JPS5939030A - 純水洗浄装置 - Google Patents
純水洗浄装置Info
- Publication number
- JPS5939030A JPS5939030A JP14882382A JP14882382A JPS5939030A JP S5939030 A JPS5939030 A JP S5939030A JP 14882382 A JP14882382 A JP 14882382A JP 14882382 A JP14882382 A JP 14882382A JP S5939030 A JPS5939030 A JP S5939030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pure water
- cleaning
- temperature
- water
- processing tank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体装置の製造工程に：おいて用いられる純
水洗浄装置の改良に関する。
水洗浄装置の改良に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕半導体ＭＩｉＲ
の製造におい′Ｃは半導体ウェハー表面に極めて高い清
浄度が要求され、このため酸化、拡散、ＣＶＤ蒸着ある
いはフォトレジスト塗布工程の前には必ず洗浄工程が行
なわれる。
の製造におい′Ｃは半導体ウェハー表面に極めて高い清
浄度が要求され、このため酸化、拡散、ＣＶＤ蒸着ある
いはフォトレジスト塗布工程の前には必ず洗浄工程が行
なわれる。
通常の洗浄工程は、脱脂、重金属除去、エツチング、純
水洗浄、乾燥の順に行なわれるが、半導体装置はその特
性上不純物の混入を極間に嫌うから、特罠純水洗浄が数
多く使用される。例えば、酸化工程の前処理として行な
われる洗浄工程の一例では、■トリクロルエブーレン洗
浄、■メブールアルコール洗浄、■純水洗浄、■スクラ
ブ、■純水洗浄、■Ｈ，ＯｉＩ ＋Ｎ （Ｉ、Ｏ）ｉま
たはＨ，０！＋ＨＣ’ ／洗浄、■純水洗浄、■ＨＦ＋
１１．０エツヂ、■純水洗浄、■スピン乾燥の１１で行
なわれている。
水洗浄、乾燥の順に行なわれるが、半導体装置はその特
性上不純物の混入を極間に嫌うから、特罠純水洗浄が数
多く使用される。例えば、酸化工程の前処理として行な
われる洗浄工程の一例では、■トリクロルエブーレン洗
浄、■メブールアルコール洗浄、■純水洗浄、■スクラ
ブ、■純水洗浄、■Ｈ，ＯｉＩ ＋Ｎ （Ｉ、Ｏ）ｉま
たはＨ，０！＋ＨＣ’ ／洗浄、■純水洗浄、■ＨＦ＋
１１．０エツヂ、■純水洗浄、■スピン乾燥の１１で行
なわれている。
ところで、上記純水洗浄は石其製の処理槽内に半導体ウ
ェハーを配設し、この処理槽の底部から純水を供給して
オーバ−フローを続１することにより、例えばＨ，Ｃｌ
＋１ｈｏｔまたはＮ Ｈ，０）（−４−Ｈ，Ｏ，洗浄で
クエへ−表面に（＝Ｊ、ｆｆ ［、た薬液を洗い流す方
法が用いられている。この場合、純水洗浄の達成度は処
理槽内における純水純度の回復度に比例するから、この
純水純度の回復度を指標として純水のオーバーフローを
行なえば過不足のない均一な純水洗浄を行なうことがで
きる。ところが、従来は一般に所定の洗浄度を得るため
のオーバーフロ一時間を経験的に求め、この時間だけ純
水のオーバーフローを続ける方法が採用されて来た。こ
の念め、苅液付着俵の多少によって洗浄度に過不足を生
じ、均一な洗浄度が得られなかったり、１ｆｃ、純水使
用層の効率が悪い等の問題があった。
ェハーを配設し、この処理槽の底部から純水を供給して
オーバ−フローを続１することにより、例えばＨ，Ｃｌ
＋１ｈｏｔまたはＮ Ｈ，０）（−４−Ｈ，Ｏ，洗浄で
クエへ−表面に（＝Ｊ、ｆｆ ［、た薬液を洗い流す方
法が用いられている。この場合、純水洗浄の達成度は処
理槽内における純水純度の回復度に比例するから、この
純水純度の回復度を指標として純水のオーバーフローを
行なえば過不足のない均一な純水洗浄を行なうことがで
きる。ところが、従来は一般に所定の洗浄度を得るため
のオーバーフロ一時間を経験的に求め、この時間だけ純
水のオーバーフローを続ける方法が採用されて来た。こ
の念め、苅液付着俵の多少によって洗浄度に過不足を生
じ、均一な洗浄度が得られなかったり、１ｆｃ、純水使
用層の効率が悪い等の問題があった。
他方、純水の純度は一般にその比抵抗によって測定する
ことができ、ＩＭΩ・ｃｎＬ〜１００ＭΩ・閑の範囲で
純水の比抵抗値を測定できる温度補正機能を備えた高精
度の純水モニタリング装置も市販されている（例えば、
パルスポー社製の９１５１１シリーズ、９２０シリーズ
）。ところが、このような純水モニタリング装置は高精
度の純水モニタリングを一義的な目的として構成されて
いるため、半導体ウエノへ−の純水洗浄装置にこ２１．
を組み込んで前述のような過不足のない洗浄を行なおう
とすると次のような問題が生じる。
ことができ、ＩＭΩ・ｃｎＬ〜１００ＭΩ・閑の範囲で
純水の比抵抗値を測定できる温度補正機能を備えた高精
度の純水モニタリング装置も市販されている（例えば、
パルスポー社製の９１５１１シリーズ、９２０シリーズ
）。ところが、このような純水モニタリング装置は高精
度の純水モニタリングを一義的な目的として構成されて
いるため、半導体ウエノへ−の純水洗浄装置にこ２１．
を組み込んで前述のような過不足のない洗浄を行なおう
とすると次のような問題が生じる。
第１１１Ｃ，モニタリングシステム本体が大きいために
広い組込スペースが必要となる。
広い組込スペースが必要となる。
第２Ｋ、検出部が大き遇ぎて純水洗浄装置ηの処理槽に
適合しない。
適合しない。
第：ｌＣ，コストが高すぎる（前述の純水洗浄用として
は広い測定範囲および高精度の測定可能性よりも、ＩＯ
Ｍ−ａｍ程度の測定が可能な簡易性および低コスト性が
要求される）。
は広い測定範囲および高精度の測定可能性よりも、ＩＯ
Ｍ−ａｍ程度の測定が可能な簡易性および低コスト性が
要求される）。
このようなことから、純水洗浄度のモニターで１
が可能な範囲での精度を有し、簡易洛低コストの純水比
抵抗測定器を内蔵した純水洗浄装置が要望さオｔてい几
。
抵抗測定器を内蔵した純水洗浄装置が要望さオｔてい几
。
本発明は上記事情に鑑みてなされ念もので、処理槽内に
おける純水の比抵抗値を測定する簡易な比抵抗測定器を
＾備することＫより、処理槽内の純水純度を指標として
、過不足のない均一な洗浄を行なうことのできる純水洗
浄装置を提供するものである。
おける純水の比抵抗値を測定する簡易な比抵抗測定器を
＾備することＫより、処理槽内の純水純度を指標として
、過不足のない均一な洗浄を行なうことのできる純水洗
浄装置を提供するものである。
本発明による剃（水洗浄装置は従来の純水洗浄装置と同
様の処理槽の中に、定電流電源に接続さＪして処理槽内
の洗浄水中に浸漬される対向電極からなる比抵抗センチ
と、処理槽内の洗浄水温度を検知する次めの温度センチ
が設けられ、この比抵抗センナおよび温度−センチはマ
イクロコンピュータにＰ＃続さオｔている。マイクロコ
ンピュータは前記比抵抗センツーの対同電極間電圧をイ
ンピーダンス変換してこのインピーダンス値から処理槽
内における洗浄水の比抵抗値を算出し、更にこれを前記
温度センダ〜で検知さＩｉ、た洗浄水の温度で補正する
ようになっている。この温度補正は、標準純水の比抵抗
値について得られている温度係数を予めマイクロコンピ
ュータに記憶させておき、前記温度センチの検知温度に
おける温度係数を前記算出値に剰じて行なう。こうして
温度補正さ２ｔた洗浄水の比抵抗値が予め記憶された洗
浄完了時における洗浄水の比抵抗値（一般にはＩＯＭΩ
・ｃ１ｎ程度）Ｋ達すると、マイクロコンピュータが洗
浄完了信号を出力するよう罠なっている。この洗浄完了
信号によって純水洗浄装置の動作を停止させるようにす
れば、常に過不足のない均一な洗浄を行なうことができ
る。
様の処理槽の中に、定電流電源に接続さＪして処理槽内
の洗浄水中に浸漬される対向電極からなる比抵抗センチ
と、処理槽内の洗浄水温度を検知する次めの温度センチ
が設けられ、この比抵抗センナおよび温度−センチはマ
イクロコンピュータにＰ＃続さオｔている。マイクロコ
ンピュータは前記比抵抗センツーの対同電極間電圧をイ
ンピーダンス変換してこのインピーダンス値から処理槽
内における洗浄水の比抵抗値を算出し、更にこれを前記
温度センダ〜で検知さＩｉ、た洗浄水の温度で補正する
ようになっている。この温度補正は、標準純水の比抵抗
値について得られている温度係数を予めマイクロコンピ
ュータに記憶させておき、前記温度センチの検知温度に
おける温度係数を前記算出値に剰じて行なう。こうして
温度補正さ２ｔた洗浄水の比抵抗値が予め記憶された洗
浄完了時における洗浄水の比抵抗値（一般にはＩＯＭΩ
・ｃ１ｎ程度）Ｋ達すると、マイクロコンピュータが洗
浄完了信号を出力するよう罠なっている。この洗浄完了
信号によって純水洗浄装置の動作を停止させるようにす
れば、常に過不足のない均一な洗浄を行なうことができ
る。
ところで、一般に純水の比抵抗値を高精度で測定しよう
とすると、水の分解によって発生するＨ＋、ＯＨ−イオ
ンの存在が重要になり、この分解反応は温度に依存する
から温度補正が必要となる。しかも、上記分解反応の温
度依存性はＮｌｌ 、ＣＩ’％の他の混在イオンの影
響とは異なった温度依存性を示す次め、異なった二種類
の温度補正をしなければならない。これが純水の比抵抗
を高精度での測定を困ｆＭＫしている原因である。そし
て、上記の温度補正を行なうため特殊な捕ｊＥ電極およ
び補正回路を必要とし、必然的に複雑化、高コスト化せ
ざるを得ないのである。
とすると、水の分解によって発生するＨ＋、ＯＨ−イオ
ンの存在が重要になり、この分解反応は温度に依存する
から温度補正が必要となる。しかも、上記分解反応の温
度依存性はＮｌｌ 、ＣＩ’％の他の混在イオンの影
響とは異なった温度依存性を示す次め、異なった二種類
の温度補正をしなければならない。これが純水の比抵抗
を高精度での測定を困ｆＭＫしている原因である。そし
て、上記の温度補正を行なうため特殊な捕ｊＥ電極およ
び補正回路を必要とし、必然的に複雑化、高コスト化せ
ざるを得ないのである。
これに対して、本発明の純水洗浄装置に組み込ｉれてい
る比抵抗測定器では標準純水で測定された温度係数をそ
のｉま用い、単なる数値演算だけで濃度補正を行なって
いるから精度は低くならざるを得ないが、本発明の目的
においては充分な精度を得ることができる。そして、極
めて部品な構成および低コスト化を可能とすることがで
きる。
る比抵抗測定器では標準純水で測定された温度係数をそ
のｉま用い、単なる数値演算だけで濃度補正を行なって
いるから精度は低くならざるを得ないが、本発明の目的
においては充分な精度を得ることができる。そして、極
めて部品な構成および低コスト化を可能とすることがで
きる。
以下、第１図および第２図（Ｒ１（１，）を参照して本
発明の詳細な説明する。
発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例になる純水洗浄装置の説明図
である。同図において、１は洗浄する半導体ウエノ１−
が収容される石英製の処理槽である。該処理槽１の底面
には純水供給管２が連結さ３．ｉた石英パイプ３の内部
に配設され恋ヒータ４が設けられているつ石臭、４イグ
３の上にはすの千５が載ｌｉｔされている。純水洗浄に
際しては処理槽１内に半導体ウェハーを収容し、純水供
給管２から洗浄用の純水全供給する。供給され念純水は
、洗浄水とし゛〔処理槽１の底部からすの千５の間隙を
通って処理槽１内を満し、収容された半導体ウニ八−の
表面を洗い流して処理４Ｗｉｅｎ開Ｉコ部からオーツぐ
−フロー゛ｒる。処理槽１の開ｌＪ部にはオー／ぐ〜フ
ローして来た洗浄水を受１する之めの樋６が付設されて
おり、洗浄水はこのＭｊ１６を通って排出される。この
間、ヒータＪＫよって処理槽１内の洗浄水は良好な洗浄
効果が得られる所定温度に加熱さ２する。ま几、図示し
ない超音波発振器から超音波が処理槽ｌ内に照射され、
洗浄効果を高めＣいる。
である。同図において、１は洗浄する半導体ウエノ１−
が収容される石英製の処理槽である。該処理槽１の底面
には純水供給管２が連結さ３．ｉた石英パイプ３の内部
に配設され恋ヒータ４が設けられているつ石臭、４イグ
３の上にはすの千５が載ｌｉｔされている。純水洗浄に
際しては処理槽１内に半導体ウェハーを収容し、純水供
給管２から洗浄用の純水全供給する。供給され念純水は
、洗浄水とし゛〔処理槽１の底部からすの千５の間隙を
通って処理槽１内を満し、収容された半導体ウニ八−の
表面を洗い流して処理４Ｗｉｅｎ開Ｉコ部からオーツぐ
−フロー゛ｒる。処理槽１の開ｌＪ部にはオー／ぐ〜フ
ローして来た洗浄水を受１する之めの樋６が付設されて
おり、洗浄水はこのＭｊ１６を通って排出される。この
間、ヒータＪＫよって処理槽１内の洗浄水は良好な洗浄
効果が得られる所定温度に加熱さ２する。ま几、図示し
ない超音波発振器から超音波が処理槽ｌ内に照射され、
洗浄効果を高めＣいる。
さて、処理横１内には比抵抗センｆ７および温度センｆ
８が設けられている。第２図（，１）は比抵抗センｆ７
の正面図であり、第２図（ｈ）はその右側面図である。
８が設けられている。第２図（，１）は比抵抗センｆ７
の正面図であり、第２図（ｈ）はその右側面図である。
これらの図に示すように、比抵抗センｆｒは一対の対向
′ｊる白金Ｗｔ極７７゜７２がＩノプツ化エブーレン＃
ｊ脂製の基体１３に支持されてなり、各内金電極７７．
１２に接続されたり−ド７４が取り出されている。そし
て、この比抵抗測定器は白金電極７１，７２を処理槽１
内の洗浄水中に浸漬して配設される。また、温度センｆ
８としてｉｌ、ｐｎ接合を有する感温素子が用いられ、
処理槽Ｉ内の洗浄水中に浸漬して配設される。
′ｊる白金Ｗｔ極７７゜７２がＩノプツ化エブーレン＃
ｊ脂製の基体１３に支持されてなり、各内金電極７７．
１２に接続されたり−ド７４が取り出されている。そし
て、この比抵抗測定器は白金電極７１，７２を処理槽１
内の洗浄水中に浸漬して配設される。また、温度センｆ
８としてｉｌ、ｐｎ接合を有する感温素子が用いられ、
処理槽Ｉ内の洗浄水中に浸漬して配設される。
上記の比抵抗センｆ７およσ温度センッ・８は何れもマ
イクロコンピュータ９に接続されており、また比抵抗七
ンｆ７Ｋｄ定電流電源が接続されている。このマイクロ
コンピュータ９は次のような機能を有るものとして構成
されている。
イクロコンピュータ９に接続されており、また比抵抗七
ンｆ７Ｋｄ定電流電源が接続されている。このマイクロ
コンピュータ９は次のような機能を有るものとして構成
されている。
即ち、之ず比抵抗センｆ７の白金電極７１゜７２間罠は
定電流１が流れて電圧■が発生するが、こσ月藺子間電
圧Ｖを次式釦従って電極７ Ｚ−１７２間の洗浄水抵抗
ＲＫ鐸換する。
定電流１が流れて電圧■が発生するが、こσ月藺子間電
圧Ｖを次式釦従って電極７ Ｚ−１７２間の洗浄水抵抗
ＲＫ鐸換する。
■
Ｒ＝−
■
次に、白金電極７１，７２間の距Ｎ１ｔノ、対向而１ｉ
Ｓを用い、次式に従って洗浄水の比抵抗！（温度補正な
し）を算出する。
Ｓを用い、次式に従って洗浄水の比抵抗！（温度補正な
し）を算出する。
一方、マイクロコンピュータ９には標準純水忙ついて既
に測定されている温度関数／ｓ （Ｔ）−／）Ｋ予め記
憶されている。この／５（Ｔ）は補正電極等を備えた従
来の高精度純水比抵抗測定システムを用いて得られたも
ので、標準純水の各温度における温度補正された比抵抗
〔ｙ８〕と次の関係にある。
に測定されている温度関数／ｓ （Ｔ）−／）Ｋ予め記
憶されている。この／５（Ｔ）は補正電極等を備えた従
来の高精度純水比抵抗測定システムを用いて得られたも
ので、標準純水の各温度における温度補正された比抵抗
〔ｙ８〕と次の関係にある。
マイクロコンピュータタは温度センｆ８で測定さ牡几渦
度ｔと記憶されているｆｓ（’＋５から、次式に従って
前記算出されたｆの温度補正を行ない、温度補正された
比抵抗値Ｃｆ〕を得る。
度ｔと記憶されているｆｓ（’＋５から、次式に従って
前記算出されたｆの温度補正を行ない、温度補正された
比抵抗値Ｃｆ〕を得る。
また、マイクロコンピュータ９には洗浄完了時の洗浄水
の比抵抗値（通常はＩＯＭΩ・α程度）が記憶されてお
り、前記温度補正された比抵抗値Ｃｒ〕がこの値に達し
た時に洗浄完了信号を出力するようになっている。そし
て、この洗浄完了信号は純水洗浄装置の駆動部ｌＯに送
ら１１．、純水供給部の電磁弁、ヒーター４の電源、超
音波発信器等の動作を停止させるようになっている。
の比抵抗値（通常はＩＯＭΩ・α程度）が記憶されてお
り、前記温度補正された比抵抗値Ｃｒ〕がこの値に達し
た時に洗浄完了信号を出力するようになっている。そし
て、この洗浄完了信号は純水洗浄装置の駆動部ｌＯに送
ら１１．、純水供給部の電磁弁、ヒーター４の電源、超
音波発信器等の動作を停止させるようになっている。
」１記マイクロコンぎユータ９は純水洗浄装置の制御部
に組み込まれており、該制御部に設けらオｔた制御／々
ネルＩＩＫより洗浄装置の動作を側御するようになって
いる。
に組み込まれており、該制御部に設けらオｔた制御／々
ネルＩＩＫより洗浄装置の動作を側御するようになって
いる。
上記構成からなる純水洗浄装置によオＬば、洗浄水の純
水純度をモニターすることにより洗浄を完了することが
できるから常に過不足のない一定の洗浄度を得ることが
できる。即ち、純水供給により洗浄水のオーバーフロー
を開始すると、洗浄水純度は一度低下した後徐々に上昇
し、供給純水と略等しい純度に回復する。上記実施例の
純水洗浄装置では洗浄水の純水純度が回復した時点で洗
浄を終らせることができるため、オーバーフローの時間
で洗浄完了を判断する場合のような過不足を生じること
がない。従ってな 純水棒効率的に使用することができる。
水純度をモニターすることにより洗浄を完了することが
できるから常に過不足のない一定の洗浄度を得ることが
できる。即ち、純水供給により洗浄水のオーバーフロー
を開始すると、洗浄水純度は一度低下した後徐々に上昇
し、供給純水と略等しい純度に回復する。上記実施例の
純水洗浄装置では洗浄水の純水純度が回復した時点で洗
浄を終らせることができるため、オーバーフローの時間
で洗浄完了を判断する場合のような過不足を生じること
がない。従ってな 純水棒効率的に使用することができる。
また、上記実施例の純水洗浄装置に組み込まれた比抵抗
測定器は、特殊な温度補正電極や補正回路を用いでいな
いため低コストであり、形状もコンパクトで従来の純水
洗浄装置に大幅な雇更を加えることなく組み込むことが
でさる。
測定器は、特殊な温度補正電極や補正回路を用いでいな
いため低コストであり、形状もコンパクトで従来の純水
洗浄装置に大幅な雇更を加えることなく組み込むことが
でさる。
また、測定精度についてもアナロジ−法による不完全さ
はあるとしても、温度補正を行なっているから本発明の
目的範囲においては充分な精度を得ることができる。
はあるとしても、温度補正を行なっているから本発明の
目的範囲においては充分な精度を得ることができる。
以上詳述し几ように、本発明によ３は常に過不足のない
均一な洗浄を行なうことにより純水の使用効率をｔ４め
ることができるコン／ダクトでコストの低い純水洗浄５
Ｎ ’ ｉｆを提供できるものである。
均一な洗浄を行なうことにより純水の使用効率をｔ４め
ることができるコン／ダクトでコストの低い純水洗浄５
Ｎ ’ ｉｆを提供できるものである。
第１図は本発明の一実施例になる純水洗浄装置の説明図
、第２１凶（８）は第１１・凶における比抵抗センサの
正面図であり、第２１°？旧１））はぞの右側面図であ
る。 １・・・処理槽、２・・・純水供給管、３・・・石興簀
、４・・・ヒーター、５・・・すの子、６・・・樋、７
・・・比抵抗センダ・、１１．７２・・・白金電極、７
３・・・基体、７４・・・リード、８・・・温度センサ
、９・・・マイクロコンピュータ、１０−・・駆動部、
１１°・・制御ノ？イ・ル。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦 。
、第２１凶（８）は第１１・凶における比抵抗センサの
正面図であり、第２１°？旧１））はぞの右側面図であ
る。 １・・・処理槽、２・・・純水供給管、３・・・石興簀
、４・・・ヒーター、５・・・すの子、６・・・樋、７
・・・比抵抗センダ・、１１．７２・・・白金電極、７
３・・・基体、７４・・・リード、８・・・温度センサ
、９・・・マイクロコンピュータ、１０−・・駆動部、
１１°・・制御ノ？イ・ル。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦 。
Claims (1)
- 純水洗浄さるべき半導体ウェハーが収容される処理槽と
、核処理槽内に洗浄水として純水を給供するために処理
槽底部に連結された純水供給管と、オーバーフローした
洗浄水を受けるために前記処ＪＩ１１槽の上端開口部外
周に設けられた樋と、処理槽内の洗浄水を所定温度に加
熱するためのヒータと、定電流電源に接続さ２ｔ、処理
槽内の洗浄水中に浸漬して配設される対向電極を具備し
た比抵抗センサと、処理槽内の洗浄水中に浸漬して配設
される温度センサと、上記比抵抗センダ・および温度セ
ンダ・Ｋ接続され、比抵抗センチの前記対向電極間電圧
から処理槽内の洗浄水の比抵抗を演算すると共に、予め
記憶されている標準純水における比抵抗の温度係数およ
び前記温度センブーの検知温度により前記算出された比
抵抗の温度補正を行ない、この補正されに比抵抗値が予
め記憶されている洗浄完了時の値に達した時に洗浄動作
を終了させる信号を出力する制御装置とを具備し次こと
を特徴とする純水洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14882382A JPS5939030A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 純水洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14882382A JPS5939030A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 純水洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5939030A true JPS5939030A (ja) | 1984-03-03 |
Family
ID=15461516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14882382A Pending JPS5939030A (ja) | 1982-08-27 | 1982-08-27 | 純水洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5939030A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179121A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Hoya Corp | 洗浄方法 |
| JPS62281431A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 超音波洗浄方法および装置 |
| JPS63261176A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Toshiba Corp | 比抵抗率／導電率測定装置及びこれを用いた比抵抗率／導電率測定システム |
| JP2012126643A (ja) * | 2007-09-04 | 2012-07-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄装置 |
-
1982
- 1982-08-27 JP JP14882382A patent/JPS5939030A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179121A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Hoya Corp | 洗浄方法 |
| JPS62281431A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 超音波洗浄方法および装置 |
| JPS63261176A (ja) * | 1987-04-20 | 1988-10-27 | Toshiba Corp | 比抵抗率／導電率測定装置及びこれを用いた比抵抗率／導電率測定システム |
| JP2012126643A (ja) * | 2007-09-04 | 2012-07-05 | Mitsubishi Materials Corp | 多結晶シリコンの洗浄装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210140904A1 (en) | Multi-Functional Water Quality Sensor | |
| US6369579B1 (en) | Method for determining the electrical conductivity of fluids | |
| US8044811B2 (en) | Sensing device and method | |
| JPS5939030A (ja) | 純水洗浄装置 | |
| US20050017728A1 (en) | Method and apparatus for monitoring detergent concentration in a decontamination process | |
| JPH03220453A (ja) | 雨水連続モニタリング装置 | |
| US3946309A (en) | Cell for measuring electrical resistivity of a liquid | |
| CN103163158A (zh) | 一种电力系统中绝缘子污秽物检测方法 | |
| US6960921B2 (en) | Method and apparatus for real time monitoring of metallic cation concentrations in a solution | |
| JP2850514B2 (ja) | 寿命予測表示付ｐＨ計 | |
| CN202631478U (zh) | 一种pH计 | |
| CN102520048A (zh) | 一种ph计及其标定方法 | |
| CN113432742A (zh) | 一种电阻式温度传感器及其制备方法和用途 | |
| CN111855977B (zh) | 血液分析系统、清洗液计算装置及清洗液计算方法 | |
| JP3055164B2 (ja) | 液性状の計測装置 | |
| JPH074995A (ja) | 流量測定方法及び音響変位式流量計 | |
| CN210015039U (zh) | 一种钝化剂内氟离子自动检测装置 | |
| JP2569758B2 (ja) | 濁度計の校正方法 | |
| CN218727951U (zh) | 一种纯水电导率仪电极校准装置 | |
| Yan et al. | Sensor for monitoring the rinsing of patterned wafers | |
| JP2798346B2 (ja) | 濃度測定装置 | |
| CN209214128U (zh) | 一种电热水器 | |
| JPH05133871A (ja) | 浸漬型液体比重測定装置 | |
| JP2721313B2 (ja) | 高比抵抗液体の供給装置 | |
| JPH05335459A (ja) | 電気メッキ装置 |