JP5120789B2 - 半導体製造装置の汚染評価方法 - Google Patents
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Description
(実施例1)
本実施例では気相成長装置の汚染評価の一例を示す。図2の手順に従って試料半導体ウェーハ(シリコン熱酸化膜被膜)を作製し、この試料半導体ウェーハに対して気相成長装置を用いてポリシリコン膜を成長させて評価対象ウェーハを製造した。この評価対象ウェーハに対して図3の手順に従ってエッチング薬液を用いてエッチング処理を行い、当該評価対象ウェーハの表層部の不純物をエッチング薬液中に取り込んだ。この不純物を取り込んだエッチング薬液について化学分析を行った。なお、上記気相成長装置については、当該気相成長装置のメンテナンス後、並びに当該気相成長装置によるウェーハ製品製造時における当該気相成長装置の汚染量を評価した。上記した評価対象ウェーハの表層部についての不純物(Fe,Ni)濃度を深さ別或いは層別の分析結果を図8及び図9に示した。気相成長装置のメンテナンス後に成長させたポリシリコン膜中のFe,Ni濃度の方が高く検出され、メンテナンス時の汚染が示唆される。しかし、ウェーハ製品製造時に成長させたポリシリコン膜中のFe,Ni濃度は低く、シリコン基板の濃度とほぼ同じになっていることがわかった。よって、この場合は汚染はほとんどないと考えられる。
(比較例1)
通常の半導体ウェーハを作製し、この半導体ウェーハに対して気相成長装置を用いてシリコンエピタキシャル層を成長させてエピタキシャルウェーハを製造した。このエピタキシャルウェーハに対して実施例1と同様にエッチング処理を行い、当該エピタキシャルウェーハの表層部の不純物をエッチング薬液中に取り込んだエッチング薬液について化学分析を行って、上記気相成長装置について、実施例1と同様に不純物評価を行った。上記したエピタキシャルウェーハの表層部における不純物(Fe,Ni)濃度について深さ別の分析結果を図10及び図11に示した。気相成長装置のメンテナンス後に成長させたエピタキシャル層中のFe,Ni濃度もシリコン基板の濃度もほぼ同じになっていた。また、気相成長装置のメンテナンス後のFe,Ni濃度とウェーハ製品製造時でのFe,Ni濃度とはその値がほとんど変わらなかった。よって、エピタキシャル層ではFe,Ni汚染を検出できないことが分かる。
Claims (1)
- 試料半導体ウェーハに対して半導体製造装置である気相成長装置を用いてポリシリコン層又はシリコン酸化膜層を成長させることによって評価対象半導体ウェーハを製造し、当該製造した評価対象半導体ウェーハについて汚染評価を行うことにより、前記半導体製造装置である気相成長装置における汚染を評価する方法であって、前記試料半導体ウェーハはその表面が、シリコン熱酸化膜、CVDにより堆積されたシリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜からなる群から選択されたいずれか1種の被膜で被覆されており、かつ前記評価対象半導体ウェーハをエッチング薬液により所定時間エッチングし、該評価対象半導体ウェーハの表層部の不純物を前記エッチング薬液中に取り込んで当該不純物含有エッチング薬液を化学分析することによって、前記汚染評価が行われることを特徴とする半導体製造装置の汚染評価方法。
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