JP3723502B2 - 半導体用多結晶シリコンの洗浄方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体用多結晶シリコンのCVD装置による製造における多結晶シリコンの酸洗浄後の純水洗浄に際し、純水への炭素系混入物を検知して汚染を防止できる半導体用多結晶シリコンの洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体用多結晶シリコンの製造において、製造途中で多結晶シリコンと接触する装置や容器の材料に鉄、アルミニウムなどの金属類を使用すると、多結晶シリコンの表面が金属により汚染する。この金属に汚染した原料を使って、CZ法により多結晶シリコンの単結晶化を行うと、ライフタイム異常となる。これを避けるため現状では、多結晶シリコンをふっ素樹脂、ポリエチレン、塩化ビニル、ポリプロピレンなどの樹脂製の容器等に入れて洗浄や搬送を行っている。そのため、多結晶シリコンが樹脂製容器に触れていても、汚染の問題は起きない。しかし、多結晶シリコンと樹脂製容器との接触により、容器の一部が削られて発生した粉状の樹脂が多結晶シリコンに混入すると、多結晶シリコンの単結晶化時に炭素濃度が異常に増加することがある。
【0003】
また、多結晶シリコンをCVD装置により形成する際、グラファイト製の電極上にシリコン種棒を立て、トリクロロシランなどのガスを流し、シリコン種棒に多結晶シリコンを析出させるため、析出した多結晶シリコン材を取り出すとき、または電極から切り離す際に、得られた多結晶シリコン材が電極に触れて炭素片または炭素粉が付着する恐れがある。この炭素片または炭素粉が付着した多結晶シリコン材をCZ用のランプ材として加工する際、多結晶シリコンランプ材に炭素片または炭素粉が混入する可能性がある。多結晶シリコンランプ材に炭素片または炭素粉が混入した場合には、上記樹脂粉と同様に、多結晶シリコンの単結晶化時に炭素濃度が異常に増加する。ここで、炭素片とは直径1mm以上程度ものをいい、炭素粉とは直径1mm未満程度のものをいう。
【0004】
上記のごとく、半導体用多結晶シリコンの製造時には、容器から発生する樹脂粉やランプ材加工時に混入する炭素片または炭素粉により、多結晶シリコンの単結晶化時に炭素濃度が異常に増加する問題が起きる。これを避けるため、半導体用多結晶シリコンに含まれる炭素片または炭素粉や樹脂粉を検出する必要がある。
【0005】
従来は、目視検査の外、炭素片または炭素粉の場合には金属探知機により検査していた。前者の目視検査では、検査できる微粉の大きさは約0.1mm以上で或る程度の微粉検出は可能である。しかし、微粉の混入を完全には検出できない可能性もある。また、金属探知機の場合には、炭素だけの検出で樹脂は検出できない上、炭素片も約5mm以上の大きさが必要で、それ以下の微粉の検出はできない。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のごとく、従来の目視検査や金属探知機による炭素粉の検査には、種々の問題があった。この問題点を解決するため、半導体の原料となる多結晶シリコンの製造における洗浄または検査時に、炭素系混入物を確実に検出できる装置の出現が望まれていた。
【0007】
本発明は、上述のCVD装置による多結晶シリコンをCZ用のランプ材として加工する際に炭素粉が混入する問題点を排除すること、特に半導体用多結晶シリコンの製造における洗浄時の汚染を検知して、炭素系混入物の汚染を防止できる半導体用多結晶シリコンの洗浄方法の提供を目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、半導体用多結晶シリコンの製造における洗浄時の炭素汚染検知に係る新しい方法の開発について種々検討を重ねている間に、TOC測定装置の利用を思い付いた。TOC測定装置は、水中の溶存有機物濃度を測定する装置であるが、実験の結果、水中に炭素粉や樹脂粉が含まれるときも測定できることを確認した。また、炭素片が含まれるときも、炭素片表面から純水中へ拡散してくる炭素粉を同様に測定できることを知った。本願は、この知見に基づいて下記のように発明を完成したのである。
【0009】
本発明の半導体用多結晶シリコン洗浄時の汚染検知方法は、半導体用多結晶シリコンを純水洗浄する際に、純水洗浄槽内の純水を連続的に、または断続的に吸引し、TOC測定機により吸引した純水の炭素濃度を測定することにより、半導体用多結晶シリコンへの炭素系混入物の存在を検知する。
【0010】
本発明の半導体用多結晶シリコン洗浄時の洗浄方法は、CVD装置により製造された半導体用多結晶シリコンを酸洗浄後に純水洗浄する際に、純水洗浄槽内の純水を連続的に、または断続的に吸引し、TOC測定機により吸引した純水の炭素濃度を測定することにより、半導体用多結晶シリコンへの炭素系混入物の存在を検知し、例えばTOC濃度が500ppbwを超える場合のように前記炭素系混入物を検知した時に、純水洗浄槽内の純水を清浄な純水に入れ替えて再度洗浄することを特徴とする。
【0011】
また、上記半導体用多結晶シリコン洗浄時の汚染検知方法または、その洗浄方法において、純水洗浄される半導体用多結晶シリコンが酸洗後であり、炭素系混入物が炭素粉と樹脂粉のいずれか片方または両方からなることを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体用多結晶シリコンの洗浄方法は、CVD装置により製造された半導体用多結晶シリコンを純水洗浄するための純水洗浄槽と、純水洗浄槽内の純水を連続的に又は断続的に吸引して炭素濃度を測定するTOC測定機と、測定したTOC濃度が500ppbwを超えているときに純粋洗浄槽内の純水を入れ替える入替手段とを備える半導体用多結晶シリコンの純水洗浄装置に適用できる。
【0013】
上記TOC測定装置は、炭素系成分を二酸化炭素にし、二酸化炭素を定量する装置を用い、酸化には燃焼酸化法、紫外線酸化法などがあるが、炭素粉、樹脂粉を酸化させるには燃焼酸化法を使用することが望ましい。また、純水洗浄槽内の汚染した純水の入れ替え基準を、TOC濃度が500ppbwを超えたときとしたのは、TOC濃度が500ppbw以下では多結晶シリコンへの炭素系混入物の増加は見られず、単結晶化したシリコンは炭素濃度の基準を満たし得るからである。
【0014】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体用多結晶シリコンの純水洗浄装置は、図1に示すように、純水11を満たした洗浄槽1内に、洗浄を行う多結晶シリコンランプ材10を入れた洗浄容器3を沈め、洗浄槽1内に先端を入れた吸引配管4により槽内の純水11を吸引ポンプ5により吸引し、吸引配管4から炭素系成分測定部すなわちTOC測定装置2に一定時間ごと、自動的に純水11をサンプリングし、炭素系成分濃度を測定するよう構成する。
【0015】
なお、TOC測定装置は、燃焼法を用い、燃焼温度は650℃以上とする。また、定量測定には非分散型のIRを用いた測定装置を使用する。測定できる微粉の大きさは、測定装置の採取口の径で決まり、0.8mm以下である。例えば、前記のTOC測定装置は、粒径0.8mm以下の粒子しか採取できないが、粒径1mmを超える炭素粉及び炭素片の混入も検知することが可能である。それは下記の理由による。混入した炭素片は「割れ、欠け」による破断面を持っているので、そこから極微細な炭素粉が水に拡散する。また、混入した炭素片が洗浄中にシリコンや容器と擦れ合うことによっても炭素粉が発生する。よって、粒径0.8mm以下の粒子しか採取できないTOC測定装置であっても、1mmを超える炭素粉または炭素片の混入を検知することは可能である。
【0016】
【実施例】
実施例1
図2に示すように、基本的には図1と同じ装置で、洗浄槽1の底に入れた撹拌子7を有する撹拌機6を設けた半導体用多結晶シリコンの純水洗浄装置により炭素粉、樹脂粉の検出について試験した。具体的な試験方法は、洗浄槽1内に純水11を満たし、純粋中の炭素濃度が30000ppbwになるように粒径0.1mm前後の炭素粉13を純水11中に投入し、撹拌機6により撹拌し、吸引配管4を介してTOC測定装置2にサンプリングし、TOC濃度を10回測定して平均値を求めたところ16000ppbwであった。また、炭素粉13の代わりに純粋中の炭素濃度が30000ppbwになるように樹脂粉( フッ素樹脂粉)13を投入し、上記と同様に測定したところ14000ppbwであった。以上の結果からTOC測定装置によって炭素粉、樹脂粉の検出が実用的であることが確認された。
【0017】
実施例2
図3に示す洗浄槽1の中に設けた上下方向に揺動する揺動装置8に洗浄容器3を載せた装置において、洗浄容器3内に40kgの多結晶シリコンランプ材10を入れ、その上にFZ用多結晶シリコンロッド12を載せ、洗浄容器3内に純水を満たし揺動装置8を駆動して洗浄容器3を上下に揺動させた。そして、吸引配管4から槽内の純水を断続的に吸引して、TOC測定装置2によりTOC濃度を測定した。
【0018】
上記測定において、洗浄純水の中のTOC濃度と実際のシリコンの炭素汚染濃度の関係を確認するため、FZ用多結晶シリコンロッド12をFZ法により単結晶化しFT−IRにより測定した炭素濃度を比較した。その結果を表1に示した。
【0019】
【表1】
【0020】
上記表1の結果より、TOC濃度が上昇すると、単結晶化時に炭素の汚染が生じるのを確認した。また、純水中に浸した後のFZ用多結晶シリコンロッドは、従来法である目視検査と金属探知機による検査では、炭素粉、ふっ素樹脂粉は、測定1〜5のいずれにおいても検出できなかった。
【0021】
実施例3
実施例2の装置として示した図3の洗浄装置を使って、洗浄容器3内に40kgの多結晶シリコンランプ材10を入れて洗浄し、得たTOC濃度が500ppbw未満の多結晶シリコンをCZ法により単結晶化したシリコンを得た。一方比較のため、図4に示したTOC測定装置のない従来の洗浄装置を使って、上記と同様に洗浄容器3内に40kgの多結晶シリコンランプ材10を入れて洗浄した多結晶シリコンをCZ法により単結晶化したシリコンを得た。そして、この両者のシリコンの炭素濃度の合格率を比較したところ、本発明の実施による場合には、炭素濃度は100%合格であったが、比較例の従来装置による場合には、炭素濃度は95%の合格であった。
【0022】
【発明の効果】
本発明の実施によれば、半導体用多結晶シリコンの製造における純水洗浄時の炭素汚染を微粉まで確実に検知することができ、かつ汚染した純水を新たな純水に入れ替えることにより、多結晶シリコンの炭素濃度の低減が図られ、これを原料として作られる単結晶シリコンの炭素濃度の合格率を100%に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体用多結晶シリコンの洗浄装置の基本的構成を示した説明図である。
【図2】本発明の実施による純水洗浄時の炭素粉、樹脂粉の検出を確認するための装置を示す説明図である。
【図3】本発明の実施において、半導体用多結晶シリコンの洗浄時のTOC測定装置によるTOC濃度の測定に係る説明図である。
【図4】TOC測定装置を有しない従来の洗浄装置により半導体用多結晶シリコンを洗浄する場合の説明図である。
【符号の説明】
1 洗浄槽
2 TOC測定装置
3 洗浄容器
4 吸引配管
5 吸引ポンプ
6 撹拌機
7 撹拌子
8 揺動装置
9 排水配管
10 多結晶シリコンランプ材
11 純水
12 FZ用多結晶シリコンロッド
13 炭素粉・樹脂粉
Claims (2)
- CVD装置により製造された半導体用多結晶シリコンを酸洗浄後に純水洗浄する際に、純水洗浄槽内の純水を連続的に、または断続的に吸引し、TOC測定機により吸引した純水の炭素濃度を測定することにより、半導体用多結晶シリコンへの炭素系混入物の存在を検知し、前記炭素系混入物を検知した時に純水洗浄槽内の純水を清浄な純水に入れ替えて洗浄する半導体用多結晶シリコンの洗浄方法。
- 請求項1において、TOC濃度が500ppbwを超えているとき、純水洗浄槽内の純水を清浄な純水に入れ替えて洗浄する半導体用多結晶シリコンの洗浄方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001377109A JP3723502B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-11 | 半導体用多結晶シリコンの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-16568 | 2001-01-25 | ||
JP2001016568 | 2001-01-25 | ||
JP2001377109A JP3723502B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-11 | 半導体用多結晶シリコンの洗浄方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002293688A JP2002293688A (ja) | 2002-10-09 |
JP3723502B2 true JP3723502B2 (ja) | 2005-12-07 |
Family
ID=26608261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001377109A Expired - Fee Related JP3723502B2 (ja) | 2001-01-25 | 2001-12-11 | 半導体用多結晶シリコンの洗浄方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3723502B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
JP4658453B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2011-03-23 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 流動性チップ、それを製造する方法及び使用する方法並びにその方法の実施に用いる装置 |
JP5029539B2 (ja) | 2007-09-04 | 2012-09-19 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの洗浄方法及び多結晶シリコンの製造方法 |
US7905963B2 (en) | 2008-11-28 | 2011-03-15 | Mitsubishi Materials Corporation | Apparatus and method for washing polycrystalline silicon |
KR101332922B1 (ko) | 2008-12-26 | 2013-11-26 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 다결정 실리콘의 세정 방법 및 세정 장치 그리고 다결정 실리콘의 제조 방법 |
DE102012202640A1 (de) * | 2012-02-21 | 2013-08-22 | Wacker Chemie Ag | Polykristallines Siliciumbruchstück und Verfahren zur Reinigung von polykristallinen Siliciumbruchstücken |
JP6217140B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2017-10-25 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン材料の製造方法 |
JP2016056066A (ja) * | 2014-09-10 | 2016-04-21 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンの表面清浄化方法 |
JP7458833B2 (ja) | 2020-03-12 | 2024-04-01 | グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社 | シリコン原料の洗浄装置 |
-
2001
- 2001-12-11 JP JP2001377109A patent/JP3723502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002293688A (ja) | 2002-10-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040907 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040921 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041117 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041214 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041228 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050623 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050715 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050729 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050825 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060726 |
|
A072 | Dismissal of procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072 Effective date: 20061114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080922 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110922 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |