JPS61251740A - 半導体薄膜分解装置 - Google Patents
半導体薄膜分解装置Info
- Publication number
- JPS61251740A JPS61251740A JP9286185A JP9286185A JPS61251740A JP S61251740 A JPS61251740 A JP S61251740A JP 9286185 A JP9286185 A JP 9286185A JP 9286185 A JP9286185 A JP 9286185A JP S61251740 A JPS61251740 A JP S61251740A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- thin film
- semiconductor
- support
- decomposing
- Prior art date
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- Pending
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Weting (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体ウェーハの表面に形成された半導体薄膜
を検査するに際して使用される半導体薄膜分解装置に関
する。
を検査するに際して使用される半導体薄膜分解装置に関
する。
半導体ウェーハ表面の半導体薄膜中に金属不純物が存在
すると、それ゛がたとえ超微母であっても半導体素子の
電気的特性に大きな影豐を与える。
すると、それ゛がたとえ超微母であっても半導体素子の
電気的特性に大きな影豐を与える。
従゛って、半導体素子の特性を向上させるため、これら
の不純物の含有量をできるだけ少量にする必要がある。
の不純物の含有量をできるだけ少量にする必要がある。
このことから半導体１１１１中の不純物ｍを正確に測定
するため、半導体薄膜を分解して検査することが行われ
ている。
するため、半導体薄膜を分解して検査することが行われ
ている。
第３図はかかる操作に使用される分解装置の従来例であ
る。上部開放の容器本体１と蓋９とによって密閉容器が
形成され、この容器内に薬液容器２と、分解液受皿５と
、支持具３とが配設されている。薬液容器２は半導体ａ
ｇｅを分解するフッ化水素酸等の薬液が高純度の状態で
貯溜されると共に、この薬液を蒸発させるものであり、
通常広口状のビー力等が使用される。前記支持具３は半
導体１ｍ１１６が形成された半導体ウェーハ７を直立状
に支持するものであり、保持台４上に取り付けられてい
る。又、分解液受皿５はこの支持具３によって支持され
た各半導体ウェーハ７の下方に設けられ、半導体１１１
１６が薬液蒸気で分解する際に生じる分解液１１を収容
するものである。
る。上部開放の容器本体１と蓋９とによって密閉容器が
形成され、この容器内に薬液容器２と、分解液受皿５と
、支持具３とが配設されている。薬液容器２は半導体ａ
ｇｅを分解するフッ化水素酸等の薬液が高純度の状態で
貯溜されると共に、この薬液を蒸発させるものであり、
通常広口状のビー力等が使用される。前記支持具３は半
導体１ｍ１１６が形成された半導体ウェーハ７を直立状
に支持するものであり、保持台４上に取り付けられてい
る。又、分解液受皿５はこの支持具３によって支持され
た各半導体ウェーハ７の下方に設けられ、半導体１１１
１６が薬液蒸気で分解する際に生じる分解液１１を収容
するものである。
次に、この装置の取り扱いを説明する。
半導体薄膜６の形成された半導体ウェーハ７を支持具３
に立て掛け、支持具３を分解液受皿５の上に載せ、保持
台４で固定する。超高純度のフッ化水素酸８を薬液容器
２内に入れ、Ｍ９を締め、常温で所定時間放置する。半
導体薄膜６は発生するフッ化水素酸蒸気１０により分解
して、その分解液１１は分解液受皿５内に落下するから
分解液１１をマイクロピペットで回収し、撹拌、計８し
た後、原子吸光分析装置で不純物量を測定する。
に立て掛け、支持具３を分解液受皿５の上に載せ、保持
台４で固定する。超高純度のフッ化水素酸８を薬液容器
２内に入れ、Ｍ９を締め、常温で所定時間放置する。半
導体薄膜６は発生するフッ化水素酸蒸気１０により分解
して、その分解液１１は分解液受皿５内に落下するから
分解液１１をマイクロピペットで回収し、撹拌、計８し
た後、原子吸光分析装置で不純物量を測定する。
しかしながら、この分解装置では半導体＊Ｓｔのついた
半導体ウェーハ７を支持具に立て掛けるため、半導体薄
膜６と支持具３との接触部分が大きく支持具３からの汚
染を受は易い。又、接触部分には薬液蒸気がゆきわたら
ないため分解しにくく４０分以上の長時間が必要とされ
る。さらには−回のバッチ処理枚数は支持具の収容量で
決定され、その増加が難しいという問題がある。
半導体ウェーハ７を支持具に立て掛けるため、半導体薄
膜６と支持具３との接触部分が大きく支持具３からの汚
染を受は易い。又、接触部分には薬液蒸気がゆきわたら
ないため分解しにくく４０分以上の長時間が必要とされ
る。さらには−回のバッチ処理枚数は支持具の収容量で
決定され、その増加が難しいという問題がある。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、半導体［
１の形成された半導体ウェーハと、支持具との接触部分
を小さくし、接触部分からの汚染をなくして分析精度を
向上させると共に薬液を均一にゆきわたらせて分解時間
を短縮することができる半導体ｓＩｌ！Ｉ分解装置を提
供することを目的とする。
１の形成された半導体ウェーハと、支持具との接触部分
を小さくし、接触部分からの汚染をなくして分析精度を
向上させると共に薬液を均一にゆきわたらせて分解時間
を短縮することができる半導体ｓＩｌ！Ｉ分解装置を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明による半導体薄膜分解
装置は、半導体ウェーハを支持する支持具と分解液受皿
とを一体化したものであり、半導体ウェーハ下部外周縁
に接して半導体ウェーハを支持する係合部と、保合部に
よって支持された半導体ウェーハ下方に分解液を貯溜す
る分解液受容部とを支持具に形成したことを特徴とする
。
装置は、半導体ウェーハを支持する支持具と分解液受皿
とを一体化したものであり、半導体ウェーハ下部外周縁
に接して半導体ウェーハを支持する係合部と、保合部に
よって支持された半導体ウェーハ下方に分解液を貯溜す
る分解液受容部とを支持具に形成したことを特徴とする
。
以下、本発明の一実施例による半導体薄膜分解装置を第
１図および第２図に示す。なお、第２図、第３図では、
密閉容器、薬液容器等は従来例と同一であるので図示を
省略した。支持具１２は角ｒＣＪ字形の断面形状に成形
され、両側の上部折曲片１４に半導体ウェーハの下部外
周縁に接する係合部１３が形成されている。この係合部
１３は半導体ウェーハ７の曲率と略同−の曲率で弯曲し
ており、半導体ウェーハの下部２箇所の外周縁が接して
つＩ−ハを直立状に支持するものである。
１図および第２図に示す。なお、第２図、第３図では、
密閉容器、薬液容器等は従来例と同一であるので図示を
省略した。支持具１２は角ｒＣＪ字形の断面形状に成形
され、両側の上部折曲片１４に半導体ウェーハの下部外
周縁に接する係合部１３が形成されている。この係合部
１３は半導体ウェーハ７の曲率と略同−の曲率で弯曲し
ており、半導体ウェーハの下部２箇所の外周縁が接して
つＩ−ハを直立状に支持するものである。
ここで係合部１３は支持具１２の上部折曲片１４から下
方に穿設された溝となっており、半導体ウェーハ７の下
部外周縁が挿入されて支持するものであり、半導体ウェ
ーハ７の大部分には支持具と接触する部分がなく、薬液
蒸気が接する面積が拡大して半導体ｉ［の分解が迅速に
行われる。
方に穿設された溝となっており、半導体ウェーハ７の下
部外周縁が挿入されて支持するものであり、半導体ウェ
ーハ７の大部分には支持具と接触する部分がなく、薬液
蒸気が接する面積が拡大して半導体ｉ［の分解が迅速に
行われる。
このようにして直立状に支持された各半導体ウェーハ７
の下方には分解液が貯溜される凹部、すなわち分解液受
容部１５が形成されている。この受容部１５は両側から
中央に向って下方に傾斜する傾斜面１６が形成されてお
り、分解液は傾斜面１６に落下すると受容部１５の中央
部に速やかに集液されるようになっている。
の下方には分解液が貯溜される凹部、すなわち分解液受
容部１５が形成されている。この受容部１５は両側から
中央に向って下方に傾斜する傾斜面１６が形成されてお
り、分解液は傾斜面１６に落下すると受容部１５の中央
部に速やかに集液されるようになっている。
次に、この支持具１２を使用して半導体薄膜を分解する
操作を第１図を参照して説明する。半導体薄膜６のつい
た半導体ウェーハ７を密閉容器１内の支持具１２の係合
部１３に立て掛ける。超高純度のフッ化水素酸８を薬液
容器２に入れ、蓋９で容′！ａ１を密閉し、常温で所定
時間放置する。薄膜６は発生したフッ化水素酸蒸気１０
により完全に分解するが、その分解液１１は支持具１２
の受容部１５に貯溜される。その分解液１１をマイクロ
ピペットで回収し撹拌、計量後原子吸光装置で不純物を
測定する。
操作を第１図を参照して説明する。半導体薄膜６のつい
た半導体ウェーハ７を密閉容器１内の支持具１２の係合
部１３に立て掛ける。超高純度のフッ化水素酸８を薬液
容器２に入れ、蓋９で容′！ａ１を密閉し、常温で所定
時間放置する。薄膜６は発生したフッ化水素酸蒸気１０
により完全に分解するが、その分解液１１は支持具１２
の受容部１５に貯溜される。その分解液１１をマイクロ
ピペットで回収し撹拌、計量後原子吸光装置で不純物を
測定する。
この半導体薄膜分解装置により、分解した場合、密閉容
器の容積１６．０ＯＯｃＩ！、半導体薄膜（熱酸化５ｉ
０２１１＞の厚さ１μｍの条件下では２０分で完全に分
解させることができ、処理時間を半分に短縮することが
できた。
器の容積１６．０ＯＯｃＩ！、半導体薄膜（熱酸化５ｉ
０２１１＞の厚さ１μｍの条件下では２０分で完全に分
解させることができ、処理時間を半分に短縮することが
できた。
以上のとおり、本発明によれば、半導体ウェーハの下部
外周縁のみを保合部で支持して分解するようにしたから
、半導体ウェーハと支持具との接触面積が小さくなり接
触部分からの汚染が防止され、分析精度を向上させるこ
とができる。又、薬液蒸気が半導体ウェーハ表面へ均一
にゆきわたるから分解所用時間を短縮することができる
。さらには支持具と分解液容器とを一体化したから冶具
数が減り、装置を簡便化することができる。
外周縁のみを保合部で支持して分解するようにしたから
、半導体ウェーハと支持具との接触面積が小さくなり接
触部分からの汚染が防止され、分析精度を向上させるこ
とができる。又、薬液蒸気が半導体ウェーハ表面へ均一
にゆきわたるから分解所用時間を短縮することができる
。さらには支持具と分解液容器とを一体化したから冶具
数が減り、装置を簡便化することができる。
第１図および第２図は本発明の一実施例による半導体ａ
ｍ分解装置の要部を示す断面図および平面図、第３図は
従来の半導体薄膜分解装置の構成図である。 １・・・密閉容器、２・・・薬液容器、６・・・半導体
薄膜、７・・・半導体ウェーハ、１２・・・支持具、１
３・・・係合部、１５・・・分解液受容部、１６・・・
傾斜面。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図
ｍ分解装置の要部を示す断面図および平面図、第３図は
従来の半導体薄膜分解装置の構成図である。 １・・・密閉容器、２・・・薬液容器、６・・・半導体
薄膜、７・・・半導体ウェーハ、１２・・・支持具、１
３・・・係合部、１５・・・分解液受容部、１６・・・
傾斜面。 出願人代理人 猪 股 清 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体薄膜が表面に形成された半導体ウェーハを直
立状に支持する支持具と、前記半導体薄膜を分解する薬
液を蒸発させる薬液容器と、前記支持具と前記薬液容器
とが内部に配設された密閉容器とを備えた半導体薄膜分
解装置において、前記支持具は、前記半導体ウェーハの
下部外周縁に接して前記半導体ウェーハを支持する係合
部と、この係合部により支持された前記半導体ウェーハ
からの分解液を貯溜する分解液受容部とを有しているこ
とを特徴とする半導体薄膜分解装置。 ２、特許請求の範囲第１項記載の装置において、前記分
解液受容部に、分解液を集めるための傾斜面が形成され
ていることを特徴とする半導体薄膜分解装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286185A JPS61251740A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体薄膜分解装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9286185A JPS61251740A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体薄膜分解装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251740A true JPS61251740A (ja) | 1986-11-08 |
Family
ID=14066210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9286185A Pending JPS61251740A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 半導体薄膜分解装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61251740A (ja) |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9286185A patent/JPS61251740A/ja active Pending
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