハ
    洗浄槽の純水比抵抗測定装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載の比抵抗測定装置において、
    比抵抗計の測定電極を鉛直に立てて洗浄水槽内に浸漬さ
    せたことを特徴とするウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定
    装置。
  3. 【請求項3】請求項1記載の比抵抗測定装置において、
    比抵抗計を洗浄槽内のコーナー近くに配置したことを特
    徴とするウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置。
JP10330892A 1992-04-23 1992-04-23 ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置 Pending JPH05296959A (ja)

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JP10330892A JPH05296959A (ja) 1992-04-23 1992-04-23 ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置

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JPH05296959A true JPH05296959A (ja) 1993-11-12

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ID=14350595

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JP10330892A Pending JPH05296959A (ja) 1992-04-23 1992-04-23 ウェーハ洗浄槽の純水比抵抗測定装置

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JP (1) JPH05296959A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1311520C (zh) * 2003-09-05 2007-04-18 大日本斯克林制造株式会社 晶片清洗方法与设备
JP2012126643A (ja) * 2007-09-04 2012-07-05 Mitsubishi Materials Corp 多結晶シリコンの洗浄装置

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CN1311520C (zh) * 2003-09-05 2007-04-18 大日本斯克林制造株式会社 晶片清洗方法与设备
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