TWI635275B - 清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種用以高精度評價碳化矽類構件的金屬污染的手段。一種具有碳化矽表面的構件之清淨度評價方法，包括：使該碳化矽表面接觸氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸；加熱與該碳化矽表面接觸的混合酸加以濃縮；將該濃縮獲得的濃縮液稀釋而獲得的試料溶液，使用電感結合電漿質量分析計進行金屬成分的定量分析；以及根據該定量分析所得到的金屬成分定量結果，評價具有該碳化矽表面的構件的清淨度。

Description

清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法
本發明係有關於清淨度評價方法、洗淨條件決定方法以及矽晶圓之製造方法。詳細來說，本發明係有關於具有碳化矽表面的構件的清淨度評價方法、具有碳化矽表面的構件的洗淨條件決定方法及矽晶圓之製造方法。
碳化矽(SiC)一般被認為是耐熱性、化學耐久性等相當優秀的材料。因此碳化矽在各種技術領域被廣泛地使用為構成各種構件的材料。做為一個例子，在矽晶圓(以下也稱為「晶圓」)的製造領域下，會在被切片成矽晶圓的單晶矽棒的製造中所使用的拉起機的內部構件(熱遮蔽構件)、或是熱處理時載置晶圓的構件(承托器、晶圓舟等)的表面上，被覆碳化矽，或者是將構件全體以碳化矽構成等。以下，將表面的至少一部分是碳化矽的構件，也就是具有碳化矽表面(SiC表面)的構件記載為「碳化矽類構件」。
關於碳化矽類構件，為了減低來自碳化矽類構件的金屬污染，會洗淨碳化矽類構件(例如參照專利文獻1、2)。
先行技術文獻
專利文獻1：日本特開2010-4073號公報
專利文獻2：日本特開2000-169233號公報
[發明概要]
例如關於矽晶圓，矽晶圓的金屬污染會影響到使用這個晶圓製作而成的裝置特性，因此會被要求降低污染。矽晶圓的金屬污染的一個原因是單晶矽棒或矽晶圓的製造步驟中與晶圓接觸的構件被金屬污染，結果金屬元素從這些構件擴散到氣體中而被單晶矽棒或矽晶圓吸入，又或者與這些構件接觸而造成矽晶圓被金屬污染等。因此包含有使用碳化矽類構件的步驟的矽晶圓製造步驟中，會希望洗淨碳化矽類構件來降低碳化矽類構件的金屬污染。又，更希望能夠對清淨度評價，判斷洗淨碳化矽構件後是否就成為充分降低金屬污染的清淨狀態，假設清淨度並不足夠的話就檢討是否變更洗淨條件等。這樣的碳化矽構件的清淨度評價方法被要求能夠高精度地評價碳化矽類構件的金屬污染。
因此，本發明的目的是提供一種用以高精度地評價碳化矽類構件的金屬污染的手段。
本發明的一態樣是有關於一種具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)之清淨度評價方法，包括：使該碳化矽表面接觸氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸；加熱與該碳化矽表面接觸的混合酸加以濃縮；將該濃縮獲得的濃縮液稀釋而獲得的試料溶液，使用電感結合電漿質量分析計(Inductively Coupled Plasma-Mass Spectrometry；ICP-MS)進行金屬成分的定量分析；以及根據該定量分析所得到的金屬成分定量結果，評價具有該碳化矽表面的構件的清淨度。
本發明的一個態樣，該混合酸中，氟化氫酸的濃度在5~15質量%的範圍，鹽酸的濃度在5~15質量%的範圍，且硝酸的濃度在5~15質量%的範圍。
本發明的一個態樣，添加氟化氫酸及過氧化氫來稀釋該濃縮而得的濃縮液，藉此調製該試料溶液。
本發明的一個態樣，具有該碳化矽表面的構件是矽晶圓製造用構件。
本發明的一個態樣，該矽晶圓製造用構件是承托器。
本發明的另一個態樣是有關於一種具有碳化矽表面的構件之洗淨條件決定方法，包括：在候補洗淨條件下，洗淨具有碳化矽表面的構件的該碳化矽表面；使用該清淨度評價方法來評價具有該洗淨後的碳化矽表面的構件的清淨度；以及在該評價後，將判定清淨度在容許等級以內的候補洗淨條件，決定成在矽晶圓的實際製造步驟中具有碳化矽表面的構件的洗淨條件。
本發明的另一個態樣是有關於一種矽晶圓製造方法，包括：使用該清淨條件決定方法來決定清淨條件；在已決定的洗淨條件下，洗淨具有碳化矽表面的矽晶圓製造用構件；以及經過包含有使用該洗淨後的矽晶圓製造用構件的步驟在內之製造步驟，製造矽晶圓。
本發明的另一個態樣是有關於一種矽晶圓製造方法，包括：使用該清淨度評價方法來評價具有碳化矽表面的矽晶圓製造用構件的清淨度；在該評價後，經過包含有使用清淨度被判定在容許等級以內的矽晶圓製造用構件的步驟在內之製造步驟，製造矽晶圓。
根據本發明，能夠高精度地評價具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)的金屬污染。
[清淨度評價方法]
本發明的一個態樣是具有碳化矽表面的構件(碳化矽構件)的清淨度評價方法(以下，簡單稱為「清淨度評價方法」)，包括：使上述碳化矽表面接觸氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸；加熱與上述碳化矽表面接觸的混合酸來濃縮；稀釋上述濃縮而得的濃縮液並將獲得的試料溶液進行利用感應結合電漿質量分析計(ICP-MS)的金屬成分的定量分析；以及根據上述定量分析獲得的金屬成分定量結果，評價具有上述碳化矽表面的構件的清淨度。
本發明及本說明書中，假設「清淨度」是指金屬污染的程度。根據本發明的一態樣的上述清淨度評價方法，能夠高精度地評價碳化矽類構件的清淨度。關於能夠高精度評價的理由，本發明人們推測出是以下幾點帶來幫助：上述混合酸能 夠以高回收率從碳化矽表面回收金屬成分；加熱濃縮從碳化矽表面以高回收率回收金屬成分的混合酸；以及以高感度的分析裝置ICP-MS來進行定量分析。然而，以上僅是推測，並不對本發明有任何限制。以下，更詳細地說明上述清淨度評價方法。
[評價對象構件]
上述清淨度評價方法的評價對象是具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)。碳化矽表面是指碳化矽製的表面。具有碳化矽表面的構件。其構件表面的全部或一部分為碳化矽表面。具有碳化矽表面的構件在一態樣中，是表面的至少一部分，也就是一部分或全部被碳化矽覆蓋的構件，在其他的態樣中，是構件全體都是碳化矽製的構件，又在其他的另一態樣中，是構件的一部分為碳化矽製且碳化矽製的部分會露出構件的表面的一部分的構件。做為覆蓋構件的至少一部分的被覆層，具有碳化矽的碳化矽類構件中，被覆層的厚度並沒有特別限定。又，評價對象的碳化矽類構件的尺寸或形狀也沒有特別的限制。
例如，舉矽晶圓的製造步驟為例的話，碳化矽類構件會被做為矽晶圓製造用構件而廣泛使用。做為碳化矽類的矽晶圓製造用構件，例如能夠舉出使用於單晶矽棒製造中的拉起機的內部構件(熱遮蔽構件等)、承托器(晶圓載置構件)、承托器的提昇銷、熱處理爐或CVD(chemical vapor deposit)爐的舟等，能夠藉由本發明的一態樣的清淨度評價方法來進行這些各種構件的清淨度評價。然而，根據本發明的一態樣的清淨度評價方法的評價對象構件並不限定於矽晶圓製造用構件。如果是具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)的話，能 夠將不限定於矽晶圓製造領域的各種領域中使用的碳化矽類構件做為評價對象。
另外，根據本發明人們的檢討，從碳化矽表面回收金屬成分會比從矽晶圓表面回收金屬成分困難。關於這個理由，雖然以下只是本發明人們的推測，但本發明人推測有一個可能的原因是碳化矽表面比矽晶圓表面粗。例如，碳化矽表面能夠是SRc(粗糙曲面的平均山高)在1.00μm以上(例如1.00~10.00μm左右)，SPc(剖面曲面的平均山高)在1.00μm以上(例如1.00~10.00μm左右)。在此，SRc是以JIS B 0601-2001所規定的方法量測的值，SPc是以ISO 25178所規定的方法量測的值。
<混合酸>
上述清淨度評價方法中，使評價對象的碳化矽類構件的碳化矽表面，接觸氟化氫酸(HF)、鹽酸(HCl)及硝酸(HNO3)的混合酸。以下，將上述混合酸記載為「回收液」。包含上述3種酸的回收液能夠以高回收率回收附著於碳化矽表面的金屬成分，也就是吸收到回收液中。關於這點是本發明人們認真檢討後而新發現的。
關於上述混合酸包含的3種酸的濃度，氟化氫酸的濃度較佳是5~15質量%，更佳是5~10質量%，鹽酸的濃度較佳是5~15質量%，更佳是10~15質量%，硝酸的濃度較佳是5~15質量%，更佳是10~15質量%。混合酸的是能夠是上述3種酸的水溶液。
上述混合酸與碳化矽表面的接觸，能夠以將具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)浸漬到上述混合酸中的方 法、使上述混合酸掃描於碳化矽表面上的方法等的習知的接觸方法來進行。在此使用的混合酸量並沒有特別限定，使用適合接觸方法的量的混合酸即可。又，混合酸與碳化矽表面的接觸例如能夠在大氣壓室溫(例如15~25℃左右)進行，混合酸能夠在沒有溫度控制(加熱或冷卻)下使用。
<試料溶液的調製>
如上述，使碳化矽表面與上述混合酸接觸，藉此能夠將附著於碳化矽表面的金屬成分回收到上述混合酸中。然而，將回收金屬成分的混合酸直接導入ICP-MS的話，可能會干涉評價對象金屬的質量數，使定量精度下降，引起度降低、裝置劣化等。因此上述清淨度評價方法中，將如以下方法調製的試料溶液進行使用ICP-MS的金屬成分的定量分析。本發明人們認為這個點也對高精度評價帶來幫助。
(加熱濃縮)
為了試料溶液的調製，首先加熱上述接觸到碳化矽表面的混合酸，加以濃縮。加熱例如能夠以將放入接觸到碳化矽表面的上述混合酸的容器(燒杯)放在加熱盤上加熱的方法等的一般用來加熱濃縮溶液的公開的方法來進行。加熱濃縮是以不完全乾涸而殘留有溶液的方式來進行為佳。殘留的液量例如能夠是10~50μL左右。因為金屬成分中也有會因為完全乾涸而揮發的金屬成分，所以不完全乾涸而留下一些溶液，是為了使那樣的金屬成分能夠定量而較佳。另外，濃縮前的混合酸的液量(混合酸量)是5000~1000μL左右，但如上述，與碳化矽表面接觸的混合酸量並沒有特別限定，因此可以比這個範圍多或少。
(稀釋)
之後，稀釋上述濃縮而得的濃縮液，藉此調製導入ICP-MS的試料溶液。為了要做稀釋，能夠使用各種已知的稀酸來做為可導入ICP-MS的稀酸。在此，假設「稀酸」是指含有的酸濃度(包含複數種酸的情況下就是各個酸的濃度)不滿3質量%的酸溶液(例如水溶液)。較佳的稀酸能夠舉出例如鹽酸與過氧化氫的混合酸(HCl/H2O2)、稀硝酸(稀HNO3)等。在此，各酸的濃度例如能夠是1~3質量%左右。稀釋率可以透過稀釋前的濃縮液的液量而適當決定。做為一個例子，以體積為基準，能夠採用相對於稀釋前的濃縮液的液量的20~100倍左右的稀釋率。在此的稀釋率是指以體積為基準，例如相對於稀釋前的濃縮液的液量，當稀釋後獲得的液量成為20倍的話就當做是稀釋率20倍。
<定量分析>
如上述獲得的試料溶液會進行利用ICP-MS的金屬成分的定量分析。ICP-MS是能夠以高感度定量分析金屬成分的分析方法。藉由將上述試料溶液進行利用ICP-MS的定量分析，能進行高精度的清淨度評價。通常在ICP-MS中，以噴霧器(nebulizer)將試料溶液氣體化或氣霧(aerosol)化，將它們導入以感應結合線圈所施加的高頻電力而產生的氬電漿中。試料在大氣壓電壓中被加熱到6000~7000K左右，各元素原子化，又更以通常90%以上的效率離子化。離子在通過削減器(skimmer，介面)後，被離子透鏡部收束能量，接著被導入維持在例如<10-6Pa的高真空狀態的質量分析計，進行質量 分析。藉此，能夠定量出試料溶液中的金屬成分。使用ICP-MS的金屬成分的定量分析能夠以市販的ICP-MP或公知的構造的ICP-MP來進行。根據ICP-MP，能夠定量分析各式各樣的金屬成分。定量分析對象的金屬成分(金屬元素)的具體例子，例如能夠舉出Na、Al、Cr、Fe、Ni、Cu、Mo、W、Ti、Nb、Ta、K、Ca、Zn、Co、Mg、Mn、Li、Sr、Ag、Pb、V、Ba等
上述試料溶液包含的金屬成分的量越多，表示因為金屬成分使評價對象的碳化矽表面受到污染，也就是清淨度低的意思。因此，根據使用ICP-MS的定量結果，能夠對評價對象的碳化矽表面的清淨度加以評價。清淨度的評價可以是評價某個特定金屬成分所造成的污染的程度，也可以是根據2種以上的金屬成分的污染量的合計來評價。
[洗淨條件決定方法]
以上說明的清淨度評價方法在一個態樣中，能夠使用來決定具有碳化矽表面的構件的洗淨條件。也就是，本發明的一個態樣是有關於一種具有碳化矽表面的構件的洗淨條件決定方法，包括：以候補洗淨條件洗淨具有碳化矽表面的構件的上述碳化矽表面；以上述清淨度評價方法來評價具有上述洗淨後的碳化矽表面的構件的清淨度；以及評價後將清淨度被判定在容許等級以內的候補洗淨條件，決定成為矽晶圓的實際製造步驟中的具有碳化矽表面的構件的洗淨條件。根據上述的清淨度評價方法，能夠高精度地評價具有碳化矽表面的構件(碳化矽類構件)的清淨度。上述洗淨條件決定方法是根據這個評價結果，判定候補洗淨條件做為實際製造步驟中的洗淨條 件是否是適當的條件，因而能夠在實際製造步驟中使用經過洗淨而具有高清淨度的的碳化矽類構件。而且藉此，在實際製造步驟中，能夠抑制碳化矽類構件造成矽晶圓被金屬污染。
做為碳化矽類構件的洗淨條件，例如能夠舉出洗淨液的組成、洗淨時間、洗淨次數等。將在某個候補洗淨條件下洗淨的碳化矽類構件以上述的清淨度評價方法評價，獲得的評價結果(清淨度)在容許等級以內的話，能夠將該候補洗淨條件決定成為矽晶圓的實際製造步驟中的碳化矽類構件的洗淨條件。在此的容許等級並沒有特別限定，能夠因應矽晶圓的用途等，根據矽晶圓要求的清淨度來設定。另一方面，將在某個候補洗淨條件下洗淨的碳化矽類構件以上述的清淨度評價方法評價，獲得的評價結果(清淨度)超過容許等級的話，能夠判定該洗淨條件不適合做為實際製造步驟中的洗淨條件。在這個情況下，能夠對洗淨條件加上變更並決定出新的候補洗淨條件，並對這個候補洗淨條件進行評價。又，藉由反覆這樣的新的候補洗淨條件的決定與評價，也能夠決定矽晶圓的實際製造步驟中的碳化矽類的洗淨條件。
做為洗淨對象的碳化矽類構件，能夠舉出上物例示的各種構件來做為矽晶圓製造用構件。又，實際製造中製造的矽晶圓能夠舉出所謂的裸晶圓(bare wafer)、在矽基板上具有磊晶層的磊晶矽晶圓、在最表層形成熱氧化膜的矽晶圓等的各種的矽晶圓。這些矽晶圓的製造步驟是公知的。
[矽晶圓的製造方法]
本發明的另一個態樣是有關於一種矽晶圓的製造 方法，包括：利用上述洗淨條件決定方法決定洗淨條件；在決定的洗淨條件下洗淨具有碳化矽表面的矽晶圓製造用構件；以及經過包括使用洗淨後的矽晶圓製造用構件的步驟在內的製造步驟，製造矽晶圓(以下稱為「製造方法1」)。
本發明的另一個態樣是有關於一種矽晶圓的製造方法，包括：以上述清淨度評價方法來評價具有碳化矽表面的矽晶圓製造用構件的清淨度；以及評價後，經過包括使用清淨度被判定在容許等級以內的矽晶圓製造用構件的步驟在內的製造步驟，製造矽晶圓(以下稱為「製造方法2」)。
根據製造方法1，能夠使用上述洗淨條件決定方法所決定的洗淨條件下洗淨的碳化矽類構件(矽晶圓製造用構件)，來製造矽晶圓。上述洗淨條件決定方法所決定的洗淨條件，是確認能夠經由洗淨來提供清淨度高的碳化矽類構件的洗淨條件。藉由使用在這樣的洗淨條件下洗淨的碳化矽類構件，能夠製造出金屬污染減低的矽晶圓。
根據製造方法2，能夠使用上述清淨度評價方法所確認的清淨度高的的碳化矽類構件(矽晶圓製造用構件)，來製造矽晶圓。藉此，能夠製造金屬污染降低的矽晶圓。製造方法2的容許等級並沒有特別的限定，能夠因應矽晶圓的用途等，根據矽晶圓要求的清淨度來設定。
做為製造方法1及製造方法2的矽晶圓製造用構件，能夠舉出上述例示的各種構件來做為矽晶圓製造用構件。做為使用這些構件的步驟，例如能夠舉出形成磊晶層用的熱處理(氣相成長)等的各種熱處理。這些熱處理中，例如在矽晶 圓製造用構件(例如承托器或先前記載的各種舟)上載置矽晶圓，此時使矽晶圓與矽晶圓製造用構件接觸。又，承托器的提昇銷在將載置於承托器上的矽晶圓抬起時會與矽晶圓表面接觸。在此，如果矽晶圓製造用構件被金屬污染的話，金屬成分會附著到矽晶圓上使矽晶圓被金屬污染。又，也會有附著的金屬成分經過熱處理擴散到矽晶圓內部使矽晶圓受到金屬污染的情況。製造方法1及製造方法2中，能夠減低這樣子發生的矽晶圓的金屬污染。另外，如先前所記載，矽晶圓的製造步驟是公知的。製造方法1及製造方法2中，能夠以公知的製造步驟來製造矽晶圓。
[實施例]
以下，以實施例更進一步說明本發明。然而，本發明並不限定於實施例所示的態樣。以下記載的「%」是質量%。以下的步驟及評價如果沒有特別記載，就是在大氣壓室溫(15~25℃左右)下進行，混合酸會在沒有溫度控制(加熱或冷卻)下使用。
1.碳化矽類構件的已知濃度金屬污染
對市售的氣相成長裝置的承托器實施已知濃度的金屬污染處理。上述承托器是石墨基材的全面覆蓋碳化矽的承托器。金屬污染處理是藉由滴下含有已知濃度的金屬成分的液體到承托器表面後使這個液體乾燥來進行。為了下述的評價，準備了複數個同樣實施了已知濃度的金屬污染處理的承托器。
2.以碳化矽表面與混合酸的接觸來進行金屬成分的回收
在實施了上述已知濃度的金屬污染處理的承托器 的矽晶圓載置面(碳化矽表面)上，使各種混合酸掃描(接觸)約5000~10000μL，藉此將附著於上述載置面的金屬成分回收到混合酸中。使用的混合酸(回收液)是氟化氫酸及硝酸的混合酸(HF(2%)/HNO3(2%))[比較例]、氟化氫酸、鹽酸及過氧化氫的混合酸(HF(4%)/HCL(3%)/H2O2(3%))[比較例]、氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸(HF(8%)/HCL(12%)/HNO3(14%))[實施例]。各種混合酸是酸成分由上述的酸所組成並且以上述濃度包含各種酸的水溶液。
3.回收液的加熱濃縮及稀釋
將上述2.中與承托器的矽晶圓載置面(碳化矽表面)接觸的混合酸(回收液)倒入燒杯，在加熱盤(設定溫度：300℃)上加熱，藉此濃縮到液量30μL。對於含有這個濃縮而得的濃縮液的燒杯，添加氟化氫酸與過氧化氫的混合酸(氟化氫酸濃度2%、過氧化氫酸2%的水溶液)，稀釋成液量1000μL。
4.利用ICP-MS的金屬成分的定量分析(1)
將上述3.中稀釋而得的試料溶液導入感應結合電漿質量分析計(ICP-MS)，進行金屬成分的定量分析。假設上述1.的已知濃度的污染量是100%，計算出相對於已知濃度的污染量之ICP-MS所定量的各金屬成分量，來做為回收率。
關於各金屬成分，將上述1.中實施已知濃度的金屬污染處理的承托器，進行上述2.~4.的步驟兩次，獲得的定量分析結果(回收率、回收率的平均、以其不規則度)顯示於下表1。不規則度是以{(最大值-最小值)/平均值}×100/2求出。下表2及3所顯示的不規則度也是以同樣方式算出的值。
5.利用ICP-MS的金屬成分的定量分析(2)
使用下述表2、3所示的各種混合酸，關於下述表2、3所示的各金屬成分，與上述1.相同的方法將實施已知濃度的金屬污染處理的承托器，進行上述2.~4.的步驟下表2、3所示的次數，獲得的定量分析結果(回收率、回收率的平均、以其不規則度)顯示於下表2、3。下表2、3所顯示的混合酸是酸成分由表中所示的酸所組成並且以表中所示的濃度包含各種酸的水溶液。
從表1到表3所示的實施例與比較例的對比中能夠確認到，實施例中，藉由使用氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸來做為回收液，比起比較例更能夠以高回收率來回收各種金屬(能夠以超過75%的平均回收率來回收各種金屬)，且測量結果的不規則度少(各金屬的不規則度都低於10%)。又，實施例中使用於定量分析的ICP-MS是能夠以高感度定量分析的裝置。利用ICP-MS的話，即使是些微的金屬污染也能夠檢出並定量。從以上的結果，能夠確認到實施例中能夠以高精度分析碳化矽類構件的清淨度。
在表面上4個位置測量進行了以上評價的承托器的矽晶圓載置面的SRc(粗糙曲面的平均山高)及SPc(剖面曲面的平均山高)。測量結果顯示於下表4。
本發明能夠利用於矽晶圓的製造領域。

Claims (11)

  1. 一種具有碳化矽表面的構件之清淨度評價方法，包括：使該碳化矽表面接觸氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸；加熱與該碳化矽表面接觸的混合酸加以濃縮；將該濃縮獲得的濃縮液稀釋而獲得的試料溶液，使用電感結合電漿質量分析計進行金屬成分的定量分析；以及根據該定量分析所得到的金屬成分定量結果，評價具有該碳化矽表面的構件的清淨度，其中具有該碳化矽表面的構件是矽晶圓製造用構件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之清淨度評價方法，其中該混合酸中，氟化氫酸的濃度在5~15質量%的範圍，鹽酸的濃度在5~15質量%的範圍，且硝酸的濃度在5~15質量%的範圍。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之清淨度評價方法，其中添加氟化氫酸及過氧化氫來稀釋該濃縮而得的濃縮液，藉此調製該試料溶液。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所述之清淨度評價方法，其中該矽晶圓製造用構件是承托器。
  5. 一種具有碳化矽表面的構件之洗淨條件決定方法，包括：在候補洗淨條件下，洗淨具有碳化矽表面的構件的該碳化矽表面；使用清淨度評價方法來評價具有該洗淨後的碳化矽表面的構件的清淨度；以及在該評價後，將判定清淨度在容許等級以內的候補洗淨條 件，決定成在矽晶圓的實際製造步驟中具有碳化矽表面的構件的洗淨條件，該清靜度評價方法，包括：使該碳化矽表面接觸氟化氫酸、鹽酸及硝酸的混合酸；加熱與該碳化矽表面接觸的混合酸加以濃縮；將該濃縮獲得的濃縮液稀釋而獲得的試料溶液，使用電感結合電漿質量分析計進行金屬成分的定量分析；以及根據該定量分析所得到的金屬成分定量結果，評價具有該碳化矽表面的構件的清淨度。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之洗淨條件決定方法，其中該混合酸中，氟化氫酸的濃度在5~15質量%的範圍，鹽酸的濃度在5~15質量%的範圍，且硝酸的濃度在5~15質量%的範圍。
  7. 如申請專利範圍第5或6項所述之清淨度評價方法，其中添加氟化氫酸及過氧化氫來稀釋該濃縮而得的濃縮液，藉此調製該試料溶液。
  8. 如申請專利範圍第5或6項所述之清淨度評價方法，其中具有該碳化矽表面的構件是矽晶圓製造用構件。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之清淨度評價方法，其中該矽晶圓製造用構件是承托器。
  10. 一種矽晶圓製造方法，包括：使用如申請專利範圍第5至9項任一項所述之清淨條件決定方法來決定清淨條件；在已決定的洗淨條件下，洗淨具有碳化矽表面的矽晶圓製 造用構件；以及經過包含有使用該洗淨後的矽晶圓製造用構件的步驟在內之製造步驟，製造矽晶圓。
  11. 一種矽晶圓製造方法，包括：使用如申請專利範圍第1至4項任一項所述之清淨度評價方法來評價具有碳化矽表面的矽晶圓製造用構件的清淨度；在該評價後，經過包含有使用清淨度被判定在容許等級以內的矽晶圓製造用構件的步驟在內之製造步驟，製造矽晶圓。
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