JP3051023B2 - 珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置 - Google Patents
珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、珪素質分析試料中の不
純物高精度分析のための処理方法及びその装置に関し、
特に、高純度が要求される半導体製造用のシリコンやシ
リカを昇華・分解処理して除去し、外部からの混入物を
極力低減させて珪素室中の不純物のみを残存物として回
収して分析することにより、従来法に比し数十倍の高精
度で珪素質分析試料中の不純物を分析するための処理方
法及びその装置に関する。
純物高精度分析のための処理方法及びその装置に関し、
特に、高純度が要求される半導体製造用のシリコンやシ
リカを昇華・分解処理して除去し、外部からの混入物を
極力低減させて珪素室中の不純物のみを残存物として回
収して分析することにより、従来法に比し数十倍の高精
度で珪素質分析試料中の不純物を分析するための処理方
法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体の高集積化が進みディバイ
ス特性の高信頼性が求められ製造工程のクリーン化と共
に、直接材料のシリコンウエハ（単結晶）の不純物分析
は、ｐｐｂ（１０-9）オーダーからｐｐｔ（１０-12 ）
オーダー以下の高精度な分析が必要となってきている。
そのため電気特性等による間接的な検査では十分と言え
ず、ウエハの純度を直接評価する手法が導入されてい
る。従来、高純度シリコンの直接分析法としては、中性
子放射化分析法、珪素質分析試料を酸で溶解分解した後
のフレームレス原子吸光法やＩＣＰーＭＳ法（誘導結合
プラズマ質量分析法）が知られている。これらの分析法
は、それぞれ分析感度及び分解時の汚染に問題があり、
定常的に半導体製造工程に用いる分析法として適用する
には問題がある。上記酸溶解法は最も一般的な方法であ
り、直接溶解法と間接溶解法とがある。直接溶解法は、
珪素質分析試料と酸とを混合して試料を溶解分解するも
のであるが、高純度試薬を用いるとはいえ酸中の不純物
が問題となった。そのため、酸を揮発させ気相で分解す
る間接溶解法が実施されるようになった。この間接溶解
法は大きく分けて常圧分解法と加圧分解法があり、常圧
分解法では、分解に約１０日間と長時間を要し実用的で
なく、また、珪素質分析試料を純水中に設置する場合は
期間は短縮されるが使用する純水からの汚染が問題とな
る。
ス特性の高信頼性が求められ製造工程のクリーン化と共
に、直接材料のシリコンウエハ（単結晶）の不純物分析
は、ｐｐｂ（１０-9）オーダーからｐｐｔ（１０-12 ）
オーダー以下の高精度な分析が必要となってきている。
そのため電気特性等による間接的な検査では十分と言え
ず、ウエハの純度を直接評価する手法が導入されてい
る。従来、高純度シリコンの直接分析法としては、中性
子放射化分析法、珪素質分析試料を酸で溶解分解した後
のフレームレス原子吸光法やＩＣＰーＭＳ法（誘導結合
プラズマ質量分析法）が知られている。これらの分析法
は、それぞれ分析感度及び分解時の汚染に問題があり、
定常的に半導体製造工程に用いる分析法として適用する
には問題がある。上記酸溶解法は最も一般的な方法であ
り、直接溶解法と間接溶解法とがある。直接溶解法は、
珪素質分析試料と酸とを混合して試料を溶解分解するも
のであるが、高純度試薬を用いるとはいえ酸中の不純物
が問題となった。そのため、酸を揮発させ気相で分解す
る間接溶解法が実施されるようになった。この間接溶解
法は大きく分けて常圧分解法と加圧分解法があり、常圧
分解法では、分解に約１０日間と長時間を要し実用的で
なく、また、珪素質分析試料を純水中に設置する場合は
期間は短縮されるが使用する純水からの汚染が問題とな
る。
【０００３】一方、加圧気相分解法は分解時間に長時間
を要することがないため、珪素質試料中の不純物の定常
的な定量分析操作として半導体製造プロセスに組込むこ
とが可能であり、発明者らはその目的のため、従来の珪
素質分析試料の加圧気相分解法を見直すことにした。例
えば、従来の加圧気相分解装置の一例の概要を、図４に
縦断面説明図、図５に図４のＢ−Ｂ断面説明図で示し
た。図４及び図５において、比較的肉薄の商品名テフロ
ンとしてよく知られているポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）製の蓋体１１と上部開放容器１２とを、そ
れぞれの両平面部１４を位置合わせして密着させ分解内
筒器とし、その外側をステンレス製外筒容器２０、２１
で包囲して、より密閉性の高い空間を形成していた。図
４及び図５に示した装置において、上部開放容器１２内
に試料分解用溶液１８を貯留し、珪素質分析試料１９を
保持した試料載置用容器１６は溶液１８中にどぶ付け状
態に設置される。その後、外筒容器２１下面側から約１
００〜２００℃に加温し、試料分解用溶液１８、例え
ば、フッ化水素酸及び硝酸（ＨＦ＋ＨＮＯ3 ）溶液を揮
発させ、このＨＦ＋ＨＮＯ3 の気化した気相が珪素質分
析試料に接することにより、珪素（Ｓｉ）質をケイフッ
化水素酸（Ｈ2 ＳｉＦ6 ）や四フッ化珪素（ＳｉＦ4 ）
として昇華させる。昇華したＨ2 ＳｉＦ6 及びＳｉＦ4
は試料分解用溶液１８に吸収され、容器１６内に不純物
が残存する。この残存物を分析することにより珪素質分
析試料中の不純物を定量分析することができる。
を要することがないため、珪素質試料中の不純物の定常
的な定量分析操作として半導体製造プロセスに組込むこ
とが可能であり、発明者らはその目的のため、従来の珪
素質分析試料の加圧気相分解法を見直すことにした。例
えば、従来の加圧気相分解装置の一例の概要を、図４に
縦断面説明図、図５に図４のＢ−Ｂ断面説明図で示し
た。図４及び図５において、比較的肉薄の商品名テフロ
ンとしてよく知られているポリテトラフルオロエチレン
（ＰＴＦＥ）製の蓋体１１と上部開放容器１２とを、そ
れぞれの両平面部１４を位置合わせして密着させ分解内
筒器とし、その外側をステンレス製外筒容器２０、２１
で包囲して、より密閉性の高い空間を形成していた。図
４及び図５に示した装置において、上部開放容器１２内
に試料分解用溶液１８を貯留し、珪素質分析試料１９を
保持した試料載置用容器１６は溶液１８中にどぶ付け状
態に設置される。その後、外筒容器２１下面側から約１
００〜２００℃に加温し、試料分解用溶液１８、例え
ば、フッ化水素酸及び硝酸（ＨＦ＋ＨＮＯ3 ）溶液を揮
発させ、このＨＦ＋ＨＮＯ3 の気化した気相が珪素質分
析試料に接することにより、珪素（Ｓｉ）質をケイフッ
化水素酸（Ｈ2 ＳｉＦ6 ）や四フッ化珪素（ＳｉＦ4 ）
として昇華させる。昇華したＨ2 ＳｉＦ6 及びＳｉＦ4
は試料分解用溶液１８に吸収され、容器１６内に不純物
が残存する。この残存物を分析することにより珪素質分
析試料中の不純物を定量分析することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発明者
らは、上記のような従来の加圧気相分解法を見直した結
果、次のような問題があることを見出した。 (i) 珪素質分析試料の分解用溶液に用いられるＨＦ＋Ｈ
ＮＯ3 溶液は、上記した直接分解法と同様に、市販の高
純度品を用いるのが一般的である。しかし、いかに高純
度品でも、通常ｐｐｔオーダーの不純物の混入は避けら
れない。珪素質分析試料と接触して試料を分解する気相
は、蒸発されたものでありｐｐｔオーダーの不純物も含
まれないが、従来法においては上記したように試料載置
容器が試料分解用溶液中にどぶ付け状態におかれるた
め、試料分解用溶液が試料載置容器の外壁を伝って少な
からず容器内に混入するおそれがあり、測定される不純
物含有量の真偽が問題となる。 (ii)また、上記のような構造においては、ＰＴＦＥ製の
蓋体１１と上部開放容器１２とを平面部で接するように
しているだけであり、その密着部分から腐食性のＨＦ＋
ＨＮＯ3 蒸気の漏洩が避けられず、漏洩ガスが外筒容器
のステンレスを腐食する結果、その腐食反応ガス等がテ
フロン製内筒器内に侵入するおそれがあり、この侵入ガ
ス成分等が不純物として測定されるおそれもあり、この
場合も分析精度上問題である。 (iii) また、従来、外部からの不純物の混入を回避する
ためには、より高い密閉性が必要であると考えられてい
たため、上記のようにＰＴＦＥ製内筒器とステンレス製
外筒容器の二重壁構造として、極めて高密閉状態で珪素
質分析試料を分解昇華していた。しかし、この高密閉性
が、高精度な不純物分析にとって却って弊害となってい
ることが知見された。例えば、シリコンウエハの分析で
は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｃｏ等の金属元素分析を行うが、これらはＳｉよ
りも沸点が高いことから上記のような分析方法が可能で
あるが、密閉性が極めて高いと各金属と気相状態のＨＦ
＋ＨＮＯ3 との反応性が増大し、上記分析すべき金属ま
でもがフッ化物として昇華してしまい、本来不純物とし
て存在する不純物金属を分析（カウント）できないおそ
れがあることも知見された。発明者らは、上記したよう
に、半導体用シリコン等珪素質分析試料の不純物分析の
ための加圧気相分解法における種々の問題点を見出し、
それら問題点を解消し、珪素質分析試料中の不純物を精
度よく分析でき、且つ、半導体製造工程での定常的な珪
素質試料中の不純物定量分析に対応可能な処理方法及び
その装置について鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。
らは、上記のような従来の加圧気相分解法を見直した結
果、次のような問題があることを見出した。 (i) 珪素質分析試料の分解用溶液に用いられるＨＦ＋Ｈ
ＮＯ3 溶液は、上記した直接分解法と同様に、市販の高
純度品を用いるのが一般的である。しかし、いかに高純
度品でも、通常ｐｐｔオーダーの不純物の混入は避けら
れない。珪素質分析試料と接触して試料を分解する気相
は、蒸発されたものでありｐｐｔオーダーの不純物も含
まれないが、従来法においては上記したように試料載置
容器が試料分解用溶液中にどぶ付け状態におかれるた
め、試料分解用溶液が試料載置容器の外壁を伝って少な
からず容器内に混入するおそれがあり、測定される不純
物含有量の真偽が問題となる。 (ii)また、上記のような構造においては、ＰＴＦＥ製の
蓋体１１と上部開放容器１２とを平面部で接するように
しているだけであり、その密着部分から腐食性のＨＦ＋
ＨＮＯ3 蒸気の漏洩が避けられず、漏洩ガスが外筒容器
のステンレスを腐食する結果、その腐食反応ガス等がテ
フロン製内筒器内に侵入するおそれがあり、この侵入ガ
ス成分等が不純物として測定されるおそれもあり、この
場合も分析精度上問題である。 (iii) また、従来、外部からの不純物の混入を回避する
ためには、より高い密閉性が必要であると考えられてい
たため、上記のようにＰＴＦＥ製内筒器とステンレス製
外筒容器の二重壁構造として、極めて高密閉状態で珪素
質分析試料を分解昇華していた。しかし、この高密閉性
が、高精度な不純物分析にとって却って弊害となってい
ることが知見された。例えば、シリコンウエハの分析で
は、Ｆｅ、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、
Ｍｎ、Ｃｏ等の金属元素分析を行うが、これらはＳｉよ
りも沸点が高いことから上記のような分析方法が可能で
あるが、密閉性が極めて高いと各金属と気相状態のＨＦ
＋ＨＮＯ3 との反応性が増大し、上記分析すべき金属ま
でもがフッ化物として昇華してしまい、本来不純物とし
て存在する不純物金属を分析（カウント）できないおそ
れがあることも知見された。発明者らは、上記したよう
に、半導体用シリコン等珪素質分析試料の不純物分析の
ための加圧気相分解法における種々の問題点を見出し、
それら問題点を解消し、珪素質分析試料中の不純物を精
度よく分析でき、且つ、半導体製造工程での定常的な珪
素質試料中の不純物定量分析に対応可能な処理方法及び
その装置について鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、珪素質
分析試料から珪素質を分解昇華させ、珪素質分析試料中
の不純物を残存物として回収する珪素質分析試料中の不
純物高精度分析のための処理方法において、密閉空間系
を構成する密閉収容器内に、珪素質分析試料を載置した
分析試料容器及び試料分解用溶液を、それぞれ接触させ
ることなく上下の位置関係をもって隔離状態で収納した
後、該密閉収容器を加温により加圧し、珪素質分析試料
を分解昇華させ、該分析試料容器内の残存物を回収する
ことを特徴とする珪素質分析試料中の不純物高精度分析
のための処理方法が提供される。上記収容器の加温は、
好ましくは、収容器内に貯留する試料分解用溶液が揮発
するように行なわれる。
分析試料から珪素質を分解昇華させ、珪素質分析試料中
の不純物を残存物として回収する珪素質分析試料中の不
純物高精度分析のための処理方法において、密閉空間系
を構成する密閉収容器内に、珪素質分析試料を載置した
分析試料容器及び試料分解用溶液を、それぞれ接触させ
ることなく上下の位置関係をもって隔離状態で収納した
後、該密閉収容器を加温により加圧し、珪素質分析試料
を分解昇華させ、該分析試料容器内の残存物を回収する
ことを特徴とする珪素質分析試料中の不純物高精度分析
のための処理方法が提供される。上記収容器の加温は、
好ましくは、収容器内に貯留する試料分解用溶液が揮発
するように行なわれる。
【０００６】また、本発明は、密閉空間系を構成する密
閉収容器であって、少なくとも密閉可能な開放部を有
し、該密閉収容器の上方内部を凹曲面状に形成し、内部
下部に試料分解用溶液を収容すると共に、該分析試料容
器を載置可能な段差が該試料分解溶液の上方に配設さ
れ、且つ、該段差が下部に収容貯留される該試料分解用
溶液と所定の間隔を有してなることを特徴とする珪素質
分析試料中の不純物高精度分析のための処理装置を提供
する。上記本発明の処理装置は、密閉収容器が、少なく
とも垂直方向に２分割され、上記開放部を形成し、分割
された収容器下部及び収容器蓋体が嵌合されて形成され
るのが好ましい。また、上記収容器下部及び収容器蓋体
の嵌合が螺合によりされており、螺合される部分の長さ
が上記密閉容器高さの約１０〜２０％に相当し、且つ、
各螺嵌部の表面粗さＲａが０．１〜３μｍとするのが好
ましい。また、上記分析試料容器を肉厚の環状体で形成
し、その環状部に複数の内底部が曲面状である凹部を形
成し、その凹部に珪素質分析試料を載置させるのが好ま
しい。更に、本発明の上記処理装置は、好ましくは、容
器下部、収容器蓋体及び分析試料容器を、それぞれＰＴ
ＦＥ単体で形成し、また、少なくとも密閉収容器の内部
空間の水平断面が円形に形成される。処理装置の外形
は、内部空間と合わせて円形でもよいし、角形状でもよ
く、特に制限されない。
閉収容器であって、少なくとも密閉可能な開放部を有
し、該密閉収容器の上方内部を凹曲面状に形成し、内部
下部に試料分解用溶液を収容すると共に、該分析試料容
器を載置可能な段差が該試料分解溶液の上方に配設さ
れ、且つ、該段差が下部に収容貯留される該試料分解用
溶液と所定の間隔を有してなることを特徴とする珪素質
分析試料中の不純物高精度分析のための処理装置を提供
する。上記本発明の処理装置は、密閉収容器が、少なく
とも垂直方向に２分割され、上記開放部を形成し、分割
された収容器下部及び収容器蓋体が嵌合されて形成され
るのが好ましい。また、上記収容器下部及び収容器蓋体
の嵌合が螺合によりされており、螺合される部分の長さ
が上記密閉容器高さの約１０〜２０％に相当し、且つ、
各螺嵌部の表面粗さＲａが０．１〜３μｍとするのが好
ましい。また、上記分析試料容器を肉厚の環状体で形成
し、その環状部に複数の内底部が曲面状である凹部を形
成し、その凹部に珪素質分析試料を載置させるのが好ま
しい。更に、本発明の上記処理装置は、好ましくは、容
器下部、収容器蓋体及び分析試料容器を、それぞれＰＴ
ＦＥ単体で形成し、また、少なくとも密閉収容器の内部
空間の水平断面が円形に形成される。処理装置の外形
は、内部空間と合わせて円形でもよいし、角形状でもよ
く、特に制限されない。
【０００７】
【作用】本発明の珪素質分析試料中の不純物高精度分析
のための処理方法は上記のように構成され、従来の加圧
気相分解法の短時間処理可能の長所をそのまま保持でき
ると同時に、珪素質分析試料を載置する分析試料容器
が、珪素質分析試料の分解溶液と直接接触しないように
隔離されて配設されるため、加温により気化した試料分
解溶液の気相のみが珪素質分析試料と接触して珪素質分
析試料を分解昇華させることができる。従って、試料容
器がどぶ付け状態に設置されていた従来法に比し、試料
分解溶液等が分析試料容器の側壁を伝わり珪素質分析試
料中に混入するおそれがなく、珪素質分析試料中の不純
物の含有量を精度よく分析することができる。本発明に
おいて、珪素質分析試料とは、ｐｐｔオーダーの不純物
が問題となる半導体シリコンウエハや石英ガラス製ルツ
ボ、ボート及び炉芯管等の珪素単体や珪素酸化物を主成
分とするものである。
のための処理方法は上記のように構成され、従来の加圧
気相分解法の短時間処理可能の長所をそのまま保持でき
ると同時に、珪素質分析試料を載置する分析試料容器
が、珪素質分析試料の分解溶液と直接接触しないように
隔離されて配設されるため、加温により気化した試料分
解溶液の気相のみが珪素質分析試料と接触して珪素質分
析試料を分解昇華させることができる。従って、試料容
器がどぶ付け状態に設置されていた従来法に比し、試料
分解溶液等が分析試料容器の側壁を伝わり珪素質分析試
料中に混入するおそれがなく、珪素質分析試料中の不純
物の含有量を精度よく分析することができる。本発明に
おいて、珪素質分析試料とは、ｐｐｔオーダーの不純物
が問題となる半導体シリコンウエハや石英ガラス製ルツ
ボ、ボート及び炉芯管等の珪素単体や珪素酸化物を主成
分とするものである。
【０００８】本発明の処理装置は、密閉空間の底部に試
料分解溶液を貯留保持でき、その貯留する分解溶液から
所定の間隔を設けて段差を配設すると共に、その段差上
に分析試料容器を載置するように構成されており、分析
試料容器と試料分解溶液とが隔離されて配置することが
でき、試料分解溶液が分析試料容器に直接接することが
ない。また、従来法のステンレス製外筒容器を用いるこ
となく、本発明の処理装置は特にＰＴＦＥ単体で且つ密
閉状態に形成できるため、外部からの汚染物の混入を回
避できる。更に、本発明の密閉性の度合いについては、
装置上の問題により圧力（ＭＰａ）範囲を明示していな
いが、ステンレス製外筒容器を配設しない密閉収容器で
あり、好ましくはＰＴＦＥ製の密閉収容器として構成さ
れるため、前記(iii) の従来法における高密閉性の弊害
を回避することができる。
料分解溶液を貯留保持でき、その貯留する分解溶液から
所定の間隔を設けて段差を配設すると共に、その段差上
に分析試料容器を載置するように構成されており、分析
試料容器と試料分解溶液とが隔離されて配置することが
でき、試料分解溶液が分析試料容器に直接接することが
ない。また、従来法のステンレス製外筒容器を用いるこ
となく、本発明の処理装置は特にＰＴＦＥ単体で且つ密
閉状態に形成できるため、外部からの汚染物の混入を回
避できる。更に、本発明の密閉性の度合いについては、
装置上の問題により圧力（ＭＰａ）範囲を明示していな
いが、ステンレス製外筒容器を配設しない密閉収容器で
あり、好ましくはＰＴＦＥ製の密閉収容器として構成さ
れるため、前記(iii) の従来法における高密閉性の弊害
を回避することができる。
【０００９】本発明の処理装置の密閉収容器の上方部、
即ち、天井部を曲面状、好ましくは球面状に形成するた
め、ＨＦ−ＨＮＯ3 溶液等の分析試料分解溶液中から蒸
発する水分が凝縮して水滴を形成しても、上方部に付着
することなく曲面を滑り流れ落ちることができ、分析試
料容器内に落下して汚染するのを防止できる。更に、珪
素質分析試料を載置する分析試料容器を環状体に形成
し、且つ、環状体の周方向に、好ましくは略等間隔に、
凹部を複数設けて試料の載置部とすることもでき、複数
の珪素質分析試料と密閉収容器内を均一に対流する試料
分解溶液の気相とを均質に接触させ、分解、昇華させる
ことができる。特に、半導体製造においてシリコンウエ
ハの不純物分析は、１つのウエハからもバラツキを考慮
し、複数のサンプリングを行う必要があり好適である。
また、対比分析を行う場合は、複数のウエハの分析のた
めの処理を同一装置内で同時に行うことができ、処理条
件を統一することができ好ましい。更にまた、珪素質分
析試料を載置する凹部を曲面状に形成するため残存物
を、極めて容易、且つ、適正に回収でき、ひいては高精
度で不純物を定量的に分析することができる。
即ち、天井部を曲面状、好ましくは球面状に形成するた
め、ＨＦ−ＨＮＯ3 溶液等の分析試料分解溶液中から蒸
発する水分が凝縮して水滴を形成しても、上方部に付着
することなく曲面を滑り流れ落ちることができ、分析試
料容器内に落下して汚染するのを防止できる。更に、珪
素質分析試料を載置する分析試料容器を環状体に形成
し、且つ、環状体の周方向に、好ましくは略等間隔に、
凹部を複数設けて試料の載置部とすることもでき、複数
の珪素質分析試料と密閉収容器内を均一に対流する試料
分解溶液の気相とを均質に接触させ、分解、昇華させる
ことができる。特に、半導体製造においてシリコンウエ
ハの不純物分析は、１つのウエハからもバラツキを考慮
し、複数のサンプリングを行う必要があり好適である。
また、対比分析を行う場合は、複数のウエハの分析のた
めの処理を同一装置内で同時に行うことができ、処理条
件を統一することができ好ましい。更にまた、珪素質分
析試料を載置する凹部を曲面状に形成するため残存物
を、極めて容易、且つ、適正に回収でき、ひいては高精
度で不純物を定量的に分析することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら詳細に説明する。但し、本発明は下記実施例に
より制限されるものでない。図１は、本発明の一実施例
の処理装置の断面説明図であり、図２は図１におけるＡ
−Ａ断面説明図である。図１及び図２において、珪素質
の不純物を高精度で分析するための珪素質気相分解装置
を構成する収容器１は、それぞれ一端が閉鎖され、且
つ、開放端において互いに嵌合するように形成された円
筒状の収容器蓋体２と収容器下部３とからなり、蓋付円
筒体状に内部に空間Ｓを有して密閉形成されている。収
容器蓋体２と収容器下部３との嵌合は、それぞれの開放
端にネジ加工を施した螺嵌部４で螺合して行うのが好ま
しい。この場合、螺嵌部４は収容器１の高さの約１０〜
２０％相当の長さが好ましく、ネジ表面粗さ（Ｒａ）を
０．１〜３μｍ、好ましくは１．２〜２．０μｍとす
る。これにより、収容器１内を適度の加圧状態で密閉す
ることができ、従来法の高密閉性による不純物金属がフ
ッ化物として揮散を防止し、高精度な定量分析が可能と
なる。
しながら詳細に説明する。但し、本発明は下記実施例に
より制限されるものでない。図１は、本発明の一実施例
の処理装置の断面説明図であり、図２は図１におけるＡ
−Ａ断面説明図である。図１及び図２において、珪素質
の不純物を高精度で分析するための珪素質気相分解装置
を構成する収容器１は、それぞれ一端が閉鎖され、且
つ、開放端において互いに嵌合するように形成された円
筒状の収容器蓋体２と収容器下部３とからなり、蓋付円
筒体状に内部に空間Ｓを有して密閉形成されている。収
容器蓋体２と収容器下部３との嵌合は、それぞれの開放
端にネジ加工を施した螺嵌部４で螺合して行うのが好ま
しい。この場合、螺嵌部４は収容器１の高さの約１０〜
２０％相当の長さが好ましく、ネジ表面粗さ（Ｒａ）を
０．１〜３μｍ、好ましくは１．２〜２．０μｍとす
る。これにより、収容器１内を適度の加圧状態で密閉す
ることができ、従来法の高密閉性による不純物金属がフ
ッ化物として揮散を防止し、高精度な定量分析が可能と
なる。
【００１１】収容器下部３は内周面に段差５が配設され
る。段差５は、その上に分析試料容器６が載置できれば
よく、分析試料容器の形状及び大きさ等により、段差幅
を適宜選択することができる。例えば、各独立した容器
を複数載置する場合は、少なくとも各試料容器が安定し
て載置され得る幅としてもよいし、また、環状の試料容
器載置部材を配置するようにし、その上に、各分析試料
容器を載置してもよく、この場合は上記の各容器をそれ
ぞれ載置するより段差幅は狭くてもよい。好ましくは、
環状体部材に適宜凹部を形成し、その凹部部分に珪素質
分析試料を載置する試料容器載置部材と試料容器とを一
体に形成するのがよい。更に好ましくは、肉厚環状体を
用い、その周方向に分析試料載置部７をくり貫いて形成
した環状の分析試料容器６が用いられる。更に、段差５
に所定の切欠き部Ｃを設けることにより、環状の分析試
料容器６を段差５上に的確に載置することができる。段
差５の配設位置は特に制限されるものでなく、収容器下
部３の底部に貯留保持される、例えばＨＦ−ＨＮＯ3 溶
液等の加温により揮発して珪素質分析試料を分解する試
料分解溶液８の表面から所定の間隔、好ましくは約１０
ｍｍ以上の間隔を有するようにすればよい。この間隔
は、収容器１の容量、分析する珪素質分析試料の量及び
試料分解溶液の所要量等により、貯留する試料分解溶液
量を調整することにより調節できる。上記のように、段
差５上に載置される円環状の分析試料容器６と試料分解
溶液８とが、収容器１内において隔離された状態におか
れる。これにより試料分解溶液８の分析試料載置部７へ
の混入を防止することができる。また、上記の試料容器
載置部材と試料容器とを一体に形成した円環状の分析試
料容器６において、珪素質分析試料を載置する分析試料
載置部７は、底部を好ましくは球面状等の曲面状にくり
貫いて形成される。底部を曲面状に形成することによ
り、角形状の底部においては角に溜った残存物の採り出
しが困難であり、分析値にバラツキが生じ易かったのに
比し、残存物の回収が容易となりこれからも不純物の分
析精度が向上する。この分析試料載置部７の径やくり貫
き深さは、載置する珪素質分析試料９の量に合わせて適
宜選択することができる。
る。段差５は、その上に分析試料容器６が載置できれば
よく、分析試料容器の形状及び大きさ等により、段差幅
を適宜選択することができる。例えば、各独立した容器
を複数載置する場合は、少なくとも各試料容器が安定し
て載置され得る幅としてもよいし、また、環状の試料容
器載置部材を配置するようにし、その上に、各分析試料
容器を載置してもよく、この場合は上記の各容器をそれ
ぞれ載置するより段差幅は狭くてもよい。好ましくは、
環状体部材に適宜凹部を形成し、その凹部部分に珪素質
分析試料を載置する試料容器載置部材と試料容器とを一
体に形成するのがよい。更に好ましくは、肉厚環状体を
用い、その周方向に分析試料載置部７をくり貫いて形成
した環状の分析試料容器６が用いられる。更に、段差５
に所定の切欠き部Ｃを設けることにより、環状の分析試
料容器６を段差５上に的確に載置することができる。段
差５の配設位置は特に制限されるものでなく、収容器下
部３の底部に貯留保持される、例えばＨＦ−ＨＮＯ3 溶
液等の加温により揮発して珪素質分析試料を分解する試
料分解溶液８の表面から所定の間隔、好ましくは約１０
ｍｍ以上の間隔を有するようにすればよい。この間隔
は、収容器１の容量、分析する珪素質分析試料の量及び
試料分解溶液の所要量等により、貯留する試料分解溶液
量を調整することにより調節できる。上記のように、段
差５上に載置される円環状の分析試料容器６と試料分解
溶液８とが、収容器１内において隔離された状態におか
れる。これにより試料分解溶液８の分析試料載置部７へ
の混入を防止することができる。また、上記の試料容器
載置部材と試料容器とを一体に形成した円環状の分析試
料容器６において、珪素質分析試料を載置する分析試料
載置部７は、底部を好ましくは球面状等の曲面状にくり
貫いて形成される。底部を曲面状に形成することによ
り、角形状の底部においては角に溜った残存物の採り出
しが困難であり、分析値にバラツキが生じ易かったのに
比し、残存物の回収が容易となりこれからも不純物の分
析精度が向上する。この分析試料載置部７の径やくり貫
き深さは、載置する珪素質分析試料９の量に合わせて適
宜選択することができる。
【００１２】本発明において、収容器１の外形及び内部
空間Ｓの形状は特に制限されるものでなく、その内部に
珪素質分析試料及び分析試料分解溶液を密閉状態で所定
に収容可能に形成されていればよい。水平断面形状が、
例えば、三角、四角等の角形状や、楕円等の曲形状でも
よい。通常、図１及び２に示したような外形及び内部空
間が円筒体や、また、外形が四角形状で、少なくとも内
部空間の水平断面形状が円形の筒体が好ましい。収容器
１内に貯留保持される試料分解用溶液が加温により揮
発、対流する場合に、内部空間全域で均一となるためで
ある。また、収容器蓋体２と収容器下部３とが筒体をほ
ぼ２分割するように構成される必要はなく、収容器内を
密閉状態に保持できるように構成されていればよく、例
えば上端部に開放部を設け、蓋を配設して密閉状態にす
るように構成することもできる。更に、収容器１の内部
空間Ｓの上部、即ち収容器蓋体２の天井部１０は、好ま
しくは球面状等の曲面状に形成される。天井部１０を曲
面状に形成することにより、試料分解溶液８中に含まれ
る水分が蒸発して天井部で凝縮した場合でも、曲面部を
滑り流れ落ち、天井部１０に付着状態となることを防止
することができる。そのため、従来の加圧気相分解法に
おいて、容器天井に付着した凝縮水滴中に容器材料のＰ
ＴＦＥから溶出物が混入すると共に、その水滴が試料容
器内に滴下する等して分析精度を低下していたのに対
し、本発明の装置によれば適正な分析が行われ精度が向
上する。この場合、天井部から曲面形状に沿って滑り流
れ落ちた水滴は、段差５上に滞留することになる。分析
試料容器が十分な高さを有する場合には少量の水分が滞
留しても問題がないが、通常、前記した切欠き部Ｃと分
析試料容器６とは嵌合密着されないため、両者の間隙を
通じて収容器下部３の底部に貯留される試料分解溶液８
に流れ込ませることができる。また、要すれば段差５上
に、適宜、小溝Ｇを設け、滞留する凝縮水を切欠き部Ｃ
方向に積極的に流れ込ませ、分析試料容器６の下側を通
り収容器１底部の試料分解液８に戻すようにしてもよ
い。この小溝Ｇは段差５上の切欠き部Ｃを除いて設けて
もよい。
空間Ｓの形状は特に制限されるものでなく、その内部に
珪素質分析試料及び分析試料分解溶液を密閉状態で所定
に収容可能に形成されていればよい。水平断面形状が、
例えば、三角、四角等の角形状や、楕円等の曲形状でも
よい。通常、図１及び２に示したような外形及び内部空
間が円筒体や、また、外形が四角形状で、少なくとも内
部空間の水平断面形状が円形の筒体が好ましい。収容器
１内に貯留保持される試料分解用溶液が加温により揮
発、対流する場合に、内部空間全域で均一となるためで
ある。また、収容器蓋体２と収容器下部３とが筒体をほ
ぼ２分割するように構成される必要はなく、収容器内を
密閉状態に保持できるように構成されていればよく、例
えば上端部に開放部を設け、蓋を配設して密閉状態にす
るように構成することもできる。更に、収容器１の内部
空間Ｓの上部、即ち収容器蓋体２の天井部１０は、好ま
しくは球面状等の曲面状に形成される。天井部１０を曲
面状に形成することにより、試料分解溶液８中に含まれ
る水分が蒸発して天井部で凝縮した場合でも、曲面部を
滑り流れ落ち、天井部１０に付着状態となることを防止
することができる。そのため、従来の加圧気相分解法に
おいて、容器天井に付着した凝縮水滴中に容器材料のＰ
ＴＦＥから溶出物が混入すると共に、その水滴が試料容
器内に滴下する等して分析精度を低下していたのに対
し、本発明の装置によれば適正な分析が行われ精度が向
上する。この場合、天井部から曲面形状に沿って滑り流
れ落ちた水滴は、段差５上に滞留することになる。分析
試料容器が十分な高さを有する場合には少量の水分が滞
留しても問題がないが、通常、前記した切欠き部Ｃと分
析試料容器６とは嵌合密着されないため、両者の間隙を
通じて収容器下部３の底部に貯留される試料分解溶液８
に流れ込ませることができる。また、要すれば段差５上
に、適宜、小溝Ｇを設け、滞留する凝縮水を切欠き部Ｃ
方向に積極的に流れ込ませ、分析試料容器６の下側を通
り収容器１底部の試料分解液８に戻すようにしてもよ
い。この小溝Ｇは段差５上の切欠き部Ｃを除いて設けて
もよい。
【００１３】本発明の珪素質分析試料中の不純物高精度
分析のための処理装置は、上記のように構成され、収容
器蓋体２、収容器下部３及び環状の分析試料容器６は、
好ましくは、それぞれ適宜な肉厚を有する市販のＰＴＦ
Ｅ単体を用いて形成することができる。通常、約１０〜
２０ｍｍの肉厚のＰＴＦＥを用いることができる。上記
のように形成された処理装置を用い珪素質分析試料を気
相分解処理するため、収容器１を加温する。加温は、試
料分解溶液のＨＦ−ＨＮＯ3 溶液が気化するように行
い、従来と同様に約１２０〜１５０℃に加温する。本発
明の上記収容器１の加温は、所定の熱媒体の加熱浴を用
いて行うことができる。また、収容器１を鉄板上等に静
置して加温しても良い。加温により、収容器下部３内に
貯留された試料分析溶液８が気化し、収容器１内部空間
ＳはＨＦ−ＨＮＯ3 蒸気が対流し、珪素質分析試料９中
の珪素質分は、それらＨＦ−ＨＮＯ3 蒸気と接触して連
続的に反応分解して昇華し、更に、試料分析溶液８中に
溶解し、最終的に珪素質以外の不純物が分析試料載置部
９内に残存する。得られた残存物を回収し、従来と同様
にフレームレス原子吸光法やＩＣＰーＭＳ法の分析法で
珪素質分析試料中の不純物の含有量を高精度で分析する
ことができる。本発明において、半導体シリコンウエハ
や石英ガラス製ルツボ、ボート及び炉芯管等の珪素単体
や珪素酸化物からなる珪素質を主成分とするものであ
り、ｐｐｔオーダーの不純物が問題となる珪素質製品を
好適に処理できる。
分析のための処理装置は、上記のように構成され、収容
器蓋体２、収容器下部３及び環状の分析試料容器６は、
好ましくは、それぞれ適宜な肉厚を有する市販のＰＴＦ
Ｅ単体を用いて形成することができる。通常、約１０〜
２０ｍｍの肉厚のＰＴＦＥを用いることができる。上記
のように形成された処理装置を用い珪素質分析試料を気
相分解処理するため、収容器１を加温する。加温は、試
料分解溶液のＨＦ−ＨＮＯ3 溶液が気化するように行
い、従来と同様に約１２０〜１５０℃に加温する。本発
明の上記収容器１の加温は、所定の熱媒体の加熱浴を用
いて行うことができる。また、収容器１を鉄板上等に静
置して加温しても良い。加温により、収容器下部３内に
貯留された試料分析溶液８が気化し、収容器１内部空間
ＳはＨＦ−ＨＮＯ3 蒸気が対流し、珪素質分析試料９中
の珪素質分は、それらＨＦ−ＨＮＯ3 蒸気と接触して連
続的に反応分解して昇華し、更に、試料分析溶液８中に
溶解し、最終的に珪素質以外の不純物が分析試料載置部
９内に残存する。得られた残存物を回収し、従来と同様
にフレームレス原子吸光法やＩＣＰーＭＳ法の分析法で
珪素質分析試料中の不純物の含有量を高精度で分析する
ことができる。本発明において、半導体シリコンウエハ
や石英ガラス製ルツボ、ボート及び炉芯管等の珪素単体
や珪素酸化物からなる珪素質を主成分とするものであ
り、ｐｐｔオーダーの不純物が問題となる珪素質製品を
好適に処理できる。
【００１４】実施例 図１と同様に構成され、ＰＴＦＥ単体を用いて形成した
処理装置、即ち、収容器１を用い、半導体ウエハ用シリ
コンの前処理クリーンルーム内に設置したクリーンベン
チ内（クラス１０）に配置し、半導体ウエハ用シリコン
バルクの不純物を分析するための前処理実験を行った。
先ず、シリコンバルク試料をＰＴＦＥ製円環状分析試料
容器６の６個の各試料載置部７の一か所おきの三か所に
秤り採り、残り三か所の試料載置部７は空のままとし
た。次いで、フッ化水素酸及び硝酸溶液を収容器下部３
に導入し、試料を三か所に載置した円環状分析試料容器
６を段差５の切欠き部Ｃ上に設置し、その後、収容器蓋
体２をネジ部４で螺合して収容器１を密閉状態とした。
形成した密閉状態の収容器１を、ホットプレットにより
約１５０℃に加温して２０時間保持した。フッ化水素酸
及び硝酸溶液は弘田化学工業製の半導体用試薬を用いて
作成した。加温後、室温まで放冷して収容器蓋体２を開
放した。三か所に載置したシコンバルク試料は分解昇華
されて消失されいた。各試料載置部７から極微量のを回
収して元素分析した。元素の定量分析には、ＡＴ−３０
０型オートサンプラー及びＥＶ−３００型加熱気化導入
装置を取付けたセイコー電子工業製ＳＰＱ−８０００Ａ
型質量処理装置に取り付け使用して測定した。測定はク
リーンルーム（クラス１０3 ）で実施した。その結果、
空の試料載置部三か所から回収分析された不純物元素の
含有量、即ち、気相分解昇華処理中に試料載置部７内に
混入された不純物汚染物量を図３示した。
処理装置、即ち、収容器１を用い、半導体ウエハ用シリ
コンの前処理クリーンルーム内に設置したクリーンベン
チ内（クラス１０）に配置し、半導体ウエハ用シリコン
バルクの不純物を分析するための前処理実験を行った。
先ず、シリコンバルク試料をＰＴＦＥ製円環状分析試料
容器６の６個の各試料載置部７の一か所おきの三か所に
秤り採り、残り三か所の試料載置部７は空のままとし
た。次いで、フッ化水素酸及び硝酸溶液を収容器下部３
に導入し、試料を三か所に載置した円環状分析試料容器
６を段差５の切欠き部Ｃ上に設置し、その後、収容器蓋
体２をネジ部４で螺合して収容器１を密閉状態とした。
形成した密閉状態の収容器１を、ホットプレットにより
約１５０℃に加温して２０時間保持した。フッ化水素酸
及び硝酸溶液は弘田化学工業製の半導体用試薬を用いて
作成した。加温後、室温まで放冷して収容器蓋体２を開
放した。三か所に載置したシコンバルク試料は分解昇華
されて消失されいた。各試料載置部７から極微量のを回
収して元素分析した。元素の定量分析には、ＡＴ−３０
０型オートサンプラー及びＥＶ−３００型加熱気化導入
装置を取付けたセイコー電子工業製ＳＰＱ−８０００Ａ
型質量処理装置に取り付け使用して測定した。測定はク
リーンルーム（クラス１０3 ）で実施した。その結果、
空の試料載置部三か所から回収分析された不純物元素の
含有量、即ち、気相分解昇華処理中に試料載置部７内に
混入された不純物汚染物量を図３示した。
【００１５】比較例 前記図４及び５に示した従来法の装置において、試料載
置用容器１６の一には実施例と同様のシリコンバルク試
料を載置し、他は空のままとして実施例１と同様の処理
を、それぞれ３回行った。いずれもシリコンバルク試料
は実施例と同様に消失した。一方、空の試料載置用容器
１６中から回収した残留物を、実施例と同様に元素分析
した。その結果、図３にバラツキ範囲及び平均値（図中
○）を示した。
置用容器１６の一には実施例と同様のシリコンバルク試
料を載置し、他は空のままとして実施例１と同様の処理
を、それぞれ３回行った。いずれもシリコンバルク試料
は実施例と同様に消失した。一方、空の試料載置用容器
１６中から回収した残留物を、実施例と同様に元素分析
した。その結果、図３にバラツキ範囲及び平均値（図中
○）を示した。
【００１６】上記実施例及び比較例より明らかなよう
に、本発明の処理方法においては、不純物汚染量が１ｐ
ｐｔ以下でバラツキがない。従って、本発明の処理によ
ればｐｐｔオーダーの不純物分析が確保できる。これに
対し、従来法は、不純物の汚染量が格段多く観察される
上、バラツキが大きく空実験により分析値の補正を行う
場合も適切な補正データが得られないことが明らかであ
る。即ち、従来法によりｐｐｔオーダーの分析をするこ
とは実質上不可能であることが分かる。
に、本発明の処理方法においては、不純物汚染量が１ｐ
ｐｔ以下でバラツキがない。従って、本発明の処理によ
ればｐｐｔオーダーの不純物分析が確保できる。これに
対し、従来法は、不純物の汚染量が格段多く観察される
上、バラツキが大きく空実験により分析値の補正を行う
場合も適切な補正データが得られないことが明らかであ
る。即ち、従来法によりｐｐｔオーダーの分析をするこ
とは実質上不可能であることが分かる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の珪素質分析試料中の不純物高精
度分析のための処理方法及び装置は、半導体ウエハ用の
シリコンや石英ガラス等の珪素質分析試料中の不純物を
数十倍以上も高精度に測定でき、ｐｐｔオーダー以下の
定量で分析できる。高集積化が進展し、極微量の汚染に
も厳しい半導体製造工業における珪素質の不純物定量分
析の前処理として有用である。
度分析のための処理方法及び装置は、半導体ウエハ用の
シリコンや石英ガラス等の珪素質分析試料中の不純物を
数十倍以上も高精度に測定でき、ｐｐｔオーダー以下の
定量で分析できる。高集積化が進展し、極微量の汚染に
も厳しい半導体製造工業における珪素質の不純物定量分
析の前処理として有用である。
【図１】本発明の珪素室分析試料処理装置の一実施例の
断面説明図
断面説明図
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面説明図
【図３】本発明の実施例及び比較例における不純物元素
の定量分析の結果を、元素別にその含有量を示した関係
図
の定量分析の結果を、元素別にその含有量を示した関係
図
【図４】従来の分析試料の加圧気相分解処理装置の断面
説明図
説明図
【図５】図４におけるＢ−Ｂ断面説明図
１ 収容器 １２ 上部開
放容器 ２ 収容器蓋体 １４ 平面部 ３ 収容器下部 ２０、２１
ステンレス製外筒容器 ４ 螺嵌部 Ｃ 切欠き部 ５ 段差 Ｇ 小溝 ６、１６ 分析試料載置容器 Ｓ 内部空間 ７ 分析試料載置部 ８、１８ 試料分解用溶液 ９、１９ 珪素質分析試料 １０ 天井部 １１ 蓋体
放容器 ２ 収容器蓋体 １４ 平面部 ３ 収容器下部 ２０、２１
ステンレス製外筒容器 ４ 螺嵌部 Ｃ 切欠き部 ５ 段差 Ｇ 小溝 ６、１６ 分析試料載置容器 Ｓ 内部空間 ７ 分析試料載置部 ８、１８ 試料分解用溶液 ９、１９ 珪素質分析試料 １０ 天井部 １１ 蓋体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−160256（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−158840（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−98944（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01N 1/28
Claims (11)
- 【請求項１】 珪素質分析試料から珪素質を分解昇華さ
せ、珪素質分析試料中の不純物を残存物として回収する
珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法
において、密閉空間系を構成する密閉収容器内に、珪素
質分析試料を載置した分析試料容器及び試料分解用溶液
を、それぞれ接触させることなく上下の位置関係をもっ
て隔離状態で収納した後、該密閉収容器を加温により加
圧し、珪素質分析試料を分解昇華させ、該分析試料容器
内の残存物を回収することを特徴とする珪素質分析試料
中の不純物高精度分析のための処理方法。 - 【請求項２】 前記試料分解用溶液が前記収容器内で揮
発するように加温する請求項１記載の珪素質分析試料中
の不純物高精度分析のための処理方法。 - 【請求項３】 密閉空間系に構成する密閉収容器であっ
て、少なくとも密閉可能な開放部を有し、該密閉収容器
の上方内部を凹曲面状に形成し、内部下部に試料分解用
溶液を収容すると共に、該分析試料容器を載置可能な段
差が該試料分解用溶液の上方に配設され、且つ、該段差
が下部に収容貯留される該試料分解用溶液と所定の間隔
を有してなることを特徴とする珪素質分析試料中の不純
物高精度分析のための処理装置。 - 【請求項４】 前記開放部が、前記密閉収容器を少なく
とも垂直方向に２分割して形成されてなり、分割された
収容器下部及び収容器蓋体が嵌合される請求項３記載の
珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理装
置。 - 【請求項５】 前記収容器下部及び収容器蓋体が螺合さ
れてなる請求項４記載の珪素質分析試料中の不純物高精
度分析のための処理装置。 - 【請求項６】 前記螺合される部分の長さが、前記密閉
収容器の高さの１０〜２０％に相当し、且つ、各螺嵌部
の表面粗さＲａが０．１〜３μｍである請求項５記載の
珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理装
置。 - 【請求項７】 前記分析試料容器が環状体であり、その
環状部に複数の凹部が形成されてなり、該凹部に珪素質
分析試料が載置される請求項３〜６のいずれか記載の珪
素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理装置。 - 【請求項８】 前記凹部の内底部が曲面状である請求項
７記載の珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための
処理装置。 - 【請求項９】 前記環状体が肉厚材で形成され、前記凹
部が該肉厚材をくり貫いて形成されてなる請求項７また
は８記載の珪素質分析試料中の不純物高精度分析のため
の処理装置。 - 【請求項１０】 前記収容器下部、収容器蓋体及び分析
試料容器がそれぞれテフロン単体からなる請求項３〜９
のいずれか記載の珪素質分析試料中の不純物高精度分析
のための処理装置。 - 【請求項１１】 前記密閉収容器が、少なくとも内部空
間の水平断面が円形であり、前記分析試料容器が円環状
体である請求項３〜１０のいずれか記載の珪素質分析試
料中の不純物高精度分析のための処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152871A JP3051023B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6152871A JP3051023B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07333121A JPH07333121A (ja) | 1995-12-22 |
| JP3051023B2 true JP3051023B2 (ja) | 2000-06-12 |
Family
ID=15549948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6152871A Expired - Fee Related JP3051023B2 (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | 珪素質分析試料中の不純物高精度分析のための処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3051023B2 (ja) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8347444B2 (en) | 2007-05-09 | 2013-01-08 | Irobot Corporation | Compact autonomous coverage robot |
| US8368339B2 (en) | 2001-01-24 | 2013-02-05 | Irobot Corporation | Robot confinement |
| US8374721B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-02-12 | Irobot Corporation | Robot system |
| US8386081B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-02-26 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8392021B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet cleaning |
| US8390251B2 (en) | 2004-01-21 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous robot auto-docking and energy management systems and methods |
| US8387193B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet and dry cleaning |
| US8396592B2 (en) | 2001-06-12 | 2013-03-12 | Irobot Corporation | Method and system for multi-mode coverage for an autonomous robot |
| US8412377B2 (en) | 2000-01-24 | 2013-04-02 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8417383B2 (en) | 2006-05-31 | 2013-04-09 | Irobot Corporation | Detecting robot stasis |
| US8428778B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-04-23 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8456125B2 (en) | 2004-01-28 | 2013-06-04 | Irobot Corporation | Debris sensor for cleaning apparatus |
| US8463438B2 (en) | 2001-06-12 | 2013-06-11 | Irobot Corporation | Method and system for multi-mode coverage for an autonomous robot |
| US8474090B2 (en) | 2002-01-03 | 2013-07-02 | Irobot Corporation | Autonomous floor-cleaning robot |
| US8515578B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-08-20 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8528157B2 (en) | 2006-05-19 | 2013-09-10 | Irobot Corporation | Coverage robots and associated cleaning bins |
| US8584305B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-11-19 | Irobot Corporation | Modular robot |
| US8594840B1 (en) | 2004-07-07 | 2013-11-26 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous robot |
| US8600553B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-12-03 | Irobot Corporation | Coverage robot mobility |
| US8606401B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-12-10 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot navigation system |
| US8788092B2 (en) | 2000-01-24 | 2014-07-22 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8972052B2 (en) | 2004-07-07 | 2015-03-03 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous vehicle |
| US9008835B2 (en) | 2004-06-24 | 2015-04-14 | Irobot Corporation | Remote control scheduler and method for autonomous robotic device |
| US9826678B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-28 | Irobot Corporation | Robotic mowing of separated lawn areas |
| US9854737B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-01-02 | Irobot Corporation | Robotic lawn mowing boundary determination |
| US10037038B2 (en) | 2006-03-17 | 2018-07-31 | Irobot Corporation | Lawn care robot |
| US10067232B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-09-04 | Irobot Corporation | Autonomous robot localization |
| US10459063B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-29 | Irobot Corporation | Ranging and angle of arrival antenna system for a mobile robot |
| US10470629B2 (en) | 2005-02-18 | 2019-11-12 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for dry cleaning |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3476373B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2003-12-10 | 東芝セラミックス株式会社 | 珪素質分析試料中の不純物高感度分析のための試料処理器及びそれを用いた分析方法 |
| JP2010066251A (ja) * | 2008-08-12 | 2010-03-25 | Mitsubishi Materials Corp | クロロシラン類の分析装置および分析方法 |
| JP5459053B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-04-02 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶の不純物評価方法 |
| TW201335593A (zh) * | 2011-12-06 | 2013-09-01 | Sumika Chem Analysis Services | 容器、氣相分解方法、氣相分解裝置、分析方法及分析裝置 |
| JP6396121B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2018-09-26 | 学校法人東京電機大学 | 発光材料の製造方法 |
| JP6424742B2 (ja) * | 2015-06-04 | 2018-11-21 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコン結晶の不純物分析のための前処理方法、及び半導体シリコン結晶の不純物分析方法 |
| CN110186994A (zh) * | 2019-06-03 | 2019-08-30 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置 |
| CN117168942A (zh) * | 2023-11-01 | 2023-12-05 | 山东有研艾斯半导体材料有限公司 | 一种检测硅片表面金属的取样方法 |
-
1994
- 1994-06-10 JP JP6152871A patent/JP3051023B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (59)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8761935B2 (en) | 2000-01-24 | 2014-06-24 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8788092B2 (en) | 2000-01-24 | 2014-07-22 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8565920B2 (en) | 2000-01-24 | 2013-10-22 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8412377B2 (en) | 2000-01-24 | 2013-04-02 | Irobot Corporation | Obstacle following sensor scheme for a mobile robot |
| US8368339B2 (en) | 2001-01-24 | 2013-02-05 | Irobot Corporation | Robot confinement |
| US9582005B2 (en) | 2001-01-24 | 2017-02-28 | Irobot Corporation | Robot confinement |
| US8463438B2 (en) | 2001-06-12 | 2013-06-11 | Irobot Corporation | Method and system for multi-mode coverage for an autonomous robot |
| US8396592B2 (en) | 2001-06-12 | 2013-03-12 | Irobot Corporation | Method and system for multi-mode coverage for an autonomous robot |
| US8656550B2 (en) | 2002-01-03 | 2014-02-25 | Irobot Corporation | Autonomous floor-cleaning robot |
| US8671507B2 (en) | 2002-01-03 | 2014-03-18 | Irobot Corporation | Autonomous floor-cleaning robot |
| US8516651B2 (en) | 2002-01-03 | 2013-08-27 | Irobot Corporation | Autonomous floor-cleaning robot |
| US8474090B2 (en) | 2002-01-03 | 2013-07-02 | Irobot Corporation | Autonomous floor-cleaning robot |
| US9128486B2 (en) | 2002-01-24 | 2015-09-08 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8386081B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-02-26 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8428778B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-04-23 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8515578B2 (en) | 2002-09-13 | 2013-08-20 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US9949608B2 (en) | 2002-09-13 | 2018-04-24 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8793020B2 (en) | 2002-09-13 | 2014-07-29 | Irobot Corporation | Navigational control system for a robotic device |
| US8749196B2 (en) | 2004-01-21 | 2014-06-10 | Irobot Corporation | Autonomous robot auto-docking and energy management systems and methods |
| US8390251B2 (en) | 2004-01-21 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous robot auto-docking and energy management systems and methods |
| US8456125B2 (en) | 2004-01-28 | 2013-06-04 | Irobot Corporation | Debris sensor for cleaning apparatus |
| US8598829B2 (en) | 2004-01-28 | 2013-12-03 | Irobot Corporation | Debris sensor for cleaning apparatus |
| US9008835B2 (en) | 2004-06-24 | 2015-04-14 | Irobot Corporation | Remote control scheduler and method for autonomous robotic device |
| US9486924B2 (en) | 2004-06-24 | 2016-11-08 | Irobot Corporation | Remote control scheduler and method for autonomous robotic device |
| US8594840B1 (en) | 2004-07-07 | 2013-11-26 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous robot |
| US8634958B1 (en) | 2004-07-07 | 2014-01-21 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous robot |
| US8634956B1 (en) | 2004-07-07 | 2014-01-21 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous robot |
| US8874264B1 (en) | 2004-07-07 | 2014-10-28 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous robot |
| US8972052B2 (en) | 2004-07-07 | 2015-03-03 | Irobot Corporation | Celestial navigation system for an autonomous vehicle |
| US8670866B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-03-11 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet and dry cleaning |
| US8774966B2 (en) | 2005-02-18 | 2014-07-08 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet and dry cleaning |
| US8387193B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet and dry cleaning |
| US10470629B2 (en) | 2005-02-18 | 2019-11-12 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for dry cleaning |
| US8392021B2 (en) | 2005-02-18 | 2013-03-05 | Irobot Corporation | Autonomous surface cleaning robot for wet cleaning |
| US8584305B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-11-19 | Irobot Corporation | Modular robot |
| US8600553B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-12-03 | Irobot Corporation | Coverage robot mobility |
| US8606401B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-12-10 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot navigation system |
| US8661605B2 (en) | 2005-12-02 | 2014-03-04 | Irobot Corporation | Coverage robot mobility |
| US9599990B2 (en) | 2005-12-02 | 2017-03-21 | Irobot Corporation | Robot system |
| US9144360B2 (en) | 2005-12-02 | 2015-09-29 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot navigation system |
| US8374721B2 (en) | 2005-12-02 | 2013-02-12 | Irobot Corporation | Robot system |
| US10037038B2 (en) | 2006-03-17 | 2018-07-31 | Irobot Corporation | Lawn care robot |
| US11194342B2 (en) | 2006-03-17 | 2021-12-07 | Irobot Corporation | Lawn care robot |
| US9492048B2 (en) | 2006-05-19 | 2016-11-15 | Irobot Corporation | Removing debris from cleaning robots |
| US10244915B2 (en) | 2006-05-19 | 2019-04-02 | Irobot Corporation | Coverage robots and associated cleaning bins |
| US8528157B2 (en) | 2006-05-19 | 2013-09-10 | Irobot Corporation | Coverage robots and associated cleaning bins |
| US8417383B2 (en) | 2006-05-31 | 2013-04-09 | Irobot Corporation | Detecting robot stasis |
| US8438695B2 (en) | 2007-05-09 | 2013-05-14 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot sensing |
| US8370985B2 (en) | 2007-05-09 | 2013-02-12 | Irobot Corporation | Compact autonomous coverage robot |
| US8347444B2 (en) | 2007-05-09 | 2013-01-08 | Irobot Corporation | Compact autonomous coverage robot |
| US10299652B2 (en) | 2007-05-09 | 2019-05-28 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot |
| US9480381B2 (en) | 2007-05-09 | 2016-11-01 | Irobot Corporation | Compact autonomous coverage robot |
| US8726454B2 (en) | 2007-05-09 | 2014-05-20 | Irobot Corporation | Autonomous coverage robot |
| US9854737B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-01-02 | Irobot Corporation | Robotic lawn mowing boundary determination |
| US10067232B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-09-04 | Irobot Corporation | Autonomous robot localization |
| US11452257B2 (en) | 2014-10-10 | 2022-09-27 | Irobot Corporation | Robotic lawn mowing boundary determination |
| US10159180B2 (en) | 2014-12-22 | 2018-12-25 | Irobot Corporation | Robotic mowing of separated lawn areas |
| US9826678B2 (en) | 2014-12-22 | 2017-11-28 | Irobot Corporation | Robotic mowing of separated lawn areas |
| US10459063B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-29 | Irobot Corporation | Ranging and angle of arrival antenna system for a mobile robot |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07333121A (ja) | 1995-12-22 |
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