KR100812081B1 - 배스 세정장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 배스 세정장치에 관한 것으로서, 내부로 이동하는 초순수를 배출하기 위한 홀이 외벽에 생성되어 있는 외부 통로와 위치센서를 구비하는 내부통로의 2중 구조를 갖는 필라; 배스 내부에 웨이퍼의 세정을 위한 케미칼을 공급하는 케미칼 공급부; 상기 케미칼 공급부로부터 공급되는 케미칼에 의해 부력을 받아 동작하는 상기 필라 외부에 설치되는 부레; 상기 필라의 외부 통로로 초순수를 공급하기 위한 초순수 공급부; 및 상기 부레의 승하강에 따른 상기 위치 센서의 신호에 의해 케미칼 및 초순수의 공급을 제어하기 위한 중앙처리부로 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해서 배스 내부의 케미칼 레벨의 정확한 측정 및 배스 내부벽에 묻은 파티클을 제거하여 제2차 파티클 오염을 방지함으로써 반도체 수율을 향상시키는 효과가 있다.
배스, 세정, 수위측정, 부레
Description
도1은 종래의 세정장비 배스 내부 및 수위측정 기구를 설명하기 위한 도면.
도2는 본 발명에 의한 배스 세정장치.
본 발명은 배스(bath) 세정장치에 관한 것으로서, 메가소닉 배스 내부의 상층에 존재하는 파티클들을 기둥모양으로 생긴 분사 바(Bar)로 세척하고, 동시에 배스 내부의 케미칼 레벨을 측정하기 위한 배스 세정장치에 관한 것이다.
이하 종래의 기술에 의한 수위 측정을 겸한 배스 세정장치를 도 1에 기재한 Verteq사의 세정 장비를 중심으로 설명한다. 이 장비는 크게 메가소닉 배스와 HF 배스 SRD(Spin Rinse Dry)로 나누어진다.
도 1은 메가소닉 배스를 나타낸 것으로서 배스 내부에 세정용 케미칼이 배스 하부에서부터 필요로 하는 양까지 채워진다. 케미칼들이 배스 내부에 채워질 때의 수위 측정은 에어의 압을 이용하여 측정한다.
구체적으로 설명하면, 배스 내부에 케미칼이 차오르면 배스 내부에 거꾸로 세워진 에어관에 케미칼이 차오르도록 하여, 케미칼이 공급되는 양에 따라 에어관에서 에어를 배출하는 양에 의해 측정하며 Verteq사의 세정장비에서는 에어의 배출량을 압력 게이지를 이용하여 측정하고 있다.
일반적으로 메가소닉 배스에 채워지는 케미칼의 양을 체크하기 위해서는 수위 레벨을 Low, Process, High 및 Top의 4가지 레벨로 구분하고 있으며, 공정의 수행을 위해서 배스에는 케미칼이 High까지 채워지며, 웨이퍼가 담긴 카셋트가 들어오면 공정을 시작한다.
이때, 파티클은 메가소닉을 이용하여 웨이퍼의 표면에 묻은 파티클들을 여진으로 제거하며, 메가소닉이 끝나면 퀵 덤프를 하여 배스 내부를 순식간에 드레인시킨다.
다음 공정을 위해서는 Low 레벨까지 완전히 드레인시킨 후 다시 케미칼을 채워놓고 2차 세척공정을 한다. 그러나 케미칼의 상층에 모여있는 파티클들은 아무리 빨리 드레인 시킨다 하여도 드레인 되는 순간 웨이퍼 또는 배스 내벽에 남아있게 되며, 이러한 잔존하는 파티클 때문에 2차 오염이 유발된다.
또한 에어로 작동하는 수위 측정은 에어의 누출로 인해 오동작하는 경우가 종종 발생한다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기한 종래의 기술이 가지 는 2차 오염의 유발 및 수위측정 오류를 방지할 수 있도록 한 배스 세정장치를 제공하는 데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 배스 세정장치는 배스 세정장치에 있어서, 내부로 이동하는 초순수를 배출하기 위한 홀이 외벽에 생성되어 있는 외부 통로와 위치센서를 구비하는 내부통로의 2중 구조를 갖는 필라; 배스 내부에 웨이퍼의 세정을 위한 케미칼을 공급하는 케미칼 공급부; 상기 케미칼 공급부로부터 공급되는 케미칼에 의해 부력을 받아 동작하는 상기 필라 외부에 설치되는 부레; 상기 필라의 외부 통로로 초순수를 공급하기 위한 초순수 공급부; 및 상기 부레의 승하강에 따른 상기 위치 센서의 신호에 의해 케미칼 및 초순수의 공급을 제어하기 위한 중앙처리부로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 위치 센서는 케미칼의 저액위를 감지하는 Lower 센서; 부레가 차올라 케미칼 공급이 정지되는 위치를 감지하는 Process 센서; 및 모든 공급장치가 정지되는 케미칼 액위를 감지하는 Top 센서를 추가로 구비할 수 있다.
또한, 2차 오염을 방지하기 위한 초순수 공급부에서의 초순수 공급은 케미칼 드레인시 상기 부레가 Process 레벨에 위치한 경우 개시되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 목적과 기술적 구성 및 그에 따른 작용효과에 관한 자세한 사항은 본 발명의 바람직한 실시예를 도시하고 있는 도면을 참조한 이하 상세한 설명에 의해 보다 명확하게 이해될 것이다.
이하, 도2를 참조하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 의한 배스 내부는 2개의 공간으로 나누어지며 외부에는 초순수가 이동되는 통로(2)가 설치되고 내부에는 위치센서(3)들이 배치되는 2중 필라(Pillar)(1)가 설치되며, 필라에는 케미칼의 부력을 받아 동작하는 부레(4)가 필라의 원형 외벽을 감싸고 있다.
초순수는 필라(1)의 내부 2중 구조의 외벽으로 투입되며, 필라(1)는 외벽에 작은 구멍으로 모두 뚫려있으며 케미컬의 드레인시 이 구멍으로부터 초순수가 배출된다.
케미칼이 공급되기 시작하는 경우 부레(4)는 필라(1)의 제일 하부에 있는 Lower 센서(5)에 위치하게 되며, 배스 내부에서 케미칼이 서서히 공급됨에 따라 부레(4)는 케미칼에 의해 위로 떠오른다.
중앙처리장치에서는 케미칼의 수위를 확인 후 계속 케미칼을 공급하게 되며, 케미칼이 Middle 센서(6)까지 차오르고 Process 센서(7)까지 부레(4)가 차오르면 중앙처리장치에서 케미칼 공급을 정지시킨다.
그러나, Process 센서(7)에 고장이 발생하여 케미칼이 계속 공급되어 부레(4)가 Top 센서(8)에 센싱되면 알람을 발생시키며 모든 공급장치를 정지시킨다.
Process 센서(7)까지 케미칼이 공급되면 클린공정을 시작하며, 공정진행중 배스가 케미칼을 드레인시키는 과정에서 케미칼이 퀵 덤프되는 순간 부레(4)가 Process 센서위치(7)로부터 떨어져 하강하게 되면 중앙처리장치에서는 초순수를 필라(1)의 내부 외벽으로 공급한다. 이에 따라, 필라(1)는 외벽에 형성된 작은 구멍을 통하여 사방으로 초순수를 분사함으로써 배스 내부는 초순수로 세정된다.
이와 같이 제일 하부까지 드레인 되면 CPU에선 몇 초의 시간을 필라(1)를 통해 초순수로 외벽을 세척한 후 초순수를 정지시킨다. 그리고 다시 케미칼을 공급하여 2차 클린공정으로 들어가며, 세정 공정이 끝난 웨이퍼 카셋트는 다른 공정으로 이동된다.
상세히 설명된 본 발명에 의하여 본 발명의 특징부를 포함하는 변화들 및 변형들이 당해 기술 분야에서 숙련된 보통의 사람들에게 명백히 쉬워질 것임이 자명하다. 본 발명의 그러한 변형들의 범위는 본 발명의 특징부를 포함하는 당해 기술 분야에 숙련된 통상의 지식을 가진 자들의 범위 내에 있으며, 그러한 변형들은 본 발명의 청구항의 범위 내에 있는 것으로 간주된다.
상술한 바와 같이 본 발명의 배스 세정장치에 의해 배스 내부의 케미칼 레벨의 정확한 측정 및 배스 내부벽에 묻은 파티클을 제거하여 제2차 파티클 오염을 방지함으로써 반도체 수율을 향상시키는 효과가 있다.
Claims (5)
- 배스 세정장치에 있어서,내부로 이동하는 초순수를 배출하기 위한 홀이 외벽에 생성되어 있는 외부 통로와 위치센서를 구비하는 내부통로의 2중 구조를 갖는 필라;배스 내부에 웨이퍼의 세정을 위한 케미칼을 공급하는 케미칼 공급부;상기 케미칼 공급부로부터 공급되는 케미칼에 의해 부력을 받아 동작하는 상기 필라 외부에 설치되는 부레;상기 필라의 외부 통로로 초순수를 공급하기 위한 초순수 공급부; 및상기 부레의 승하강에 따른 상기 위치 센서의 신호에 의해 케미칼 및 초순수의 공급을 제어하기 위한 중앙처리부를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 배스 세정장치.
- 제1항에 있어서,상기 위치 센서는 케미칼의 저액위를 감지하는 Lower 센서;부레가 차올라 케미칼 공급이 정지되는 위치를 감지하는 Process 센서; 및모든 공급장치가 정지되는 케미칼 액위를 감지하는 Top 센서를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 배스 세정장치.
- 제 2항에 있어서,상기 위치 센서는 케미칼의 중액위를 감지하는 Middle 센서를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 배스 세정장치.
- 제 2항에 있어서,케미칼이 상기 Top 센서 위치에 도달하는 경우 경보를 발생하는 경보부를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 배스 세정장치.
- 제 2항에 있어서,상기 초순수 공급부에서의 초순수 공급은 케미칼 드레인시 상기 부레가 Process 센서 위치로부터 떨어지면 개시되는 것을 특징으로 하는 배스 세정장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020030102235A KR100812081B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 배스 세정장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020030102235A KR100812081B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 배스 세정장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050071228A KR20050071228A (ko) | 2005-07-07 |
| KR100812081B1 true KR100812081B1 (ko) | 2008-03-07 |
Family
ID=37261202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030102235A KR100812081B1 (ko) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | 배스 세정장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100812081B1 (ko) |
Citations (3)
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-
2003
- 2003-12-31 KR KR1020030102235A patent/KR100812081B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR20050071228A (ko) | 2005-07-07 |
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