JP2008147461A - 半導体基板の評価方法および半導体基板評価用素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板の評価方法であって、少なくとも、半導体基板の表面に分離酸化膜を形成して窓開けを行い、ゲート酸化膜を形成し、分離酸化膜の窓部のゲート酸化膜上に、ゲート電極とその両側にそれぞれ2本ずつの絶縁破壊用電極を形成し、各々の電極間に位置する評価する半導体内に、評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散し、ゲート電極の両側において、それぞれ、絶縁破壊用電極間に電界を印加してゲート酸化膜の一部を絶縁破壊し、ゲート電極の両側に隣接する絶縁破壊用電極をソース電極およびドレイン電極としてMOSFET測定を行い、半導体基板を評価する半導体基板の評価方法。
【選択図】図1
Description
シリコン基板102にCOP(Crystal Originated Particles)のような欠陥ないしは不純物等が存在しなければ、絶縁破壊は酸化膜103そのものがもつ真性破壊挙動となるが、欠陥が存在する場合は、その欠陥の存在により本来の絶縁膜としての絶縁性が劣化する。
そして、金属電極206をゲート電極とし、金属配線209をソースおよびドレインに接続し、MOSFET測定を行い、シリコン基板202を評価することができる。
すなわち、素子の作製時に従来行われていた金属配線同士の絶縁性を得るための層間絶縁膜やアルミ等の金属配線を形成するための工程及び装置、並びにパターン化に必要な工程が短縮でき、そのための設備導入や維持のための投資が不要となり、また、評価工程を短縮できるので、低価格で迅速な評価を行うことが可能である。
しかも、各々の電極間に位置する評価する半導体内に、該評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散する工程を含んでいるので、半導体の抵抗率や厚さにかかわらず、電極と電極の間の接続抵抗を下げることができ、精度の高い評価を行うことができる。
このように、前記ゲート電極および絶縁破壊用電極をポリシリコンからなるものとすれば、加工が容易であり、電極を形成し易い。
このように、半導体素子の形成に汎用的に用いられている素材であるシリコンからなる半導体を評価できるので、この評価結果を種々の半導体素子の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。
また、各々の電極間に位置する評価する半導体内に、該評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントが拡散された拡散部が形成されており、評価する半導体の抵抗率や厚さにかかわらず、電極と電極の間の接続抵抗が低いので、精度の高い評価を行うことができる半導体基板評価用素子となる。
このように、前記ゲート電極および絶縁破壊用電極がポリシリコンからなるものであれば、加工が容易であり、形成し易い電極となる。
このように、評価する半導体が、半導体素子の形成に汎用的に用いられている素材であるシリコンからなるものであれば、この評価用素子の評価結果を種々の半導体素子の調査、保証等に幅広く有効に活用することができる。
図1に、本発明の半導体基板評価用素子の一例を示す。ここでは、評価する半導体基板がシリコン基板である例について述べるが、本発明はシリコン基板に限定されない。なお、評価する半導体がシリコンからなるものであれば、シリコンは半導体素子製造用に汎用的に用いられている素材であるため、このような評価用素子の評価結果は種々の半導体素子の製品品質の調査、保証等に有効に役立てることが可能である。
また、絶縁破壊用電極7は、図1のようにゲート電極6の両側に2本ずつのみに限定されず、片側あたり例えば3本以上形成されていても良いし、ゲート電極6も2本以上形成されていても良い。少なくとも、ゲート電極1本と、その両側に絶縁破壊用電極が2本ずつ形成されていれば良い。
そして、ゲート電極6および絶縁破壊用電極7は、導電膜からなるものであれば特に限定されないが、例えばポリシリコンからなるものであれば、加工が容易なものとなり、形成しやすい電極となる。
図2に本発明の半導体基板の評価方法の工程の一例を示す。
まず、前工程として評価する半導体基板を準備する。前述したように、特にこの半導体基板は限定されないが、例えば評価する半導体がシリコンからなる半導体基板(シリコン基板2)とすることができ、評価結果を種々の半導体素子の製品品質の調査、保証等に有効活用することができる。
なお、後の工程で、ドーパントの拡散処理を行うが、この拡散処理時にドーパントが上記分離酸化膜4を突き抜けない程度の厚さに分離酸化膜4を形成するのが好ましい。例えば、300nm以上の厚さとすると良い。拡散処理時の熱処理等の条件を考慮し、その都度厚さを決定することができる。
もちろん、シリコン表面が面荒れを引き起こした時、面荒れした表層部をエッチング等で平滑にすることも可能である。ただし、この場合は、評価する基板本来の表面からより深い領域を評価することになる。これらのことを考慮し、各条件に合わせて適切に窓開けを行えば良い。
当然上記電極を他の金属からなるものとすることも可能である。
なお、この拡散部8の抵抗値が1kΩ以下になるようにドーパント量を調整して拡散すれば、各電極間の接続抵抗も十分に小さくすることができ、高精度の評価を行うことができて好ましい。
そして、拡散後、ゲート電極6周辺のゲート酸化膜3等をエッチング除去してしまわないようにして、積層したリンガラスをフッ酸により除去する。
(実施例)
試料としてP型で直径200mmのシリコンウエーハを用いた。なお、このときのP型のドーパントはボロンとした。このようなシリコンウエーハに、図1に示すような本発明の評価用素子を形成する。
まず、900℃のWet酸素雰囲気中で熱酸化処理を施し、300nmの分離酸化膜をウエーハ表面に形成した。その後、フォトリソグラフィ及びフッ酸によるエッチングを行ない、上記分離酸化膜に5×10μm角の窓開けを行った。
そして、これにCVD法によってリンをドープしたポリシリコンを堆積し、ポリシリコン膜を作製した。この際のポリシリコン膜の厚さはおよそ300nm、リンドープ量は、シート抵抗にして25ohm/sq.程度の十分抵抗値が低いものとなるようにした。
このようにドーパントの拡散を行った後、2.5%HFにて堆積したリンガラスを除去した。なお、このときのエッチングレートは0.3nm/secであり、元からある電極周辺のゲート酸化膜は残すようにモニタウエーハを用いて注意深く行った。
前述したように、ゲート酸化膜が破壊できさえすれば良く、一定電圧ないし、電流を酸化膜が破壊するまで印加する方法を用いれば良い。今回は、一定電流を印加する方法を行ってゲート酸化膜を破壊した。ストレス電流としてI=50mAを3sec印加した。このときの抵抗は400Ωであった。
図3に示すように、あるゲート電圧Vgに対し、ドレイン電流Idは、はじめはドレイン電圧Vdとともに直線的に増加し(直線領域)、それから徐々に直線からずれて飽和値に近づく(飽和領域)という一般的なMOSFET特性と同様のパターンが得られていることが分かる(図3中、Vg=0(V)のとき■、Vg=0.25(V)のとき▲、Vg=0.50(V)のとき×、Vg=0.75(V)のとき*、Vg=1.00(V)のとき●、Vg=1.25(V)のとき|、Vg=1.50(V)のとき−)。しかも、ピンチオフ領域が、計算によるドレイン電流の飽和電流値曲線Zと良く一致していることが分かる。ここで上記曲線Zについて説明すると、上記直線領域と飽和領域の境界部(ピンチオフ領域)を計算により求めたものであり、下記式(1)で表される。
また、本発明における評価では、金属配線や層間絶縁膜を作製する必要もなく、評価用素子の作製も従来に比べて簡単に短時間で済ますことができ、コストや手間、さらには時間を必要以上にかけずに効率良くサンプルを評価することができた。
4…分離酸化膜、 5…窓部、 6…ゲート電極、
7、7a、7b、7c、7d…絶縁破壊用電極、 8…拡散部。
Claims (6)
- 半導体基板の評価方法であって、少なくとも、半導体基板の表面に分離酸化膜を形成し、該分離酸化膜の一部を除去して窓開けを行った後、ゲート酸化膜を形成し、前記分離酸化膜の窓開けした窓部のゲート酸化膜上に、ゲート電極と該ゲート電極の両側にそれぞれ2本ずつの絶縁破壊用電極を形成し、各々の前記電極間に位置する評価する半導体内に、該評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントを拡散した後、前記ゲート電極の両側において、それぞれ、前記絶縁破壊用電極間に電界を印加して前記ゲート酸化膜の一部を絶縁破壊し、その後、前記ゲート電極の両側に隣接する絶縁破壊用電極をソース電極およびドレイン電極としてMOSFET測定を行い、半導体基板を評価することを特徴とする半導体基板の評価方法。
- 前記ゲート電極および絶縁破壊用電極をポリシリコンからなるものとすることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の評価方法。
- 前記評価する半導体をシリコンとすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の評価方法。
- 半導体基板評価用素子であって、少なくとも、評価する半導体と、前記半導体上に形成されたゲート酸化膜と、該ゲート酸化膜を囲んで窓開けされた分離酸化膜と、該分離酸化膜の窓開けされた窓部の前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極および該ゲート電極の両側にそれぞれ2本ずつの絶縁破壊用電極とを具備し、各々の前記電極間に位置する前記評価する半導体内に、該評価する半導体の導電型とは異なる導電型のドーパントが拡散された拡散部が形成されたものであることを特徴とする半導体基板評価用素子。
- 前記ゲート電極および絶縁破壊用電極がポリシリコンからなるものであることを特徴とする請求項4に記載の半導体基板評価用素子。
- 前記評価する半導体がシリコンからなるものであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体基板評価用素子。
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