JP7384264B1 - エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ - Google Patents
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Abstract
Description
一つは、ウェーハ表面近傍の極小さな欠陥もデバイス不良の要因となり得るため、デバイス動作領域となる表面近傍で欠陥が少ないもしくは無い高品質なウェーハであることであり、
もう一つは、プロセス中の金属汚染がデバイスの歩留りの低下要因となるため、不純物金属のゲッタリングサイトとなるBMD(Bulk Micro Defect)が十分に形成されなければならないことである。
このうち、アニールウェーハにおいては無欠陥層を形成するために要する後処理時間が長く、大量供給には不向きで高コストになり易いという問題がある。
エピタキシャルウェーハは低/無欠陥結晶PWと比べると追加のコストがかかってしまうが、表層の欠陥レベルが良好なため、特に微細化が進み、プロセスが複雑化・長期化してプロセスコストが高い先端Logicデバイス向けに多く使用されている。
一般的に、エピタキシャルウェーハにおいては、比較的短時間の後処理で無欠陥層形成が可能であることから、低/無欠陥結晶PWよりも高速で結晶成長させた高生産性のV-rich結晶を用いることで、EP反応処理の追加コストを相殺することが可能となっている。
しかしながら、窒素ドープV-rich結晶においては、ウェーハ外周部でR-OSF領域起因のBMD密度低下、EP欠陥化、および高窒素濃度ドープした際の板状または棒状のCOPに起因するEP欠陥化が問題になる場合がある。
これを回避するためには、結晶を製品直径よりも太く成長して円筒研削でR-OSFにあたる部分を取り除く方法があるが、研削ロスおよび加工時間の増加により研削加工コストが増加する。
そのため、近年のデバイスにおいては、ゲート絶縁膜は極薄いEOT(等価酸化膜厚)0.5nm程度となっており、ゲート絶縁膜の均一性がデバイス動作の信頼性に対する重要なファクターを占めることとなる。
しかしながら、デバイスプロセスの低温・短時間化の弊害として、従来はデバイスプロセス中に不純物金属のゲッタリングサイトとなるBMD(Bulk Micro Defect)が基板中に十分に形成されていたのに対して、低温・短時間化によりデバイスプロセス中でのBMD形成が少なくなり、不純物金属に対するゲッタリング能力が減少し、デバイス歩留りが低下するということがある。
特許文献1には、Void型欠陥が発生するV領域を基板に用いる場合に、ウェーハ表面に現われるVoid型欠陥の開口部サイズが20nm以下となる欠陥個数を最大0.02個/cm2以下とすることで、EP欠陥の発生を最大0.02個/cm2以下に抑制する技術が開示されているが、300mmウェーハ内に換算すると14個も欠陥が存在することになり、Voidを有するV領域基板を用いた場合、Voidサイズや密度を調整したとしても、一段の欠陥レベル改善は難しい。
このような酸素析出核であれば、より一層エピタキシャル層の欠陥を抑制することができる。
このようなシリコンウェーハであれば、好適にゲッタリング能力を有するものとなる。
従来より先端Logicデバイスで用いられてきた(100)だけでなく、近年研究が進められてきた(110)、(551)でも同様に欠陥発生を抑制可能である。今後の先端ロジックデバイスの開発及び性能向上に寄与することができる。
このようなエピタキシャルウェーハであれば、極めてEP-SF(積層欠陥及び転位)が少ない非常に良好な先端デバイスに好適なエピタキシャルウェーハとなる。
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
を満たすものであることが好ましい。
このようなエピタキシャルウェーハであれば、BMD密度が1×108/cm3以上の狙いBMD密度を得ることができ、N領域でありながらV領域と同等のBMDレベルを達成可能となり、不純物金属のゲッタリングサイトとして十分なゲッタリング能力を得ることができる。
また、酸化熱処理後のシリコンウェーハ中のBMD密度を適切な範囲とすれば、N領域でありながらV領域と同等のBMDレベルを達成可能となり、不純物金属のゲッタリングサイトとして十分なゲッタリング能力を得ることができる。その結果、プロセス中の金属汚染がデバイスの歩留り低下につながるのを抑制することができる。
さらに、これらの良好な品質を、ウェーハの面方位によらず得ることができ、今後の先端ロジックデバイスの開発及び性能向上に寄与することができる。
その結果、N(Neutral)領域内でEP欠陥発生要因となる欠陥発生源は、N(Neutral)領域内に存在する所定サイズ以上の酸素析出核が一定確率でEP-SF(積層欠陥及び転位)化していることを明らかにした。
EP欠陥数=A・exp(平均析出核サイズ/B)
の関係があり、18nm以上の酸素析出核がas-grown状態で5×107/cm3未満、より好ましくは12nm以上の酸素析出核の平均サイズ18.5nm以下かつ密度4×108/cm3以下とすることでEP欠陥数を0.001個/cm2以下(300mmウェーハ内換算で0.7個/枚以下)と、EP-SF(積層欠陥及び転位)の発生を300mmウェーハ内で平均して1個未満となる非常に良好なレベルにできることを見出した。
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
を満たすことで、V領域基板を用いた場合と同等のBMDレベルを達成することができることも見出した。
ここで、V-rich領域を基板とした場合は、狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99)}^0.3961となる。
このようなシリコンウェーハであれば、ゲッタリング能力も十分で、先端デバイスに好適に適用することができる。
従来より先端Logicデバイスで用いられてきた(100)だけでなく、近年研究が進められてきた(110)、(551)でも同様に欠陥発生を抑制可能である。今後の先端ロジックデバイスの開発及び性能向上に寄与することができる。
このようなシリコンウェーハであれば、極めてEP-SF(積層欠陥及び転位)が少ない非常に良好なエピタキシャルウェーハであるので、先端デバイスの作製に十分耐え得る。
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
を満たすものである。
このようなエピタキシャルウェーハであれば、BMD密度が1×108/cm3以上の狙いBMD密度を得ることができ、N領域でありながらV領域と同等のBMDレベルを達成可能となり、不純物金属のゲッタリングサイトとして十分なゲッタリング能力を得ることができる。
なお、V-rich領域を基板とした場合に狙いBMDを達成するためには、狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99)}^0.3961を満たすようにすることでBMD密度が1×108/cm3以上の狙いBMD密度を得る。
32インチ(直径812.8mm)のルツボに410kgのシリコン原料を溶融し、MCZ法によって中心磁場強度4000Gの横磁場を印加し、また結晶全面がN(Neutral)領域となるようにV/Gを制御して軸方位<100>の300mmシリコン単結晶を育成した(窒素ドープなし)。このようにして作製したシリコン単結晶からウェーハを切り出し、ラッピング、面取り、研磨を施して面方位(100)のエピタキシャル成長用のシリコンウェーハを複数枚作製した。
ウェーハ中心部R0-50mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は7.5×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は7.0×108/cm3、平均サイズは19.2nmであり、
R60-120mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は4.2×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は4.2×108/cm3、平均サイズは18.3nmであり、
R130-R150mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は5.5×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は8.0×108/cm3、平均サイズは19.0nmであった。
その結果、各ウェーハにおける平均のEP欠陥密度は、R0-50mmで0.0019個/cm2、R60-120mmで0.0010個/wf、R130-R150mmで0.0021個/cm2であり、300mmウェーハ全面のEP欠陥は0.99個/wfであった。
窒素を4×1013-3×1014atoms/cm3の濃度範囲でドープした以外は、比較例1と同条件でエピタキシャル成長用のシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハを作製した。
ウェーハ中心部R0-50mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は9.2×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は9.0×108/cm3、平均サイズは21.0nmであり、
R60-120mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は5×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は5×108/cm3、平均サイズは18.7nmであり、
R130-R150mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は1.1×108/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は1.0×109/cm3、平均サイズは22.0nmであった。
引上げ速度を調整による酸素析出核の密度及びサイズ調整を実施した以外は、比較例1と同条件でエピタキシャル成長用のシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハを作製した。
ウェーハ中心部R0-50mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は3.8×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は3.6×108/cm3、平均サイズは18.2nmであり、
R60-120mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は2.9×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は2.6×108/cm3、平均サイズは18.1nmであり、
R130-R150mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は3.0×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は2.7×108/cm3、平均サイズは18.3nmであった。
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961 [式A]
引上げ速度を調整による酸素析出核の密度及びサイズ調整を実施した以外は、比較例2と同条件でエピタキシャル成長用のシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハを作製した。
ウェーハ中心部R0-50mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は4.0×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は3.8×108/cm3、平均サイズは18.4nmであり、
R60-120mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は3.1×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は2.9×108/cm3、平均サイズは18.2nmであり、
R130-R150mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は2.8×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は2.5×108/cm3、平均サイズは18.4nmであった。
育成結晶の軸方位を<110>、<551>とした以外は、実施例2と同条件で、面方位(110)および(551)のエピタキシャル成長用のシリコンウェーハおよびエピタキシャルウェーハを作製した。
ウェーハ中心部R0-50mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は3.9×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は3.7×108/cm3、平均サイズは18.4nmであり、
R60-120mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は3.3×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は3.0×108/cm3、平均サイズは18.2nmであり、
R130-R150mmのサイズ18nm以上の酸素析出核の密度は2.5×107/cm3で、12nm以上の酸素析出核の密度は2.4×108/cm3、平均サイズは18.4nmであった。
各エピタキシャルウェーハにおける平均のEP欠陥密度は、面方位(110)および(551)いずれにおいても実施例2と同等であった。
表1から明らかなように、比較例1、2よりも、実施例1、2、3の方が、EP欠陥密度、総EP欠陥数いずれの面でも値が小さく、優れていた。比較例1、2のEP欠陥密度がいずれも0.001個/cm2以上なのに対して、実施例1、2、3はいずれも0.001個/cm2未満であるし、比較例1、2の総EP欠陥数がいずれも0.5個/wf以上なのに対して、実施例1、2、3はいずれも0.5個/wf未満であった。
なお、上記の結果から、N(Neutral)領域(Void(COP)フリー)基板を用いたエピタキシャルウェーハ製造においては、EP欠陥数とas-grown析出核の間には、EP欠陥数=A・exp(平均析出核サイズ/B)の関係があることが見出され、A=a×12nm以上析出核密度[/cm3]、比較例1、2および実施例1からは、a=2.80×10-10、B=10となっている。
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
(V-richの場合:
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99)}^0.3961)
を満たすことで、BMD密度1×108/cm3以上で面内均一BMD分布を有する、高いゲッタリング能力も併せ持つエピタキシャルウェーハを得ることができる。
[1]:
エピタキシャル成長用シリコンウェーハであって、
チョクラルスキー法による、Voidおよび転位クラスターを含まない全面N(Neutral)領域で、かつ酸素析出核のサイズ及び密度が調整されたシリコン単結晶からなるシリコンウェーハであり、
前記シリコンウェーハ内の前記酸素析出核は、サイズが18nm以上のものの密度が5×107/cm3未満であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
[2]:
前記シリコンウェーハ内の前記酸素析出核は、サイズが12nm以上のものの平均サイズが18.5nm以下であり、かつサイズが12nm以上のものの密度が4×108/cm3以下であることを特徴とする上記[1]に記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
[3]:
前記シリコン単結晶にドープされた窒素濃度が2×1013atoms/cm3から30×1013atoms/cm3であることを特徴とする上記[1]又は上記[2]に記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
[4]:
前記シリコンウェーハの面方位が(100)、(110)、(551)のいずれかであることを特徴とする上記[1]から上記[3]のいずれかに記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
[5]:
上記[1]から上記[4]のいずれかに記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層が形成されたものであり、前記エピタキシャル層にあるEP-SF(積層欠陥及び転位)が0.001個/cm2以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
[6]:
前記エピタキシャルウェーハの780℃3hr+1000℃16hrの酸化熱処理後のシリコンウェーハ中のBMD密度は1×108/cm3以上であって、狙いBMD密度に対して、
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
を満たすものであることを特徴とする上記[5]に記載のエピタキシャルウェーハ。
5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、 7…ヒーター、 8…断熱材部、
9…ガス流出口、 10…ガス導入口、 11…ガス整流筒、 12…遮熱部材、
13…磁場印加装置。
Claims (5)
- エピタキシャル成長用シリコンウェーハであって、
チョクラルスキー法による、Voidおよび転位クラスターを含まない全面N(Neutral)領域で、かつ酸素析出核のサイズ及び密度が調整されたシリコン単結晶からなるシリコンウェーハであり、
前記シリコンウェーハ内の前記酸素析出核は、サイズが18nm以上のものの密度が5×107/cm3未満であり、
前記シリコン単結晶にドープされた窒素濃度が2×10 13 atoms/cm 3 から30×10 13 atoms/cm 3 であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。 - 前記シリコンウェーハ内の前記酸素析出核は、サイズが12nm以上のものの平均サイズが18.5nm以下であり、かつサイズが12nm以上のものの密度が4×108/cm3以下であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
- 前記シリコンウェーハの面方位が(100)、(110)、(551)のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハ。
- 請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層が形成されたものであり、前記エピタキシャル層にあるEP-SF(積層欠陥及び転位)が0.001個/cm2以下であることを特徴とするエピタキシャルウェーハ。
- 前記エピタキシャルウェーハの780℃3hr+1000℃16hrの酸化熱処理後のシリコンウェーハ中のBMD密度は1×108/cm3以上であって、狙いBMD密度に対して、
狙いBMD密度≦9.6875×108{exp(Ini.Oi[ppma-ASTM’79]-21.99-5.35)}^0.3961
を満たすものであることを特徴とする請求項4に記載のエピタキシャルウェーハ。
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