JPH06349803A - 半導体基板の洗浄装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄装置Info
- Publication number
- JPH06349803A JPH06349803A JP13375793A JP13375793A JPH06349803A JP H06349803 A JPH06349803 A JP H06349803A JP 13375793 A JP13375793 A JP 13375793A JP 13375793 A JP13375793 A JP 13375793A JP H06349803 A JPH06349803 A JP H06349803A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- wafer
- cleaning
- nozzles
- cleaning tub
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板の洗浄装置において、ウェハーと収
納容器との接触部近辺のウェハー表面に付着したパーテ
ィクルを除去する。 【構成】洗浄内槽２の上部に回転可能な複数のノズル５
を設ける。
納容器との接触部近辺のウェハー表面に付着したパーテ
ィクルを除去する。 【構成】洗浄内槽２の上部に回転可能な複数のノズル５
を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の洗浄装置に
関し、特にノズルでウェハー等の半導体基板をシャワー
水洗する半導体基板の洗浄装置に関する。
関し、特にノズルでウェハー等の半導体基板をシャワー
水洗する半導体基板の洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体基板の洗浄装置を図３を用
いて洗浄方法と共に説明する。半導体基板（以下ウェハ
ーと言う）４の入った収納容器３を洗浄内槽２にセット
した後、給水弁９を有する給水管７から洗浄内槽２に純
水を供給する。供給された純水はウェハー４と収納容器
３に接触しウェハー４と収納容器３に付着していたパー
ティクルと薬液を洗浄内槽２からオーバーフローさせ洗
浄外槽１内へ運び、排水管６Ａから洗浄装置系外へ排出
する。更に洗浄内槽２内に残ったパーティクルと薬液を
洗浄装置系外へ早く排出する為に、給水管７から純水を
洗浄内槽２へ一定時間供給した後供給を止め、排水管６
Ｂから洗浄内槽２内の純水を排出する。又洗浄内槽２か
ら純水をオーバーフローしている際純水と共に洗浄内槽
２の上部へ上ってきたパーティクルと薬液を洗浄外槽１
へ早く運ぶ為に洗浄内槽２上に設けられたノズル５Ｂか
ら純水を洗浄内槽２の純水表面へ当てる。
いて洗浄方法と共に説明する。半導体基板（以下ウェハ
ーと言う）４の入った収納容器３を洗浄内槽２にセット
した後、給水弁９を有する給水管７から洗浄内槽２に純
水を供給する。供給された純水はウェハー４と収納容器
３に接触しウェハー４と収納容器３に付着していたパー
ティクルと薬液を洗浄内槽２からオーバーフローさせ洗
浄外槽１内へ運び、排水管６Ａから洗浄装置系外へ排出
する。更に洗浄内槽２内に残ったパーティクルと薬液を
洗浄装置系外へ早く排出する為に、給水管７から純水を
洗浄内槽２へ一定時間供給した後供給を止め、排水管６
Ｂから洗浄内槽２内の純水を排出する。又洗浄内槽２か
ら純水をオーバーフローしている際純水と共に洗浄内槽
２の上部へ上ってきたパーティクルと薬液を洗浄外槽１
へ早く運ぶ為に洗浄内槽２上に設けられたノズル５Ｂか
ら純水を洗浄内槽２の純水表面へ当てる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体基板
の洗浄装置では、図４に示すように、収納容器３と接触
するウェハー４の表面近辺（斜線を施した部分）１０に
パーティクルや薬液が除去し切れずに残ってしまうた
め、このウェハーを用いて半導体装置を製造する場合、
製造歩留りが低下するという問題があった。これはウェ
ハーと収納容器との接触部分近辺は純水の置換効率が低
い為である。純水の置換効率を上げる為には純水の供給
量を増加させればよいがコスト的に問題があった。
の洗浄装置では、図４に示すように、収納容器３と接触
するウェハー４の表面近辺（斜線を施した部分）１０に
パーティクルや薬液が除去し切れずに残ってしまうた
め、このウェハーを用いて半導体装置を製造する場合、
製造歩留りが低下するという問題があった。これはウェ
ハーと収納容器との接触部分近辺は純水の置換効率が低
い為である。純水の置換効率を上げる為には純水の供給
量を増加させればよいがコスト的に問題があった。
【０００４】従来の洗浄装置で処理したウェハーの収納
容器との接触部近辺１０における直径０．３μｍ以上の
パーティクルをレーザーパーティクルチェッカーで測定
した結果約２００個／ｃｍ2 のパーティクルが検出され
た（尚ウェハー全表面のパーティクルは４７０個、ただ
しウェハーの外周部の幅９ｍｍの部分は測定していな
い）。
容器との接触部近辺１０における直径０．３μｍ以上の
パーティクルをレーザーパーティクルチェッカーで測定
した結果約２００個／ｃｍ2 のパーティクルが検出され
た（尚ウェハー全表面のパーティクルは４７０個、ただ
しウェハーの外周部の幅９ｍｍの部分は測定していな
い）。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の洗
浄装置は、底面部に排水管を有する洗浄外槽と、該洗浄
外槽の内部に設けられ洗浄外槽の底面部と一体的に形成
された底面部に給水管と配水管とを有し内部にウェーハ
収納容器を設置するための洗浄内槽とを有する半導体基
板の洗浄装置において、前記洗浄内槽の上部または底面
部に純水を噴射する複数のノズルを回転可能に設けたも
のである。
浄装置は、底面部に排水管を有する洗浄外槽と、該洗浄
外槽の内部に設けられ洗浄外槽の底面部と一体的に形成
された底面部に給水管と配水管とを有し内部にウェーハ
収納容器を設置するための洗浄内槽とを有する半導体基
板の洗浄装置において、前記洗浄内槽の上部または底面
部に純水を噴射する複数のノズルを回転可能に設けたも
のである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の模式平面図及びＡ−Ａ線模式断面図である。
て説明する。図１（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実施
例の模式平面図及びＡ−Ａ線模式断面図である。
【０００７】図１において半導体基板の洗浄装置は、底
面部に配水管６Ａを有する洗浄外槽１と、この洗浄外槽
１内に設けられ洗浄外槽１の底面部と一体的に形成され
た底面部に排水管６Ｂと給水管７とを有し、内部にウェ
ハー４を収納した収納容器３を設置するための洗浄内槽
２と、この洗浄内槽２の上部に設けられ洗浄外槽の壁面
に固定された支持柱等により支持された複数の回転可能
なノズル５とにより主に構成されている。尚図１（ｂ）
において８は排水弁、９は給水弁である。以下本実施例
を用いたウェハーの洗浄方法について説明する。
面部に配水管６Ａを有する洗浄外槽１と、この洗浄外槽
１内に設けられ洗浄外槽１の底面部と一体的に形成され
た底面部に排水管６Ｂと給水管７とを有し、内部にウェ
ハー４を収納した収納容器３を設置するための洗浄内槽
２と、この洗浄内槽２の上部に設けられ洗浄外槽の壁面
に固定された支持柱等により支持された複数の回転可能
なノズル５とにより主に構成されている。尚図１（ｂ）
において８は排水弁、９は給水弁である。以下本実施例
を用いたウェハーの洗浄方法について説明する。
【０００８】まずウェハー４が収納された収納容器３を
洗浄内槽２内に設置したのち、給水弁９を開いて給水管
７より純水を洗浄内槽に満たし、オーバーフローさせウ
ェハー４と収納容器３とに付着していたパーティクル及
び薬液を除去する。この時ノズル５よりも純水を噴射さ
せる。一定時間オーバーフローを行ったのち給水弁９を
閉じて純水の供給を止め、排水弁８を開けて洗浄内槽２
内の純水を排出する。ウェハー４が空気に接触した時再
び上下，左右に可動なノズル５より純水を噴射させ、特
に収納容器３と接する部分のウェハー４の面を洗浄す
る。
洗浄内槽２内に設置したのち、給水弁９を開いて給水管
７より純水を洗浄内槽に満たし、オーバーフローさせウ
ェハー４と収納容器３とに付着していたパーティクル及
び薬液を除去する。この時ノズル５よりも純水を噴射さ
せる。一定時間オーバーフローを行ったのち給水弁９を
閉じて純水の供給を止め、排水弁８を開けて洗浄内槽２
内の純水を排出する。ウェハー４が空気に接触した時再
び上下，左右に可動なノズル５より純水を噴射させ、特
に収納容器３と接する部分のウェハー４の面を洗浄す
る。
【０００９】このように本第１の実施例によれば、特に
純水の量を増すことなく図４に示したウェハー４の収納
容器との接触部近辺１０を可動のノズル５により洗浄で
きるため、接触部近辺１０における直径０．３μｍ以上
のパーティクルの数をウェハー５０枚の平均で６３個／
ｃｍ2 、ウェハー全表面のパーティクルを２０７個に低
減させることができた。従ってこのウェハーを用いるこ
とにより半導体装置の歩留りを向上させることができ
る。
純水の量を増すことなく図４に示したウェハー４の収納
容器との接触部近辺１０を可動のノズル５により洗浄で
きるため、接触部近辺１０における直径０．３μｍ以上
のパーティクルの数をウェハー５０枚の平均で６３個／
ｃｍ2 、ウェハー全表面のパーティクルを２０７個に低
減させることができた。従ってこのウェハーを用いるこ
とにより半導体装置の歩留りを向上させることができ
る。
【００１０】図２は本発明の第２の実施例の模式断面図
である。図１に示した第１の実施例と異なる所は、洗浄
内槽２内に収納容器支持台１１を設け、この上に収納容
器３を設置すると共に、ウェハー４の下部に複数個の回
転可能なノズル５Ａを設けたことである。
である。図１に示した第１の実施例と異なる所は、洗浄
内槽２内に収納容器支持台１１を設け、この上に収納容
器３を設置すると共に、ウェハー４の下部に複数個の回
転可能なノズル５Ａを設けたことである。
【００１１】この第２の実施例によれば給水管７より洗
浄内槽２内に純水を供給し洗浄内槽２からオーバーフロ
ーさせて排水管６Ａから装置系外へ排出する際に、ウェ
ハー４の下部に設けたノズル５Ａから純水を噴き出させ
ウェハー４と収納容器３の接触部分に当てることによ
り、パーティクルや薬液をより完全に洗浄することがで
きる。
浄内槽２内に純水を供給し洗浄内槽２からオーバーフロ
ーさせて排水管６Ａから装置系外へ排出する際に、ウェ
ハー４の下部に設けたノズル５Ａから純水を噴き出させ
ウェハー４と収納容器３の接触部分に当てることによ
り、パーティクルや薬液をより完全に洗浄することがで
きる。
【００１２】本第２の実施例で洗浄することにより、図
４における収納容器との接触部近辺１０の０．３μｍ以
上のパーティクル数は５１個／ｃｍ2 、ウェハー全表面
のパーティクル数は１０３個となり、第１の実施例の場
合よりパーティクル数を大幅に減少させることができ
た。
４における収納容器との接触部近辺１０の０．３μｍ以
上のパーティクル数は５１個／ｃｍ2 、ウェハー全表面
のパーティクル数は１０３個となり、第１の実施例の場
合よりパーティクル数を大幅に減少させることができ
た。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
の洗浄装置は、洗浄内槽の上部または底面部に回転可能
な複数個のノズルを設けることにより、全てのウェハー
と収納容器の接触部分を十分に洗浄できるため、半導体
装置の製造歩留りを向上させることができるという効果
がある。
の洗浄装置は、洗浄内槽の上部または底面部に回転可能
な複数個のノズルを設けることにより、全てのウェハー
と収納容器の接触部分を十分に洗浄できるため、半導体
装置の製造歩留りを向上させることができるという効果
がある。
【図１】本発明の第１の実施例の模式平面図及び断面
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例の模式断面図。
【図３】従来の半導体基板の洗浄装置の一例の模式断面
図。
図。
【図４】洗浄後のウェハーのパーティクルの測定部を説
明するための上面図。
明するための上面図。
１ 洗浄外槽 ２ 洗浄内槽 ３ 収納容器 ４ ウェハー ５，５Ａ，５Ｂ ノズル ６Ａ，６Ｂ 排水管 ７ 給水管 ８ 排水弁 ９ 給水弁 １０ 収納容器との接触部近辺 １１ 収納容器支持台
Claims (1)
- 【請求項１】 底面部に排水管を有する洗浄外槽と、該
洗浄外槽の内部に設けられ洗浄外槽の底面部と一体的に
形成された底面部に給水管と排水管とを有し内部にウェ
ーハ収納容器を設置するための洗浄内槽とを有する半導
体基板の洗浄装置において、前記洗浄内槽の上部または
底面部に純水を噴射する複数のノズルを回転可能に設け
たことを特徴とする半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13375793A JPH06349803A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13375793A JPH06349803A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体基板の洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349803A true JPH06349803A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15112240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13375793A Pending JPH06349803A (ja) | 1993-06-04 | 1993-06-04 | 半導体基板の洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349803A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09206715A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-12 | Puretetsuku:Kk | 高周波洗浄方法 |
| CN1099128C (zh) * | 1996-11-11 | 2003-01-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体材料的清洗装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783036A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Seiichiro Sogo | Cleaning device for semiconductor material |
-
1993
- 1993-06-04 JP JP13375793A patent/JPH06349803A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5783036A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-24 | Seiichiro Sogo | Cleaning device for semiconductor material |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09206715A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-12 | Puretetsuku:Kk | 高周波洗浄方法 |
| CN1099128C (zh) * | 1996-11-11 | 2003-01-15 | 三菱电机株式会社 | 半导体材料的清洗装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960806 |