JP3664101B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 - Google Patents
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3664101B2 JP3664101B2 JP2001165163A JP2001165163A JP3664101B2 JP 3664101 B2 JP3664101 B2 JP 3664101B2 JP 2001165163 A JP2001165163 A JP 2001165163A JP 2001165163 A JP2001165163 A JP 2001165163A JP 3664101 B2 JP3664101 B2 JP 3664101B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial wafer
- silicon
- single crystal
- thin film
- silicon epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
シリコンエピタキシャルウェーハ(以下単に「エピタキシャルウェーハ」と称す)は、例えば以下の通りにして製造される。
即ち、シリコン単結晶基板(以下単に「基板」と称す)を気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、1100℃〜1200℃まで反応容器内を昇温する(昇温工程)。反応容器内の温度が1100℃以上になると、基板表面に形成されている自然酸化膜(SiO2:Silicon Dioxide)が除去される。この状態で、トリクロロシラン(SiHCl3:Trichlorosilane)等のシリコン原料ガス、ジボラン(B2H6:Diborane)あるいはホスフィン(PH3:Phosphine)等のドーパントガスを水素ガスとともに反応容器内に供給する。こうして基板の主表面にシリコン単結晶薄膜(以下単に「薄膜」と称す)を気相成長させる(成膜工程)。
このようにして薄膜を気相成長させた後に、原料ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、水素雰囲気に保持したまま反応容器内の温度を降温させる(冷却工程)。
【0003】
ところで、上述の通りにエピタキシャルウェーハを製造する過程で、その表面にCu(銅)が析出すると、その析出により生成した珪素化合物が洗浄時にエッチング除去され、エピタキシャルウェーハの表面にピットを形成する場合がある。こうしてピットが形成されたエピタキシャルウェーハを用いて製造された半導体デバイスは、そのゲート酸化膜の絶縁耐圧(Gate Oxide Integrity、以下「GOI」と称す)特性が低くなる傾向にある。
【0004】
一方、エピタキシャルウェーハに含まれるCu(銅)の量を測定する際、エピタキシャルウェーハ中に存在するCuの量は微量であり、従来の分析手法では、Cuを分析・評価する感度が充分でない場合がある。
従来のシリコン単結晶中のCuの評価方法としては、例えば、AAS(Atomic Absorption Spectroscopy:原子吸光分析)、ICP−MS(Inductively Coupled Plasma - Mass Spectroscopy:誘導結合型プラズマ質量分析)、TRXF(Total Reflection X-ray Fluorescence:全反射蛍光X線分析)等により定性・定量分析する手法が挙げられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、優れたGOI特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することであり、また、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるCuの定性・定量分析を高感度に行うためのシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、エピタキシャルウェーハのGOI特性に影響を与える条件として、エピタキシャル層成長後の冷却条件に着目した。特に、エピタキシャルウェーハを存在させる場所の雰囲気を水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換える温度(以下「切換温度」と称する)に着目し、この切換温度を変えることによって本発明に到達した。
【0007】
即ち、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃より高温で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換える冷却工程と、をこの順に行うことを特徴とする。
【0008】
本発明によれば、シリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、400℃より高温でエピタキシャルウェーハを存在させる場所の雰囲気を水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換えることで、シリコン単結晶薄膜の表面にCuが析出してくることを抑制できる。これにより、シリコンエピタキシャルウェーハの表面にピットが形成されることを抑制できるとともに、優れたGOI特性をもつシリコンエピタキシャルウェーハが得られる。
なお、シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を水素雰囲気から窒素雰囲気に切換えるには、反応容器内に供給するガスを水素から窒素に切換えれば良い。あるいは、水素雰囲気に保たれている反応容器内から、シリコンエピタキシャルウェーハを、窒素雰囲気に保たれている別の容器内に移動させても良い。
【0009】
また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法は、原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃以下で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換える冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表面を除去する除去工程と、をこの順に行うことを特徴とする。
【0010】
本発明によれば、冷却工程において前記切換温度を400℃以下とすることで、Cuをシリコン単結晶薄膜の表面に積極的に析出させることができる。この後に、Cuが析出したシリコン単結晶薄膜の表面を除去することで、Cuの含有量が少ないシリコンエピタキシャルウェーハが得られる。
【0011】
また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法は、原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃以下で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換えることにより前記シリコン単結晶薄膜の表面に銅を析出させる冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表面に析出させた銅を評価する評価工程と、をこの順に行うことを特徴とする。
【0012】
本発明によれば、シリコンエピタキシャルウェーハの内部に含まれるCuが表面に集められて高濃度になるので、AAS、ICP−MS、TRXF等の分析手法を用いる場合にもCuを検出し易くなる。従って、シリコンエピタキシャルウェーハに含まれるCuを、高感度で定性・定量分析できる。
【0013】
【発明の実施の形態】
〔第1の実施の形態〕
以下、図1、図2を参照して、本発明の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する。
先ず、気相成長装置の反応容器内に備えられたサセプタに搬送装置を用いてシリコン単結晶基板を載置する(ステップS11:仕込工程)。次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、反応容器内の温度をT1からシリコン単結晶薄膜を気相成長するための成膜温度T2まで昇温する(ステップS12:昇温工程)。この成膜温度T2は基板表面の自然酸化膜を水素で除去できる1100℃以上に設定する。次いで、反応容器内を成膜温度T2に保持したままで、水素ガスとともに原料ガスおよびドーパントガスをそれぞれ所定流量で供給し、所定膜厚となるまで薄膜を成長させる(ステップS13:成膜工程)。
この後に原料ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、反応容器内の温度を下降させて取出温度T4までシリコンエピタキシャルウェーハを冷却する(ステップS14:冷却工程)。ここで、予め水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換える切換温度T3を400℃よりも高い温度に設定しておく。即ち、成膜温度T2から切換温度T3までは水素ガスを供給したまま水素雰囲気で冷却し(ステップS14a)、切換温度T3に至ったら水素ガスの供給を停止して窒素ガスを供給することにより、反応容器内の雰囲気を窒素雰囲気とする(ステップS14b)。そして、窒素雰囲気のままで取出温度T4に至ったら気相成長装置からシリコンエピタキシャルウェーハを取り出す(ステップS15:取出工程)。
こうして得られたシリコンエピタキシャルウェーハから半導体デバイスを作成することで、GOI特性の優れた半導体デバイスを得ることができる。
【0014】
なお、上記冷却工程(ステップS14)では、シリコンエピタキシャルウェーハは同一の反応容器内で冷却されているが、この他にも、前記切換温度T3まで水素雰囲気で冷却されたシリコンエピタキシャルウェーハを、別途用意されている窒素雰囲気に取出しても良い。
【0015】
〔第2の実施の形態〕
以下、図3を参照して、本発明の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する。
第1の実施の形態と同様に、基板を反応容器内に載置し(ステップS21:仕込工程)、反応容器内に水素ガスを流した状態で成膜温度まで昇温し(ステップS22:昇温工程)、原料ガスおよびドーパントガスを供給して薄膜を成長させる(ステップS23:成膜工程)。
そして、原料ガスおよびドーパントガスの供給を停止し、反応容器内の温度を下降させて取出温度までシリコンエピタキシャルウェーハを冷却する(ステップS24:冷却工程)。ここで第1の実施の形態とは異なり、予め水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換える切換温度を400℃よりも低い温度に設定しておく。即ち、成膜温度から切換温度までは水素ガスを供給したまま水素雰囲気で冷却し(ステップS24a)、400℃以下に設定された切換温度に至ったら水素ガスの供給を停止して窒素ガスを供給する(ステップS24b)。これにより、シリコンエピタキシャルウェーハを取出温度に至るまで冷却していく過程で、その表面にCuが析出しやすくなる。
そして、窒素雰囲気のままで取出温度に至ったら、気相成長装置からシリコンエピタキシャルウェーハを取り出す(ステップS25:取出工程)。次いで、Cuの析出した表面近傍部分を除去する(ステップS26:除去工程)。この除去工程としては、シリコンエピタキシャルウェーハの表面を研磨しても良いし、適宜なエッチング液を使用してシリコンエピタキシャルウェーハの表面をエッチングしても良い。
【0016】
〔第3の実施の形態〕
以下、図4を参照して、本発明の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を説明する。
第2の実施の形態と同様に、仕込工程(ステップS31)、昇温工程(ステップS32)、成膜工程(ステップS33)に続いて、冷却工程において、400℃以下に設定された切換温度に至ったら、反応容器内の雰囲気を水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換えてシリコンエピタキシャルウェーハを取出温度まで冷却する(ステップS34)。こうして取出温度に至る冷却過程で、シリコンエピタキシャルウェーハの表面にCuが析出しやすくなる。
次いで、気相成長装置からシリコンエピタキシャルウェーハを取り出し(ステップS35:取出工程)、シリコンエピタキシャルウェーハの表面近傍に析出したCuを分析する(ステップS36:評価工程)。ここで、表面近傍ではそのCu濃度が高められているので、AAS、ICP−MS、TRXF等の分析手法を用いる場合にもその分析感度を高めることができる。これによりシリコンエピタキシャルウェーハに金属不純物として含まれるCuの定性・定量分析を高感度で行うことができる。
【0017】
[実施例1]
2×109atoms/cm2程度のCu濃度を有する面方位(100)、n+形の基板上に、成膜温度1130℃でn-形の薄膜を気相成長させて冷却する過程で、反応容器内の雰囲気を581℃で水素雰囲気から窒素雰囲気に切り換え、約300℃で取出してシリコンエピタキシャルウェーハを製造した。なお、図5はエピタキシャルウェーハの冷却時における温度変化を示す。この図5中では、水素雰囲気における温度変化を実線で示し、窒素雰囲気における温度変化を点線で示している。
【0018】
[比較例1]
一方、実施例1と同様の条件で薄膜を気相成長させて冷却する過程で、その雰囲気を298℃で水素雰囲気から窒素雰囲気に切り換え、約250℃でエピタキシャルウェーハを取り出した。なお、図5に、比較例1の冷却時における温度変化を併せて示す。
【0019】
これらエピタキシャルウェーハを用いて作成した多結晶シリコンゲートMOSトランジスタのGOI特性を、TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown:経時破壊分布)特性評価、TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown:電界破壊分布)特性評価により行う。
何れの評価でも、絶縁破壊までに要する電気量は、酸化膜に生成している欠陥が大きい程少なくなる。そこでこれらの評価では、ある計測位置での絶縁破壊を、絶縁破壊するまでに与えられた電気量に応じて、以下に示す3通りに分類している。即ち、TDDB特性評価では、より少ない電気量で絶縁破壊した方から、「初期破壊(αモード)」、「偶発破壊(βモード)」、「真性破壊(γモード)」と呼び、TZDB特性評価では、より少ない電気量で絶縁破壊した方から、Aモード、Bモード、Cモードと呼ぶ。
従って、TDDB特性評価においてγモードの割合が大きい程、また、TZDB特性評価においてCモードの割合が大きい程、そのエピタキシャルウェーハのGOI特性が優れていると評価される。
【0020】
実施例1で得られたエピタキシャルウェーハを用いて作成したMOS構造のGOI特性を評価したところ、TDDB特性評価ではほぼ100%がγモードとなり、TZDB特性評価ではほぼ100%がCモードであった。この結果から、実施例1では優れたGOI特性をもつエピタキシャルウェーハが得られたことが判った。
これに対し、比較例1で得られたエピタキシャルウェーハを用いて作成したMOS構造のTDDB特性評価では、真性破壊(γモード)に達する前に、より大きな欠陥等が存在することを示す「初期破壊(αモード)不良」と「偶発破壊(βモード)不良」で全て絶縁破壊した。そしてTZDB特性評価では、Cモードに達する前に、Aモード不良およびBモード不良により全て絶縁破壊した。
【0021】
エピタキシャルウェーハの表面にCuが析出すると、このCuが冷却の過程で珪素化合物を生成する。そしてSC−1洗浄を施すと、この珪素化合物がエッチング除去されてエピタキシャルウェーハの表面に多数の微細なピットを形成させる。そこで、実施例1のエピタキシャルウェーハ表面に形成されたピットを計測した。このピットの計測は、SC−1洗浄後のエピタキシャルウェーハ表面を光散乱式のウェーハパーティクル検査装置(以下「パーティクルカウンタ」と称す)により計測することで行った。なお、エピタキシャルウェーハ表面に形成されたピットも、パーティクルカウンタによりパーティクルとして計測される。
ここで、SC−1洗浄は、半導体製造工程において基板やエピタキシャルウェーハの洗浄に使用される手法である。ここでは、本実施例1および比較例1で得られたエピタキシャルウェーハに対して、アンモニア:過酸化水素:水の容積配合比=1:1〜2:5〜7の洗浄液(SC−1洗浄液)により、75〜85℃、100分の洗浄処理を施した。
【0022】
この結果、実施例1のエピタキシャルウェーハではSC−1洗浄後の表面にはピットが形成されなかった。
これに対し、比較例1では、SC−1洗浄後にその表面をパーティクルカウンタにより計測すると、多数の微細なピットがヘイズとして観測された。
【0023】
さらに、実施例1および比較例1で得られたエピタキシャルウェーハ表面のCu濃度の分析をAASを用いて行った。この結果、表1に示す通りに、実施例1のエピタキシャルウェーハ表面からはCuが検出されず、比較例1のエピタキシャルウェーハ表面からはCuが検出された。なお本分析における検出限界は、0.096×1010atoms/cm2であり、それぞれの水準で3枚のエピタキシャルウェーハを分析した。
【表1】
【0024】
[実施例2、3および比較例2]
薄膜を気相成長させた後に冷却する過程で、水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換える温度を600℃(実施例2)、500℃(実施例3)としてエピタキシャルウェーハを製造した。そして実施例1と同様にSC−1洗浄後の表面をパーティクルカウンタにより計測し、その表面に上記ヘイズが観測されるかを確認した。また、比較例2として、水素雰囲気から窒素雰囲気への上記切換温度を400℃として、エピタキシャルウェーハを製造した。何れの場合においても、水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換えた後にエピタキシャルウェーハを取り出す温度を300℃に揃えた。
【0025】
この結果、実施例2、3ではエピタキシャルウェーハ表面にヘイズが観測されなかった。これに対し、水素雰囲気から窒素雰囲気への切換温度を400℃とした比較例2では、エピタキシャルウェーハ表面にヘイズが観測され、その表面に多数の微細なピットが形成されていることが判った。
【0026】
以上から、少なくとも400℃より高温で水素雰囲気から窒素雰囲気へと切換えると、Cuがエピタキシャルウェーハの表面に析出することを抑制できるので、該エピタキシャルウェーハ表面にピットが形成することを抑制できることが判る。
【0027】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
例えば、本発明で薄膜を気相成長させる気相成長装置は限定されず、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダ型)、枚葉式等の各種気相成長装置に適用可能である。
【0028】
【発明の効果】
本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法によれば、400℃より高温で水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換えてシリコンエピタキシャルウェーハを冷却することでピットの形成を抑制でき、GOI特性の優れたシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる。
さらに、冷却工程において水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換える温度を400℃以下とし、その後の除去工程によりシリコン単結晶薄膜の表面を除去することで、Cuの含有量が少ないシリコンエピタキシャルウェーハが得られる。
また、本発明のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法によれば、水素雰囲気から窒素雰囲気へ切換える温度を400℃以下とすることで、シリコン単結晶薄膜の表面にCuが集められて高濃度になり、Cuの定性・定量分析を高感度で行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した第1の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
【図2】第1の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、気相成長装置内の温度を時間と共に示した図である。
【図3】本発明を適用した第2の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を示すフローチャートである。
【図4】本発明を適用した第3の実施の形態のシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法を示すフローチャートである。
【図5】実施例1および比較例1のシリコンエピタキシャルウェーハの冷却時における温度変化を示す図である。
【符号の説明】
S13、S23、S33 成膜工程
S14、S24、S34 冷却工程
S25 除去工程
Claims (3)
- 原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、
該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃より高温で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換える冷却工程と、をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、
該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃以下で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換える冷却工程と、
前記シリコン単結晶薄膜の表面を除去する除去工程と、をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、
該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを冷却中に、該シリコンエピタキシャルウェーハの存在雰囲気を400℃以下で水素雰囲気から窒素雰囲気に切換えることにより前記シリコン単結晶薄膜の表面に銅を析出させる冷却工程と、
前記シリコン単結晶薄膜の表面に析出させた銅を評価する評価工程と、をこの順に行うことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001165163A JP3664101B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001165163A JP3664101B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002359200A JP2002359200A (ja) | 2002-12-13 |
JP3664101B2 true JP3664101B2 (ja) | 2005-06-22 |
Family
ID=19007869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001165163A Expired - Lifetime JP3664101B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3664101B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8697547B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-04-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon epitaxial wafer |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4570935B2 (ja) * | 2004-11-05 | 2010-10-27 | 信越半導体株式会社 | 半導体基板の評価方法及び半導体基板評価用素子 |
JP5346744B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-11-20 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウエハ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001165163A patent/JP3664101B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8697547B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-04-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon epitaxial wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002359200A (ja) | 2002-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101412227B1 (ko) | 탄화규소 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조 방법, 에피택셜 성장용 탄화규소 벌크 기판 및 그 제조 방법 및 열처리 장치 | |
Tsaur et al. | Epitaxial alignment of polycrystalline Si films on (100) Si | |
US10483128B2 (en) | Epitaxially coated semiconductor wafer, and method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer | |
JP3381816B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
JP2004503086A (ja) | 削剥領域を備えたシリコンウエハの製造方法及び製造装置 | |
TW557496B (en) | Epitaxial wafer and its manufacturing method | |
US7204881B2 (en) | Silicon wafer for epitaxial growth, an epitaxial wafer, and a method for producing it | |
JP3664101B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法および評価方法 | |
JPH11100299A (ja) | 薄膜エピタキシャルウェーハの製造方法およびこの方法により製造された薄膜エピタキシャルウェーハ | |
JPH09283529A (ja) | 半導体基板の製造方法およびその検査方法 | |
KR101885975B1 (ko) | 에피택셜 탄화규소 웨이퍼의 제조 방법 | |
JP4510997B2 (ja) | シリコン半導体基板およびその製造方法 | |
JP4035886B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハとその製造方法 | |
US20070140828A1 (en) | Silicon wafer and method for production of silicon wafer | |
JP5141406B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの評価方法及び製造方法 | |
JP5544859B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 | |
JP7035925B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法およびエピタキシャルシリコンウェーハ | |
JPH1143397A (ja) | シリコン単結晶およびその製造方法 | |
JP5201126B2 (ja) | シリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法 | |
JP2007180427A (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
JPH11297704A (ja) | 酸素析出物密度の評価方法 | |
WO2023282001A1 (ja) | 炭化珪素エピタキシャル基板、炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JPH07223893A (ja) | 半導体単結晶およびその製造方法 | |
JP7384264B1 (ja) | エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ | |
US20230243069A1 (en) | Method for producing semiconductor wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050228 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050321 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3664101 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080408 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080408 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090408 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100408 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110408 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120408 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130408 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130408 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |