JPS61221649A - 半導体薄膜の分解装置 - Google Patents
半導体薄膜の分解装置Info
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- JPS61221649A JPS61221649A JP60061840A JP6184085A JPS61221649A JP S61221649 A JPS61221649 A JP S61221649A JP 60061840 A JP60061840 A JP 60061840A JP 6184085 A JP6184085 A JP 6184085A JP S61221649 A JPS61221649 A JP S61221649A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/3103—Atomic absorption analysis
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体薄膜の分解装置に関し、さらに詳しくは
、半導体薄膜中の超微量不純物分析用の試料溶液を調製
するための半導体薄膜の分解装置に関するものである。
、半導体薄膜中の超微量不純物分析用の試料溶液を調製
するための半導体薄膜の分解装置に関するものである。
ＳｔＯ，＠やＳｔ、Ｎ、膜などの半導体薄膜は、シリコ
ン半導体素子におけるドープ剤部分拡散マスクや金属蒸
着膜の保＠膜として使用されているが、この薄膜中にＮ
ａ、に、Ｆａ などの不純物が存在すると、たとえそ
の量が超微量でありでも、素子の電気特性は大きな影響
を受ける。このため、超Ｌ８Ｉ素子等の性能を高めるた
めには、これらの不純物の含有量を出来得る限シ低く抑
える必要があるが。
ン半導体素子におけるドープ剤部分拡散マスクや金属蒸
着膜の保＠膜として使用されているが、この薄膜中にＮ
ａ、に、Ｆａ などの不純物が存在すると、たとえそ
の量が超微量でありでも、素子の電気特性は大きな影響
を受ける。このため、超Ｌ８Ｉ素子等の性能を高めるた
めには、これらの不純物の含有量を出来得る限シ低く抑
える必要があるが。
この目的を達成するためには、半導体薄膜中にかかる不
純物の製置及びその面内分布を正確に測定する必要があ
る。
純物の製置及びその面内分布を正確に測定する必要があ
る。
半導体薄膜中の不純物置を測定するためには。
従来、フレームレス原子吸光分析装置が使用されている
が、この分析装置にかける試料の調製には大きな問題点
が存在する。
が、この分析装置にかける試料の調製には大きな問題点
が存在する。
従来の試料調製法は、半導体薄膜を弗化水素酸（弗酸）
と硫・酸との混合溶液で直接分解した後。
と硫・酸との混合溶液で直接分解した後。
得られた分雫液を蒸発乾固して残渣を得、これを純水を
用いて一定容量に希釈することによって、フレームレス
原子吸光分析用の試料を得る方法であった。しかしなが
ら、この従来法によるときには、半導体薄膜を分解する
ために使用する試薬からの汚染が極めて大きく、たとえ
非沸騰蒸留法やイオン交換法で精製した試薬を用いた場
會でも、これらの試薬がすでに０．１ ｐｐｂ以上の不
純物（Ｎａ 。
用いて一定容量に希釈することによって、フレームレス
原子吸光分析用の試料を得る方法であった。しかしなが
ら、この従来法によるときには、半導体薄膜を分解する
ために使用する試薬からの汚染が極めて大きく、たとえ
非沸騰蒸留法やイオン交換法で精製した試薬を用いた場
會でも、これらの試薬がすでに０．１ ｐｐｂ以上の不
純物（Ｎａ 。
Ｋなど）を含有しているため、Ｉ Ｏ” Ｉ ７ｃｍ”
以下の薄膜中不純物の量を、フレームレス原子吸光分析
装置を用いて、正確に測定することは極めて困難なこと
である。また、薄膜試料を汚染させずに分割して分解す
ることが不可能であるため、薄膜中不純物の面内分布も
正確に測定することは極１．めで困難である。
以下の薄膜中不純物の量を、フレームレス原子吸光分析
装置を用いて、正確に測定することは極めて困難なこと
である。また、薄膜試料を汚染させずに分割して分解す
ることが不可能であるため、薄膜中不純物の面内分布も
正確に測定することは極１．めで困難である。
本発明はかかる従来技術の問題点を解消することを目的
とする。すなわち１本発明は、フレームレス原子吸光分
析用の試料溶液調製法において、分解試薬や環境からの
汚染がほとんどないものを調製する装置を提供すること
及び薄膜試料を汚染させずに分割公憤することを目的と
する。
とする。すなわち１本発明は、フレームレス原子吸光分
析用の試料溶液調製法において、分解試薬や環境からの
汚染がほとんどないものを調製する装置を提供すること
及び薄膜試料を汚染させずに分割公憤することを目的と
する。
本発明の半導体薄膜分解装置は、半導体薄膜１゜弗化水
素酸などの揮発性物質ガスを用いて分解する装置で、あ
るが、その特徴は、密閉容器；該密閉容器内に設けられ
たガス発生用揮発性物質貯就容器；該密閉容器内に設け
られた半導体薄膜試料を水平に収納する収納容器；及び
弗化水素酸貯蔵容器を加熱する加熱手段から構成される
ものである。
素酸などの揮発性物質ガスを用いて分解する装置で、あ
るが、その特徴は、密閉容器；該密閉容器内に設けられ
たガス発生用揮発性物質貯就容器；該密閉容器内に設け
られた半導体薄膜試料を水平に収納する収納容器；及び
弗化水素酸貯蔵容器を加熱する加熱手段から構成される
ものである。
本発明装置を構成する揮発性物質貯蔵容器は、一定量の
弗化水素酸、アンモニア等の揮発性アルカリを貯蔵し、
そこから、薄膜分解性のガスを効率よく発生蒸発せしめ
得るものであればいかなるものでありてもよい。
弗化水素酸、アンモニア等の揮発性アルカリを貯蔵し、
そこから、薄膜分解性のガスを効率よく発生蒸発せしめ
得るものであればいかなるものでありてもよい。
半導体薄膜試料の収納容器は１分解されるべき半導体薄
膜を収納し、そこに貯蔵容器から弗化水素ガス等が接触
して、半導体薄膜の分解が行なわれ、その分解液及び薄
膜試料が少なくとも、分解完了まで静止している（移動
しない）ような位置関係で該密閉容器内に設けられたも
のである。薄膜試料の収納容器は、−個の薄膜試料（例
えば。
膜を収納し、そこに貯蔵容器から弗化水素ガス等が接触
して、半導体薄膜の分解が行なわれ、その分解液及び薄
膜試料が少なくとも、分解完了まで静止している（移動
しない）ような位置関係で該密閉容器内に設けられたも
のである。薄膜試料の収納容器は、−個の薄膜試料（例
えば。
薄膜のついた試料ウニ八−）を収納するだけでもよく、
複数個の薄膜試料を収納するものであってもよい、複数
個の薄膜試料を収納し、これを同時分解するためには、
例えば収納容器を複数個積みあげたシ、又は１つの収納
容器内を複数室に間仕切りすればよい。
複数個の薄膜試料を収納するものであってもよい、複数
個の薄膜試料を収納し、これを同時分解するためには、
例えば収納容器を複数個積みあげたシ、又は１つの収納
容器内を複数室に間仕切りすればよい。
更には、収納容器は上面開口することなく１通気孔を例
えば側壁に具備する蓋で覆えば、密閉容□器の天井等か
ら滴下する酸溶液からの汚染を防止し得て有効である。
えば側壁に具備する蓋で覆えば、密閉容□器の天井等か
ら滴下する酸溶液からの汚染を防止し得て有効である。
なお、収納容器内で、薄膜試料の上面に間仕切りわくを
のせ、固定することによシ、薄膜試料を分割して弗酸蒸
気で分解することができる。
のせ、固定することによシ、薄膜試料を分割して弗酸蒸
気で分解することができる。
弗化水素酸容器の加熱手段は、弗化水素酸液を蒸発させ
て、弗化水素ガスを効率よく発生させるために配設され
る。電気抵抗加熱等その加熱手段の１ｇ１１ｊｌＩは問
わない、これら加熱手段は汚染防止の観点から密閉容器
の外部に配設されることが好ましい、また、必要に応じ
ては、貯蔵容器を加熱するために設けてもよい。
て、弗化水素ガスを効率よく発生させるために配設され
る。電気抵抗加熱等その加熱手段の１ｇ１１ｊｌＩは問
わない、これら加熱手段は汚染防止の観点から密閉容器
の外部に配設されることが好ましい、また、必要に応じ
ては、貯蔵容器を加熱するために設けてもよい。
本発明の装置を構成する部材の材質には、それが、測定
を目的とする半導体薄膜試料中の不純物の正確な測定を
直接的にも間接的にも妨害するものでないかぎシ、いか
なるものであってもよいが、分解用ガスが弗化水素ガス
であることから、弗化 ゛水素に耐え得る樹脂、ポリエ
チレン樹脂等を用いるのが好ましい。これらの樹脂は、
耐酸性及び耐熱性が優れているうえに、弗化水素酸、硝
□酸、塩酸などの混酸による洗浄によりて不純物を容易
に除去することができ、かかる洗浄を終えたものからの
不純物の溶出が極めて少なく、本発明の目的にかなりた
材質である。
を目的とする半導体薄膜試料中の不純物の正確な測定を
直接的にも間接的にも妨害するものでないかぎシ、いか
なるものであってもよいが、分解用ガスが弗化水素ガス
であることから、弗化 ゛水素に耐え得る樹脂、ポリエ
チレン樹脂等を用いるのが好ましい。これらの樹脂は、
耐酸性及び耐熱性が優れているうえに、弗化水素酸、硝
□酸、塩酸などの混酸による洗浄によりて不純物を容易
に除去することができ、かかる洗浄を終えたものからの
不純物の溶出が極めて少なく、本発明の目的にかなりた
材質である。
又、半導体薄膜の分解状況を監視できるように密閉容器
の少なくとも一部を透明材料で構成することが好ましい
、このような構成をとることにょシ１分解状況に応じて
分解処理を停止することができるため１分解処理に要す
る時間を短縮することができる。さらに、分解・処理中
に密閉容器を開けて１分解状況をみる必要がないため、
大気中から等の不純物の混・人を防止することができる
。極めて微量の分析を行なうため、このような不純物の
混入はできる限り避けることが好ましく、その効果は大
なるものである。この透明材料としては、前述のとと（
耐弗化水素、耐熱材料であることが好ましく、例えば四
弗化エチレンと六弗化エチレンとの共重合体、四弗化エ
チレンとエチレンとの共重合体、ポリエチレンやアクリ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリルニトリ
ルスチレン樹脂等が好ましい。なおアクリル樹脂やポリ
カーボネート樹脂などの透明樹脂に耐弗化水素酸フィル
ムでラミネートした板材でもよい。
の少なくとも一部を透明材料で構成することが好ましい
、このような構成をとることにょシ１分解状況に応じて
分解処理を停止することができるため１分解処理に要す
る時間を短縮することができる。さらに、分解・処理中
に密閉容器を開けて１分解状況をみる必要がないため、
大気中から等の不純物の混・人を防止することができる
。極めて微量の分析を行なうため、このような不純物の
混入はできる限り避けることが好ましく、その効果は大
なるものである。この透明材料としては、前述のとと（
耐弗化水素、耐熱材料であることが好ましく、例えば四
弗化エチレンと六弗化エチレンとの共重合体、四弗化エ
チレンとエチレンとの共重合体、ポリエチレンやアクリ
ル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリルニトリ
ルスチレン樹脂等が好ましい。なおアクリル樹脂やポリ
カーボネート樹脂などの透明樹脂に耐弗化水素酸フィル
ムでラミネートした板材でもよい。
又、前記弗化水素酸等を加熱することによシ、効果的に
弗化水素ガス等を発生させることができ。
弗化水素ガス等を発生させることができ。
半導体薄膜の分解速度を高めることができる。しかしな
がらあま夛高温とすると揮発性物質溶液中からの不純物
の混入の恐れがあるため揮発性物質の′Ｓ度は５０℃以
下、特に３０〜４０℃の範囲が好ましい。
がらあま夛高温とすると揮発性物質溶液中からの不純物
の混入の恐れがあるため揮発性物質の′Ｓ度は５０℃以
下、特に３０〜４０℃の範囲が好ましい。
このように構成された装置を用いることによシ、半導体
薄膜中の不純物及びその面内分布を、正確に測定するこ
とができる。
薄膜中の不純物及びその面内分布を、正確に測定するこ
とができる。
次に、添付した図面に基づいて本発明をさらに具体的に
説明する。添付の第１図は１本発明装置の一実施例の縦
断面図概略図であるが、密閉容器１、弗化水累酸貯賊容
器（弗化水累蒸発用ビーカーン２．試料の収納容器３１
間仕切）枠４から構成されている。
説明する。添付の第１図は１本発明装置の一実施例の縦
断面図概略図であるが、密閉容器１、弗化水累酸貯賊容
器（弗化水累蒸発用ビーカーン２．試料の収納容器３１
間仕切）枠４から構成されている。
装置の材質はすべて弗素樹脂＜ｆｌえば°テフロンｍ）
で、使用前に弗化水素酸、硝酸、塩酸の混酸溶液で加熱
洗浄した後、純水で洗浄する。８ｉ０゜または８１．Ｎ
４薄膜６０ついた試料ウェハー７を収納容器３の溝底に
水平な状態で入れておき、さらｌｃ、試料ウェハー７の
上面に、間仕切〕枠４を置き固定する。その後、弗化水
素酸５を蒸発用ビーカー２に入れて所定時間放置する。
で、使用前に弗化水素酸、硝酸、塩酸の混酸溶液で加熱
洗浄した後、純水で洗浄する。８ｉ０゜または８１．Ｎ
４薄膜６０ついた試料ウェハー７を収納容器３の溝底に
水平な状態で入れておき、さらｌｃ、試料ウェハー７の
上面に、間仕切〕枠４を置き固定する。その後、弗化水
素酸５を蒸発用ビーカー２に入れて所定時間放置する。
この場合、放置時間は１分解が完了してから、３００分
間程度超過しても１分析感度や精度に影響はほとんどな
い、な詔、放置ｍｌ！は５０℃以下。
間程度超過しても１分析感度や精度に影響はほとんどな
い、な詔、放置ｍｌ！は５０℃以下。
特に３０〜ｂ
必要に応じ加熱手段を設けるが通常のヒータ、等の加熱
手段でよい、薄膜は発生する弗化水素ガス９によって完
全に分解する。
手段でよい、薄膜は発生する弗化水素ガス９によって完
全に分解する。
薄＠が完全に分解した後は、密閉を解除した時、人体に
有害である弗化水素ガスの発生量を低減するため分解装
置の少な（とも°弗化水素酸溶液を室温以下、好ましく
は０℃ｌ！度に冷却することが望ましい。
有害である弗化水素ガスの発生量を低減するため分解装
置の少な（とも°弗化水素酸溶液を室温以下、好ましく
は０℃ｌ！度に冷却することが望ましい。
その後１分解液８をマイクロピペットで回収し攪拌し計
量した後、蒸発乾固による分離ａｍを行なうことなく直
接フレームレス原子吸光分析装置で測定する。
量した後、蒸発乾固による分離ａｍを行なうことなく直
接フレームレス原子吸光分析装置で測定する。
なお、密閉容器ｌは、透明蓋体１１によシ密閉される。
このように直接酸分解することナク、弗化水素ガスを用
いて分解処理を行なうため、非常に高感変の検出が可能
となる。この弗化水素ガスは、弗化水素酸の蒸発ガスを
用いるため、たとえ溶液中に不純物が含まれていたとし
ても、蒸発ガス中では極めて不純物量は少ない、従りて
回収される試料用の溶液中の不純物量も少なくなるので
ある。
いて分解処理を行なうため、非常に高感変の検出が可能
となる。この弗化水素ガスは、弗化水素酸の蒸発ガスを
用いるため、たとえ溶液中に不純物が含まれていたとし
ても、蒸発ガス中では極めて不純物量は少ない、従りて
回収される試料用の溶液中の不純物量も少なくなるので
ある。
以下、実施例によシ１本発明をさらに詳細に説明する。
実施例Ｉ
Ｓｉウェハーに熱酸化法で作製したＳｔＯ，膜（２３２
人）中の不純物を１本発明の装置を用いて公憤しフレー
ムレス−原子吸光分析装置で調べた。
人）中の不純物を１本発明の装置を用いて公憤しフレー
ムレス−原子吸光分析装置で調べた。
分解及び測定条件
■薄膜の分解条件・・・・・・弗化水素＃（５０１：１
００１ｎｊ、温［：３０℃、密閉容器の空間体積：約１
６’０ＱＯＣＩＩ” 、分解放置時間二６０分。
００１ｎｊ、温［：３０℃、密閉容器の空間体積：約１
６’０ＱＯＣＩＩ” 、分解放置時間二６０分。
■フレームレスメ子吸光分析装置の測定条件・・・−ａ
ｍ：ｔｚｏ℃ｔ”３０秒、灰化： Ｆ５１ｆｉ［（Ｎａ
：６００℃、Ｋニア００℃、ＦｅとＣｒ ： １０００
℃） で３０秒、原子化二所定温度（Ｎ烏： ２５００
℃、Ｋ：２７００℃、ＦｅとＣｒ：２ｓｏｏ℃）で８秒
、キャリアガス：アルゴン１００ｍｊ／分、ただし原子
化時だけはＯｍｊ ／分、測定波長：Ｎａ５８９−Ｎａ
３８９−０ｎ、５ｎｍ、Ｆｅ２４８．３ｎｍ、Ｃｒ３５
９．４ｎｍ、妨害吸収補正用光源：ＮａやＸの分析時に
はハロゲンタングステンランプ、ＦｅやＣｒの分析時に
は重水累ランプを使用。
ｍ：ｔｚｏ℃ｔ”３０秒、灰化： Ｆ５１ｆｉ［（Ｎａ
：６００℃、Ｋニア００℃、ＦｅとＣｒ ： １０００
℃） で３０秒、原子化二所定温度（Ｎ烏： ２５００
℃、Ｋ：２７００℃、ＦｅとＣｒ：２ｓｏｏ℃）で８秒
、キャリアガス：アルゴン１００ｍｊ／分、ただし原子
化時だけはＯｍｊ ／分、測定波長：Ｎａ５８９−Ｎａ
３８９−０ｎ、５ｎｍ、Ｆｅ２４８．３ｎｍ、Ｃｒ３５
９．４ｎｍ、妨害吸収補正用光源：ＮａやＸの分析時に
はハロゲンタングステンランプ、ＦｅやＣｒの分析時に
は重水累ランプを使用。
上記の条件でＮｌ：４Ｘ１０”す／ｃｍ ” 、 Ｋ
： Ｉ Ｘ１０−” Ｉ／ｃｓ” 、Ｆｅ：２．７Ｘ
１０−”１７ｃｍ”、Ｃｒ ：５Ｘ１ Ｇ−” Ｉ ７
ｃｍ”を分析することができた。しかし。
： Ｉ Ｘ１０−” Ｉ／ｃｓ” 、Ｆｅ：２．７Ｘ
１０−”１７ｃｍ”、Ｃｒ ：５Ｘ１ Ｇ−” Ｉ ７
ｃｍ”を分析することができた。しかし。
従来の直接酸分解−フレームレス原子吸光分析法（■薄
膜の分解条件・・・弗化水素酸（５０％ ） ５ｍｌと
硫酸（９６ｑｂ）０．１ｍｊと純水５ ｍｊとの混ｒａ
ｍ液で３０℃にて薄膜を１０分間で分解し、その分解液
を約１６０℃で２時間加熱して蒸発乾固した後。
膜の分解条件・・・弗化水素酸（５０％ ） ５ｍｌと
硫酸（９６ｑｂ）０．１ｍｊと純水５ ｍｊとの混ｒａ
ｍ液で３０℃にて薄膜を１０分間で分解し、その分解液
を約１６０℃で２時間加熱して蒸発乾固した後。
純水で５ｍｊに希釈する。■フレームレス原子吸光分析
装置の測定条件・・・前記条件と同じ。）では、使用す
る試薬中の不純物のために、２Ｘ１０″″ＳｏＩ／ｃｍ
”以下のＮａ、に、Ｆｅ、ｌＸ１０−’°Ｉ ／ｃ−以
下のＣｒを検出することがで音なかりた。
装置の測定条件・・・前記条件と同じ。）では、使用す
る試薬中の不純物のために、２Ｘ１０″″ＳｏＩ／ｃｍ
”以下のＮａ、に、Ｆｅ、ｌＸ１０−’°Ｉ ／ｃ−以
下のＣｒを検出することがで音なかりた。
実施例２
８Ｍウニ八へにＬＰＣＶＤ法で作製したｓｔｏ、ｍ（３
０００Ａ）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解し
フレームレス原子吸光分析装置で調べたところ（■薄膜
の分解条件・・・弗化水素醗（ｓｏｎ）：１００ｍｊｓ
温度４０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００ｃｍ−
分解放置時間：６０分、■フレームレス原子吸光分析装
章の測定条件・・・実施例１の条件と同じ＠ ）％ Ｎ
ａ：ａ、ａｘｘｏ−１１１／ＣＩ” 、 Ｋ： ２．
２Ｘ１Ｇ−” Ｉ ／Ｃｍ” 、 Ｆｅニア
、８ＸＩＧ−鳳・ ９７ｃｍ”Ｃｒ ： ３．４ ＸＩ
Ｏ−” Ｉ ／ａｓ意を分析することができた。
０００Ａ）中の不純物を、本発明の装置を用いて分解し
フレームレス原子吸光分析装置で調べたところ（■薄膜
の分解条件・・・弗化水素醗（ｓｏｎ）：１００ｍｊｓ
温度４０℃、密閉容器の空間体積：約１６０００ｃｍ−
分解放置時間：６０分、■フレームレス原子吸光分析装
章の測定条件・・・実施例１の条件と同じ＠ ）％ Ｎ
ａ：ａ、ａｘｘｏ−１１１／ＣＩ” 、 Ｋ： ２．
２Ｘ１Ｇ−” Ｉ ／Ｃｍ” 、 Ｆｅニア
、８ＸＩＧ−鳳・ ９７ｃｍ”Ｃｒ ： ３．４ ＸＩ
Ｏ−” Ｉ ／ａｓ意を分析することができた。
しかし、従来法（実施例１の従来法の条件と同じ）では
、ｒｅ（：８Ｘ１Ｇ−”・ｊｌ／ｃ１１鳳）を除き％
Ｎａ、Ｋ。
、ｒｅ（：８Ｘ１Ｇ−”・ｊｌ／ｃ１１鳳）を除き％
Ｎａ、Ｋ。
Ｃｒを検出することはできなかりた。
実施例３
８１ウエハーにプラズマＣｖＤ法で作製した８ １ｓＮ
ａｌｌ （５０００Ａ ）中の不純物を、本発明装置を
用いて分解しフレームレス原子吸光分析装置によって調
べたところ（実施例２と同条件）％Ｎａ：１．ＯＸ］Ｏ
″″” Ｉ ／ｃｔａ”、 Ｋ ： １．２Ｘ１０″″
１ｍ ’５＋ ／ｃｍ’。
ａｌｌ （５０００Ａ ）中の不純物を、本発明装置を
用いて分解しフレームレス原子吸光分析装置によって調
べたところ（実施例２と同条件）％Ｎａ：１．ＯＸ］Ｏ
″″” Ｉ ／ｃｔａ”、 Ｋ ： １．２Ｘ１０″″
１ｍ ’５＋ ／ｃｍ’。
Ｐｅ：２．８ｘｔＯ−’・１７０ｍ” 、 Ｃｒ ：
４．４Ｘ１０−” １７０ｍ”を分析することができた
。しかし、従来法（実施例１の従来法と同条件）では％
Ｐａ （： ３Ｘ１０″″１０Ｉ／ｃＩｌ鵞）を除き、
Ｎａ、に、Ｃｒを検出することはできなかった。
４．４Ｘ１０−” １７０ｍ”を分析することができた
。しかし、従来法（実施例１の従来法と同条件）では％
Ｐａ （： ３Ｘ１０″″１０Ｉ／ｃＩｌ鵞）を除き、
Ｎａ、に、Ｃｒを検出することはできなかった。
実施例４
８Ｍウェハーに熱酸化法で作製した８１０Ｘ９ｇ（４５
０Ｘ）のオリフラ側及び反オリフラ側半分中の不純物を
本発明装置を用いて分解し、フレームレス原子吸光分析
装置によりて実施例１と同条件で測定したところ、オリ
フラ側はＮａ：６ＸＩＱ−”１７Ｃｍ” １ Ｋ ：
Ｉ Ｘ １０”−” １７０ｍ” 、 Ｆ ｅ ： ３
．７ Ｘ １ Ｇ−” １／ｃ＋ｓ” ％Ｏｒ ： ８
Ｘ１０−”畠１ ／ＣＩ＋” 、反オリフラ側はＮｓ：
６Ｘ１０−” １７０ｍ” ％に： １ｘＩＱ−＄１
１７Ｃｍ” 、 Ｆｅ ：２．７ＸＩＯ″″” １７０
ｍ” 、 Ｃｒ ６ Ｘｉ Ｏ−” １７０ｍ” を
分析することができた。しかし、従来法（実施例１の従
来法と同条件）ではいずれも２Ｘ１０−’°Ｉ ／ｃｒ
ｒｒ” 以下のＮａ、に、Ｆｅ、ｌＸｌ０−”Ｉｎｃ
♂以下のＣｒを検出することができなかった。
０Ｘ）のオリフラ側及び反オリフラ側半分中の不純物を
本発明装置を用いて分解し、フレームレス原子吸光分析
装置によりて実施例１と同条件で測定したところ、オリ
フラ側はＮａ：６ＸＩＱ−”１７Ｃｍ” １ Ｋ ：
Ｉ Ｘ １０”−” １７０ｍ” 、 Ｆ ｅ ： ３
．７ Ｘ １ Ｇ−” １／ｃ＋ｓ” ％Ｏｒ ： ８
Ｘ１０−”畠１ ／ＣＩ＋” 、反オリフラ側はＮｓ：
６Ｘ１０−” １７０ｍ” ％に： １ｘＩＱ−＄１
１７Ｃｍ” 、 Ｆｅ ：２．７ＸＩＯ″″” １７０
ｍ” 、 Ｃｒ ６ Ｘｉ Ｏ−” １７０ｍ” を
分析することができた。しかし、従来法（実施例１の従
来法と同条件）ではいずれも２Ｘ１０−’°Ｉ ／ｃｒ
ｒｒ” 以下のＮａ、に、Ｆｅ、ｌＸｌ０−”Ｉｎｃ
♂以下のＣｒを検出することができなかった。
本発明では試料を直接酸分解するのではなく、よシ高純
度な弗化水素ガスで分解するため、試薬からの汚染を大
幅に低減することができた。また、蒸発乾固の操作を行
なわないこと、詔よび密閉容器内で分解するため、環境
からの汚染も低減することができた０以上のことから、
本発明によって従来法に比較し１０００倍の超高感度化
を達成し、薄膜中の１０””” Ｉ ７ｃｍ”レベルの
Ｎａ、に、Ｆｅなどの金属不純物を分析可能とした。ま
た、不純物の面内分布も測定可能になった。しかも、試
料分解液調製のための操作は簡単であシ、その工業的価
値は大である。
度な弗化水素ガスで分解するため、試薬からの汚染を大
幅に低減することができた。また、蒸発乾固の操作を行
なわないこと、詔よび密閉容器内で分解するため、環境
からの汚染も低減することができた０以上のことから、
本発明によって従来法に比較し１０００倍の超高感度化
を達成し、薄膜中の１０””” Ｉ ７ｃｍ”レベルの
Ｎａ、に、Ｆｅなどの金属不純物を分析可能とした。ま
た、不純物の面内分布も測定可能になった。しかも、試
料分解液調製のための操作は簡単であシ、その工業的価
値は大である。
１１１Ｅ１図は１本発明の半導体薄膜分解装置の概略を
示す縦断面図である。 ｌ・・・密閉容器％２・・・揮発性物質貯蔵容器（蒸発
用ビーカー）、３・・・試料の収納容器、４・・・間仕
切シ枠、５・・・揮発性物質溶液％６・・・半導体薄膜
（ｓｉｏ。 膜＝ Ｓ １ｌＮ４１１！ ）、７・・・８１ウエハー
、８・・・分解液、９・・・分解性ガス、１０・・・加
熱手段、１１・・・透明蓋体。
示す縦断面図である。 ｌ・・・密閉容器％２・・・揮発性物質貯蔵容器（蒸発
用ビーカー）、３・・・試料の収納容器、４・・・間仕
切シ枠、５・・・揮発性物質溶液％６・・・半導体薄膜
（ｓｉｏ。 膜＝ Ｓ １ｌＮ４１１！ ）、７・・・８１ウエハー
、８・・・分解液、９・・・分解性ガス、１０・・・加
熱手段、１１・・・透明蓋体。
Claims (2)
- （１）密閉容器；該密閉容器内に配設された揮発性物質
貯蔵容器；該密閉容器内に配設され内部に半導体薄膜試
料が水平に収納されている収納容器；並びに揮発性物質
貯蔵容器を加熱する加熱手段を具備することを特徴とす
る半導体薄膜の分解装置。 - （２）半導体薄膜試料の収納容器が蓋付き容器であるこ
とを特許請求の範囲第１項記載の半導体薄膜の分解装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061840A JPS61221649A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60061840A JPS61221649A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61221649A true JPS61221649A (ja) | 1986-10-02 |
| JPH0525068B2 JPH0525068B2 (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=13182688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60061840A Granted JPS61221649A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 半導体薄膜の分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61221649A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195540A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
| WO1991012631A1 (en) * | 1990-02-19 | 1991-08-22 | Purex Co., Ltd. | Semiconductor wafer sample container and sample preparation method |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60061840A patent/JPS61221649A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63195540A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Toshiba Corp | 半導体薄膜の分解装置 |
| WO1991012631A1 (en) * | 1990-02-19 | 1991-08-22 | Purex Co., Ltd. | Semiconductor wafer sample container and sample preparation method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0525068B2 (ja) | 1993-04-09 |
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