JP4742573B2 - 半導体基板の評価方法及び半導体基板評価用素子 - Google Patents
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このように半導体層の厚さが5μm以下の半導体基板を用いる場合は寄生抵抗を低減するために櫛形電極部パターンとすることが望ましいが、本発明ではこのような場合でもAl電極配線を用いなくとも測定精度の高い評価ができる。なお、半導体層の厚さの下限値は特に限定されず、例えば40nm程度またはそれ以下の厚さとできる。
このように、半導体層がシリコンからなる半導体基板を評価することにより、デバイス作製に汎用的に利用されている素材を評価できるので、デバイスの性能品質を予備的に短時間に評価することができるという利点がある。
このように、ゲート酸化膜の厚さを5nm以上50nm以下とすれば、測定に対する結晶欠陥等の欠陥の検出感度を低下させることなく、適度な電圧を印加して高精度の評価をすることができる。また制御が容易な厚さであり、かつ短時間で形成できる厚さなので、迅速に評価ができる。
このように、ゲート電極の面積を1mm2以上20mm2以下とすれば、その面積内に存在する半導体層の欠陥数を、測定に適する数とでき、精度の高い測定をすることができる。
このように、複数のプローブの接触位置の間隔を100μm以上5mm以下とすれば、測定に対するプローブ相互の寄生抵抗成分の影響が少なく、またプローブとポリシリコンの電極との接触抵抗や電極と半導体層との接触抵抗も問題とならず、測定精度を高くできる。
このように半導体層が厚さ5μm以下のものである場合は寄生抵抗を低減するために櫛形電極部パターンとすることが望ましいが、本発明ではこのような場合でもAl電極配線を用いなくとも測定精度の高い評価が可能な評価用素子となる。なお、半導体層の厚さの下限値は特に限定されず、例えば40nm程度またはそれ以下の厚さとできる。
このように、半導体層がシリコンからなる半導体基板評価用素子であれば、デバイス作製に汎用的に利用されている素材であるから、デバイスの性能品質を予備的に短時間に評価することが可能な評価用素子となる。
このように、ゲート酸化膜が厚さ5nm以上50nm以下のものであれば、測定に対する結晶欠陥等の欠陥の検出感度を低下させることなく、適度な電圧を印加して高精度の評価をすることが可能な評価用素子となる。また制御が容易な厚さであり、かつ短時間で形成できる厚さなので、迅速に評価をすることが可能な評価用素子となる。
このように、ゲート電極の面積が1mm2以上20mm2以下であれば、その面積内に入る半導体層の欠陥数が、測定を精度高く行なうのに適する数となる評価用素子とできる。
このように、半導体基板の直径が150mm以上のものとすることにより、特に近年求められているデバイス作製に汎用的に利用されている大口径の素材基板であるので、デバイスの性能品質を予備的に短時間に評価をするのに適した評価用素子となる。
また、本発明の半導体基板評価用素子は、Al電極配線を用いない簡単なMOS構造を有するので、Al電極配線形成のためのAl成膜装置やエッチング装置などが不要であるから低コストで作製でき、また作製工程が単純になり、これを用いてゲート酸化膜の電気特性を測定する際には評価に要する時間が短縮でき、尚且つ測定精度の高い評価を行うことが可能な評価素子となる。
従来の方法において、SOIウェーハ等半導体基板のゲート酸化膜の電気特性を評価する際には金属電極配線が用いられており、特に櫛形の電極部パターンを用いる際には、導電性の良いAl電極配線を行うことが必須とされていた。その場合、Al電極配線の形成工程が付加され、時間的、装置的にも負担が増加する。そこで本発明者らはこのAl電極配線を用いずに評価を行うことを検討し、その結果、ポリシリコンからなる電極を形成した半導体基板評価用素子を用いれば、Al電極配線を用いなくとも電気特性が評価でき、しかも工程の簡略化、評価時間の短縮等ができることに想到した。
さらに、このような半導体基板評価用素子を用いて半導体基板を評価する際に、少なくともグラウンド電極側に複数のプローブを接触させてゲート酸化膜の電気特性を測定することにより、印加する電圧の電圧降下や電流量の減少が起こらず、精度の高い測定ができることに想到し、本発明を完成させた。
図1は本発明に従う半導体基板評価用素子の一例を、半導体層がシリコン層(SOI層)であるSOIウェーハを用いる場合について示した断面概略説明図である。この半導体基板評価用素子1は、支持基板2のBOX酸化膜3上にSOI層4が形成されたSOIウェーハ5と、SOIウェーハ5上にゲート酸化膜6とポリシリコン膜7をパターン化して形成したゲート電極部8と、ゲート電極部8を含むSOIウェーハ5上に形成された層間絶縁膜9と、層間絶縁膜9に形成した孔を介してゲート電極部8及びSOI層4のそれぞれに接続するポリシリコンからなるゲート電極10及びグラウンド電極11とを具備するものである。本発明では、図1に示すように3重構造のMOS配置を用いたが、配置の形状はこれに限られない。
また、ゲート酸化膜6の厚さが5nm未満であると、測定の際に結晶欠陥等の検出感度が低下してしまうためにSOI層の品質を精度良く測定できない場合や、酸化膜の厚さを制御することが難しくなる場合がある。また、ゲート酸化膜の厚さが50nmを超えると、測定の際に高電圧を印加する必要が生じる場合があり、尚且つセルフヒーリングの発生によるSOI層の品質の差が分からなくなるとともに、酸化膜形成時間が長くなって評価用素子作製の生産性が悪くなってしまうというおそれがある。そこで、本発明の半導体基板評価用素子では、ゲート酸化膜の厚さが5nm以上50nm以下のものとするのが好ましく、これにより測定に対する結晶欠陥等の欠陥の検出感度が低下することがなく、また酸化膜の厚さの制御が容易となる。従って適度な電圧を印加して高精度の評価をすることができる評価用素子となる。また短時間で酸化膜が形成できる厚さなので、迅速に評価ができる評価用素子となる。
そして図2(E)に示すように、層間絶縁膜9のゲート電極部及びSOI層上の部分のそれぞれに孔(コンタクトホール)を形成する。このコンタクトホールの形成は、フォトリソグラフィ技術とHF水溶液によるエッチングにより行なうことができる。
さらに図2(F)に示すように、このコンタクトホールを介してゲート電極部及びSOI層のそれぞれに接続するポリシリコンからなるゲート電極10及びグラウンド電極11を一括形成する。これらの電極の形成には、SOIウェーハ上にリンをドープしたポリシリコン膜をCVD法等により堆積させた後、フォトリソグラフィ技術とエッチングにより不要な部分を除去して形成することができる。ゲート電極10の面積は、実質的に図2(c)でパターン化したゲート電極部の面積であり、1mm2以上20mm2以下とすれば、その面積内に入るSOI層の欠陥数が、SOI層の品質を精度良く測定するのに適当な数となり好ましい。
なお、これら電極形成前に、半導体基板にリンガラスを堆積させ、コンタクトホールを介してSOI層及びゲート電極部のポリシリコン膜にリンを拡散させてコンタクト層を形成してもよい。
(実施例)
特性評価用試料として、導電型がP型で直径200mmの貼り合わせSOIウェーハを用いた。なお、このP型ウェーハのドーパントはボロンである。このときのSOI層の厚さは145nm、BOX酸化膜の厚さは145nmであった。
実施例と同様の方法により評価用素子を作製し、実施例と同様の方法でI−V特性を測定した。ただし、ゲート電極とグラウンド電極については、Al成膜装置とエッチング装置を用いてAlにて形成した。そのため、評価素子作製に際しては、実施例よりも3〜7日長い時間を要した。
図4にこのとき得られたI−V特性のグラフを示す。ほぼ実施例と同じI−V特性曲線が得られ、両者が同等の精度で測定できることを確認した。
例えば、上記実施例ではSOIウェーハについて説明したが、その他の絶縁体上に半導体層が形成された半導体基板、例えばSGOI(SiGe On Insulator)ウェーハやGOI(Ge On Insulator)ウェーハ等であっても本発明の評価方法及び評価素子を適用できる。
4…SOI層、 5、29…SOIウェーハ、 6、22、22’…ゲート酸化膜、
7…ポリシリコン膜、 8…ゲート電極部、 9、25…層間絶縁膜、
10…ゲート電極、 11…グラウンド電極、12…テスター、
13、14a、14b、14c、14d、14e、20…プローブ、
21…シリコン基板、 23、23’…金属電極部、 24…金属電極、
26…シリコン層、
F、G…テスター端子。
Claims (11)
- 絶縁層又は絶縁体上に半導体層が形成された半導体基板を評価する方法であって、少なくとも、前記半導体層上にゲート酸化膜とポリシリコン膜とを順次形成し、該形成したゲート酸化膜とポリシリコン膜とをパターン化してゲート電極部を形成し、該ゲート電極部を含む前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成した後、該層間絶縁膜の前記ゲート電極部及び前記半導体層上の部分のそれぞれに孔を形成し、該孔を介して前記ゲート電極部及び前記半導体層のそれぞれに接続するポリシリコンからなるゲート電極及び該ゲート電極を囲むグラウンド電極を一括形成し、少なくとも該グラウンド電極側に複数のプローブを接触位置の間隔を100μm以上5mm以下として接触させて前記ゲート酸化膜の電気特性を測定することを特徴とする半導体基板の評価方法。
- 前記半導体層の厚さが40nm以上5μm以下の半導体基板を用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の評価方法。
- 前記半導体層がシリコンからなる半導体基板を評価することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体基板の評価方法。
- 前記ゲート酸化膜の厚さを5nm以上50nm以下とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の半導体基板の評価方法。
- 前記ゲート電極の面積を1mm2以上20mm2以下とすることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の半導体基板の評価方法。
- 半導体基板評価用素子であって、絶縁層又は絶縁体上に半導体層が形成された半導体基板と、前記半導体層上に順次形成されたゲート酸化膜とポリシリコン膜とからなるパターン化されたゲート電極部と、該ゲート電極部を含む前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に形成した孔を介して前記ゲート電極部及び前記半導体層のそれぞれに接続するポリシリコンからなるゲート電極及び複数のプローブを接触させる前記ゲート電極を囲むグラウンド電極とを具備するものであることを特徴とする半導体基板評価用素子。
- 前記半導体層は、厚さが40nm以上5μm以下のものであることを特徴とする請求項6に記載の半導体基板評価用素子。
- 前記半導体層は、シリコンからなるものであることを特徴とする請求項6又は請求項7に記載の半導体基板評価用素子。
- 前記ゲート酸化膜は、厚さが5nm以上50nm以下のものであることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1項に記載の半導体基板評価用素子。
- 前記ゲート電極は、面積が1mm2以上20mm2以下のものであることを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか1項に記載の半導体基板評価用素子。
- 前記半導体基板は、直径が150mm以上のものであることを特徴とする請求項6乃至請求項10のいずれか1項に記載の半導体基板評価用素子。
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