JPH06349803A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents

半導体基板の洗浄装置

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Publication number
JPH06349803A
JPH06349803A JP13375793A JP13375793A JPH06349803A JP H06349803 A JPH06349803 A JP H06349803A JP 13375793 A JP13375793 A JP 13375793A JP 13375793 A JP13375793 A JP 13375793A JP H06349803 A JPH06349803 A JP H06349803A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pure water
wafer
cleaning
nozzles
cleaning tub
Prior art date
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Pending
Application number
JP13375793A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsushi Matsui
淳 松井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH06349803A publication Critical patent/JPH06349803A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体基板の洗浄装置において、ウェハーと収
納容器との接触部近辺のウェハー表面に付着したパーテ
ィクルを除去する。 【構成】洗浄内槽2の上部に回転可能な複数のノズル5
を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の洗浄装置に
関し、特にノズルでウェハー等の半導体基板をシャワー
水洗する半導体基板の洗浄装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の半導体基板の洗浄装置を図3を用
いて洗浄方法と共に説明する。半導体基板(以下ウェハ
ーと言う)4の入った収納容器3を洗浄内槽2にセット
した後、給水弁9を有する給水管7から洗浄内槽2に純
水を供給する。供給された純水はウェハー4と収納容器
3に接触しウェハー4と収納容器3に付着していたパー
ティクルと薬液を洗浄内槽2からオーバーフローさせ洗
浄外槽1内へ運び、排水管6Aから洗浄装置系外へ排出
する。更に洗浄内槽2内に残ったパーティクルと薬液を
洗浄装置系外へ早く排出する為に、給水管7から純水を
洗浄内槽2へ一定時間供給した後供給を止め、排水管6
Bから洗浄内槽2内の純水を排出する。又洗浄内槽2か
ら純水をオーバーフローしている際純水と共に洗浄内槽
2の上部へ上ってきたパーティクルと薬液を洗浄外槽1
へ早く運ぶ為に洗浄内槽2上に設けられたノズル5Bか
ら純水を洗浄内槽2の純水表面へ当てる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体基板
の洗浄装置では、図4に示すように、収納容器3と接触
するウェハー4の表面近辺(斜線を施した部分)10に
パーティクルや薬液が除去し切れずに残ってしまうた
め、このウェハーを用いて半導体装置を製造する場合、
製造歩留りが低下するという問題があった。これはウェ
ハーと収納容器との接触部分近辺は純水の置換効率が低
い為である。純水の置換効率を上げる為には純水の供給
量を増加させればよいがコスト的に問題があった。
【0004】従来の洗浄装置で処理したウェハーの収納
容器との接触部近辺10における直径0.3μm以上の
パーティクルをレーザーパーティクルチェッカーで測定
した結果約200個/cm2 のパーティクルが検出され
た(尚ウェハー全表面のパーティクルは470個、ただ
しウェハーの外周部の幅9mmの部分は測定していな
い)。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の洗
浄装置は、底面部に排水管を有する洗浄外槽と、該洗浄
外槽の内部に設けられ洗浄外槽の底面部と一体的に形成
された底面部に給水管と配水管とを有し内部にウェーハ
収納容器を設置するための洗浄内槽とを有する半導体基
板の洗浄装置において、前記洗浄内槽の上部または底面
部に純水を噴射する複数のノズルを回転可能に設けたも
のである。
【0006】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図1(a),(b)は本発明の第1の実施
例の模式平面図及びA−A線模式断面図である。
【0007】図1において半導体基板の洗浄装置は、底
面部に配水管6Aを有する洗浄外槽1と、この洗浄外槽
1内に設けられ洗浄外槽1の底面部と一体的に形成され
た底面部に排水管6Bと給水管7とを有し、内部にウェ
ハー4を収納した収納容器3を設置するための洗浄内槽
2と、この洗浄内槽2の上部に設けられ洗浄外槽の壁面
に固定された支持柱等により支持された複数の回転可能
なノズル5とにより主に構成されている。尚図1(b)
において8は排水弁、9は給水弁である。以下本実施例
を用いたウェハーの洗浄方法について説明する。
【0008】まずウェハー4が収納された収納容器3を
洗浄内槽2内に設置したのち、給水弁9を開いて給水管
7より純水を洗浄内槽に満たし、オーバーフローさせウ
ェハー4と収納容器3とに付着していたパーティクル及
び薬液を除去する。この時ノズル5よりも純水を噴射さ
せる。一定時間オーバーフローを行ったのち給水弁9を
閉じて純水の供給を止め、排水弁8を開けて洗浄内槽2
内の純水を排出する。ウェハー4が空気に接触した時再
び上下,左右に可動なノズル5より純水を噴射させ、特
に収納容器3と接する部分のウェハー4の面を洗浄す
る。
【0009】このように本第1の実施例によれば、特に
純水の量を増すことなく図4に示したウェハー4の収納
容器との接触部近辺10を可動のノズル5により洗浄で
きるため、接触部近辺10における直径0.3μm以上
のパーティクルの数をウェハー50枚の平均で63個/
cm2 、ウェハー全表面のパーティクルを207個に低
減させることができた。従ってこのウェハーを用いるこ
とにより半導体装置の歩留りを向上させることができ
る。
【0010】図2は本発明の第2の実施例の模式断面図
である。図1に示した第1の実施例と異なる所は、洗浄
内槽2内に収納容器支持台11を設け、この上に収納容
器3を設置すると共に、ウェハー4の下部に複数個の回
転可能なノズル5Aを設けたことである。
【0011】この第2の実施例によれば給水管7より洗
浄内槽2内に純水を供給し洗浄内槽2からオーバーフロ
ーさせて排水管6Aから装置系外へ排出する際に、ウェ
ハー4の下部に設けたノズル5Aから純水を噴き出させ
ウェハー4と収納容器3の接触部分に当てることによ
り、パーティクルや薬液をより完全に洗浄することがで
きる。
【0012】本第2の実施例で洗浄することにより、図
4における収納容器との接触部近辺10の0.3μm以
上のパーティクル数は51個/cm2 、ウェハー全表面
のパーティクル数は103個となり、第1の実施例の場
合よりパーティクル数を大幅に減少させることができ
た。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
の洗浄装置は、洗浄内槽の上部または底面部に回転可能
な複数個のノズルを設けることにより、全てのウェハー
と収納容器の接触部分を十分に洗浄できるため、半導体
装置の製造歩留りを向上させることができるという効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の模式平面図及び断面
図。
【図2】本発明の第2の実施例の模式断面図。
【図3】従来の半導体基板の洗浄装置の一例の模式断面
図。
【図4】洗浄後のウェハーのパーティクルの測定部を説
明するための上面図。
【符号の説明】
1 洗浄外槽 2 洗浄内槽 3 収納容器 4 ウェハー 5,5A,5B ノズル 6A,6B 排水管 7 給水管 8 排水弁 9 給水弁 10 収納容器との接触部近辺 11 収納容器支持台

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 底面部に排水管を有する洗浄外槽と、該
    洗浄外槽の内部に設けられ洗浄外槽の底面部と一体的に
    形成された底面部に給水管と排水管とを有し内部にウェ
    ーハ収納容器を設置するための洗浄内槽とを有する半導
    体基板の洗浄装置において、前記洗浄内槽の上部または
    底面部に純水を噴射する複数のノズルを回転可能に設け
    たことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
JP13375793A 1993-06-04 1993-06-04 半導体基板の洗浄装置 Pending JPH06349803A (ja)

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JP13375793A JPH06349803A (ja) 1993-06-04 1993-06-04 半導体基板の洗浄装置

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JP13375793A JPH06349803A (ja) 1993-06-04 1993-06-04 半導体基板の洗浄装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09206715A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Puretetsuku:Kk 高周波洗浄方法
CN1099128C (zh) * 1996-11-11 2003-01-15 三菱电机株式会社 半导体材料的清洗装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5783036A (en) * 1980-11-10 1982-05-24 Seiichiro Sogo Cleaning device for semiconductor material

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19960806