JPH0666260B2 - 清浄度評価方法 - Google Patents
清浄度評価方法Info
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- JPH0666260B2 JPH0666260B2 JP686484A JP686484A JPH0666260B2 JP H0666260 B2 JPH0666260 B2 JP H0666260B2 JP 686484 A JP686484 A JP 686484A JP 686484 A JP686484 A JP 686484A JP H0666260 B2 JPH0666260 B2 JP H0666260B2
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- cleanliness
- film forming
- forming apparatus
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
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- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、清浄度評価方法に関する。
近年、本半導体装置は、超LSI化されて極めて微細なも
のになっている。このため、半導体装置を構成するSiO2
膜やSi3N4膜等の薄膜中にNa,K,Al等の不純物が超微量で
も存在していると、素子の電気特性に悪影響を及ぼす。
このため、SiO2膜等の薄膜を形成する半導体薄膜形成装
置の清浄度を評価する必要がある。
のになっている。このため、半導体装置を構成するSiO2
膜やSi3N4膜等の薄膜中にNa,K,Al等の不純物が超微量で
も存在していると、素子の電気特性に悪影響を及ぼす。
このため、SiO2膜等の薄膜を形成する半導体薄膜形成装
置の清浄度を評価する必要がある。
而して、半導体薄膜形成装置の清浄度を評価する方法と
して、MOSキャパシタを用いたフラットバンド電圧のシ
フト量から行う方法や、酸化膜の耐圧を測定する方法等
の電気的測定法がある。
して、MOSキャパシタを用いたフラットバンド電圧のシ
フト量から行う方法や、酸化膜の耐圧を測定する方法等
の電気的測定法がある。
MOSキャパシタを用いるものでは、電圧のシフト量が±
0.1Vの精度でしか測定できない。これは薄膜中の不純物
量に換算すると1010個／cm2程度に相当する。このよう
な悪い感度では、半導体薄膜形成装置の清浄度を十分に
評価できない。また、酸化膜耐圧法によるものでは、薄
膜の形成後に一連の処理工程が必要である。このため、
評価に多くの手間を要する問題がある。
0.1Vの精度でしか測定できない。これは薄膜中の不純物
量に換算すると1010個／cm2程度に相当する。このよう
な悪い感度では、半導体薄膜形成装置の清浄度を十分に
評価できない。また、酸化膜耐圧法によるものでは、薄
膜の形成後に一連の処理工程が必要である。このため、
評価に多くの手間を要する問題がある。
また、イオンマイクロアナライザーやオージェ電子分光
装置等を利用した半導体薄膜形成装置の清浄度評価方法
もあるが、これらの方法では、装置が高価であり、しか
も測定に長時間を要し、作業能率が悪いという問題があ
った。
装置等を利用した半導体薄膜形成装置の清浄度評価方法
もあるが、これらの方法では、装置が高価であり、しか
も測定に長時間を要し、作業能率が悪いという問題があ
った。
本発明は、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感
度及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価する
ことができる清浄度評価方法を提供することをその目的
とするものである。
度及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価する
ことができる清浄度評価方法を提供することをその目的
とするものである。
本発明は、被処理体上に形成した薄膜をフッ化水素の蒸
気で分解して得た分解液中の不純物の量を測定すること
により、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度
及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価するこ
とができる清浄度評価方法である。
気で分解して得た分解液中の不純物の量を測定すること
により、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度
及び能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価するこ
とができる清浄度評価方法である。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は、本発明方法にて使用する密閉容器の斜視図、
第２図は、同容器のII−II線に沿う断面図である。密閉
容器１は、例えばテトラフルオロエチレン等の耐薬品性
に優れた材質で形成されている。密閉容器１内には、超
高純度の弗化水素酸２を満したビーカ３が設置されてい
る。また、密閉容器１内には、被処理体であるウェハ４
を保持するウェハキャリア５の支持台６が設置されてい
る。支持台６には、ウェハキャリア５に保持したウェハ
４の直下に後述する分解液７を受液するようにウェハ４
ごとに対応して区切られた分解液受皿８が嵌合されてい
る。なお、同図中９は、密閉容器１の蓋体である。
第２図は、同容器のII−II線に沿う断面図である。密閉
容器１は、例えばテトラフルオロエチレン等の耐薬品性
に優れた材質で形成されている。密閉容器１内には、超
高純度の弗化水素酸２を満したビーカ３が設置されてい
る。また、密閉容器１内には、被処理体であるウェハ４
を保持するウェハキャリア５の支持台６が設置されてい
る。支持台６には、ウェハキャリア５に保持したウェハ
４の直下に後述する分解液７を受液するようにウェハ４
ごとに対応して区切られた分解液受皿８が嵌合されてい
る。なお、同図中９は、密閉容器１の蓋体である。
先ず、密閉容器１を使用前に硝酸、塩酸の混合溶液を用
いて加熱洗浄した後、純水ですすぎ洗いする。
いて加熱洗浄した後、純水ですすぎ洗いする。
次いで、蓋体９を開けて、ウェハキャリア５に図示しな
い半導体薄膜形成装置で薄膜10a…10eを形成したウェハ
４を保持せしめる。次いで、ウェハキャリア５上にキャ
リアカバー11を設置した後、蓋体９を閉じて密閉状態に
する。
い半導体薄膜形成装置で薄膜10a…10eを形成したウェハ
４を保持せしめる。次いで、ウェハキャリア５上にキャ
リアカバー11を設置した後、蓋体９を閉じて密閉状態に
する。
次に、密閉容器１内を20〜35℃の温度に保って所定時間
放置する。この放置時間は、ウェハ４の材質、薄膜10a
…10eの材質に応じて適宜設定する。
放置する。この放置時間は、ウェハ４の材質、薄膜10a
…10eの材質に応じて適宜設定する。
而して、ビーカ３から揮散した弗化水素蒸気がウェハキ
ャリア５の隙間5aを通って薄膜10a…10eの表面に付着
し、薄膜10a…10eを分解する。この分解液７がウェハ４
の表面を伝って落下して来たところ分解液受皿８で受液
する。
ャリア５の隙間5aを通って薄膜10a…10eの表面に付着
し、薄膜10a…10eを分解する。この分解液７がウェハ４
の表面を伝って落下して来たところ分解液受皿８で受液
する。
次に、分解液受皿８から分解液７を例えばマイクロピペ
ットで回収し、フレーム原子吸光分析装置の分析セル内
に注液する。而して、分析条件を乾燥120℃、30秒間、
灰化600〜1000℃、30秒間、原子化2500〜2800℃、８秒
間、キャリアガスをアルゴン300ml/分（ただし、原子化
時は０ml/分）に設定して、分解液７中の不純物の定
量，定性を行う。
ットで回収し、フレーム原子吸光分析装置の分析セル内
に注液する。而して、分析条件を乾燥120℃、30秒間、
灰化600〜1000℃、30秒間、原子化2500〜2800℃、８秒
間、キャリアガスをアルゴン300ml/分（ただし、原子化
時は０ml/分）に設定して、分解液７中の不純物の定
量，定性を行う。
この定量，定性結果から、半導体薄膜形成装置の清浄度
の評価を行う。
の評価を行う。
なお、分解液受皿８は、ウェハ４ごとに対応して仕切ら
れているので、１回の密閉容器１での分解液回収操作に
よって、複数台の半導体薄膜形成装置の清浄度評価を行
うことができる。また、分解液７の分析は、原子吸光分
析によって行うので、経済的にも安価であり、しかも高
い作業能率の下に行うことができる。
れているので、１回の密閉容器１での分解液回収操作に
よって、複数台の半導体薄膜形成装置の清浄度評価を行
うことができる。また、分解液７の分析は、原子吸光分
析によって行うので、経済的にも安価であり、しかも高
い作業能率の下に行うことができる。
また、半導体薄膜形成装置としては、例えば熱酸化炉
（SiO2膜形成用）、LPCVD（Low Pressure Chemical
Vapor Deposition）装置（SiO2膜形成用）、プラズマC
VD装置（Si3N4膜形成用）等がある。
（SiO2膜形成用）、LPCVD（Low Pressure Chemical
Vapor Deposition）装置（SiO2膜形成用）、プラズマC
VD装置（Si3N4膜形成用）等がある。
また、本発明の効果を確認するために、酸化炉(A)…(D)
でSiO2膜10a…10dを形成したウェハ４について、実施例
に従って不純物の分析を行ったところ下記表に示す結果
を得た。同表からも明らかなように本発明方法によれ
ば、109／cm２以上のオーダーで定量，定性分析が可能
であることが判った。
でSiO2膜10a…10dを形成したウェハ４について、実施例
に従って不純物の分析を行ったところ下記表に示す結果
を得た。同表からも明らかなように本発明方法によれ
ば、109／cm２以上のオーダーで定量，定性分析が可能
であることが判った。
〔発明の効果〕 以上説明した如く、本発明に係る清浄度評価方法によれ
ば、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度及び
能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価することが
できるものである。
ば、半導体薄膜形成装置の清浄度を極めて高い感度及び
能率の下に、しかも安価な手段で容易に評価することが
できるものである。
第１図は、本発明方法にて使用する密閉容器の概略構成
を示す説明図、第２図は、同装置のII−II線に沿う断面
図である。 １……密閉容器、２……弗化水素酸、３……ビーカ、４
……ウェハ、５……ウェハキャリア、６……支持台、７
……分解液、８……分解液受皿、９……蓋体、10a,10b,
10c,10d,10e……薄膜、11……キャリアカバー。
を示す説明図、第２図は、同装置のII−II線に沿う断面
図である。 １……密閉容器、２……弗化水素酸、３……ビーカ、４
……ウェハ、５……ウェハキャリア、６……支持台、７
……分解液、８……分解液受皿、９……蓋体、10a,10b,
10c,10d,10e……薄膜、11……キャリアカバー。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体薄膜形成装置にて薄膜を形成した被
処理体を密閉容器内に設置し、弗化水素蒸気にて前記薄
膜を分解してその分解液を回収し、該分解液中の不純物
の量を測定することにより、前記半導体薄膜形成装置の
清浄度を評価することを特徴とする清浄度評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686484A JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686484A JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60150620A JPS60150620A (ja) | 1985-08-08 |
| JPH0666260B2 true JPH0666260B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=11650104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP686484A Expired - Lifetime JPH0666260B2 (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | 清浄度評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666260B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2901778B2 (ja) * | 1991-05-08 | 1999-06-07 | セントラル硝子株式会社 | Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法 |
| WO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP686484A patent/JPH0666260B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60150620A (ja) | 1985-08-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |