JPS60150620A - 清浄度評価方法 - Google Patents
清浄度評価方法Info
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- JPS60150620A JPS60150620A JP686484A JP686484A JPS60150620A JP S60150620 A JPS60150620 A JP S60150620A JP 686484 A JP686484 A JP 686484A JP 686484 A JP686484 A JP 686484A JP S60150620 A JPS60150620 A JP S60150620A
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- Japan
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- decomposition liquid
- thin film
- wafer
- thin films
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
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- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
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- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、清浄度評価方法に関する。
近年、本半導体装置は、超ＬＳＩ化されて極めて微細な
ものになっている。このため、半導体装置を構成する５
１０２膜やＳｉ３Ｎ４膜等の薄膜中にＮａ、に、Ａｔ等
の不純物が超微量でも存在していると、素子の電気特性
に悪影響を及ぼす。このため、５Ｉ０２膜等の薄膜を形
成する半導体薄膜形成装置の清浄度を評価する必要があ
る。
ものになっている。このため、半導体装置を構成する５
１０２膜やＳｉ３Ｎ４膜等の薄膜中にＮａ、に、Ａｔ等
の不純物が超微量でも存在していると、素子の電気特性
に悪影響を及ぼす。このため、５Ｉ０２膜等の薄膜を形
成する半導体薄膜形成装置の清浄度を評価する必要があ
る。
而して、半導体薄膜形成装置の清浄度を評価する方法と
して、ＭＯＳキャノやシタを用いたフラットバンド電圧
のシフト量から行う方法や、酸化膜の耐圧を測定する方
法等の電気的測定法がある。
して、ＭＯＳキャノやシタを用いたフラットバンド電圧
のシフト量から行う方法や、酸化膜の耐圧を測定する方
法等の電気的測定法がある。
ＭＯＳキャノ千シタを用いるものでは、電圧のシフト量
が±０１■の精度でしか測定できない。
が±０１■の精度でしか測定できない。
これは薄膜中の不純物量に換算すると１０１’（［ｌｉ
Ｌ／ｃｒｌ＝程度に相当する。このような悪い感度では
、半導体薄膜形成装置の清浄度を十分に評価できない。
Ｌ／ｃｒｌ＝程度に相当する。このような悪い感度では
、半導体薄膜形成装置の清浄度を十分に評価できない。
また、酸化膜耐圧法によるものでは、薄膜の形成後に一
連の処理工程が必要である。このため、評価に多くの手
間を要する問題がある。
連の処理工程が必要である。このため、評価に多くの手
間を要する問題がある。
また、イオンマイクロアナライザーやオージェ電子分光
装置等を利用した半導体薄膜形成装置の清浄度評価方法
もあるが、これらの方法では、装置が高価であり、しか
も測定に長時間を要し、作業能率が悪いという問題があ
った。
装置等を利用した半導体薄膜形成装置の清浄度評価方法
もあるが、これらの方法では、装置が高価であり、しか
も測定に長時間を要し、作業能率が悪いという問題があ
った。
本発明は、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感
度及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価する
ことができる清浄度評価方法を提供することをその目的
とするものである。
度及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価する
ことができる清浄度評価方法を提供することをその目的
とするものである。
本発明は、被処理体上に形成した薄膜をフン化水素の蒸
気で分解して得た分解液中の不純物の量を測定すること
により、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度
及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価するこ
とができる清浄度評価方法である。
気で分解して得た分解液中の不純物の量を測定すること
により、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度
及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価するこ
とができる清浄度評価方法である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本発明方法にて使用する密閉容器の斜視図、
第２図は、同容器のロー■線に涜う断面図である。密閉
容器１は、例えばテトラフルオロエチレン等の耐薬品性
に優れた材質で形成されている。密閉容器１内には、超
高純度の弗化水素酸２を満したビー力３が設置されてい
る。また、密閉容器１内には、被処理体であるウェハ４
を保持するウェハキャリア５の支持台６が設置されてい
る。支持台６には、ウェハキャリア５に保持したウェハ
４の直下に後述する分解液７を受液するようにウェハ４
ごとに対応して区切られた分解液受皿８が嵌合されてい
る。
第２図は、同容器のロー■線に涜う断面図である。密閉
容器１は、例えばテトラフルオロエチレン等の耐薬品性
に優れた材質で形成されている。密閉容器１内には、超
高純度の弗化水素酸２を満したビー力３が設置されてい
る。また、密閉容器１内には、被処理体であるウェハ４
を保持するウェハキャリア５の支持台６が設置されてい
る。支持台６には、ウェハキャリア５に保持したウェハ
４の直下に後述する分解液７を受液するようにウェハ４
ごとに対応して区切られた分解液受皿８が嵌合されてい
る。
なお、同図中９は、密閉容器ｌの蓋体である。
先ず、密閉容器１を使用前に硝酸、塩酸の混酸溶液を用
いて加熱洗浄した後、純水ですすぎ洗いする。
いて加熱洗浄した後、純水ですすぎ洗いする。
次いで、蓋体９を開けて、ウェハキャリア５に図示しな
い半導体薄膜形成装置で薄膜１０ａ・・・１０ｅを形成
したウェハ４を保持せし２める。次いで、ウェハキャリ
ア５上にキャリアカバー１１を設置した後、蓋体９を閉
じて密閉状態にする。
い半導体薄膜形成装置で薄膜１０ａ・・・１０ｅを形成
したウェハ４を保持せし２める。次いで、ウェハキャリ
ア５上にキャリアカバー１１を設置した後、蓋体９を閉
じて密閉状態にする。
次に、密閉容器ｌ内を２０〜３５℃の温度に保って所定
時間放置するつこの放貿時間は、ウェハ４の材質、薄膜
１０ａ・・・１０ｅの利質に応じて適宜設定する。
時間放置するつこの放貿時間は、ウェハ４の材質、薄膜
１０ａ・・・１０ｅの利質に応じて適宜設定する。
而して、ビー力３から揮散した弗化水素蒸気がウェハキ
ャリア５の隙間５ａを通ってＮ膜１０ａ・・・１０ｅの
表面に付着し、薄膜１０ａ・・・１０ｅを分解する。こ
の分解液７がウェノ・４の表面を伝って落下して来たと
ころ分解液受皿８で受液する。
ャリア５の隙間５ａを通ってＮ膜１０ａ・・・１０ｅの
表面に付着し、薄膜１０ａ・・・１０ｅを分解する。こ
の分解液７がウェノ・４の表面を伝って落下して来たと
ころ分解液受皿８で受液する。
次に、分解液受皿８かも分解液７を例えばマイクロピペ
ットで回収し、フレーム原子吸光分析装置の分析セル内
に注液する。而して、分析条件を乾燥１２０℃、３０秒
間、灰化６００〜１０００℃、３０秒間、原子化２５０
０〜２８００℃、８秒間、キャリアガスをアルゴン３０
０ ｍＶ分（ただし、原子化時は０１１ＬＶ分）に設定
して、分解液７中の不純物の定量、定性を行う。
ットで回収し、フレーム原子吸光分析装置の分析セル内
に注液する。而して、分析条件を乾燥１２０℃、３０秒
間、灰化６００〜１０００℃、３０秒間、原子化２５０
０〜２８００℃、８秒間、キャリアガスをアルゴン３０
０ ｍＶ分（ただし、原子化時は０１１ＬＶ分）に設定
して、分解液７中の不純物の定量、定性を行う。
この定量、定性結果から、半導体薄膜形成装置の清浄度
の評価を行う。
の評価を行う。
なお、分解液受皿８は、ウェハ４ごとに対応して仕切ら
ｉｌているので、１回の密閉容器１での分解液回収操作
によって、複数台の半導体薄膜形成装置の清浄度評価を
行うことができる。
ｉｌているので、１回の密閉容器１での分解液回収操作
によって、複数台の半導体薄膜形成装置の清浄度評価を
行うことができる。
また、分解液７の分析は、原子吸光分析によって行うの
で、経済的にも安価でアシ、しかも高い作業能率の下に
行うことができる。
で、経済的にも安価でアシ、しかも高い作業能率の下に
行うことができる。
また、半導体薄膜形成装置としては、例えば熱酸化炉（
Ｓ１０２膜形成用）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ ＰｒｅＦＩ
ｓｕｒｅＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｎｓｉ
ｔｉｏｎ）装置（Ｓｉ０２膜形成用）、プラズマＣＶＤ
装置（Ｓ１３Ｎ４膜形成用）等がある。
Ｓ１０２膜形成用）、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ ＰｒｅＦＩ
ｓｕｒｅＣｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｎｓｉ
ｔｉｏｎ）装置（Ｓｉ０２膜形成用）、プラズマＣＶＤ
装置（Ｓ１３Ｎ４膜形成用）等がある。
また、本発明の効果を確認するために、酸化炉（Ａ）・
・・０）で５１０２膜１０ａ・・・１０ｄを形成したウ
ェハ４について、実施例に従って不純物の分析を行った
ところ下記表に示す結果を得た。同表からも明らかなよ
うに本発明方法によれば、１０’／６Ｉｉ以上のオーダ
ーで定量、定性分析が可（但し薄膜の膜厚は１０００
Ｘ ） 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る清浄度評価方法によれ
ば、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度及び
能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価することが
できるものである。
・・０）で５１０２膜１０ａ・・・１０ｄを形成したウ
ェハ４について、実施例に従って不純物の分析を行った
ところ下記表に示す結果を得た。同表からも明らかなよ
うに本発明方法によれば、１０’／６Ｉｉ以上のオーダ
ーで定量、定性分析が可（但し薄膜の膜厚は１０００
Ｘ ） 〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る清浄度評価方法によれ
ば、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度及び
能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価することが
できるものである。
第１図は、本発明方法にて使用する密閉容器の概略構成
を示す説明図、第２図は、同装置の■−■線に清う断面
図である。 １・・・密閉容器、２・・・弗化水素酸、３・・・ビー
力、４・・・ウェハ ５・・・ウェハキャリア、６・・
・支持台、７・・・分解液、８・・・分解液受皿、９・
・・蓋体、１０ａ。 １０ ｂ 、 １０ ｃ 、 １０ ｄ 、 １０ ｅ
・＝薄膜、１ノ・・・キャリアカバー０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦箒１図 ！’＋ｓ ２ 口 ！Ｉ”Ｊ’；ｒＱ庁長官 若杉相夫 ｊ設■、事件の表
示 特願昭５９− ｔｉ ８６４号 ２ 発明の名称 ７１７ ｊｆ’ ｌ見１．・Ｉ・何方ｌ云：３．補１１
：、をする菖 ′ｊ１（牛との関（系 楠ｄ「出１５１人（３０７）
東京芝浦屯気抹式会社 ・１８代１ｊ１人 ７、補正の内容 （１） 明細書Ｓ第７頁σ）表を下ｇ己のプ再ＩＪ言丁
ｊＥする。 記 表 （但し薄膜の膜厚は１０００ス）
を示す説明図、第２図は、同装置の■−■線に清う断面
図である。 １・・・密閉容器、２・・・弗化水素酸、３・・・ビー
力、４・・・ウェハ ５・・・ウェハキャリア、６・・
・支持台、７・・・分解液、８・・・分解液受皿、９・
・・蓋体、１０ａ。 １０ ｂ 、 １０ ｃ 、 １０ ｄ 、 １０ ｅ
・＝薄膜、１ノ・・・キャリアカバー０ 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦箒１図 ！’＋ｓ ２ 口 ！Ｉ”Ｊ’；ｒＱ庁長官 若杉相夫 ｊ設■、事件の表
示 特願昭５９− ｔｉ ８６４号 ２ 発明の名称 ７１７ ｊｆ’ ｌ見１．・Ｉ・何方ｌ云：３．補１１
：、をする菖 ′ｊ１（牛との関（系 楠ｄ「出１５１人（３０７）
東京芝浦屯気抹式会社 ・１８代１ｊ１人 ７、補正の内容 （１） 明細書Ｓ第７頁σ）表を下ｇ己のプ再ＩＪ言丁
ｊＥする。 記 表 （但し薄膜の膜厚は１０００ス）
Claims (1)
- 半導体薄膜形成装置にて薄膜を形成した被処理体を密閉
容器内に設置し、弗化水素蒸気にて前記薄膜を分解して
その分解液を回収し、該分解液中の不純物の量を測定す
ることによシ、前記半導体薄膜形成装置の清浄度を評価
することを特徴とする清浄度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686484A JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686484A JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150620A true JPS60150620A (ja) | 1985-08-08 |
| JPH0666260B2 JPH0666260B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=11650104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP686484A Expired - Lifetime JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666260B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333570A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法 |
| WO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP686484A patent/JPH0666260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04333570A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-20 | Central Glass Co Ltd | Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法 |
| WO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
| JPWO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2010-08-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
| JP5120789B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666260B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |