JP2015502322A - 多結晶シリコンロッドおよびポリシリコンを生成するための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−ロッドの温度を好ましくは1100℃超に、好ましくは1150℃超に、および堆積の第1のステップに比較して少なくとも50℃上げ、
−シリコン含有成分の濃度(合計で)を5モル%以下、好ましくは、3モル%以下まで低減し、
−堆積反応器内へのシリコン含有成分の供給をロッドの表面積1m2当たり0.25kmol/h以下、好ましくは、ロッドの表面積1m2当たり0.1kmol/h以下まで低減する。
従来技術によって、コンパクトな多結晶シリコンロッドを堆積した。
この場合も、従来技術によって、コンパクトな多結晶シリコンロッドを堆積した(US2010/219380 A1、比較例1を参照されたい)。
この場合、従来技術によって多孔質で割れ目のある多結晶シリコンロッドを堆積した(US2010/219380 A1、実施例1を参照されたい)。
この実施例では、従来技術によって多孔質で割れ目のある多結晶シリコンロッドを堆積した(US2010/219380 A1および実施例に記載したのと同様に)。
この実施例では、手順は、実施例2と同様であったが、堆積後、ポリシリコンロッドをポリエチレンサックでカバーし、窒素雰囲気下で堆積反応器から取り出した点が異なった。
この実施例では、コンパクトなポリシリコンを堆積した。
この実施例では、多孔質で割れ目のある多結晶シリコンロッドを堆積した。
Claims (15)
- 0.01から20mmの厚さを有する多結晶シリコンの外層を含み、外層が20μm超の平均径を有する結晶子を含む、多結晶シリコンロッド。
- 外層が、4〜10μmの表面粗さを有する、請求項1に記載の多結晶シリコンロッド。
- 光沢のある表面を有する、請求項1に記載または請求項2に記載の多結晶シリコンロッド。
- 外層の直下に類似の構造を有し、この構造が、細孔、間隙、裂け目、亀裂および割れ目を含む、請求項1から3のいずれかに記載の多結晶シリコンロッド。
- 請求項1から4のいずれかに記載の多結晶シリコンロッドを破砕することによる多結晶シリコン塊の生成。
- 請求項5に記載の方法によって生成される多結晶シリコン塊。
- シリコン含有成分および水素を含む反応ガスを反応器内に導入することにより、ロッドの形態で多結晶シリコンを堆積させることによってポリシリコンを生成する方法であって、堆積の第2のステップにおけるロッドの温度が、第1のステップに比較して少なくとも50℃上昇され、生成される多結晶ロッドが、0.01から20mmの厚さを有する外層を有し、外層が20μm超の平均径を有する結晶子を含むように、堆積の第2のステップにおける反応ガス中のシリコン含有成分の濃度が、5モル%以下であり、シリコン含有成分の供給が、ロッド表面積1m2当たり0.25モル以下であることを特徴とする、方法。
- 多結晶シリコンが堆積した後に、ロッドを反応器から取り出す間、ロッドの周囲に汚染のないガス流を通すことを特徴とする、請求項7に記載の方法。
- 多結晶シリコンが堆積した後に、ロッドを反応器から取り出す前に、それぞれの場合のロッドがサックでカバーされることを特徴とする、請求項7に記載または請求項8に記載の方法。
- 堆積の第2のステップ中のロッドの温度が、少なくとも1100℃である、請求項7から9のいずれかに記載の方法。
- 堆積の第2のステップの継続時間が、0.1から50時間である、請求項7から10のいずれかに記載の方法。
- 堆積後のシリコンロッドが、塊になるように破砕され、ダスト除去される、請求項7から11のいずれかに記載の方法。
- シリコン含有成分および水素を含む反応ガスを反応器内に導入することにより、ロッドの形態で多結晶シリコンを堆積させることによってポリシリコンを生成する方法であって、堆積が終了した後に、多結晶シリコンロッドの周囲に汚染のないガス流を通し、多結晶シリコンロッドをプラスチックサックでカバーし、反応器から取り出すことを特徴とする方法。
- サックが、ポリマーフィルムまたはポリエチレンフィルムからなることを特徴とする、請求項9に記載または請求項13に記載の方法。
- 使用される汚染のないガスが、窒素または希ガスであることを特徴とする、請求項8に記載または請求項13に記載の方法。
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