JP5201126B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法 - Google Patents
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Description
すなわち、シリコン単結晶基板を気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、1100℃〜1200℃まで反応容器内を昇温する(昇温工程)。
そして、反応容器内の温度が1100℃以上になると、基板表面に形成されている自然酸化膜(SiO2:Silicon Dioxide)が除去される。
特に、デバイスが作りこまれるデバイス活性層となるエピタキシャル層の表層側に不純物汚染があると、デバイスへの悪影響が大きくなる。
またこの他には、アンモニアの濃度が過酸化水素水より高濃度である処理液を用いてシリコンウェーハを30分以上エッチングし、表面に形成されたLPDの個数を調べることによりシリコンウェーハのCu汚染等の評価を行う方法が開示されている(特許文献2参照)。
そのため、モニターウェーハにおける評価において、従来の分析手法で良好と評価された製造工程において製造されたシリコンエピタキシャルウェーハを用いて半導体デバイスを製造した場合であっても、デバイス特性が悪いものが製造されてしまう場合があるという問題点があった。
そしてシリコン単結晶薄膜中の評価対象不純物、特に金属不純物が集まったシリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して評価対象不純物の濃度を測定することによって、シリコンエピタキシャルウェーハ中の金属不純物の濃度を従来に比べて高感度かつ定量的に評価することができる。
これ以上冷却速度を上げても、評価対象不純物の検出能力を更に向上させることができないのに対して、冷却速度をさらに上げるための特別な冷却設備が必要になってコストアップにつながるが、このように、冷却速度を30℃/sec以下とすることによって、過剰な冷却設備を設ける必要もなく、また評価対象不純物の検出能力の向上の両立を図ることができる。
一般的なシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜中のNiの含有量は1×109atoms/cm3台から1×1011atoms/cm3台と想定される。
そこで、図2を参照すると、この濃度範囲がNiの固溶限界となる温度帯は、300℃〜400℃となる。このため評価対象不純物をNiとした場合、冷却工程において、少なくとも400℃から300℃までの範囲内の冷却速度を20℃/sec以上に制御することで、シリコン単結晶薄膜表層へのNi析出を制御することが可能となり、従来は困難であった効率的なNi濃度の評価が可能となる。
これによって、シリコン単結晶薄膜内の汚染元素が表層側に集まってくるため、その汚染元素が集中した領域をWSA(Wafer Surface Analysis)法やステップエッチ分析等の方法で分析することによって、シリコン単結晶薄膜の成膜工程でのシリコンエピタキシャルウェーハの汚染を従来より高感度に評価することができる。
従来の評価方法により、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の量を検出するには感度が充分ではなく、精度良く評価できない場合があった。
そのため、従来の分析手法で良好と評価されたシリコンエピタキシャルウェーハを用いて半導体デバイスを製造した場合であっても、デバイス特性の低いものが製造されてしまう場合があるという問題点があった。
その結果、シリコンエピタキシャルウェーハの表層の不純物濃度に影響を与える条件として、エピタキシャル層(シリコン単結晶薄膜)成長後の冷却条件に着目した。特に、含まれる重金属不純物が過飽和になる温度帯での冷却速度に着目し、この冷却速度を変えることを発想した。
まず、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法について図1を参照して説明する。図1は本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法の概略の一例を示したフローチャートである。
次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、反応容器内の温度をシリコン単結晶薄膜を気相成長するための成膜温度まで昇温する(図1(b)、昇温)。この成膜温度は、基板表面の自然酸化膜を水素で除去できる1000℃以上に設定する。
この冷却工程では、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値や工程平均値と評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を20℃/sec以上として冷却する。
また、800℃から400℃程度の間で、水素雰囲気から窒素雰囲気へと切り換えることができる。
そこで、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値や工程平均値と、評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出して、この算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、シリコン単結晶薄膜の成膜工程後の冷却工程での冷却速度を20℃/sec以上に制御すると、シリコンエピタキシャルウェーハ中の評価対象の不純物がシリコン単結晶薄膜の表層領域に集まる。
そしてこれを利用して、後述する評価工程において評価対象不純物が集まったこの領域を化学分析することで、高い感度でシリコンエピタキシャルウェーハ中の不純物濃度を測定することができるようになる。
一般的なシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜中のNiの含有量は、1×109〜1×1011atoms/cm3の水準と想定される。
そして、図2に示すように、Niの汚染量が上記範囲内である5×1010atoms/cm3程度の場合、その汚染量と固溶度が一致する温度は、350℃前後になる。
従って、評価対象不純物がNiの場合は、冷却中のシリコンエピタキシャルウェーハの温度が少なくとも400℃から300℃までの温度帯を通過する時には、冷却速度を20℃/sec以上に制御することになる。
なお、図2は、シリコン中のNiの固溶度の温度依存性を示した図である。
そして、後述する評価工程においてNi濃度の評価を行うことができる。
シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値と、固溶限界濃度が一致する温度の少なくとも上下50℃の範囲での成膜後のシリコンエピタキシャルウェーハの冷却速度を上げれば上げるほど、特別な冷却設備が必要になりコストがかかるが、評価対象不純物が集まる量は飽和気味になり、それ以上に冷却速度を上げてもさほど変化が見られないようになる。
しかし、冷却速度が30℃/sec以下であれば、過剰な冷却設備が必要ではなく、評価対象不純物の集まる量は十分に多い状態を維持することができ、好都合である。
図3に示すように、冷却速度が高いほど、シリコン単結晶薄膜の表層付近にNiが集まっている。つまり、このシリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値と、固溶限界濃度が一致する温度帯を急冷した後、表層をステップエッチ法、WSA法、AAS、ICP−MS、TRXF等により分析すれば、高感度で不純物を検出することができる。
(実施例1−3、比較例1)
あらかじめ同一バッチのシリコン単結晶基板が全溶解化学分析法を用いて1×1010atoms/cm3以下(検出下限)のNi濃度であることを確かめた面方位(100)、P+型(0.015Ωcm)のシリコン単結晶基板を4枚準備し、その主表面上に、成膜温度1130℃でP−型(10Ωcm)のシリコン単結晶薄膜5μmを気相成長させた。
これに対し、実施例1−3の冷却条件の場合、Ni濃度がそれぞれ8.0×1010atoms/cm3(実施例1)、4.0×1011atoms/cm3(実施例2)、4.2×1011atoms/cm3(実施例3)と検出され、比較例1の場合に比べて高い感度でシリコン単結晶薄膜の表層部のNiの濃度を評価することが可能であった。
また、実施例1と実施例2を比較すると、実施例2の方がよりNiは高濃度になっており、冷却速度が速いほど評価能力が高いことが判った。しかし、実施例2よりさらに冷却レートをあげた実施例3の条件の場合、実施例2より若干検出されたNi濃度は高くなっているが、大きな差は無かった。すなわち、冷却速度を実施例2より上げても、Niの検出能力の更なる向上はあまり期待できない。それよりも、冷却速度をさらに上げるための特別な冷却設備が必要になり、コストアップにつながってしまうため、冷却速度の上限は30℃/sec程度がよいことも判った。
例えば、本発明で薄膜を気相成長させる気相成長装置は限定されず、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダ型)、枚葉式等の各種気相成長装置に適用可能である。
Claims (3)
- シリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法であって、
原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、
該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を20℃/sec以上として冷却する冷却工程と、
前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 - 前記冷却速度を、30℃/sec以下とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。
- 前記評価対象不純物を、Niとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。
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