JP2001174375A - 金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法 - Google Patents
金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法Info
- Publication number
- JP2001174375A JP2001174375A JP36129799A JP36129799A JP2001174375A JP 2001174375 A JP2001174375 A JP 2001174375A JP 36129799 A JP36129799 A JP 36129799A JP 36129799 A JP36129799 A JP 36129799A JP 2001174375 A JP2001174375 A JP 2001174375A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- film
- metal
- metal contamination
- contamination
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】高価な測定装置を用いずに、定量性良くＣｕ汚
染を評価すること。 【解決手段】Ｓｉウェハ１上にＳｉＮ膜２を介してａ−
Ｓｉ膜３が形成されてなるテストウェハを用いる。この
テストウェハのａ−Ｓｉ膜３の表面の荒れ具合からＣｕ
汚染を定量的に評価する。
染を評価すること。 【解決手段】Ｓｉウェハ１上にＳｉＮ膜２を介してａ−
Ｓｉ膜３が形成されてなるテストウェハを用いる。この
テストウェハのａ−Ｓｉ膜３の表面の荒れ具合からＣｕ
汚染を定量的に評価する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｕ等の金属汚染
を評価するために用いる金属汚染評価用ウェハおよび金
属汚染評価方法に関する。
を評価するために用いる金属汚染評価用ウェハおよび金
属汚染評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスにおいては高速の
処理速度が必要であるために、いわゆるＲＣ遅延時間を
低減すること、つまり配線間の容量および配線抵抗を低
減することが必要になっている。
処理速度が必要であるために、いわゆるＲＣ遅延時間を
低減すること、つまり配線間の容量および配線抵抗を低
減することが必要になっている。
【０００３】配線抵抗を低減する手段として、金属配線
として銅（Ｃｕ）配線を使用することが採用されてい
る。Ｃｕ配線を使用するためには、Ｃｕの拡散を防止す
る必要になる。
として銅（Ｃｕ）配線を使用することが採用されてい
る。Ｃｕ配線を使用するためには、Ｃｕの拡散を防止す
る必要になる。
【０００４】その理由の１つとして、ＣｕがＳｉ−ＭＯ
Ｓに対するライフタイムキラーであり、Ｃｕ配線形成プ
ロセス中にＳｉ基板または層間絶縁膜を通してＣｕがチ
ャネルまたはコンタクト領域に拡散すると、しきい値電
圧が変動したり、ジャンクションリーク電流が増大する
という問題があげられる。
Ｓに対するライフタイムキラーであり、Ｃｕ配線形成プ
ロセス中にＳｉ基板または層間絶縁膜を通してＣｕがチ
ャネルまたはコンタクト領域に拡散すると、しきい値電
圧が変動したり、ジャンクションリーク電流が増大する
という問題があげられる。
【０００５】ＣｕによるＳｉウェハの汚染は、Ｃｕ成膜
工程、Ｃｕ−ＣＭＰ工程、層間絶縁膜のエッチング工
程、熱処理工程というＣｕ配線プロセスの随所で発生す
る可能性がある。このようなＣｕ配線プロセスとして
は、代表的にはＣｕダマシンプロセスがあげられる。
工程、Ｃｕ−ＣＭＰ工程、層間絶縁膜のエッチング工
程、熱処理工程というＣｕ配線プロセスの随所で発生す
る可能性がある。このようなＣｕ配線プロセスとして
は、代表的にはＣｕダマシンプロセスがあげられる。
【０００６】このようなウェハ汚染は、処理ウェハに止
まるものであるならば問題は小さいが、プロセスチャン
バ内部またはＣＲ環境を介して引き続く処理ウェハに汚
染が拡大することが最大の問題である。
まるものであるならば問題は小さいが、プロセスチャン
バ内部またはＣＲ環境を介して引き続く処理ウェハに汚
染が拡大することが最大の問題である。
【０００７】そのために、テストウェハをＣｕを搭載し
たウェハの処理前後に同等の処理を行い、上記テストウ
ェハのＣｕ汚染の有無をその都度確認して、Ｃｕ汚染の
拡大を阻止する必要がある。
たウェハの処理前後に同等の処理を行い、上記テストウ
ェハのＣｕ汚染の有無をその都度確認して、Ｃｕ汚染の
拡大を阻止する必要がある。
【０００８】Ｃｕ汚染の評価方法としては、Ｓｉウェハ
のキャリアライフタイム測定やゲート酸化膜中の余剰荷
電測定などが実用化されている。しかしながら、従来の
Ｃｕ汚染の評価方法を実施するためには、高価な測定装
置が必要となるという問題があった。さらに、測定結果
がＣｕの基板内の分布状態に影響を受けるため、定量性
の点でも問題があった。
のキャリアライフタイム測定やゲート酸化膜中の余剰荷
電測定などが実用化されている。しかしながら、従来の
Ｃｕ汚染の評価方法を実施するためには、高価な測定装
置が必要となるという問題があった。さらに、測定結果
がＣｕの基板内の分布状態に影響を受けるため、定量性
の点でも問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のＣ
ｕ汚染の評価方法としては、Ｓｉウェハのキャリアライ
フタイム測定やゲート酸化膜中の余剰荷電測定などが実
用化されていたが、高価な測定措置を必要としたり、定
量性の点で問題があった。
ｕ汚染の評価方法としては、Ｓｉウェハのキャリアライ
フタイム測定やゲート酸化膜中の余剰荷電測定などが実
用化されていたが、高価な測定措置を必要としたり、定
量性の点で問題があった。
【００１０】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、高価な測定装置を用い
ずに、定量性良く金属汚染を評価するために有効な金属
汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を提供するこ
とにある。
ので、その目的とするところは、高価な測定装置を用い
ずに、定量性良く金属汚染を評価するために有効な金属
汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る金属汚染評価用ウェハは、ウェハと、
このウェハの表面に形成された金属溜め膜とを備えてい
る。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記の通りである。すなわち、上記目的を達成するため
に、本発明に係る金属汚染評価用ウェハは、ウェハと、
このウェハの表面に形成された金属溜め膜とを備えてい
る。
【００１２】また、本発明に係る金属汚染評価方法は、
本発明に係る金属汚染評価用ウェハを金属汚染を評価す
る領域内に設け、所定の処理の終了後に前記金属汚染評
価用ウェハの物理的または電気的特性を測定し、この測
定結果に基づいて前記領域内の金属汚染を評価すること
を特徴とする。
本発明に係る金属汚染評価用ウェハを金属汚染を評価す
る領域内に設け、所定の処理の終了後に前記金属汚染評
価用ウェハの物理的または電気的特性を測定し、この測
定結果に基づいて前記領域内の金属汚染を評価すること
を特徴とする。
【００１３】本発明では、金属汚染評価用ウェハの金属
溜め膜の物理的または電気的特性の測定結果、すなわち
金属のウェハ内の分布状態に影響を受けない測定結果に
基づいて金属汚染の評価を行うので、定量性の点では問
題はない。また、上記金属溜め膜の物理的または電気的
特性の測定は高価な測定装置を用いずに行える。
溜め膜の物理的または電気的特性の測定結果、すなわち
金属のウェハ内の分布状態に影響を受けない測定結果に
基づいて金属汚染の評価を行うので、定量性の点では問
題はない。また、上記金属溜め膜の物理的または電気的
特性の測定は高価な測定装置を用いずに行える。
【００１４】したがって、本発明によれば、高価な測定
装置を用いずに、定量性良く金属汚染を評価するために
有効な金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を
提供できるようになる。
装置を用いずに、定量性良く金属汚染を評価するために
有効な金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を
提供できるようになる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００１６】図１は、本発明の一実施形態に係るＣｕ汚
染評価用ウェハ（以下、テストウェハという）を示す断
面図である。
染評価用ウェハ（以下、テストウェハという）を示す断
面図である。
【００１７】これを製造工程に従って説明すると、ま
ず、Ｓｉウェハ１の表面および裏面を覆うように厚さ１
００ｎｍのＳｉＮ膜２を形成する。図には、Ｓｉウェハ
１の表面および裏面を覆う工程で、Ｓｉウェハ１の他の
領域も覆われた場合を示している。なお、ＳｉＮ膜２の
裏面には必ずしもＳｉＮ膜２で覆う必要はない。また、
ＳｉＮ膜２を形成する代わりに厚さ１００ｎｍのＡｌ2
Ｏ3 膜をスパッタリング法またはＣＶＤ法で形成しても
良い。
ず、Ｓｉウェハ１の表面および裏面を覆うように厚さ１
００ｎｍのＳｉＮ膜２を形成する。図には、Ｓｉウェハ
１の表面および裏面を覆う工程で、Ｓｉウェハ１の他の
領域も覆われた場合を示している。なお、ＳｉＮ膜２の
裏面には必ずしもＳｉＮ膜２で覆う必要はない。また、
ＳｉＮ膜２を形成する代わりに厚さ１００ｎｍのＡｌ2
Ｏ3 膜をスパッタリング法またはＣＶＤ法で形成しても
良い。
【００１８】ＳｉＮ膜２またはＡｌ2 Ｏ3 膜はバリア膜
として用いられ、後で形成するアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）膜またはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜中を
Ｃｕが拡散し、突き抜けてＳｉウェハ１中に拡散するこ
とを防ぐことが目的である。したがって、ＳｉＮ膜２ま
たはＡｌ2 Ｏ3 膜はバリア性が確保される十分な厚さが
必要である。
として用いられ、後で形成するアモルファスシリコン
（ａ−Ｓｉ）膜またはポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜中を
Ｃｕが拡散し、突き抜けてＳｉウェハ１中に拡散するこ
とを防ぐことが目的である。したがって、ＳｉＮ膜２ま
たはＡｌ2 Ｏ3 膜はバリア性が確保される十分な厚さが
必要である。
【００１９】次にＳｉＮ膜２上にａ−Ｓｉ膜３を形成す
る。ａ−Ｓｉ膜３はＢまたはＡｓ等のドーパントを含ん
でいても良いし、あるいは含んでいなくても良い。ａ−
Ｓｉ膜３の代わりにｐ−Ｓｉ膜を形成しても良い。この
場合も、ドーパントを含んでいても、含んでいなくても
良い。重要なのはａ−Ｓｉ膜３またはｐ−Ｓｉ膜の膜厚
であり、膜厚が薄いほどＣｕに対する感度が向上する。
実用的に１ｎｍから１０ｎｍの膜厚を選ぶことが望まし
い。
る。ａ−Ｓｉ膜３はＢまたはＡｓ等のドーパントを含ん
でいても良いし、あるいは含んでいなくても良い。ａ−
Ｓｉ膜３の代わりにｐ−Ｓｉ膜を形成しても良い。この
場合も、ドーパントを含んでいても、含んでいなくても
良い。重要なのはａ−Ｓｉ膜３またはｐ−Ｓｉ膜の膜厚
であり、膜厚が薄いほどＣｕに対する感度が向上する。
実用的に１ｎｍから１０ｎｍの膜厚を選ぶことが望まし
い。
【００２０】この薄いａ−Ｓｉ膜３とＳｉＮ膜２との積
層構造により、汚染としてウェハ表面に吸着または堆積
するＣｕを効果的にａ−Ｓｉ膜３に溜め込むことがで
き、ａ−Ｓｉ膜３中のＣｕ濃度を高くすることができ
る。もしも、ａ−Ｓｉ膜３の下にＳｉＮ膜２が無けれ
ば、ＣｕがＳｉウェハ１中に拡散して、実質的にａ−Ｓ
ｉ膜３中のＣｕ濃度を高くすることは困難となる。
層構造により、汚染としてウェハ表面に吸着または堆積
するＣｕを効果的にａ−Ｓｉ膜３に溜め込むことがで
き、ａ−Ｓｉ膜３中のＣｕ濃度を高くすることができ
る。もしも、ａ−Ｓｉ膜３の下にＳｉＮ膜２が無けれ
ば、ＣｕがＳｉウェハ１中に拡散して、実質的にａ−Ｓ
ｉ膜３中のＣｕ濃度を高くすることは困難となる。
【００２１】室温におけるＣｕのＳｉ中の固溶限はゼロ
なので、ａ−Ｓｉ膜３中に捕獲されたＣｕは、ＣｕＳｉ
x （Ｃｕシリサイド）となって析出する。Ｃｕシリサイ
ドを析出させるためには、ウェハ表面に吸着または堆積
したＣｕをａ−Ｓｉ膜３中に拡散させる必要があり、そ
のためには２００℃、１０分以上の熱処理が必要とな
る。この熱処理の後、できる限りゆっくりと冷却させる
ことにより、Ｃｕシリサイドの成長を助長させることが
できる。
なので、ａ−Ｓｉ膜３中に捕獲されたＣｕは、ＣｕＳｉ
x （Ｃｕシリサイド）となって析出する。Ｃｕシリサイ
ドを析出させるためには、ウェハ表面に吸着または堆積
したＣｕをａ−Ｓｉ膜３中に拡散させる必要があり、そ
のためには２００℃、１０分以上の熱処理が必要とな
る。この熱処理の後、できる限りゆっくりと冷却させる
ことにより、Ｃｕシリサイドの成長を助長させることが
できる。
【００２２】このようなＣｕシリサイドの成長により、
非常に平滑であったａ−Ｓｉ膜３の表面が粗面化する。
この表面の荒れ具合を、パーティクルカウンター、欠陥
検査装置、ＳＴＭまたはＡＦＭにて測定することによっ
て（物理的特性を測定することによって）、Ｃｕの汚染
濃度を定量化することができる。あるいはシート抵抗の
変化を測定することによっても（電気的特性を測定する
ことによっても）、Ｃｕの汚染濃度を定量化することが
できる。
非常に平滑であったａ−Ｓｉ膜３の表面が粗面化する。
この表面の荒れ具合を、パーティクルカウンター、欠陥
検査装置、ＳＴＭまたはＡＦＭにて測定することによっ
て（物理的特性を測定することによって）、Ｃｕの汚染
濃度を定量化することができる。あるいはシート抵抗の
変化を測定することによっても（電気的特性を測定する
ことによっても）、Ｃｕの汚染濃度を定量化することが
できる。
【００２３】パーティクルカウンター等の計測装置は高
価な装置でなく、またａ−Ｓｉ膜３の表面の荒れ具合は
Ｃｕのウェハ内の分布状態の影響を受けない。したがっ
て、本実施形態によれば、高価な装置を用いずに、定量
性良くＣｕ汚染を評価できるようになる。
価な装置でなく、またａ−Ｓｉ膜３の表面の荒れ具合は
Ｃｕのウェハ内の分布状態の影響を受けない。したがっ
て、本実施形態によれば、高価な装置を用いずに、定量
性良くＣｕ汚染を評価できるようになる。
【００２４】以下に、図１に示したテストウェハを用い
たＣｕ汚染評価の例について詳述する。ここでは、ａ−
Ｓｉ膜３の膜厚ｄが異なる２種類（ｄ＝２ｎｍ、２０ｎ
ｍ）のテストウェハを用いた。ＳｉＮ膜の膜厚は共に同
じ１００ｎｍとした。これらのテストウェハ表面を１×
１０10／ｃｍ2 、５×１０10／ｃｍ2 、１×１０11／ｃ
ｍ2 汚染させ、次にこれらの汚染されたテストウェハを
真空中で２００℃、３０分の熱処理を施した後、約１０
℃／分の降温速度で冷却した。
たＣｕ汚染評価の例について詳述する。ここでは、ａ−
Ｓｉ膜３の膜厚ｄが異なる２種類（ｄ＝２ｎｍ、２０ｎ
ｍ）のテストウェハを用いた。ＳｉＮ膜の膜厚は共に同
じ１００ｎｍとした。これらのテストウェハ表面を１×
１０10／ｃｍ2 、５×１０10／ｃｍ2 、１×１０11／ｃ
ｍ2 汚染させ、次にこれらの汚染されたテストウェハを
真空中で２００℃、３０分の熱処理を施した後、約１０
℃／分の降温速度で冷却した。
【００２５】表１および表２に熱処理前後のａ−Ｓｉ膜
３（膜厚：２ｎｍ，２０ｎｍ）の表面のパーティクルを
カウンターにて測定した結果を示す。
３（膜厚：２ｎｍ，２０ｎｍ）の表面のパーティクルを
カウンターにて測定した結果を示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】表１および表２に示すように、ａ−Ｓｉ膜
３の膜厚を薄くすることにより、Ｃｕ汚染に対する感度
が向上し、かつパーティクルの個数はほぼＣｕの汚染濃
度に比例することが分かった。すなわち、ａ−Ｓｉ膜３
の膜厚を薄くすることにより、パーティクルの個数から
Ｃｕの汚染濃度を定量化できることが確認された。
３の膜厚を薄くすることにより、Ｃｕ汚染に対する感度
が向上し、かつパーティクルの個数はほぼＣｕの汚染濃
度に比例することが分かった。すなわち、ａ−Ｓｉ膜３
の膜厚を薄くすることにより、パーティクルの個数から
Ｃｕの汚染濃度を定量化できることが確認された。
【００２９】以上述べたテストウェハおよび計測装置を
用いたＣｕ汚染評価方法を、Ｃｕ配線プロセスが行われ
るプロセスチャンバに適用すれば、安価で簡便かつ高精
度の実用的なＣｕ汚染のモニターを実現できるようにな
る。
用いたＣｕ汚染評価方法を、Ｃｕ配線プロセスが行われ
るプロセスチャンバに適用すれば、安価で簡便かつ高精
度の実用的なＣｕ汚染のモニターを実現できるようにな
る。
【００３０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、上記実施形態では、Ｃｕ汚染
の場合について説明したが、本発明は他の金属汚染に対
して適用可能である。また、ウェハは通常のＳｉウェハ
でもＳＯＩウェハでも良く、さらにＳｉＧｅウェハ等の
他の半導体ウェハでも良い。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
るものではない。例えば、上記実施形態では、Ｃｕ汚染
の場合について説明したが、本発明は他の金属汚染に対
して適用可能である。また、ウェハは通常のＳｉウェハ
でもＳＯＩウェハでも良く、さらにＳｉＧｅウェハ等の
他の半導体ウェハでも良い。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、金
属溜め膜を有する金属汚染評価用ウェハを用い、金属溜
め膜の物理的または電気的特性の測定結果に基づいて金
属汚染の評価を行うことで、高価な測定装置を用いず
に、定量性良く金属汚染を評価するために有効な金属汚
染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を実現できるよ
うになる。
属溜め膜を有する金属汚染評価用ウェハを用い、金属溜
め膜の物理的または電気的特性の測定結果に基づいて金
属汚染の評価を行うことで、高価な測定装置を用いず
に、定量性良く金属汚染を評価するために有効な金属汚
染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法を実現できるよ
うになる。
【図１】本発明の一実施形態に係るＣｕ汚染評価用ウェ
ハを示す断面図
ハを示す断面図
１…Ｓｉウェハ ２…ＳｉＮ膜（バリア膜） ３…ａ−Ｓｉ膜（金属溜め膜）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 哲朗 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者 灘原 壮一 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内
Claims (10)
- 【請求項１】ウェハと、 このウェハの表面に形成された金属溜め膜とを具備して
なることを特徴とする金属汚染評価用ウェハ。 - 【請求項２】前記金属溜め膜は、前記ウェハの表面およ
び裏面に形成されていることを特徴とする請求項１に記
載の金属汚染評価用ウェハ。 - 【請求項３】前記金属溜め膜は、アモルファスシリコン
膜またはポリシリコン膜であることを特徴とする請求項
１に記載の金属汚染評価用ウェハ。 - 【請求項４】前記金属溜め膜の厚さは１０ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１に記載の金属汚染評価用ウ
ェハ。 - 【請求項５】前記金属溜め膜と前記ウェハとの間に、前
記金属溜め膜中に溜まった金属が前記ウェハ中に拡散す
ることを防止するバリア膜が形成されていることを特徴
とする請求項１に記載の金属汚染評価用ウェハ。 - 【請求項６】前記バリア膜は、シリコン窒化膜または酸
化アルミニウム膜であることを特徴とする請求項４に記
載の金属汚染評価用ウェハ。 - 【請求項７】請求項１ないし請求項６のいずれか１項に
記載の金属汚染評価用ウェハを金属汚染を評価する領域
内に設け、所定の処理の終了後に前記金属汚染評価用ウ
ェハの物理的または電気的特性を測定し、この測定結果
に基づいて前記領域内の金属汚染を評価することを特徴
とする金属汚染評価方法。 - 【請求項８】前記所定の処理の終了後に、前記金属汚染
評価用ウェハに熱処理を施してから前記金属汚染評価用
ウェハの物理的または電気的特性を測定することを特徴
とする請求項７に記載に金属汚染評価方法。 - 【請求項９】前記熱処理は、２００℃以上、１０分以上
の熱処理であることを特徴とする請求項７に記載に金属
汚染評価方法。 - 【請求項１０】前記金属汚染を評価する領域はプロセス
チャンバ、前記所定の処理はＣｕ配線プロセスであるこ
とを特徴とする請求項７に記載に金属汚染評価方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36129799A JP2001174375A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36129799A JP2001174375A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001174375A true JP2001174375A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18473006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36129799A Pending JP2001174375A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001174375A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884634B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Specifying method for Cu contamination processes and detecting method for Cu contamination during reclamation of silicon wafers, and reclamation method of silicon wafers |
| WO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
| US7699997B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-04-20 | Kobe Steel, Ltd. | Method of reclaiming silicon wafers |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36129799A patent/JP2001174375A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6884634B2 (en) | 2002-09-27 | 2005-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Specifying method for Cu contamination processes and detecting method for Cu contamination during reclamation of silicon wafers, and reclamation method of silicon wafers |
| US7699997B2 (en) | 2003-10-03 | 2010-04-20 | Kobe Steel, Ltd. | Method of reclaiming silicon wafers |
| WO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
| JPWO2008149806A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2010-08-26 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
| JP5120789B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体製造装置の汚染評価方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW483105B (en) | A semiconductor integrated circuit device and a method of manufacturing the same | |
| O’sullivan et al. | Si (100)–SiO 2 interface properties following rapid thermal processing | |
| US20100314698A1 (en) | Methods of manufacturing metal-silicide features | |
| de Felipe et al. | Electrical stability and microstructural evolution in thin films of high conductivity copper alloys | |
| JP2005510882A (ja) | 高温プロセスに適合するｐＦＥＴ用金属ゲート電極およびその製作方法 | |
| JP2001174375A (ja) | 金属汚染評価用ウェハおよび金属汚染評価方法 | |
| Lanckmans et al. | A comparative study of copper drift diffusion in plasma deposited a-SiC: H and silicon nitride | |
| Wong et al. | HPSAC—A silicided amorphous-silicon contact and interconnect technology for VLSI | |
| Lanckmans et al. | Use of a capacitance voltage technique to study copper drift diffusion in (porous) inorganic low-k materials | |
| Nickel et al. | On the nature of the defect passivation in polycrystalline silicon by hydrogen and oxygen plasma treatments | |
| US6461880B1 (en) | Method for monitoring silicide failures | |
| US5830802A (en) | Process for reducing halogen concentration in a material layer during semiconductor device fabrication | |
| US6933235B2 (en) | Method for removing contaminants on a substrate | |
| US4536223A (en) | Method of lowering contact resistance of implanted contact regions | |
| CN104465351B (zh) | 一种改善金属硅化物的方法 | |
| JP2008147461A (ja) | 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子 | |
| Dunn | Effect of an Al overlayer on interface states in poly-Si gate MOS capacitors | |
| Ku et al. | Shallow, silicided p+/n junction formation and dopant diffusion in SiO2/TiSi2/Si structure | |
| Angelis et al. | Dimension scaling of low frequency noise in the drain current of polycrystalline silicon thin-film transistors | |
| Winkler et al. | The Doping of Si p‐Field‐Effect Transistor Devices by Gallium Focused Ion Beam Implantation Enabling Flexible Fabrication Routes at Moderate Temperatures | |
| US6642518B1 (en) | Assembly and method for improved scanning electron microscope analysis of semiconductor devices | |
| Middelhoek et al. | A polysilicon source and drain MOS transistor (PSD MOST) | |
| KR100210853B1 (ko) | 반도체 소자의 전도선 및 그 제조방법 | |
| Pan et al. | Formation and mechanism of dimple/pit on Si substrate during WSi x/poly-Si gate stack etch | |
| JPH08241989A (ja) | 半導体装置 |