JP2009509289A - 障壁層保護基板を有する電気化学装置 - Google Patents

障壁層保護基板を有する電気化学装置 Download PDF

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Abstract

本発明は、本発明の基板と電池部分との間の、例えば障壁副層から成る適切な障壁層を作製することにより、全寿命期間における電池作製全プロセス中ならびに電池化学的装置の動作および保管中にこれら二つの部分を化学的に分離することによって、金属基板、高分子基板、またはドープまたは非ドープのシリコンの基板上に、高性能の薄膜電池を作製する装置、組成、および方法に関する。本発明の好適な実施形態において、障壁副層から成る適切な障壁層を使用して、薄くて柔軟性のあるステンレス鋼箔の基板上に作製される薄膜電池は、セラミックの基板上に作製される薄膜電池と比べて、ＬｉＣｏＯ２正極に７００℃の蒸着後アニールプロセスを使用した場合に、着実な電気化学的性能を有する。

Description

（関連出願の引用）
本出願の内容は、米国仮特許出願第６０／６９０，６９７号（２００５年６月１５日出願）として以前に確認された、番号が未だ指定されていない米国特許出願の一部継続出願であって、米国特許法第１２０条の利益を主張するものであり、さらに、米国特許出願第１１／２０９，５３６号（２００５年８月２３日出願）の内容に関連するものであって、米国特許法第１２０条の利益を主張するものであり、これらは特に参考として本明細書に援用される。
（発明の分野）
本発明の分野は、改善された容量密度、エネルギー密度、および出力密度を有し、好ましくは、柔軟性のある形状因子および結晶性のＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４正極および誘導体材料を有する、リチウムベースで、固体で、薄膜の、二次および一次の電池の装置、組成、および作製である。
以下の文章は、薄膜電池の分野における主題である技術の必要性および発展を説明する。
薄膜電池は、層状の電池要素を、一定の基板に順次真空蒸着することによって作製されてもよく、その順番は、例えば、正極集電体、正極、負極集電体、電解質（セパレータ）、負極、およびカプセルである。積層プロセスが、蒸着プロセス処理の代わりに使用されてもよい（例えば、Ｗａｎｇらに対する特許文献１、非特許文献１、または特許文献２参照）。任意で、薄膜電池の二つの端子は、正および負の集電体の拡張を単に備えるだけでなく、それぞれの集電体に電気接触を形成する付加的に蒸着された端子の接触であってもよい。正極材料は、蒸着されたままの状態で結晶性が不十分でもよく、この事実に関連して、不十分な電気化学的特性を呈してもよい（例えば、Ｗａｎｇらによる上記参照）。このため、正極は、電池作製中に結晶化されてもよく、それは、蒸着後の高温（「アニール」）プロセスにおいて達成可能である（例えば、Ｗａｎｇらによる上記、または非特許文献２参照））。正極の蒸着直後に適用されるアニールプロセスは、基板および正極集電体の材料の選択を制限し、体積および重量当たりの薄膜電池の容量密度、エネルギー密度、および出力密度を順に制限する場合がある。それら三つの容量に対する影響は、例えば、以下にさらに詳しく説明される。
リチウムベースで、固体で、薄膜の二次（充電式）および一次（非充電式）電池の容量、エネルギー、および出力に関する固有の（つまり、基板およびカプセル無しの）体積および重量密度は、正極材料の容量、エネルギー、および出力の体積および重量密度によって左右される。結晶性ＬｉＣｏＯ２は、容量、エネルギー、出力、およびサイクル性能の体積密度および重量密度において、バルク電池（非薄型電池）と薄膜電池の両方の正極材料の選択の一例であってもよく、二次電池の場合、結晶性ＬｉＭｎ２Ｏ４、結晶性ＬｉＭｎＯ２、および結晶性ＬｉＮｉＯ２の誘導体が続く。これらの主な母正極材料に、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、およびＲｅや、族１、２、１３、１４、１５、１６、および１７から選択される主族元素などのその他の遷移金属（誘導体に至る）をドープすることによって、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＭｎＯ２、およびＬｉＮｉＯ２の特性が、少しだけであるが全体的に改善されて変化することが明らかになっている。
特許文献３によると、Ｔｉ基板上の天然酸化チタンは、Ｔｉ基板と電池要素との間で発生する有害反応を回避するほど不活性でない。このアプローチは、基板材料の選択が、正極のアニール処理中に天然の表面酸化物を形成可能な材料に限定されるため、大幅に制限される。本発明以外では、天然の表面酸化物を形成しない柔軟性のある箔を含む金属基板を、薄膜電池として使用することに成功していない。例えば、高温正極材料をＺｒ以外の柔軟性のある箔を含む金属基板に直接蒸着し、空気中７００℃などの高温で一時間アニールして、固体で薄膜の二次電池を作製すると、結果的に、正極と正極が無用な状態になる程度まで有害に反応する基板材料とをもたらす。また、純ＴｉおよびＺｒ基板は、比較的高価である。
従来の薄膜電池は、基板と電池との間の効果的な障壁層の使用を開示しないため、潜在的に否定的な観測結果をもたらす。例えば、従来の薄膜電池の特定の問題を克服する、副層を有する発明性のある障壁層などの本発明に関する必要性がある。
米国特許第６，９１６，６７９号明細書 米国特許第５，５６１，００４号明細書 米国特許第６，２８０，８７５号明細書 １４３Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．３２０３−１３（１９９６） Ｂａｔｅｓ ｅｔ ａｌ．，「Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ」，Ｎｅｗ Ｔｒｅｎｄｓ ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｓｙｓｔｅｍｓ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ（Ｔ．Ｏｓａｋａ＆Ｍ．Ｄａｔｔａ ｅｄｓ．，Ｇｏｒｄｏｎ ａｎｄ Ｂｒｅａｃｈ ２０００）
以下の例によってさらに詳しく説明される本発明のさまざまな側面および実施形態は、ある背景技術の不足および関連産業における新たな必要性に対処する。
携帯装置およびオンボードデバイスの数は、急速に増え続けているものの、利用可能な物理的寸法は減少している。これらの装置の中に入る電池は、その普及している装置の需要に対応してそのサイズを縮小すべきであるが、その一方で同一出力を供給しなければならない。電池が薄くなればなるほどより多くのものに適用されることになる。出力装置を可能にするものとして、薄膜で固体の電池がある。設置面積が限定要因となるが、容量需要が依然として「高い」場合、できるだけ多くの電池セルを、利用可能なスペース（設置面積ｘ高さ）に詰めて、積み重ねることが重要になる。
最高容量、電圧、電流、出力、および再充電可能なサイクル寿命を有する電池は、例えば、現在最も強力な正極材料であるＬｉＣｏＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＮｉＯ２、およびその誘導体を利用してもよい。
薄膜に真空蒸着する場合、これらの材料は、あらゆる電気化学的性質の発達に直接関連する結晶化度を改善するために、好ましくは、高温の蒸着後アニールを含んでもよい。そのような薄膜電池を用いる電気化学的装置をより薄くするために、主に、電気化学的装置の不活性で電気化学的に不活性な部分がより薄くなくてはならない。アプローチの一つとして、厚くてかさ高いセラミックの基板の代わりに、薄い金属箔の基板に電池を形成することがある。金属箔は、同じ設置面積のセラミック基板に対して、より柔軟性があり、より薄く、より安価である。さらに、それらは、製造時の大幅なコスト削減につながるより多くの分野において容易に入手可能である。
しかしながら、その他の正極材料のようなＬｉＣｏＯ２は、強力な酸化剤であり、非常に可動で反応性のリチウムイオンを有する。蒸着されたままの状態のＬｉＣｏＯ２膜を結晶化するのに必要な高アニール温度で、それは、大体の金属および合金、ならびに多くの化合物と強い反応を示すが、限られた数の不活性のセラミックとは反応しない。その他の場合において、基板からの不要物は、高アニール温度中にＬｉＣｏＯ２に拡散し、正極を汚染することによって、その電気化学的性質を有害に変化させる場合がある。アニール温度が、反応または不要な拡散を防ぐために十分低く抑えられる場合、正極は、完全に結晶化しなくてもよいが、容量、エネルギー、電流、および電力容量、充電式電池の場合は、寿命（サイクルの数）が、低下する場合がある。
強力な正極材料によって、その結晶状態における十分に望ましい電気化学的性質が展開されてもよい。これらの材料は、例えば、本発明において薄膜形状で使用されてもよいため、それらは、スパッタ蒸着（ＲＦ、パルスＤＣ、またはＡＣ）、電子ビーム蒸着、化学蒸着、プラズマ化学気相成長法、噴霧熱分解、イオンビーム支援蒸着、電子ビーム蒸着、陰極アーク蒸着などの一般的な気相薄膜蒸着方法のうちの一つによって一般的に蒸着されてもよい。これらの気相方法は、携帯電話やカムコーダータイプの電池などのバルク電池に使用される十分に結晶化された粒子からそれぞれ作製される正極に、同等の電気化学的性質を呈する正極膜を、蒸着されたままの状態において生成しない。したがって、薄膜方法によって蒸着されるそのような正極の劣った電気化学的性質の原因は、蒸着されたままの状態における必要な結晶化度の不足にある。
しかしながら、結晶化度は、一般的は２００℃〜９００℃、好ましくは５００℃〜８５０℃、さらに好ましくは６５０℃〜８００℃である高温の蒸着後アニールによって改善されてもよい。これらのアニールに使用される大気は、一般的に、空気、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、ＣＯ２、真空（Ｐ＜１トール）、またはその組み合わせである。十分な結晶化を達成することによって電気化学的性質を改善するために、アニール時間は、例えば、アニール温度が約６５０℃未満に低下する場合に、好ましくは延長される。結晶化率は、温度によって指数関数的に活性化され、アニール温度の低下と共に大幅に減少する。アニール温度が大幅に低いと、アニール温度によって加えられるエネルギーは、結晶化プロセスを行なうのに必要な熱活性化エネルギーを克服するには十分でない場合がある。例えば、空気中９００℃で１５分間のアニールにより、マグネトロン−スパッタＬｉＣｏＯ２膜において、空気中７００℃で約１時間のアニールおよび空気中６００℃で約１２時間のアニールと同じ結晶度をもたらされ得る。空気中４００℃で２４時間アニールした後、マグネトロン−スパッタ蒸着ＬｉＣｏＯ２正極膜の電子化学的品質は、劣ったままであり、その温度で７２時間後でも改善されない。したがって、気相方法で作製されたＬｉＣｏＯ２正極膜は、空気中７００℃で約３０分から２時間、蒸着後アニールされてもよい。しかし、この比較的高いアニール温度により、化学的適合性の問題を引き起こす場合があることから、そのようなアニール処理は、薄膜電池の作製プロセスにおいて潜在的に望ましくないものとされ、また、コストを増加させて作製スループットを低下させる。
蒸着後アニール条件は、基板材料の選択を厳密に限定してもよい。基板は、好ましくは、高アニール温度（Ｔ＞５００℃）に耐久可能であるだけでなく、好ましくは、アニール雰囲気、電池動作、および適用される保管状態に関して、基板に接触する全ての電池膜材料に対して化学的に不活性であるべきである。同様に、基板は、好ましくは、電気化学的装置の作製中やその後の動作および保管中にも、電池膜材料に拡散する不純物源であるべきではない。そのような不純物は、いかなる電池膜材料にも害を及ぼし、電池性能および寿命を低下させ、厳密には、それに影響を与えるまたは破損させさえする。基板の特定の選択として、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＮａＣｌ、ＳｉＣ、およびシリカガラスなどの化学的に不活性で、高温のセラミックに限定してもよい。ＺｒおよびＴｉなどの二つの金属は、金属基板としてある程度の成果しかもたらさない。本発明の電気化学的装置は、基板がＺｒおよびＴｉである必要はない。
上記のセラミックは、薄膜電池の作製中に化学反応を起こすことなく高温に耐える能力を呈したが、薄膜電池の費用効率の良い製造において使用するということに対して重大な不利点を有する。セラミックは、少なくとも５ｍｉｌ≒１２５μｍ厚さで、脆く、柔軟性がなく（剛性）、ならびに一定の設置面積当たりにおいて比較的高価である。また全体の部分面積が限られる場合がある。セラミックの基板が薄くなればなるほど、セラミックを破損することなく安全に処理可能な最大面積が小さくなる。例えば、１／４インチ厚さのＡｌ２Ｏ３の１２インチｘ１２インチのプレートは、商業的に容易に入手可能である。しかしながら、厚さが１０ｍｉｌ≒２５０μｍの薄型で研磨されたＡｌ２Ｏ３セラミックの基板は、約４インチｘ４インチの板に、合理的な割合で作製可能な面積を縮小する。薄い（＜２０ｍｉｌまたは＜５００μｍ）、４インチｘ８インチの研磨されたセラミックの板は、特別注文で入手可能であるが、薄膜電池の大規模製造の許容可能な価格で通常在庫しているものではない。
約１００μｍ未満のその壊れ易い性質により、薄膜電池の基板材料としてセラミックを使用することは、実用的ではない場合がある（１００μｍ未満の厚さのマイカ基板を説明する米国特許第６，６３２，５６３の記載にも関わらず）。マイカの特性の一つに、１００μｍを越える厚さであっても非常に脆性で壊れ易いという性質がある。しかしながら、１００μｍを越える厚さのセラミック基板をを使用すると、基板の電気科化学的に不活性な質量および体積が、全電池重量および体積の９０％以上を占めることになり、望ましくない場合がある。
これら上述の全ての理由により、非セラミック箔が、薄膜電池の基板として使用されてもよい。非セラミックの基板について、例えば、金属および高分子基板、シリコン、およびドープシリコンが、その中間位置を取ってもよい。
例えば、非セラミック箔は、薄膜電池の基板としての利点を提供してもよいが、基板材料が、温度を含む処理条件に耐え、例えば、特定の潜在的に反応性の電池層との接触可能である場合に限る。一定の設置面積のセラミック基板に対して、非セラミック箔基板は、より薄く、より柔軟性があり、より安価で、より大きなサイズも容易に入手可能であり、電池または電気化学的装置の全厚が減少する一方、電池の容量密度、エネルギー密度、および出力密度を順に増加させる全体の電池の電気化学的に不活性な質量および体積を減少させる。非セラミック箔は、例えば、いくつかのメートル幅および多くの長さに対応して０．５〜５ｍｉｌ≒１２〜１２５μｍ厚さのロールで入手可能である。長いロールで供給される基板は、現在実用されている一般的なバッチ処理作製プロセスよりも、大幅に低コストで、ロールからロールまでの作製の可能性を呈する。電池性能を落とさずに、より薄くてより柔軟性のある基板上に薄膜電池を作製することによって、厚くて剛性な基板に薄膜電池を作製するよりも、薄膜電池技術の特定の適用を可能にする役割を果たす。
基板を大幅に薄くして電池の電気化学的に不活性な質量および体積を減少させることによって、質量および体積当たりの電池の容量密度、エネルギー密度、および出力密度は増加してもよい。例えば、一定の適用によって、２ｃｍｘ２ｃｍｘ０．１ｃｍの電池の体積が割り当てられる。現在、その体積に物理的に適合できる入手可能な従来のボタンセルまたはゼリーロール（捲回またはプリズム）電池は存在しない。その一方、０．０５ｃｍのセラミック基板の上に作製されても、任意で保護カプセルまたはケース（以下の定義を参照）を含むその電池全体が、０．１ｃｍよりもさらに薄くなることから、薄膜で固体の電池がその体積に適合してもよい。２ｍｉｌ≒５０μｍ＝０．００５ｃｍの厚さの箔の基板上に、同一の設置面積および同一電池容量で薄膜電池を作製することは、この体積に、最大２０の電池を積層することをさらに可能にする。電池の実数は、例えば、基板および任意で保護カプセルまたはケースを含む各電池セルの厚さによって決定される。厚いセラミック基板の代わりに非セラミック箔基板を使用することによって、容量密度、エネルギー密度、および出力密度にさまざまな増加がもたらされ得る。
薄膜電池は、例えば、個々の電池要素層を相互の上に順次蒸着することによって、作製されてもよい。上述のように、最適な正極の例として、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＮｉＯ２、およびその誘導体（を含むがそれだけに限定されない）が挙げられる。本発明の電気化学的装置は、０＜ｘ≦１００および０＜ｙ≦５であるＬｉｘＶ２Ｏｙ正極である必要はない。正極は、完全に結晶化して、その完全な電気化学的性質を達成するために、５００℃を十分越える温度での蒸着後アニールを含んでもよい。特定の既知の固体リチウム電解質は、この高温で高温正極と接触する際に破壊的に反応してもよいことから、正極は、電解質層を蒸着する前に蒸着およびアニール可能である。
正極材料は、通常、電池動作中の充電状態の少なくともいくつかの領域において不十分な半導体であることが考えられてもよい。電池からおよび外部回路への最大出力を入手するために、正極層は、金属の裏面コンタクト、正極集電体（ＣＣＣ）層に蒸着されてもよい。このＣＣＣも、高温の正極アニールを受け、正極と同時に反応するべきではない。このため、例えば金またはその合金あるいはその相当物などの貴金属が、使用されてもよい。
上記概略の事実により、電池性能の改善のために、正極材料は、ＣＣＣの蒸着直後に電池の第二の層として蒸着されてもよいことがわかる。したがって、正極層の蒸着アニールは、次の作製ステップである電解質蒸着前にその結晶性を達成してもよい。比較的薄いＣＣＣ（０．１〜１μｍ）によって相互分離されているだけで、高温の正極材料が基板と近接近しているため、セラミック基板を使用せず、代わりにステンレス鋼などの高温安定性の金属箔を使用した場合に、正極と基板との強力に有害な相互拡散および反応が認められた。この相互拡散は、例えば、三つの主な理由によって金属ＣＣＣ自体によって阻止されない。第一に、ＣＣＣ膜は、比較的薄く（０．１〜１μｍ）、薄い疑似拡散障壁のみを示す。第二に、ＣＣＣは、結晶性粒状構造を呈する。粒界は、イオンおよび電子の拡散および伝導のために通常の位置にあってもよく、ＣＣＣが、隣接する正極層および隣接する金属箔基板の両方からイオンおよび電子に対して本質的に透過性であるものとして見なされるようにするべきである。したがって、正極アニール処理中、箔の基板材料および正極膜材料は相互拡散する。第三に、金属ＣＣＣは、その集電特性を影響する金属箔に直接混ざる。
ＣＣＣの厚さは、例えば、費用、質量、体積、および接着により決定され、それらは全て、特に金などの高価な貴金属を使用して約２μｍより厚いＣＣＣを作製する際に技術的に非実用的になり得る。潜在的に、約５μｍよりも大幅に厚いＣＣＣ膜によって、例えば、アニール処理の温度および適切なドウェル時間次第で、相互拡散を回避してもよい。しかしながら、そのような厚いＣＣＣの使用により、例えば、材料費用増加し、潜在的に接着の信頼性を失う場合がある。
セラミック基板を金属箔基板に代替えすることによって、薄膜電池を使用する新しい技術を可能にする多大な機会がもたらされると共に、セラミック基板上に作製される薄膜電池にかかる作製費用を削減する。セラミック板とは対照的に、金属箔は、７５μｍ未満の厚さで商業的に容易に入手可能であり、いくつかの材料においては、４μｍほどの厚さで入手可能である。これらの箔は、セラミックのものよりもさらに柔軟性があり、電池に非構造的で不活性の質量をもたらし、最も重要なことには、薄膜電池装置全体の全厚を大幅に縮小する。全厚を最小化し、電池の柔軟性を増加させることが、ほとんどの薄膜電池の適用にとって非常に重要であることが強調されたい。より薄い薄膜電池装置は、新しく物理的に小さい適用に適合可能である。ボタンセル電池を使用して以前は実用的でなかったものが、今では、薄膜電池（つまり、スマートカードなど）で可能になる。箔の基板の柔軟性が追加されたことで、例えば、新しい非平面形状の適合がさらに可能になる。
さらに、薄い金属箔は、通常、セラミックよりも設置面積当たりの費用がかからず、ロールなどのより大きなサイズで供給される。柔軟性のある大きな面積の基板が利用可能であるために、ロールからロールまでの作製方法の発展の可能性があり、さらに製造費用が削減される。
新しい適用は、例えば、セラミック基板上に作製される最新の薄膜電池に対して、着実なまたは改善された性能を提供する薄膜電池で可能になってもよい。この点において、本発明は、相互拡散障壁層を金属箔基板に蒸着することを含んでもよく、その障壁層は、例えば１００℃から基板の融点までの高温および低温蒸着後アニール中だけでなく、電気化学的装置のあらゆる動作および保管状態中に、電池（つまり電気化学的に活性なセル）部分を電気化学的装置の基板部分から化学的に分離するが、不純物源自体にはならない。本発明のこの側面の実施形態は、例えば、図１に示される。
障壁は、例えば、基板から電池に入るいかなる汚染物質の拡散も防ぐだけでなく、電池作製や電池動作および保管状態中に、例えば、イオンが電池から漏れて基板に拡散することを阻止する。そのような障壁層は、例えば、常に粒状構造を示さなくてもよい。つまり、それは、蒸着されたままの状態において非晶質またはガラス状で、アニールおよび電池作製プロセス全体に渡って、ならびに電池動作および保管状態中にその状態を維持してもよい。障壁層における粒状構造がないことで、イオンおよび電子の有害な粒界拡散または伝導を回避してもよい。前述のように、粒界は、不純物および汚染物質が通る経路である。これらの条件がある程度満たされると、柔軟性があって薄いあるいは柔軟性のない厚い金属基板上に作製される薄膜電池は、化学的に不活性であるが厚く、重く、剛性で、高価なセラミック基板上に作製される薄膜電池に相当する特性を呈してもよい。
拡散障壁層の特定の潜在的な適切である材料として、例えば、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物およびいかなるその多元化合物などのイオン導電性に劣る材料であってもよい。例えば、これらの化学反応がイオンおよび電子の拡散を含む場合に、電子の阻止はこれらの例の化学反応を阻止する一つの手段であるため、これらの化合物の中でも、電気的に絶縁する材料は、基板と電池層との間の反応が起こる可能性をさらに防いでもよい。しかしながら、ＺｒＮなどの電気的に絶縁する材料も使用してもよいが、それらが、例えば、基板または電池層の材料のいかなるイオンも伝導しない場合に限る。場合によって、金属、合金、および／または半合金は、電池作製プロセス中に適用されるアニール温度および使用される基板材料次第で、十分な障壁層としての役割を果たしてもよい。拡散障壁層は、例えば、単相または多相の、結晶性、ガラス状、非晶質、またはいかなるその組み合わせでもよいが、ガラス状および非結晶質の構造は、通常は、増加するが不要であるイオン及び電子の伝導のための場所として機能する粒界がないという理由で使用される。
特定の材料は、幅広いイオンの伝導を阻止するため、電気活性イオンが、例えば、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ホウ素、およびアルミニウムである電池などの、特定の非リチウム含有薄膜電池において使用されてもよい。拡散障壁層の厚さは、例えば、０．０１μｍから１ｍｍの範囲であってもよい。
本発明の薄膜電池の障壁層および／または障壁副層の概念および原理は、まず、金属基板のために発展されたが、同一の障壁層材料は、例えば、高分子基板およびドープおよび非ドープシリコン基板に蒸着されてもよく、それらも、関連の薄膜電池の適用により商業的な利益がもたらされる。蒸着後アニール温度は、例えば、基板の融解を回避するために、適用される障壁層に関係なく、例えば、使用されるシリコンまたは高分子基板の融点よりも低くてもよい。
本発明の実施形態は、例えば、柔軟性があり、高容量で、固体である薄膜電池を、金属基板などの薄箔基板上に作製するための方法に関する。本発明の目的のために、電気化学的装置は、薄膜電池などの少なくとも一つの電気化学的に活性なセル、金属基板などの適切な基板、および電気化学的に活性なセルと基板との間の多数の障壁副層から順に成る適切な拡散障壁層を備える装置として形成される（図１参照）。さらに、電気化学的装置は、以下にさらに説明される保護カプセルまたは保護ケースを含んでもよい。
本発明の特定の実施形態の成果は、基板と薄膜電池の間の、適切で化学的に不活性な拡散障壁層および副層の利用によってもたらされ、それらは、電気化学的装置のこれらの二つの部分を効果的に分離してもよい。拡散障壁層は、好ましくは、基板上に作製する間に薄膜電池に加えられ得る高アニール温度に耐えることが可能で、基板および薄膜電池部分の両方に対して化学的に不活性であるが、少なくとも薄膜電池部分に関しては不純物ではなく、作製完了後の電気化学的装置の動作および保管状態下で薄膜電池部分を基板から化学的に分離された状態に維持する。さらに、障壁層は、例えば、好ましくは、電池作製中とあらゆる電池動作および保管状態中に、基板から薄膜電池部分に入ろうとするいかなる汚染物質の拡散も防ぐだけでなく、薄膜電池部分から漏れて基板に拡散するＬｉイオンを阻止する。付加的な利益として、障壁層は、処理中に、蒸着後アニール中に適用される雰囲気からおよび未完成の電気化学的装置の作製段階に存在するいかなる薄膜電池の要素からも、基板を保護してもよい。
多数の障壁副層から成る拡散障壁を作製することによって、拡散障壁層の物理的（機械的（具体的には、ピンホール適合、柔軟性、および接着）、電気的、磁気的、音響的、熱的、および視覚的）および化学的特性の微調整が可能になり、拡散障壁層と作製されるものの上の電気化学的装置の性能および信頼性が改善され、その拡散障壁層は、Ｓｉ３Ｎ４のような一定材料の単一層のみ、または、例えば、ＴｉＢ２およびｂｅｔａ−Ｂとほとんど同量である熱力学的に二相系（「複合」）であるＴｉ８４Ｂ１６（参照することによって本明細書に組み込まれるＢｉｎａｒｙ Ａｌｌｏｙ Ｐｈａｓｅ Ｄｉａｇｒａｍｓ第２版参照（Ｔ．Ｂ．Ｍａｓｓａｌｓｋｉ，Ｈ．Ｏｋａｍｏｔｏ，Ｐ．Ｒ．Ｓｕｂｒａｍａｎｉａｎ，ａｎｄ Ｌ．Ｋａｃｐｒｚａｋ ｅｄｓ．，ＡＳＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ １９９０））、または米国特許第６，４４４，３３６号（参照することによって本明細書に組み込まれる）に説明されるようなＴｉＯ２−Ｂａ０．５Ｓｒ０．５ＴｉＯ３複合材料を含んでもよい。最も簡潔な形状において、本発明の拡散障壁層は、Ｔｉなどの付加的な接着改善特性を有する薄い（〜１０００Å）障壁副層、およびＳｉ３Ｎ４などの一つの（１μｍ）厚さの障壁副層を含んでもよい。
本発明の拡散障壁層の障壁副層の材料は、特に、非晶質のＳｉ３Ｎ４、ＳｉＣ、ＺｒＮ、およびＴｉＣの薄膜を含んでもよいがそれだけに限定されない。これらは、そのイオン阻止特性、非晶質構造、および基板や電気化学的装置の電池部分に対する化学的不活性のために、障壁としての役割を効果的に果たし得る化合物の例である。これらの障壁層の化学的性質の顕著な特徴は、蒸着されたままでその非晶質を保持し、ならびに好適なＬｉＣｏＯ２結晶化蒸着後アニールプロセス中に、拡散阻止特性を７００℃などのかなり高い温度まで、２時間などの長時間その温度で保持する固有の能力にある。結果として、そのような障壁層を含む金属箔上に作製される薄膜電池は、セラミック基板上に作製されて同等に構成される薄膜電池のように優れた電気化学的性質を保持するが、柔軟性があり、より薄く、およびより安価である利益が付加される。
本発明の実施形態は、例えば、適切な障壁層を基板上に作製し、その後の薄膜電池作製と伴うことに関し、その障壁層は、電池作製中やその後の電池動作および保管中に、電池部分から基板を化学的に分離してもよい。高分子基板およびドープまたは非ドープのシリコン基板は、金属基板に加えて使用されてもよい。
本発明の実施形態の目的は、例えば、電池（電気化学的に活性なセル）が基板の片側にある状態で、金属、高分子、またはドープまたは非ドープのシリコン基板に電気化学的装置を提供することである。
本発明の実施形態の別の目的は、例えば、二つの電池（二つの電気化学的に活性なセル）が基板の各側面に一つずつある状態で、金属、高分子、またはドープまたは非ドープのシリコン基板に電気化学的装置を提供することである。
本発明の実施形態の別の目的は、例えば、電池（電気化学的に活性なセル）が基板の片側にある状態で、金属、高分子、またはドープまたは非ドープのシリコン基板に電気化学的装置を作製する方法を提供することである。
本発明の実施形態のさらなるの目的は、例えば、二つの電池（二つの電気化学的に活性なセル）が基板の各側面に一つずつある状態で、金属、高分子、またはドープまたは非ドープのシリコン基板とともに電気化学的装置を作製する方法を提供することである。
本発明は、本明細書に記載の特定の手法、手順などに限定されず、変化してもよいことが理解されたい。本明細書に使用される専門用語は、特定の実施形態を説明するためだけのものであり、請求項によってのみ規定される本発明の範囲を限定することを意図しない。
本明細書および請求項で使用される際、単数形「ａ」、「ａｎ」、および「ｔｈｅ」は、複数形も言及するが、内容によって明確に記述される場合は除く。
特定される全ての特許およびその他の公報は、例えば、本発明に関連して使用され得るその公報で説明される手法、装置、および組成を説明および開示するために、参照することによってその全体が本明細書に組み込まれる。これらの公報は、本出願の出願日前のその開示のためだけに提供される。この点において、先行発明のためまたはいかなるその他の理由でも、発明者がそのような開示に先行する権利がないという承認として解釈されるべきではない。
別段規定がない限り、本明細書に使用される全ての技術用語は、本発明に関する技術分野で通常の技能を有する者に一般的に理解されるものと同じ意味を有する。いかなる既知の方法、装置、および材料も、本発明の実施または実験で使用されてもよいが、この点における特定の例示的な好適な方法、装置、および材料は、本明細書に説明される。
薄膜電池は、例えば、個々の電池要素層を順次蒸着することによってバッチ処理で作製されてもよい。基板材料が選択されると、洗浄および必要に応じてその他の前処理によって下処理されてもよい。障壁副層から成る障壁層は、全体で０．５〜５μｍの厚さでもよく、金属箔および高分子箔ならびにシリコン上に薄膜電池を作製することを成功させる秘訣となる。障壁層は、正極集電体と共に正極膜のアニール温度に耐久可能で、化学的に不活性を維持し、不純物源となってはならない。
さらに、障壁層は、基板から正極に入るいかなる汚染物質の拡散も防止し、また、電池作製中と電池動作中および保管状態中に、正極および正極集電体からのあらゆるイオンおよび原子が基板に拡散することを阻止しなければならない。障壁層は、洗浄された基板に蒸着されてもよく、一般的に、均一で無欠陥の膜を基板の至る所に被膜する。その電池層の確保は、薄膜電池の各層の境界を定めるために、シャドーマスク管を使用してバッチ方法により順次蒸着されてもよい。障壁層は、粒界拡散の効果を分離するように設計および作製されてもよく、例えば金の正極集電体や柔軟性のあるステンレス鋼箔の基板などの、正極集電体の下にあるＬｉＣｏＯ２などの後に蒸着される正極と、基板との間の反応がそれぞれなくなる。以下の記述は、薄膜電池が作製される基板に、障壁副層を含む障壁層を蒸着する実施形態の例示的方法を提示する。
１．選択および下処理
まず、基板材料が選択されてもよい。薄膜電池は、多様な表面仕上げを有するさまざまな金属箔および金属板の上に作製されてもよい。ステンレス鋼の薄箔は、基板に使用されてもよい。しかし、例えば、ＴｉおよびＴｉ合金、ＡｌおよびＡｌ合金、ＣｕおよびＣｕ合金、ならびにＮｉおよびＮｉ合金を含むがそれだけに限られない、より高価でより厚いその他の材料または融点の低いその他の材料も使用できる。さらに、合金鋼の種類、表面粗度、均質性、および純度などの箔の好適な物理的特性は、ユーザーに委ねられて、特定の装置のための最適な製造パラメーターが決定される。本発明の電気化学的装置は、基板が、Ｖ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、およびＣｏを含む金属または半金属で被覆されるＡｌである必要がない。さらに、本発明の電気化学的装置は、基板が、純ポリイミドである必要がない。
例えば、ステンレス鋼箔材料が選択されると、通常は、油、微粒子、およびその他の表面汚染物質を除去するために洗浄されるが、洗浄しない場合は、障壁層の基板への化学的または機械的接着が妨げられる場合がある。十分清潔な表面を提供する、例えば、いかなる適切な湿式化学洗浄またはプラズマ洗浄プロセスなどのいかなる洗浄手順も、この点において使用されてもよい。任意により、洗浄された箔の基板は、必要に応じてさらに前処理されてもよい。例えば、金属箔の固有応力を緩和するために、障壁層の蒸着前に、高温（例えば、５００℃）でのアニール処理が採用されてもよいが、但し、アニール温度は、金属箔の融点以下を維持する。
いかなる箔材料およびその厚さとも実質的に関係ないが、いくつかのアニール方策により、膜ごとの熱応力および機械的応力がさらに軽減または調整されてもよい。例えば、洗浄された箔の事前アニールは、非被覆の金属箔を調整するために上記のように実行されてもよい。さらに、その他のアニール処理には、例えば、蒸着後の障壁層アニール、蒸着後の正極集電体層アニール、または正極結晶化前アニール前の蒸着後の層アニールのいかなる組み合わせも含まれる。このような処理の前または後に、付加的にプラズマ処理が行われてもよい（例えば、Ｄ．Ｍ．Ｍａｔｔｏｘによる、Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＰＶＤ） Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ、Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｃｏａｔｅｒｓ、ニューメキシコ州、アルバカーキー、６６０ｆｆおよび６９２ｆｆ（Ｎｏｙｅｓ Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｓ １９９８）参照）。同様に、シリコンおよび高分子基板は、下処理されてもよい。
２．障壁層蒸着
障壁層の基板への蒸着は、例えば、電池作製中ならびに例えばその後の電池動作中や保管状態中に、基板を電池部分から化学的に分離する薄膜電池の作製と併用して実行されてもよい。
通常、潜在的反応物質間の化学反応は、そのイオンまたはその電子がそれぞれの反応物質空間に閉じ込められる際に防止され、または反応物質の界面で阻止されて、潜在的反応物質間のこれらの種類のいかなる相互拡散も不可能であるようにする。単なる拡散阻止特性だけでなく、障壁層およびそれを構成する障壁副層に選択される材料は、障壁層が、（ａ）正極集電体と共に正極膜のアニール温度に耐久可能で、（ｂ）化学的に不活性を維持し、（ｃ）不純物源となってはならないことを考慮しなければならない。
電気化学的装置において基板を電池部分から化学的に分離するようにイオンに対して十分な拡散阻止特性を有する、例えばＺｒＮなどの導電性材料は、蒸着されてもよい。この場合、導電性の障壁副層は集電体としての役割も果たす。ＺｒＮは、負極材料、具体的には、金属リチウムと接触して安定性も有するため、正極集電体および／または負極集電体として使用されてもよい。
電気的に絶縁で金属イオンを阻止するＳｉ３Ｎ４などの特定の材料から成る単一層による障壁層の構成は、原理的には実行可能であるが、障壁層の特性を微調整する目的で各副層が異なる特定の特性を障壁層に提供する、二つ以上の適切な副層から成る障壁層が、より多くの作製利益を達成し、その結果、一定の薄膜電池の寿命に対する電池性能におけるより高い信頼性を達成することが明らかになっている。このため、本発明は、単一層よりも多くの層から成り、好ましくは電気化学的装置の電池部分から基板を化学的に分離すると共に、そのような装置の信頼性のある作製を可能にする障壁層の作製および提供に焦点を当てる。
２．１ 絶縁障壁副層を含む障壁層の作製
障壁層は、基板に直接蒸着されてもよい。少なくとも一つの障壁副層が非晶質またはガラス状である障壁副層から成る障壁層は、イオンおよび電子の粒界拡散を回避または最小化するように設計および作製されることによって、電池の作製中およびその後の動作や保管状態中に電池層を出入りする不要種の拡散を削減してもよい。基板にある電池要素間の化学反応を防止または最小化することが好ましい。
障壁副層の各々は、例えば、ＬｉＣｏＯ２正極層からのイオン（リチウムイオン、コバルトイオン、および酸素イオン）、集電体からの原子およびイオン（金、白金、ニッケル、銅など）、ならびにステンレス鋼基板からのイオンおよび原子（鉄、クロム、ニッケル、その他の重金属、および選択されるステンレス鋼タイプの主族元素）の拡散を阻止し得る材料群から選択されてもよいが、例えば、基板、集電体、および／または正極に対して不活性である単に電気的に絶縁する材料を使用するので十分であってもよい。イオンおよび電子を阻止可能な副層からなる障壁層の選択は、電気化学的装置の作製中およびその後の動作中や保管状態中に化学的に分離され得る電気化学的装置の基板部分および電池部分を得ることに関して、好適なアプローチであると考えられてもよい。
二元ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物の群、ならびにダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、高温安定性有機ポリマー、および高温安定性シリコンは、例えば、電気的絶縁特性だけでなく、通常のイオン阻止特性を提供してもよい。ゆえに、これらの材料は、障壁副層の材料に使用されてもよい。これらの材料の二元化合物を使用されることが好ましいだけでなく、障壁副層は、例えば、酸−窒化物、炭素−ホウ化物、炭素−酸−窒化物、ケイ素−炭素−窒化物、および酸−フッ化物などを含むがそれだけに限定されない、これらの材料から成るいかなる多元化合物からも形成されてもよい。本発明の電気化学的装置は、障壁層が、純酸化物であることを必要としない。
上に記載の二元および多元の障壁副層材料は、スパッタリング（ＲＦ−マグネトロン、ＡＣマグネトロン、ＤＣおよびＤＣパルスマグネトロン、ダイオードＲＦまたはＤＣまたはＡＣ）、電子ビーム蒸着、熱（抵抗）蒸発、プラズマ化学気相成長法、イオンビーム支援蒸着、陰極アーク蒸着、電気化学的蒸着、噴霧熱分解などを含む、多くの適切な薄膜蒸着方法のうちの一つ以上を選択して蒸着されてもよい。Ｓｉ３Ｎ４障壁副層は、例えば、Ａｒ−Ｎ２反応性プラズマ環境を使用して、好ましくはＲＦマグネトロンスパッタ装置でスパッタされる純シリコンターゲットを利用することによって作製されてもよい。ＳｉＣおよびＴｉＣの障壁副層膜は、通常は、不活性Ａｒプラズマ環境において同一のそれぞれの組成のターゲットからスパッタされるＲＦマグネトロンであるが、それらの窒素をドープした誘導体であるＳｉＣ：ＮおよびＴｉＣ：Ｎは、ＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用して、反応性Ａｒ−Ｎ２プラズマ環境において、ＳｉＣおよびＴｉＣターゲットからそれぞれ蒸着される。
最適化される酸−窒化物、炭素−ホウ化物、炭素−酸−窒化物、ケイ素−炭素−窒化物、酸−フッ化物、および同様なものの形成は、Ｎ２、Ｏ２、Ｎ２Ｏ、ＢＦ３、Ｃ２Ｆ６、Ｂ２Ｈ６、ＣＨ４、ＳｉＨ４などを、単独あるいはアルゴンなどの不活性の同伴ガスに加えておよび／またはスパッタターゲットからの要素提供を加えて含み得るスパッタガス混合を提供することによって達成されてもよい。例えば、チタンケイ素−炭素−窒化物（またはチタン炭化ケイ素窒化物）であるＴｉ３ＳｉＣ２：Ｎの薄膜蒸着は、３：１の全面積比でＴｉＣおよびＳｉＣの変化する面積から構成される単一のスパッタターゲット、あるいは、いかなる一定期間にも同一の基板部分に３：１のＴｉＣ／ＳｉＣ比率を有する混合材料の層を蒸着する方法で動作される、一つはＴｉＣでもう一つはＳｉＣである二つに分かれたスパッタターゲット（二重ターゲットスパッタ蒸着）のどちらかを使用して、Ａｒ−Ｎ２プラズマ環境において、ＲＦマグネトロンスパッタリングによって達成されてもよい。障壁層の被覆基板は、電池作製を続行する前に、蒸着後処理してもしなくてもよい。
障壁副層の材料の例として、その表面に化学量論に達してもよい３ｘ＋２ｙ＝４のＳｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘＯｙ、または酸化物勾配Ｓｉ３Ｎ４、あるいは、その両方の表面に、必要に応じてほぼＳｉＯ２であってもよい。さらに、窒素ドーピングを行うまたは行わないＳｉＣまたはＴｉＣが、障壁副層の材料として使用されてもよい。
非化学量論的ＺｒＯ２、非化学量論的ＹＳＺ（イットリウム安定化ジルコニア）、および非化学量論的ＬｉＩ（ヨウ化リチウム）などの、これらの材料のいくつかの特定の誘導体は、さらなるいかなる適切な障壁副層も含まない障壁層に使用される際に、作製プロセスまたは電池動作中および保管状態中に特定のイオンの拡散を可能にすると共に、不十分な絶縁特性を示すので、イオンを阻止するものとして最も好ましくない場合がある。その化学量論的なものとは対称的に、非化学量論は、これらの材料が導電性であるが、酸素およびリチウムイオンの拡散をそれぞれ可能にする主な理由である。
例えば、基板および／または電池部分への接着改善、機械的柔軟性、隣接層に対する安定性、ピンホールの自由性、電位抵抗、および化学定不活性などの特定の電池特性を微調整するために、障壁副層を含む適切な障壁層が提供されてもよい。例えば、ステンレス鋼４３０基板上の障壁層は、５００ÅＳｉＯ２（酸化物結合ステンレス鋼基板への接着改善のため）／２０００ÅＳｉ３Ｎ４（例えば、リチウムイオン、コバルトイオン、酸素イオン、鉄イオン、クロムイオン、および金原子に対して電気的に絶縁し、拡散を阻止する材料）／１０００ÅＳｉＣ：Ｎ（リチウムイオン、コバルトイオン、酸素イオン、鉄イオン、クロムイオン、および金原子に対して強く拡散を阻止する層）／２０００ÅＳｉ３Ｎ４（例えば、リチウムイオン、コバルトイオン、酸素イオン、鉄イオン、クロムイオン、および金原子に対して電気的に絶縁し、拡散を阻止する材料）／５００ÅＳｉＯ２（集電体層に対する接着を促進するもの）の配列からなる障壁副層の積層から構成されてもよく、その上に３００Åコバルトの集電体の接着層および３０００Å金の集電体が蒸着可能である。
場合によって、絶縁障壁副層は、正極および／または正極集電体に接触するだけでなく、負極および／または負極集電体とも接触してもよい。いかなる場合においても、障壁副層は、例えば、接触する全ての材料に対して、好ましくは、化学的に不活性であってもよい。この特徴により、金属リチウムの負極に接触する際に、例えば、純Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２の障壁層の使用に限定され、そうでない場合には、Ｌｉ２Ｏ、ＬｉＡｌＯ２、およびＬｉ−Ａｌ合金、またはＬｉ２Ｏ、Ｌｉ２ＳｉＯ３、およびＬｉ−Ｓｉ合金に有害に反応する可能性がある。
２．２ 少なくとも一つの導電性の障壁副層から成る障壁層の作製
導電性の障壁副層は、例えば、１）電池層を出入りするイオン拡散を防止する、２）作製処理中およびその後の電池動作および保管状態中に、基板または電池層と反応しないという好適な属性を満たす場合、例えば、同等に効果的であってもよい。障壁層は、例えば、電気的に絶縁する障壁副層も含んでもよい。このように電気的に絶縁で導電性の副層は、全て、例えば、同一の形状または部分サイズでなくてもよい。ゆえに、障壁副層のこのような混合積層からなる障壁層は、基板部分または電池部分と接触するいくつかの部分において、例えば、導電性であってもよく、一方、基板部分または電池部分とのその他の接触部分においては、障壁層は、電気的に絶縁する特性を呈してもよい。
導電性の障壁副層の材料は、例えば、導電性の二元ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、および酸化物の群、ならびに、酸−窒化物、炭素−ホウ化物、炭素−酸−窒化物、ケイ素−炭素−窒化物、および酸−フッ化物を含むがそれに限定されないそれらの導電性の多元化合物の群から選択されてもよい。また、導電性であるように特に合成される高温安定性ポリマーおよび高温安定性シリコンも、使用されてもよい。電気的に絶縁する障壁副層の材料選択の記載は、上記前項２．１で提供され、本項目にも組み込まれる。障壁副層は、例えば、５０００ÅＺｒＮ／４０００ÅＳｉ３Ｎ４／３０００ÅＷＣ／１０００ÅＭｏＳｉ２の障壁副層積層から作製され得る障壁層のように、完全に異なる組成から形成されてもよく、その障壁副層の各々は、例えば、異なる面積寸法を有してもよい。
結果として、例えば、Ｓｉ３Ｎ４障壁副層は、例えば、金属基板の設置面積部分全体に広がってもよく、一方、ＺｒＮ障壁副層は、正極集電体の下にある基板上の部分に及ぶだけであり、一方、ＷＣおよびＭｏＳｉ２障壁副層は、例えば、負極集電体の下にある少なくとも全体部分に及ぶと共に、ＺｒＮの部分にまでさらに広がる。その部分サイズにより、介在するＳｉ３Ｎ４障壁副層は、例えば、導電性のＷＣ／ＭｏＳｉ２障壁副層と、導電性ＺｒＮ障壁副層との電気的分離を提供し、電池の正と負の部分との間の電気的分離をもたらす（図２参照）。
本実施形態において、ＺｒＮ、ＴｉＮ、ＷＣ、ＭｏＳｉ２、ＴｉＢ２、またはＮｉＰなどの導電性の障壁副層は、スパッタ蒸着（ＲＦ−マグネトロン、ＤＣおよびＤＣパルスマグネトロン、ＡＣマグネトロン、ダイオードＲＦまたはＤＣまたはＡＣ）、電子ビーム蒸着、熱（抵抗）蒸発、プラズマ化学気相成長法、イオンビーム支援蒸着、陰極アーク蒸着、電気化学的蒸着、噴霧熱分解などを含む、標準の蒸着方法によって基板に蒸着されてもよい。例えば、ＺｒＮ障壁副層は、不活性Ａｒ環境でＤＣマグネトロンスパッタ蒸着を実行するＺｒＮスパッタターゲットから、あるいは、同様にＤＣマグネトロンスパッタ蒸着を使用するが反応性Ａｒ−Ｎ２環境における金属Ｚｒターゲットから作製されてもよい。
さらに、特定の金属（例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｇ、Ｐｄ）、半金属（例えば、黒鉛状炭素、Ｓｉ）、および合金（例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃ、およびＳｉベース）は、好ましくは、正極を結晶化するために必要な蒸着後のアニール温度が、２００℃〜５００℃などの適度である場合を含むがそれだけに限らない場合に、導電性の障壁副層として選択されてもよい。導電性の障壁副層は、電池作製プロセスを続行する前に、さらに熱処理されてもされなくてもよい。
正の電池端子からの電気的近接性に関して適切に作製される場合、導電性の障壁副層は、別々の正極集電体を排除するという付加的な利点を有してもよいが、例えば、金などの導電性の優れた不活性である薄層で被覆することによって、導電性の障壁副層の電気特性を最適化するように選ぶ場合は除く。このような導電性に優れた層で付加的に被覆されるか否かに関わらず、導電性の障壁副層のアプローチは、負極集電体および負極が、正極および／またはその正極集電体が電気接触する導電性の障壁副層から分離されることを同時に含んでもよい。この分離は、例えば、以下のように達成されてもよい。
１）負極とその負極集電体の両方が、電気的に絶縁する電解質上に全体的に位置するように電解質の部分を拡張し、この場合に、その電解質は、次に、負極およびその負極集電体の局所的障壁副層として効果的に役割を果たす（図３ａおよび３ｂ参照）。正極の特定の作製パラメーターが、既に存在する電解質層と反応を起こさない場合、正極およびその正極集電体は、同様に、電解質の上に全体的に作製されることが可能で、一方、負極は、電解質の下に位置する（図３ｃ参照）。
２）負極および／または負極集電体が、電解質の上に全体的に位置しない場合、それらは、障壁層と接触し、その障壁副層および／または金属基板のうちの少なくとも一つと接触してもよい。この場合、一つ以上の障壁副層は、導電性であってもよいが、少なくとも一つの副層は、絶縁でなければならない（図４ａおよび４ｂ参照）。いかなる場合も、全ての障壁副層は、接触する全ての物質に対して化学的に不活性でなければならない。これにより、好ましくは、負の金属リチウム極と接触する場合に、例えば、Ｐｔ２Ｓｉ障壁副層の使用を禁止してもよく、そうしない場合は、０＜ｘ≦４．４のＬｉｘＳｉおよび０＜ｙ≦２のＬｉｙＰｔに反応をもたらすことになる（図４ｃ参照）。
２．３ 障壁層および基板
障壁層を提供する理由の一つに、基板の融点までの処理温度を伴う電池部分の作製中、ならびにその後の電気化学的装置の動作および保管状態中に、本発明の実施形態による電気化学的装置の基板部分と電池部分との間に、化学的分離を提供することが挙げられる。上に詳しく説明される同一の原理は、金属基板、高分子基板、およびドープまたは非ドープのシリコン基板を含み得る本発明の少なくとも三つの基板のタイプに適用してもよい。
電気的に絶縁または導電性の障壁副層の直接的な蒸着は、直接的な方法で、上記の三つのタイプの基板に達成されてもよい。当然、各基板タイプが有する固有の物理的および化学的限界が認められるが、各障壁副層の蒸着パラメーターは、適宜調整されなければならない。例えば、スパッタ蒸着は、基板表面にもたらされる蒸着温度が、高分子基板の融点を越え得る高い蒸着比率下で実行されてもよい。ゆえに、蒸着パラメーターは、好ましくは、基板の融点を観測するように限定されなければならない。別の実例において、１０μｍほどの非常に薄いＳｉ基板が使用されてもよい。その場合、蒸着中に障壁副層の応力を調整することが重要になり、その後に続くいかなる障壁副層および／または電池層の蒸着前に破損しないように、壊れ易いＳｉ基板の機械的特性に対していかなる蒸着後アニールも差し当たって行なわなくてもよい。三タイプの全ての基板の潜在的用途ならびにそれらの上の障壁副層を含む障壁層の作製の基本原理に関して、より具体的な実例が本発明の範囲を限定することなく挙げられるだろう。
３． 電池作製
本発明における基板が障壁層と作製されると、電気化学的装置のその後の作製処理は、「両面」電気化学的装置を達成するために、第二の電気化学的に活性なセルが基板の第二の側面に作製されるか否かによって決まり、それは以下にさらに説明される。本発明の電気化学的装置は、第一の電気化学的に活性なセルが太陽電池であることを必要としない。
しかしながら、第一の電気化学的に活性なセルのみが基板の第一の側面に作製される「片面」電気化学的装置の場合、第二の層が、任意で、第一の電気化学的に活性なセルの要素の層の作製前に基板の第二の側面に蒸着される。この第二の層は、電気化学的装置の作製、動作、保管中に、化学的および機械的要因に対して、周囲環境から基板を保護する目的で作製されることができる。さらに、第二の層の実装によって、第一の電気化学的に活性なセルは、第二の側面または非保護側面で基板に入り、基板を通って拡散することによって、電気化学的装置の作製、動作、および／または保管中に、第一の電気化学的に活性なセルに潜在的に到達して有害にそれと反応し得る汚染化学物質に対して、周囲環境から保護されてもよい。第一の電気化学的に活性なセルのこのような保護は、具体的には、障壁層が第一の電気化学的に活性なセルの下の全体部分に及ばない場合に、基板自体によっておよび基板と該第一の電気化学的に活性なセルとの間の障壁層によって提供される保護に付加的であってもよい。基板および第一の電気化学的に活性なセルの両方の保護によって、電気化学的装置の寿命延長がもたらされてもよい。
第二の層は、例えば、金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群、または例えば、ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいかなる多元化合物の群、または例えば、高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から、選択される化合物を含む材料から作製されてもよい。具体的には、５００Åと５μｍとの間の厚さの薄い金属層は、電気化学的装置の作製、動作、および／または保管中に、該第二の側面で汚染物質の進入を阻止することによって、基板を保護するのに有用であってもよい。さらに、ＴｉＣなどのセラミックのものと比べると、比較的早くかつ安価で蒸着可能であることから、例えばニッケルまたはチタンの金属層が有用であってもよい。
第二の層の阻止作用は、例えば、化学的ゲッタリング、腐食抑制、または犠牲層供給として文献において既知である、第二の層の汚染物質との化学反応を含んでもよいが、亜酸化物または亜窒化物（例えば、スパッタ蒸着によって容易に作製可能な酸化または窒化不十分な膜材料）あるいは、電気化学的装置の作製、動作、および／または保管中に、周囲環境に存在する酸素、水蒸気、または二酸化炭素の汚染物質と反応する場合に、酸化物または炭酸塩に変換し得る窒化物または炭化物などで達成されてもよい。
主に化学反応を行なわずに、あるいは主に化学反応を行なうことによって保護する材料を選択することによって、基板の第二の側面上の第二の層を微調整してもよい。例えば、特定の周囲環境状態において高いまたは低い反応性を有する後者の材料のうちの一つを選択することによって、さらに微調整してもよい。例えば、Ａｌ４Ｃ３は、ＳｉＣからＳｉＯ２よりも、はるかに低い温度および酸素分圧でＡｌ２Ｏ３に変換する。同様に、ＣＯ２Ｎなどの非常に小さい生成エンタルピーを有する窒化物は、Ｓｉ３Ｎ４やＺｒＮなどの大きい負の生成エンタルピー下で生成されるものよりも、はるかに低い温度および酸素分圧で、酸化物にそれぞれ変換する。
最終的には、基板の第二の側面に第二の層を作製する追加費用に対するその最適パラメーターを決定することは、電気化学的装置の製造者次第であり、そのパラメーターは、主に、第二の層の材料選択および作製厚さの機能であり、その機能は、主に、第二の層の材料選択および作製厚さの機能でもある、基板および第一の電気化学的に活性なセルの、特定の期間に存在する特定の周囲環境状態からの付加的な保護に応じている。
薄膜電池は、個々の電池要素層を積層するために、シャドーマスクを使用して物理的および／または化学的蒸着を順次処理して、バッチ作製プロセスで製造されてもよい。電気化学的に活性なセルは、いくつかの構造のうちのいかなるものでも作製されてもよい。その特徴は、以下を含んでもよい。
（ｉ）使用される正極構成
ａ．障壁層と負極との間に位置する正極（負極の蒸着前に正極を蒸着「正常構成」）
および障壁層と正極との間に位置する負極（正極の蒸着前に負極を蒸着「逆構
成」）
ｂ．正極に適用される蒸着後アニール
（ｉｉ）使用される負極構成
ａ．負極層は、障壁層に接触または非接触
ｂ．負極集電体は、障壁層に接触または非接触
（ｉｉｉ）使用される障壁層のタイプ
ａ．電気的に絶縁する副層または導電性の副層
ｂ．一定の障壁層におけるその他の副層と比較した一定の副層の面積寸法
ｃ．障壁層における絶縁および導電性の副層の配列組み合わせ
（ｉｖ）基板は、電気化学的に活性なセルと電気接触または非接触（その正の部分また
は負の部分で）
（ｖ）電気化学的に活性なセルは、基板の片面（片面電気化学的装置）または両面（両
面電気化学的装置）に作製される
（ｖｉ）使用される保護カプセルまたは保護ケース設計
ａ．カプセルまたはケース
ｂ．端子にアクセスするための、カプセルまたはケースにおける開口または無開口
ｃ．開口部における防湿層の使用または非使用
（ｖｉｉ）集電体および端子
３．１ 正極構成
３．１．１ 負極の蒸着前に正極の蒸着および潜在的蒸着後アニールに相当し得る、障壁層と負極との間に位置する正極：「正常構成」
障壁層の電気特性に応じて、正極集電体は、正極の蒸着前に作製されてもよい。つまり、副層に基づく障壁層は、正極が作製される部分において絶縁し、正極集電体は、正端子から正極に必要な電気的アクセスを形成するために、蒸着されてもよい。しかし、副層に基づく障壁層は、正極が蒸着される部分において導電性であり、付加的な不活性金属層（「伝導増強物」）が、任意で、障壁層の集電特性を増強するために障壁層と正極との間に蒸着されてもよい。
正極、正極集電体、および障壁層の伝導増強物は、スパッタリング（ＲＦ−マグネトロン、ＤＣおよびＤＣパルスマグネトロン、ＡＣマグネトロン、ダイオードＲＦまたはＤＣまたはＡＣ）、電子ビーム蒸着、熱（抵抗）蒸発、プラズマ化学気相成長法、イオンビーム支援蒸着、陰極アーク蒸着、電気化学的蒸着、噴霧熱分解などを含む、多くの蒸着方法のうちのいずれによっても蒸着されてもよい。
正極の蒸着後、続いて蒸着後アニールが行なわれて、正極の物理的、化学的、および電気化学的性質を改善してもよい。最も一般的な蒸着後アニールは、約３０分から２時間、空気中７００℃で行なわれ、正極材料であるＬｉＣｏＯ２、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＭｎＯ２、ＬｉＮｉＯ２、およびその誘導体の結晶化を完了する。
一定の誘導体の組成ならびに適用される蒸着後アニールのパラメーターにより、障壁層の材料の選択が特徴付けられてもよい。例えば、純ＬｉＣｏＯ２ならびに２時間の空気中７００℃のアニールについては、３００Åコバルト接着層によって、５０μｍのステンレス鋼４３０箔上において、５０００ÅＡｌ２Ｏ３および６０００ÅＣＯ３Ｏ４の二つの障壁副層を含む電気的に絶縁される障壁層に装着され得る３０００Å金の正極集電体が、一つの任意の組み合わせである。７００℃のアニール後のこの設定のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンは、図５に示される。ＬｉＣｏＯ２の正極は、（１０１）粒子の約５６０Åの結晶サイズを示す一方、その微細格子パラメーター（ａｈｅｘ＝２．８１４６（４）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０７３２（８）Å）は、理論値（例えば、ＩＣＤＤ７７−１３７０：ａｈｅｘ＝２．８１５（１）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０５（１）Å）と一致してもよい。この事実により、結晶性ＬｉＣｏＯ２の正極膜は、基板を含むその周囲の材料のいずれとも反応せず、電気化学的に活性なセルにおける電気化学的挙動の最適化を示すのに必要である適切な結晶学的パラメーターを達成し得ることがわかる。
また、３００μｍの厚さの非ドープシリコン基板上に、５０００ÅＳｉ３Ｎ４および５０００ÅＳｉＯ２の二つの障壁副層から成る障壁層に装着される３０００ÅＡｕ／３００ÅＣｏの正極集電体の上に、純ＬｉＣｏＯ２の正極を作製して、二時間空気中７００℃でアニールした後、十分結晶性であるＬｉＣｏＯ２の正極（ａｈｅｘ＝２．８１５１（４）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０６６（７）Å；１１００Åの（１０１）面のサンプル粒子サイズ）は、実質的に理論的な格子パラメーター（例えば、ＩＣＤＤ７７−１３７０：ａｈｅｘ＝２．８１５（１）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０５（１）Å）で得られてもよい。層状構造および理論的な結晶学的格子パラメーターを有する十分結晶性で化学量論的なＬｉＣｏＯ２の正極膜を実現したことによって、例えば、結晶性ＬｉＣｏＯ２の正極膜は、例えば図６に示されるように、シリコン基板を含むその周囲の材料と反応されなくてもよい。ステンレス鋼４３０の箔の基板上に作製される前述の実例におけるＬｉＣｏＯ２の正極膜と同様に、理論的な結晶学的格子パラメーター（ａｈｅｘ＝２．８１５１（４）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０６６（７）Å）は、Ｓｉ基板上のＬｉＣｏＯ２の正極膜が、特定の好適な電気化学的挙動を示すことを示唆している。
３．１．２ 正極の蒸着前に負極の蒸着および潜在的蒸着後アニールに近い性能を提供し得る、障壁層と正極との間に位置する負極：「逆構成」
本発明の実施形態による「逆構成」の一例は、基板が金属基板である場合について、図３ｃにおいて図式的に示される。障壁層の電気特性に応じて、負極集電体は、負極の蒸着前に作製されてもよい。つまり、副層に基づく障壁層は、負極が作製される部分において絶縁し、負極集電体は、負極端子から負極に必要な電気的アクセスを形成するために、蒸着されてもよい。しかし、副層に基づく障壁層は、負極が蒸着される部分において導電性であり、付加的な不活性金属層（「伝導増強物」）が、任意で、障壁層の集電特性を増強するために障壁層と負極との間に蒸着されてもよい。
負極、負極集電体、および障壁層の伝導増強物は、スパッタリング（ＲＦ−マグネトロン、ＤＣおよびＤＣパルスマグネトロン、ＡＣマグネトロン、ダイオードＲＦまたはＤＣまたはＡＣ）、電子ビーム蒸着、熱（抵抗）蒸発、プラズマ化学気相成長法、イオンビーム支援蒸着、陰極アーク蒸着、電気化学的蒸着、噴霧熱分解などを含む、多くの蒸着方法のうちのいずれによっても蒸着されてもよい。
負極は、金属リチウム、リチウムイオン負極、およびいわゆる無リチウム負極の群から選択されてもよい（例えば、参照することによりその全体が本明細書に組み込まれる米国特許第６，１６８，８８４号参照）。負極の蒸着後、続いて蒸着後アニールが行なわれて、負極の物理的、化学的、および電気化学的性質を改善してもよい。好ましくは、そのようなアニールは、リチウムイオン負極に適用されてもよく、その場合、例えばＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２に適用されてもよいが、金属リチウムには適用せず、また、好ましくは無リチウム負極の群に適用しない。
負極の実際の組成ならびに適用される蒸着後アニールのパラメーターにより、障壁層の材料の選択が特徴付けられてもよい。例えば、金属リチウムの負極について、シリコン基板上のＳｉ３Ｎ４の５０００Åの障壁副層で、該金属リチウムの負極から該シリコン基板を分離する障壁副層によって、障壁層と金属リチウムとの間の化学的不活性が、反応経路１２Ｌｉ＋Ｓｉ３Ｎ４＝４Ｌｉ３Ｎ＋３Ｓｉの正の反応エンタルピーによって達成され得る必要な障壁層特性を提供してもよい。
例示的な逆構成において、正極は、電解質上に蒸着されてもよい。したがって、例えば、電解質と正極との間の化学反応、ならびに負極と電解質との反応を回避することが好ましいため、正極の潜在的な蒸着後アニールでの許容温度は、限定されてもよい。
３．２ 負極構成
「逆構成」の例示的実施形態は、上に説明された。
電解質の上に全体的に負極を含む実施形態を作製する場合、例えば、負極と障壁層との間の直接的な化学的相互作用が存在しなくなり得る。
電解質の上に部分的に負極の実施形態を作製する場合、「正常構成」（３．１．１参照）が好ましい。負極集電体が存在する場合に（図７ａ）、電解質層の端の上の負極の突出部分により、障壁層との接触を防いでもよい。適切に構成された負極集電体が存在しない場合、負極の突出部分は、障壁層に接触してもよい（図７ｂ参照）。どちらの場合においても、限定される厚さおよび粒界形態により、負極集電体が、負極と障壁層との間の十分な化学的分離を提供しないことから、負極は、例えば、負極が直接接触する障壁層およびその障壁副層に対して化学的に不活性であることが好ましい。その場合、負極材料の選択により、障壁副層の材料の選択が決定される。この点において、負極が金属リチウム負極で、この負極が、Ｃｏ３Ｏ４障壁副層と接触する場合、Ｃｏ３Ｏ４障壁副層は、使用されないほうがよい。あるいは、金属リチウムは、Ｃｏ３Ｏ４障壁副層をＬｉ２Ｏ、ＣｏＯ、ならびに固容体のＬｉ（Ｃｏ）およびＣｏ（Ｌｉ）に反応的に分解することができる。
負極および／またはその負極集電体が、障壁層と接触する場合、負極および／または負極集電体が、１）絶縁障壁副層または２）導電性の障壁副層に接触する二つのケースを評価する必要があり得る。第一事例において、金属リチウム負極を使用する際に、この障壁副層が、Ｓｉ３Ｎ４などの負極および／または負極集電体に対して化学的に不活性であることが十分であり得る。第二の事例について、負極および／または負極集電体に対して化学的不活性である接触している導電性の障壁副層に加えて、例えば、より高度な障壁副層アプローチが、金属ならびにドープおよび非ドープシリコンなどの導電性の基板のために使用されてもよい（図４ａ〜４ｃの例を参照）。絶縁する高分子基板および第二の事例について、電池の正の部分および負の部分が、この導電性の障壁副層を通って短絡しないように、非連続的な導電性の障壁副層を使用することが十分である。
例えば、金属リチウムの負極がＺｒＮ障壁副層に接触する実施形態について、１μｍ厚さのＺｒＮ障壁副層の使用は、比較的簡単かつ効果的であり、その場合、ＺｒＮ障壁副層は、順に電池の正の部分と共有されてはならないが、代わりに電池の正の部分は、Ｓｉ３Ｎ４などの絶縁障壁副層上に位置してもよい。後者の実例の利点の一つとして、ＺｒＮ障壁副層が、負の金属リチウム極の負極集電体としての役割も果たしてもよいことがある（図８参照）。
負極集電体は、不活性金属、不活性合金、または不活性窒化物を含んでもよく、障壁層または負極と反応を起こす傾向がなくてもよい。負極集電体は、好ましくは、正極および正極集電体が電気接触している導電性の障壁副層に電気接触するべきではない。または、電池は、短絡状態であってもよい。
３．３ 電気化学的に活性なセルと電気接触する基板
基板と正極または負極との間の反応がない例示的実施形態において、それらの電極を有する基板には、直接的電気接触、または集電体を介した間接的電気接触がもたらされてもよい。しかしながら、金属基、ドープまたは非ドープのシリコンウエハー、あるいは金属高分子基板などの導電性の基板に関して、電気化学的に活性なセルがショートし、または強い漏電電流がもたらされることから、それらの電極のうちの一つのみが、基板との電気接触が可能になってもよい。この例示的アプローチは、例えば、電気化学的装置の二つの端子のうちの一つとして導電性の基板を都合良く使用するという利点を有する（図９参照）。
３．４ 両面電気化学的装置
本発明は、電気化学的装置が少なくとも一つの電気化学的に活性なセルを、基板の片側上に有する実施形態を含んでもよい。例えば、実施形態の作製は、それぞれの電気化学的に活性なセルが、正極などの一定の電気化学的に活性なセル要素の層によって、例えば、基板の両側に同時に蒸着可能にする器具を使用して基板の両側に蒸着されることを含み、それは、次の電池要素層の作製を進める前に行なわれ、その次の電池要素層も、基板の両側に蒸着されることを含む。
電池要素層の、潜在的な順次的作製プロセスは、例えば、片側電気化学的装置と同じように実行されてもよい。次の層を基板の両側に蒸着する前に、層を基板の両側に完成するこの例示的アプローチの結果として、潜在的な蒸着後アニールは、その蒸着後アニールを受けるべきではない基板の反対側の層には適用されなくてもよい。
別の例示的なアプローチは、第二の電気化学的に活性なセル作製を基板の第二の側面に部分的に完成させること、あるいは、さらなるいかなる電気化学的に活性なセルを基板の第一または第二の側面に部分的に完成させることに進む前に、第一の電気化学的に活性なセルの作製を、基板の第一の側面に部分的に完成することであってもよい。このアプローチは、例えば、利用可能な蒸着器具が同時に両面蒸着できない場合に用いられてもよい。例えば、正極集電体および正極層を含む基板の第一の側面へ蒸着物は、正極集電体および正極層を基板の第二の側面に蒸着する前に達成されてもよい。これらの処理の後、電解質−負極集電体−負極の作製配列を使用して、基板の第一の側面に電気化学的に活性なセルの作製することを続行する前に、蒸着後アニールが、この基板の部分的に完成された電気化学的に活性なセルに同時に適用されてもよい。その後、両側面が基板の両側面において感熱高分子積層で同時にカプセルされる前、あるいは同時または順次適用され得る薄膜カプセルでカプセルされる前に、同一の作製配列が、基板の第二の側面に適用されてもよい。
正極および／または負極の潜在的な蒸着後アニールの実情に応じて、基板の第二の側面の第二の電気化学的に活性なセルの作製を始める前に、基板の第一の側面の第一の電気化学的に活性なセルの作製を完成され得る、第三のアプローチが可能であってもよい。
３．５ 保護カプセルまたは保護ケース設計
本発明の目的で、「保護ケース」は、電気化学的装置を収容し、特定の実施形態においては、その装置を完全に包囲およびまたは全体的に収容してもよい、ポーチまたは密封金属缶などの、保護エンクロージャとして形成される。「保護カプセル」は、例えば、電気化学的装置または電気化学的装置に供給される一つ以上の個々の電気化学的に活性なセルに「キャップする」保護として形成される。キャップは、例えば、電気化学的に活性なセルに隣接する利用可能な基板部分または電気化学的装置の適切ないかなる基板部分に装着されてもよい。
本発明の電気化学的装置が周囲環境で動作される前に、例えば、一定の周囲環境に存在し、電気化学的装置と有害に反応またはそれを損傷し得るいかなる反応性化学物質からも保護されることが好ましい。例えば、周囲環境が大気である場合、本発明の電気化学的装置は、好ましくは、Ｏ２やＣＯ２などのその他の反応性化学物質の中でも、湿気から保護されてもよい（その全体が本明細書に組み込まれる米国特許第６，９１６，６７９号参照）。例えば、レーザー溶接のステンレス鋼の缶あるいは真空気密金属またはガラスチューブまたは管などの電気的なフィードスルーを有する密封金属缶の内側で、本発明の電気化学的装置を、それらの外部的で化学的要因から保護してもよい。しかしながら、そのような種類の保護ケースの寸法は、かなりの不活性な体積および質量を電気化学的装置に加えることになり、エネルギーを有する正極を除くその要素は、その厚さに対して最小化されることができる。最小化に関するこの方策は、存在するだけでいかなる電気化学的に活性なセルの出力、エネルギー、および容量密度、ならびに電気化学的装置の出力、エネルギー、および容量密度を常に縮小する、基板およびいかなる保護ケースまたは保護カプセルなどの電気化学的装置の不活性な要素の厚さに関して特に有用である。
上記で説明された理由により、保護カプセルまたは保護ケースは、好ましくは、できるだけ薄くするべきであるが、電気化学的装置が動作する周囲環境に存在するさまざまな化学物質から電気化学的装置を保護可能でなければならない。それらの化学物質からの保護は、電気化学的装置がその寿命期間中に遭遇する該化学物質の関連温度およびそれへの暴露時間の全てを暗に含む。しかしながら、製造費用および性能に対する電気化学的装置の最適パラメーターの設定は、電気化学的装置の製造者の独自の判断に委ねられる。この点において、作製後数日間のみ動作し得る電気化学的装置は、例えば、何年も動作するように設計され得る電気化学的装置よりも、例えば、潜在的に安価で、高性能でない保護カプセルまたは保護ケースを収容し得る。
保護カプセルおよび保護ケースの両方によって、電気化学的装置の端子への外的アクセスが可能になるべきである。この外的アクセスは、例えば、以下の三つの主要な技術設計のうちの一つを採用することによって達成されてもよい。第一に、基板および／または保護カプセルは、直接的に外的接触可能である端子としての役割を果たすことが可能である（例えば、図３ｂを参照すると、基板３００は正端子としての役割を果たす）。第二に、端子は、保護カプセルの密封された端の下に通され、さらに、接触可能である該保護カプセルの外側に伸長する（例えば、図４ａの層４３０および４８０参照）。同様に、端子は、保護ケースの密封された出口または開口を通ることが可能であり、さらに、接触可能である該保護ケースの外側に伸長する（例えば、プリズムＬｉイオンバルク電池技術参照）。第三に、開口は、保護カプセルまたは保護ケースに提供されることが可能で、それにより、電気化学的装置の内側の端子への直接的な外的アクセスが可能になるが、高感度部分、例えば、感湿電解質は、端子またはそれに隣接する集電体の厚さによってのみ、湿気を含む大気などの周囲環境から分離されてもよい。
本発明の電気化学的装置の有用な性能パラメーターを示す寿命改善について、具体的には、該第三の設計の該開口が、電解質部分付近に位置する場合に、電解質が、図１０に図式的に示される防湿層などによって、付加的な保護を受けることが確認され得る。
３．６ 集電体および端子
ＬｉＣｏＯ２正極またはＬｉ４Ｔｉ５Ｏ１２負極などの導電性の劣る電極材料は、電極の電気抵抗を小さく維持するだけでなく電極内のイオン拡散経路を最小化するために、ＡｕまたはＮｉなどの十分導電性で不活性な裏面コンタクト（集電体）を必要とし、それは、電子経路およびイオン経路のｚ−パラメーター（厚さ）が最低限に抑えられる場合に達成される。この原理は、電子が好ましくは平坦または薄く（ｚ−パラメーター）形成される、つまり、厚さ（ｚ−パラメーター）と比べて最小化される長さ寸法（ｘ−パラメーター）および幅寸法（ｙ−パラメーター）を有するほとんどの電池において実施される。電極によっては、電子的にかつイオン的に優れた導電体であるため、上記理由により集電体を必要としない。しかしながら、それらは、負の金属Ｌｉ負極のように化学的に非常に反応性があってもよいため、負のＬｉ金属負極の場合に、Ｎｉなどの適切な不活性「ブリッジ」によって負端子などのその他の電池部分と好ましくは分離されてもよい。この「ブリッジ」は、導電性の劣る電極の場合の全裏面コンタクトとは対照的に、一つの角または端でのみ反応性で十分導電性の電子に接触してもよい。ブリッジは、反応性電極とその端子との間の不活性な媒体としての役割を果たし、集電特性を提供することから、「集電体」とも呼ばれてもよい。
本発明の電気化学的装置の端子は、一実施様態において、拡張された集電体であってもよく、電極に接触する同一の材料から形成されてもよい。しかしながら、薄膜電池に使用される集電体は、非常に薄く、機械的に高密度であってもよいため、機械的に（例えば、クリッピング）、はんだ付け、またはスポット溶接でそれらに外部的に接触することは、好適な永続的電気接触とはなり得ない。例えば、厚いおよび／または多孔性で、十分導電性である材料を、機械的、はんだ付け、またはスポット溶接による外部的電気接触が達成されてもよい「端子」と呼ばれる部分である集電体の端に加えることによって、集電体の接触特性を改善することが好ましい。この点において、正極または負極集電体が優れた電気接触を有するが、スクリーン印刷材料は電気化学的に活性なセルまたは複数のセルを、その作製、動作、または保管中のいかなる時点においても化学的に汚染しない方法で、約５〜１５μｍ厚さで適度に多孔性であるスクリーン印刷銀および銀合金は、印刷される端子としての使用に成功した。
本発明の例示的な実施形態および実施は、図面を参照して説明される。
図１は、電気化学的装置の一実施形態を示す。基板部分１００は、例えば、障壁副層１１１〜１１４から成る障壁層１１０を介して電池部分１２０から化学的に分離されてもよい。電池要素層１２１〜１２５が設けられる。正の電池端子１２６および負の電池端子１２７は、さらに設けられる。
図２は、例示的な障壁副層である１０００ÅのＭｏＳｉ２２１１、３０００ÅのＷＣ２１２、４０００ÅのＳｉ３Ｎ４２１３、および５０００ÅのＺｒＮ２１４から成る障壁層２１０の例の一実施形態を示す。図示されるように、これらの副層の面積寸法は、例えば、相互に非常に異なるが、電気化学的に活性なセルの正の部分（２１４、２２０、２３０、および２４０）と負の部分（２６０、２７０、および２８０）との間の好適な電気的分離は達成してもよい。正極集電体、正端子、および正極は、２２０、２３０、および２４０によってそれぞれ表示される。電気化学的に活性なセルの正の部分は、正極、正極集電体、および正端子を少なくとも含んでもよい。正極集電体だけで、正端子としての役割を果たしてもよい。負極、負極集電体、および負端子は、２６０、２７０、および２８０によってそれぞれ表示される。電気化学的に活性なセルの負の部分は、負極、負極集電体、および負端子を少なくとも含んでもよい。拡張される負極集電体は、（１）負端子、（２）負極、および（３）負極集電体としての役割を果たしてもよい。電解質２５０は、例えば、電気化学的に活性なセルの正の部分を負の部分から電子的に分離してもよい。この特定の場合において、電気化学的に活性なセルは、例えば、負端子２８０にアクセスする開口２９１を有するカプセル２９０によって保護されてもよい。このカプセル化電気化学的に活性なセルは、電気化学的装置全体を形成する基板２００上に作製されてもよい。
図３ａは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、負の部分を電解質３５０の上に全体的に作製することによって達成される実施形態について、例えば、導電性であってもよい第一の障壁副層３１１および第二の障壁副層３１２を含む、障壁層３１０の例示的な実施形態を示す。正の部分は、例えば、第二の障壁副層３１２、正極集電体３２０、正端子３３０、および正極３４０を構成する。設けられる第一の障壁層３１１が導電性である場合、正の部分は、第一の障壁層３１１を付加的に構成してもよい。基板３００が導電性の第一の障壁層３１１と連動した金属などの導電性である実施形態について、この基板も、正の部分の一部となってよい。負の部分は、負極３６０、負極集電体３７０、および負端子３８０を構成してもよい。この特定の例において、電気化学的に活性なセルは、負端子３８０へアクセスする開口３９１を有するカプセル３９０によって保護されてもよい。
図３ｂは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、負の部分を電解質３５０の上に全体的に作製することによって達成されるが、正極集電体３２０、正端子３３０、および正極３４０は、例えば、第二の副層３１２を介して金属基板３００と電気接触する実施形態について、例えば、導電性であってもよい第一の障壁副層３１１および第二の障壁副層３１２を含む障壁層３１０の例示的な実施形態を示す。本構成において、金属基板３００は、正端子としての役割を果たしてもよい。正の部分は、金属基板３００、第二の障壁副層３１２、正極集電体３２０、正端子３３０、および正極３４０を構成してもよい。第一の障壁層３１１が導電性である実施形態について、正の部分は、第一の障壁層３１１を付加的に含んでもよい。負の部分は、負極３６０、負極集電体３７０、および負端子３８０を構成してもよい。この特定の例において、電気化学的に活性なセルは、負端子３８０へアクセスする開口３９１を有するカプセル３９０によって保護されてもよい。
図３ｃは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、正の部分を電解質３５０の上に全体的に作製することによって達成されるが、負極集電体３７０、負端子３８０、および負極は、例えば、第二の副層３１２を介して金属基板３００と電気接触する実施形態について、例えば、導電性であってもよい第一の障壁副層３１１および第二の障壁副層３１２を含む障壁層３１０の例示的な実施形態を示す。本構成において、金属基板３００は、正端子としての役割も果たしてもよい。正の部分は、正極集電体３２０、正端子３３０、および正極３４０を構成してもよい。負の部分は、金属基板３００、第二の障壁副層３１２、負極３６０、負極集電体３７０、および負端子３８０を構成してもよい。第一の障壁層３１１が導電性である実施形態についても、負の部分は、第一の障壁層３１１を付加的に含んでもよい。この特定の例において、電気化学的に活性なセルは、正端子３３０へアクセスする開口３９１を有するカプセル３９０によって保護されてもよい。
図４ａは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、負の部分を電解質４５０の上に全体的に作製することによって実行されない場合の、導電性の障壁副層を含む、障壁層４１０の例示的な実施形態を示す。電解質４５０と共に、電気的に絶縁する第二の障壁層４１２は、例えば、電気化学的に活性なセルの負の部分から正の部分を分離してもよい。正の部分は、正極集電体４２０、正端子４３０、および正極４４０を構成してもよい。第三の障壁副層４１３が導電性である場合、例えば、それは、正の部分の部材になってもよい。第一の障壁副層４１１は、電気的に絶縁または導電性であってもよい。後者の場合、それは、負の部分自体の部材になってもよいが、例えば、基板４００は負の部分の部材でもある。さらに、負の部分は、負極４６０、負極集電体４７０、および負端子４８０を構成してもよい。本構成において、金属基板は、負端子としての役割も果たしてよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル４９０によって保護されてもよい。
図４ｂは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、負の部分を電解質４５０の上に全体的に作製することによって実行されない場合の、導電性の障壁副層を含む、障壁層４１０の別の例の実施形態を示す。電解質４５０と共に、電気的に絶縁する第二の障壁層４１２は、例えば、電気化学的に活性なセルの負の部分から正の部分を分離してもよい。正の部分は、正極集電体４２０、正端子４３０、および正極４４０を構成してもよい。第三の障壁副層４１３が導電性である場合、それは、正の部分の部材になってもよい。第一の障壁副層４１１は、電気的に絶縁または導電性であってもよい。後者の場合、それは、負の部分の部材になってもよいが、基板４００は負の部分の部材でもある。さらに、負の部分は、負極４６０、負極集電体４７０、および負端子４８０を構成してもよい。本構成において、金属基板は、負端子としての役割も果たしてよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル４９０によって保護されてもよい。
図４ｃは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、負の部分を電解質４５０の上に全体的に作製することによって実行されない場合の、導電性の障壁副層を含む、障壁層４１０の別の例の実施形態を示す。負極４６０は、例えば、負極４６０に化学的に不活性であることが好ましい第三の障壁副層４１３と直接的に接触する。この例において、第三の障壁副層４１３は、例えば、電気的に絶縁するため、電解質４５０と共に、電気化学的に活性なセルの負の部分から正の部分を分離してもよい。正の部分は、正極集電体４２０、正端子４３０、および正極４４０を構成してもよい。第二の障壁副層４１２が導電性である場合、それは、正の部分の部材になってもよいが、金属基板４００も正の部分の部材となる。第一の障壁副層４１１は、電気的に絶縁または導電性であってもよい。後者の場合、それは、正の部分の部材になってもよいが、第二の障壁層４１２も同様である場合のみに限る。負の部分は、負極４６０、負極集電体４７０、および負端子４８０を構成してもよい。本構成において、金属基板は、負端子としての役割も果たしてよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル４９０によって保護されてもよい。
図５は、５０μｍ厚さのステンレス鋼箔タイプ４３０基板の上で、二つの障壁副層、５０００ÅのＡｌ２Ｏ３および６０００ÅのＣo３Ｏ４からなる障壁層上の、３００Åのコバルト接着層の３０００Åの金の正極集電体に作製される１．６μｍ厚さのＬｉＣｏＯ２の正極膜のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのグラフを示す。ＬｉＣｏＯ２正極は、空気中７００℃で二時間蒸着後アニールが行なわれることにより、下にある基板、障壁層およびその障壁副層、正極集電体接着層、および正極集電体に同様の熱的方法で影響を及ぼした。結晶性ＬｉＣｏＯ２正極膜の微細格子パラメーター（ａｈｅｘ＝２．８１４６（４）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０７３２（８）Å）は、理論値（例えば、ＩＣＤＤ７７−１３７０：ａｈｅｘ＝２．８１５（１）Ａ；ｃｈｅｘ＝１４．０５（１）Å）に厳密に一致してもよく、このことから、結晶性ＬｉＣｏＯ２正極（シェラー式で求められる（１０１）面の結晶化度：５６０Å）膜は、基板を含むその周囲の材料のいずれとも反応しなかったことがわかる。「Ａｕ」は、金の正極集電体を表す。「Ａｕ＋Ｓ」は、金の正極集電体およびステンレス鋼４３０の基板箔の重なりピークを表す。
図６は、３００μｍ厚さの非ドープシリコン基板の上で、二つの障壁副層、５０００ÅのＳｉ３Ｎ４および６０００ÅのＳｉＯ２からなる障壁層上の、３００Åのコバルト接着層の上の３０００Åの金の正極集電体に作製される１．６μｍ厚さのＬｉＣｏＯ２の正極膜のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのグラフを示す。ＬｉＣｏＯ２正極は、空気中７００℃で二時間蒸着後アニールが行なわれることにより、下にある基板、障壁層およびその障壁副層、正極集電体接着層、および正極集電体に同様の熱的方法で影響を及ぼした。結晶性ＬｉＣｏＯ２正極膜の微細格子パラメーター（ａｈｅｘ＝２．８１５１（４）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０６６（６）Å）は、文献に挙げられる理論値（例えば、（ＩＣＤＤ７７−１３７０：ａｈｅｘ＝２．８１５（１）Å；ｃｈｅｘ＝１４．０５（１）Å）に一致してもよく、このことから、結晶性ＬｉＣｏＯ２正極（シェラー式で求められる（１０１）面の結晶化度１１００Å）膜は、シリコン基板を含むその周囲の材料のいずれとも反応しなかったことがわかる。「Ａｕ」は、金の正極集電体を表す。単結晶シリコン基板のピークは、回折計のシータ−２シータの形態によって排除された。
図７ａは、負極７６０が障壁層７１０およびその障壁副層７１１、７１２のいずれとも直接的に接触しない負極構成の実施形態を示す。第一の障壁副層７１１は、電気的に絶縁または導電性であってもよいが、第二の障壁副層７１２は、電気化学的に活性なセルつまりは電気化学的装置の電気的短絡を回避するために、電気的に絶縁であるべきである。負極７６０が障壁層と接触しないこのような構成において、障壁副層７１１、７１２の化学組成の選択は決定されない。電気化学的セルの正の部分は、例えば、負極７６０、負極集電体７７０、および負端子７８０を構成し得る負の部分から電解質７５０によって分離される正極集電体７２０、正端子７３０、および正極７４０を含んでもよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル７９０によって保護されてもよい。
図７ｂは、負極７６０が障壁層７１０およびその障壁副層７１２と直接的に接触する負極構成の実施形態を示す。第一の障壁副層７１１は、電気的に絶縁または導電性であってもよいが、第二の障壁副層７１２は、電気化学的に活性なセルつまりは電気化学的装置の電気的短絡を回避するために、好ましくは電気的に絶縁であるべきである。負極７６０が障壁層と接触する構成において、少なくとも障壁副層７１２の化学組成の選択は決定される。電気化学的セルの正の部分は、例えば、負極７６０、負極集電体７７０、および負端子７８０を構成し得る負の部分から電解質７５０によって分離される正極集電体７２０、正端子７３０、および正極７４０を含んでもよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル７９０によって保護されてもよい。
図８は、負極８６０が、図示される電気化学的装置の第一の障壁副層であり、例えば負極集電体としての役割も果たし得る導電性のＺｒＮ障壁副層８１１と、直接的に接触する負極構成の実施形態を示す。この負極集電体および障壁副層８１１は、負極８６０のために選択されるのであれば、例えば、金属リチウムなどの反応性の負極８６０にさへ化学的に不活性であってもよい。この図に示される電気化学的装置の実施形態のために選択される障壁副層８１１の特定の形態により、第二の障壁副層８１２は、Ｓｉ３Ｎ４のように、好ましくは電気的に絶縁する。電気化学的セルの正の部分は、例えば、金属基板８００、ＺｒＮ障壁副層および負極集電体８１１、負極８６０、および負端子８７０を構成し得る負の部分から電解質８５０によって分離される正極集電体８２０、正端子８３０、および正極８４０を含んでもよい。最後に、電気化学的に活性なセルは、カプセル８８０によって保護されてもよい。
図９は、基板が、負極９６０などに化学的に不活性である場合に、負極９６０が、基板９００と直接的に接触する特定の電池構成の実施形態を示す。そのような場合において、基板がステンレス鋼のように十分導電性である場合に、基板は、例えば負極集電体および負端子としての役割を果たしてもよい。電気化学的セルの正の部分は、例えば、正極集電体９２０、正端子９３０、正極９４０、および導電性であれば第二の障壁副層９１２を含んでもよい。しかしながら、第一の障壁層９１１は、例えば金属基板９００および負極９６０を含み得る負の部分へ電気化学的装置を短絡することを回避するために、好ましくは電気的に絶縁である。
図１０は、保護カプセル１０９０が負端子１０８０へのアクセスを提供するための開口１０９１に作製された実施形態について、防湿層１０９２が、例えば、感湿電解質層１０５０を周囲環境に存在する湿気から保護する特定の電池構成の実施形態を示す。負端子１０８０および負極集電体１０７０は、例えば、下にある電解質１０５０を長期間保護するように、十分に厚いおよび／または湿気阻止しなくてもよい。その概略図は、図３ａに示される電気化学的装置を修正した改善を示す。基板１０００は、電気的に絶縁または導電性であってもよく、また、障壁層１０１０を構成し得る障壁副層１０１１および１０１２も同様であってもよい。図１０に示される電気化学的装置のさらなる要素は、正極集電体１０２０、正端子１０３０、正極１０４０、および負極１０６０である。
本発明が、上記に提供されたさまざまな実施形態を参照することにより具体的に示されて説明されたが、形式や詳細におけるさまざまな変化が、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、これらのさまざまな実施形態に加えられてもよいことが、当技術分野に精通する者によって理解されるだろう。
図１は、多数の副層を含む障壁層を介して、電気化学的装置の電気化学的に活性なセル部分から基板部分を化学的分離する実施形態の例示的概略図を示す。 図２は、異なる面積寸法の障壁副層を含み、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離を提供する障壁層に関する実施形態の例示的使用の概略図を示す。 図３ａは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に負の部分を作製することによって達成する場合の、導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の例示的使用の概略図である。 図３ｂは、電池の正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に負の部分を作製することによって達成する場合の、金属基板上に導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の別の例示的使用の概略図を示す。 図３ｃは、電池の正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に正の部分を作製することによって達成する場合の、金属基板上に導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の例示的使用の概略図を示す。 図４ａは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に負の部分を作製することによって実行しない場合の、導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の例示的使用の概略図を示す。 図４ｂは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に負の部分を作製することによって実行しない場合の、導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の別の例示的使用の概略図を示す。 図４ｃは、電気化学的に活性なセルの正の部分と負の部分との間の電気的分離が、電解質の上に全体的に負の部分を作製することによって実行しないが、負極は、障壁副層に直接的接触する場合の、導電性の障壁副層を含む障壁層に関する実施形態の別の例示的使用の概略図を示す。 図５は、５０μｍ厚さのステンレス鋼箔タイプ４３０基板の上で、二つの障壁副層、５０００ÅのＡｌ２Ｏ３および６０００ÅのＣｏ３Ｏ４から成る電気的に絶縁される障壁層に装着される３００ÅのＣｏ接着層上の、３０００ÅのＡｕ正極集電体に作製される１．６μｍ厚さのＬｉＣｏＯ２正極膜に関する実施形態のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのグラフを示す。 図６は、３００μｍ厚さのシリコン基板上で、二つの障壁副層、５０００ÅのＳｉ３Ｎ４および５０００ÅのＳｉＯ２から成る障壁層上の３００ÅのＣｏ接着層上の３０００ÅのＡｕ正極集電体に作製される１．６μｍ厚さのＬｉＣｏＯ２正極膜に関する実施形態のＸ線回折（ＸＲＤ）パターンのグラフを示す。 図７ａは、負極が障壁層と直接接触しない「正常構成」の負極構成に関する実施形態の概略図を示す。 図７ｂは、負極が障壁副層の少なくとも一つと直接接触する「正常構成」の負極構成に関する実施形態の概略図を示す。 図８は、負極が、負極集電体としての役割も果たす導電性のＺｒＮ障壁副層と直接接触する「正常構成」の負極構成に関する実施形態の概略図を示す。 図９は、基板が負極に対して化学的に不活性である場合に、負極が基板と直接接触する電池構成に関する実施形態の概略図を示す。本実施形態において、基板が、例えばステンレス鋼の場合のように十分導電性である場合、基板は、負極集電体および負端子のとしての役割を果たすことができる。 図１０は、負端子へのアクセスを提供するための開口が保護カプセルに作製された場合に、周囲環境に存在する湿気から、感湿電解質層を保護するための防湿層の使用に関する実施形態の概略図を示す。

Claims (117)

  1. ａ）第一の側面を有する、金属、高分子、またはドープ若しくは非ドープのシリコン材料の群から選択される基板と、
    ｂ）負の部分および正の部分を有する、該第一の側面上の第一の電気化学的に活性なセルであって、該負および正の部分は１つ以上の端子をさらに備える、第一の電気化学的に活性なセルと、
    ｃ）該第一の電気化学的に活性なセルを該基板から化学的に分離する該第一の側面上の第一の障壁層と
    を備え、
    ｄ）該第一の障壁層は、複数の副層をさらに含む、電気化学的装置。
  2. 前記基板の前記第一の側面上に提供される複数の電気化学的に活性なセルをさらに備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  3. 前記第一の障壁層は、前記第一の電気化学的に活性なセルおよび前記基板に対して、化学的に不活性な材料を含み、該基板上に該第一の電気化学的に活性なセルの作製中および前記電気化学的装置の動作および保管の状態中に、該第一の電気化学的に活性なセルおよび該基板に対して拡散阻止するように構成されている、請求項１に記載の電気化学的装置。
  4. 前記副層は、電気的に導電性、電気的に絶縁性、または電気的に半導電性の材料の群から選択され、
    ａ）前記第一の電気化学的に活性なセルの前記正の部分は、該第一の電気化学的に活性なセルの前記負の部分に電気接触せず、
    ｂ）該第一の電気化学的に活性なセルの該正の部分は、少なくとも正極、正極集電体、および正端子を備え、
    ｃ）該第一の電気化学的に活性なセルの前記負の部分は、少なくとも負極、負極集電体、および負端子を備える
    請求項１に記載の電気化学的装置。
  5. 前記正極集電体は前記正端子を備える、請求項４に記載の電気化学的装置。
  6. 前記負極集電体は前記負端子を備える、請求項４に記載の電気化学的装置。
  7. 前記負極集電体は前記負極を備える、請求項４に記載の電気化学的装置。
  8. 前記負極集電体は、該負極集電体、前記負極、および前記負端子を備える、請求項４に記載の電気化学的装置。
  9. 前記副層は、同一の形状および面積サイズをそれぞれ備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  10. 前記副層の少なくとも１つは、前記複数の副層の別のものとは異なる形状および面積サイズを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  11. 前記第一の障壁層は、前記第一の電気化学的に活性なセルの少なくとも前記正の部分が、前記基板から化学的に分離されるように、該基板を部分的にだけ被覆する、請求項１に記載の電気化学的装置。
  12. 前記第一の障壁層は、前記第一の電気化学的に活性なセルの少なくとも前記負の部分が、前記基板から化学的に分離されるように、該基板を部分的にだけ被覆する、請求項１に記載の電気化学的装置。
  13. 前記第一の障壁層は、０．０１μｍから１ｍｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  14. 前記第一の障壁層は、０．１μｍから１００μｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  15. 前記第一の障壁層は、０．５μｍから５μｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  16. 前記基板は、０．１μｍから１ｃｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  17. 前記基板は、１μｍから１ｍｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  18. 前記基板は、１０μｍから１００μｍに及ぶ厚さを備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  19. 前記副層は、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれの多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物を含む、請求項１に記載の電気化学的装置。
  20. 前記副層の少なくとも１つは、結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物を含む、請求項１に記載の電気化学的装置。
  21. 前記副層の少なくとも１つは、非晶質またはガラス状の材料の単相を含む、請求項１に記載の電気化学的装置。
  22. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、リチウム金属負極電池、リチウムウイオン負極電池、および無リチウム負極電池の群から選択される電池を備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  23. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、蒸着によって蒸着される正の薄膜正極を備え、該正の薄膜正極の厚さは２００μｍ未満である、請求項２２に記載の電気化学的装置。
  24. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、非真空蒸着によって蒸着される正の薄膜正極を備え、該正の薄膜正極の厚さは２００μｍ未満である、請求項２２に記載の電気化学的装置。
  25. 前記正の薄膜正極は、少なくとも１００Åのサイズを有する単結晶を含む、請求項２３に記載の電気化学的装置。
  26. 前記正の薄膜正極は、少なくとも１００Åのサイズを有する単結晶を含む、請求項２４に記載の電気化学的装置。
  27. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、１００μｍ未満の厚さを有する薄膜で固体の電解質を備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  28. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、リチウム金属、リチウムイオン負極、またはリチウムと金属間化合物を形成しない金属の群から選択され、前記薄膜の負極の厚さは２００μｍ未満である、請求項１に記載の電気化学的装置。
  29. 前記第一の電気化学的に活性なセルは、保護カプセルをさらに備え、該保護カプセルは、周囲環境から、少なくとも機械的および化学的要因に対して該第一の電気化学的に活性なセルを保護するように構成されている、請求項１に記載の電気化学的装置。
  30. 前記保護ケースは、周囲環境から、少なくとも機械的および化学的要因に対して前記第一の電気化学的に活性なセルを保護するように構成されている、請求項１に記載の電気化学的装置。
  31. 前記カプセルは、前記第一の電気化学的に活性なセルの少なくとも１つの端子に、直接的な電気接触を可能にするように構成されている少なくとも１つの開口を有する、請求項２９に記載の電気化学的装置。
  32. 前記保護ケースは、前記第一の電気化学的装置の少なくとも１つの端子への直接的な電気接触を可能にするように構成されている少なくとも１つの開口を有する、請求項３０に記載の電気化学的装置。
  33. 前記電気化学的に活性なセルは、電解質をさらに備え、前記１つ以上の端子は、防湿層によって該電解質から分離されている、請求項３１に記載の電気化学的装置。
  34. 前記電気化学的に活性なセルは、電解質をさらに備え、前記１つ以上の端子は、防湿層によって該電解質から分離されている、請求項３２に記載の電気化学的装置。
  35. 前記防湿層は、湿気阻止特性を有する材料を含み、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成る多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される、請求項３３に記載の電気化学的装置。
  36. 前記防湿層は、結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物を備える、請求項３３に記載の電気化学的装置。
  37. 前記防湿層は、湿気阻止特性を有する材料を含み、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれかの多元化合物からなる群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される、請求項３４に記載の電気化学的装置。
  38. 前記防湿層は、結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物を備える、請求項３４に記載の電気化学的装置。
  39. 前記基板の第二の側面上に位置する第二の層をさらに備える、請求項１に記載の電気化学的装置。
  40. 前記第二の層は、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれの多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物を含む、請求項３９に記載の電気化学的装置。
  41. ａ）第一の側面および第二の側面を有する、金属、高分子、またはドープ若しくは非ドープのシリコンの基板と、
    ｂ）正の部分、負の部分をさらに備える、該第一の側面上の第一の電気化学的に活性なセルであって、該部分はさらに１つ以上の端子をさらに備える、第一の電気化学的に活性なセルと、
    ｃ）該金属、高分子、またはドープ若しくは非ドープのシリコン基板から、該第一の電気化学的に活性なセルを化学的に分離する該第一の側面上の第一の障壁層と、
    ｄ）正の部分および負の部分をさらに備える、該第二の側面上の第二の電気化学的に活性なセルであって、該部分は１つ以上の端子をさらに備える、第二の電気化学的に活性なセルと、
    ｅ）該基板から、該第二の電気化学的に活性なセルを化学的に分離する該第二の側面上の第二の障壁層と
    を備え、
    ｆ）該第一の障壁層は、複数の副層を含み、
    ｇ）該第二の障壁層は、複数の副層を含む、
    電気化学的装置。
  42. 前記基板の前記第一の側面上に提供される複数の電気化学的に活性なセルをさらに備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  43. 前記基板の前記第二の側面上に提供される複数の電気化学的に活性なセルをさらに備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  44. 前記基板の両側面上の前記障壁層は、該基板から前記電気化学的に活性なセルを化学的に分離するように構成され、
    （ａ）該基板の前記第一の側面上の前記第一の電気化学的に活性なセルに対して、および該基板に対して、化学的に不活性な材料を含む、前記第一の障壁層と、
    （ｂ）該基板の前記第二の側面上の前記第二の電気化学的に活性なセルに対して、および前記基板に対して、化学的に不活性な材料を含む、前記第二の障壁層と、
    （ｃ）該基板の該第一の側面上の該第一の電気化学的に活性なセル内の化学的要素に対して、拡散阻止特性をさらに含む、該第一の障壁層と、
    （ｄ）該基板の該第二の側面上の該第二の電気化学的に活性なセル内の化学的要素に対して、拡散阻止特性をさらに含む、該第二の障壁層と
    をさらに備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  45. ａ）前記副層は、電気的に導電性、電気的に絶縁性、または電気的に半導電性の材料の群から選択され、
    ｂ）前記電気化学的に活性なセルの前記正の部分は、前記基板の両側面上の該電気化学的に活性なセルの前記負の部分に電気接触せず、
    ｃ）該電気化学的に活性なセルの該正の部分は、少なくとも正極、正極集電体、および正端子を備え、
    ｄ）該電気化学的に活性なセルの該負の部分は、少なくとも負極、負極集電体、および負端子を備える
    請求項４１に記載の電気化学的装置。
  46. 前記正極集電体は正端子を備える、請求項４５に記載の電気化学的装置。
  47. 前記負極集電体は前記負端子を備える、請求項４５に記載の電気化学的装置。
  48. 前記負極集電体は前記負極を備える、請求項４５に記載の電気化学的装置。
  49. 前記負極集電体は、該負極集電体、前記負極、および前記負端子を備える、請求項４５に記載の電気化学的装置。
  50. 前記副層は、同一の形状および面積サイズをそれぞれ備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  51. 前記副層の少なくとも１つは、前記複数の副層の別のものとは異なる形状および面積サイズを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  52. 前記障壁層の少なくとも１つは、部分的にだけ前記基板を被覆し、前記電気化学的に活性なセルの少なくとも前記正の部分が、該基板から化学的に分離される、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  53. 前記障壁層の少なくとも１つは、部分的にだけ前記基板を被覆し、前記電気化学的に活性なセルの少なくとも前記負の部分が、該基板から化学的に分離される、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  54. 前記基板の両側面上の前記障壁層は、０．０１μｍから１ｍｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  55. 前記基板の両側面上の前記障壁層は、０．１μｍから１００μｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  56. 前記基板の両側面上の前記障壁層は、０．５μｍから５μｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  57. 前記基板は、０．１μｍから１ｃｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  58. 前記基板は、１μｍから１ｍｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  59. 前記基板は、１０μｍから１００μｍに及ぶ厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  60. 前記副層の少なくとも１つは、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれの多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物を含む、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  61. 前記副層の少なくとも１つは、結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物を含む、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  62. 前記副層の少なくとも１つは、非晶質またはガラス状の材料の単相を含む、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  63. 前記基板の両側面上の前記電気化学的に活性なセルは、リチウム金属負極電池、リチウムウイオン負極電池、および無リチウム負極電池の群から選択される電池を備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  64. 前記電気化学的に活性なセルは、蒸着または非真空蒸着によって蒸着される正の薄膜正極を備え、該正の薄膜正極は２００μｍ未満の厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  65. 前記正の薄膜正極は、少なくとも１００Åのサイズを有する単結晶を含む、請求項６４に記載の電気化学的装置。
  66. 前記電気化学的に活性なセルは、１００μｍ未満の厚さを有する薄膜で固体の電解質を備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  67. 前記電気化学的に活性なセルは、リチウム金属、リチウムイオン負極、またはリチウムと金属間化合物を形成しない金属の群から選択され、前記薄膜の負極は、２００μｍ未満の厚さを備える、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  68. 前記電気化学的装置の前記電気化学的に活性なセルの各々は、保護カプセルまたは保護ケースを備えており、該カプセルまたは該ケースは、周囲環境における少なくとも機械的および化学的要因から、該電気化学的装置の該電気化学的に活性なセルを保護するように構成されている、請求項４１に記載の電気化学的装置。
  69. 前記カプセルまたは前記ケースは、前記電気化学的に活性なセルの各々の少なくとも１つの端子に、直接的な電気接触を可能にするように構成されている少なくとも１つの開口を有する、請求項６８に記載の電気化学的装置。
  70. 前記電気化学的に活性なセルは、電解質をさらに備えており、前記端子は、前記カプセルにおける開口によって外部にアクセス可能であり、防湿層によって該電解質から分離される、請求項６９に記載の電気化学的装置。
  71. 前記防湿層は、湿気阻止特性を有する材料を含み、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成る多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される、請求項７０に記載の電気化学的装置。
  72. 前記防湿層は、結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物を備える、請求項７０に記載の電気化学的装置。
  73. 電気化学的装置を作製する方法であって、
    （ａ）第一の側面を有する、金属、高分子、またはシリコンの基板を提供することと、
    （ｂ）該第一の側面上に、第一の障壁層を蒸着することと、
    （ｃ）正の部分および負の部分を備える第一の電気化学的に活性なセルを作製することであって、該正および負の部分は、１つ以上の端子をさらに備え、前記セルは、該第一の障壁層の上の該第一の側面上に位置し、該障壁層は、該第一の電気化学的に活性なセルを前記基板から化学的に分離することと、
    （ｄ）複数の化学的に異なる副層から該第一の障壁層を作製することと
    を含む、方法。
  74. 前記基板の前記第一の側面上に複数の電気化学的に活性なセルを提供することをさらに備える、請求項７３に記載の方法。
  75. ａ）電気的に導電性、電気的に絶縁性、または電気的に半導電性の材料の群から、前記副層を選択することと、
    ｂ）前記第一の電気化学的に活性なセルの前記正の部分を、該第一の電気化学的に活性なセルの前記負の部分に電気的に接触しないようにすることと、
    ｃ）該第一の電気化学的に活性なセルの該正の部分上に、正極、正極集電体、および正端子を備えることと、
    ｄ）該第一の電気化学的に活性なセルの前記負の部分上に、負極、負極集電体、および負端子を提供することと
    をさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  76. 前記正極集電体を前記正端子として提供することをさらに含む、請求項７５に記載の方法。
  77. 前記負極集電体を前記負端子として提供することをさらに含む、請求項７５に記載の方法。
  78. 前記負極集電体を前記負極として提供することをさらに含む、請求項７５に記載の方法。
  79. 前記負極集電体を、該負極集電体、前記負極、および前記負端子として提供することをさらに含む、請求項７５に記載の方法。
  80. 前記副層に、同一の形状および面積サイズを備える各副層を提供することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  81. 前記複数の副層の別のものとは異なる形状および面積サイズを備える、少なくとも１つの前記副層を提供することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  82. 前記第一の電気化学的に活性なセルの少なくとも前記正の部分が、前記基板から化学的に分離されるように、前記第一の障壁層で該基板を部分的にだけ被覆することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  83. 前記第一の電気化学的に活性なセルの少なくとも前記負の部分が、前記基板から化学的に分離されるように、該基板を部分的にだけ被覆する前記第一の障壁層を提供することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  84. ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれかの多元化合物の群から、または、高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物から前記副層を作製することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  85. 結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物から、前記副層を作製することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  86. 非晶質またはガラス状の材料の単相から、前記副層を作製することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  87. 正極が少なくとも１００Åのサイズを有する結晶を備えるように、１００℃から前記基板の融点までの間における現場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）または現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）の温度プロセスによって、前記第一の電気化学的なセル上に該正極を作製することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  88. 保護カプセルまたは保護ケースを提供することによって、周囲環境からの少なくとも機械的および化学的要因に対して、前記第一の電気化学的に活性なセルまたは前記電気化学的装置をそれぞれ保護することをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  89. 前記第一の電気化学的に活性なセルの前記１つ以上の端子に対して、直接的に電気接触を可能にする少なくとも１つの開口を有する、前記カプセルまたは前記ケースを作製することをさらに含む、請求項８８に記載の方法。
  90. １つの前記電気化学的に活性なセルにおいて電解質を提供することと、防湿層によって前記１つ以上の端子から該電解質を分離することとをさらに含む、請求項８９に記載の方法。
  91. 湿気阻止特性を有する材料から前記防湿層を作製することと、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成る多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から、
    化合物を該防湿層のために選択することとをさらに含む、請求項９０に記載の方法。
  92. 結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物から、前記防湿層を作製することをさらに含む、請求項９０に記載の方法。
  93. 前記第一の電気化学的に活性なセルの作製前に、前記基板および該基板の前記第一の側面上の該第一の電気化学的に活性なセルを、周囲環境から化学的に保護する目的で、該基板の第二の側面上に第二の層を蒸着することと、周囲環境からの汚染物質の拡散を阻止することによって、該第一の電気化学的に活性なセルを化学的に保護することとをさらに含む、請求項７３に記載の方法。
  94. ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれかの多元化合物からなる群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物から、前記第二の層を作製することをさらに含む、請求項９３に記載の方法。
  95. １００℃から前記基板の融点までの間の現場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）または現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）の温度プロセスによって、前記第一の障壁層および前記第二の層を熱的に緩和することであって、該現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）温度プロセスは、該第一の障壁層および該第二の層の蒸着の後に、該温度プロセスを適用することをさらに含む、請求項９３に記載の方法。
  96. 電気化学的装置を作製する方法であって、
    （ａ）第一の側面および第二の側面を有する、金属、高分子、またはドープ若しくは非ドープのシリコン基板を提供することと、
    （ｂ）該第一の側面に第一の障壁層を蒸着することと、
    （ｃ）該第二の側面に第二の障壁層を蒸着することと、
    （ｄ）該基板から前記第一の電気化学的に活性なセルを化学的に分離する、該第一の障壁層の上の該第一の側面上に該第一の電気化学的に活性なセルを作製することと、
    （ｅ）該基板から前記第二の電気化学的に活性なセルを化学的に分離する、該第二の障壁層の上の該第二の側面上に該第二の電気化学的に活性なセルを作製することと、
    （ｆ）複数の化学的に異なる副層から該第一の障壁層を構成することと、
    （ｇ）複数の化学的に異なる副層から該第二の障壁層を構成することと
    を含む、方法。
  97. 前記基板の前記第一の側面上の複数の前記電気化学的に活性なセルを提供することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  98. 前記基板の前記第二の側面上の複数の前記電気化学的に活性なセルを提供することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  99. ａ）電気的に導電性、電気的に絶縁性、または電気的に半導電性の材料の群から、前記副層を選択することと、
    ｂ）前記基板の両側面上の、該電気化学的に活性なセルの正の部分と、電気化学的に活性なセルの負の部分との前記電気接触を回避することと、
    ｃ）該電気化学的に活性なセルの該正の部分上に、正極、正極集電体、および正端子を提供することと、
    ｄ）該電気化学的に活性なセルの該負の部分上に、負極、負極集電体、および負端子を提供することと
    をさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  100. 前記正極集電体を前記正端子として提供することをさらに含む、請求項９９に記載の方法。
  101. 前記負極集電体を前記負端子として提供することをさらに含む、請求項９９に記載の方法。
  102. 前記負極集電体を前記負極として提供することをさらに含む、請求項９９に記載の方法。
  103. 前記負極集電体を、該負極集電体、前記負極、および前記負端子として提供することをさらに含む、請求項９９に記載の方法。
  104. 同一の形状および面積サイズを備える前記副層を提供することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  105. 前記複数の副層の別のものとは異なる形状および面積サイズを備える、前記副層の少なくとも１つを提供することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  106. 前記障壁層の少なくとも１つで前記基板を部分的にだけ被覆することであって、前記電気化学的に活性なセルの少なくとも前記正の部分が、該基板から化学的に分離されることをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  107. 前記障壁層の少なくとも１つで前記基板を部分的にだけ被覆することであって、前記電気化学的に活性なセルの少なくとも前記正の部分が、該基板から化学的に分離されることをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  108. ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成るいずれかの多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物から、前記基板の両側面上の前記副層を作製することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  109. 結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物から、前記副層を作製することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  110. 非晶質またはガラス状の材料の単相から、前記副層を作製することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  111. １００℃から前記基板の融点までの間の現場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）または現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）の温度プロセスによって、前記第一の障壁層および前記第二の障壁層を熱的に緩和することであって、該現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）温度プロセスは、該第一の障壁層および該第二の層の前記蒸着の後に、適用されることをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  112. 少なくとも１００Åのサイズを有する結晶を備える正極を提供するために、１００℃から前記基板の融点までの間の現場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）または現場外（ｅｘ−ｓｉｔｕ）の温度プロセスによって、前記電気化学的なセルの該正極を作製することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  113. 周囲環境からの少なくとも機械的および化学的要因に対して、前記電気化学的に活性なセルまたは前記電気化学的装置の各々を保護する保護カプセルまたは保護ケースを有する、該電気化学的に活性なセルまたは該電気化学的装置の各々を作製することをさらに含む、請求項９６に記載の方法。
  114. 前記電気化学的に活性なセルの各々の前記端子の少なくとも１つに対して、直接的な電気接触を可能にする、前記カプセルまたは前記ケース毎に少なくとも１つの開口を有する、該カプセルまたは該ケースを作製することをさらに含む、請求項１１３に記載の方法。
  115. 前記電気化学的に活性なセルにおいて電解質を提供することと、防湿層によって前記端子から該電解質を分離することとをさらに含む、請求項１１４に記載の方法。
  116. 湿気阻止特性を有し、
    ａ）金属、半金属、合金、ホウ化物、炭化物、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、ヨウ化物の群から、
    ｂ）ホウ化物、炭化物、ケイ化物、窒化物、リン化物、酸化物、フッ化物、塩化物、臭化物、およびヨウ化物から成る多元化合物の群から、または、
    ｃ）高温安定性有機ポリマーおよび高温安定性シリコンの群から
    選択される化合物を備える材料から、前記防湿層を作製することをさらに含む、請求項１１５に記載の方法。
  117. 結晶性、ナノ結晶性、非晶質、若しくはガラス状の材料の単相、またはその多相混合物若しくは合成物から、前記防湿層を作製することをさらに含む、請求項１１５に記載の方法。
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JP (1) JP5620060B2 (ja)
WO (1) WO2006138362A2 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530776A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 金属箔カプセル封入
JP2011510436A (ja) * 2008-01-11 2011-03-31 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化
JP2011108603A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Ulvac Japan Ltd 薄膜リチウム二次電池及び薄膜リチウム二次電池の形成方法
JP2011113976A (ja) * 2009-11-23 2011-06-09 Gsnanotech Co Ltd 向上した電流集電効率を有する薄膜電池
JP2013164971A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Sony Corp 二次電池、負極集電体、電子機器および電動車両
JP2015500560A (ja) * 2011-12-16 2015-01-05 ジーエス エナジー コーポレーション 基板表面処理を通じて電池性能が向上した薄膜電池及びその製造方法
JP2016507865A (ja) * 2012-12-31 2016-03-10 アイ テン 積層構造の全固体電池の製造方法
JP2016511929A (ja) * 2013-02-28 2016-04-21 アイ テン モノリシック全固体状態電池の製造プロセス
JP2016523441A (ja) * 2013-06-28 2016-08-08 グーグル インコーポレイテッド 固体電池のための基板
JP2017107867A (ja) * 2011-06-17 2017-06-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜電池のマスクレス製造

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8535396B2 (en) 2002-08-09 2013-09-17 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8404376B2 (en) * 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
GB2395059B (en) 2002-11-05 2005-03-16 Imp College Innovations Ltd Structured silicon anode
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
TWI331634B (en) 2004-12-08 2010-10-11 Infinite Power Solutions Inc Deposition of licoo2
GB0601319D0 (en) 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd A method of fabricating pillars composed of silicon-based material
GB0601318D0 (en) 2006-01-23 2006-03-01 Imp Innovations Ltd Method of etching a silicon-based material
WO2008015619A2 (en) * 2006-07-31 2008-02-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochemical energy source, and method for manufacturing such an electrochemical energy source
US8062708B2 (en) 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US8093698B2 (en) * 2006-12-05 2012-01-10 Spansion Llc Gettering/stop layer for prevention of reduction of insulating oxide in metal-insulator-metal device
FR2913011B1 (fr) * 2007-02-22 2010-03-12 Centre Nat Rech Scient Nouveaux materiaux comprenant des elements du groupe 14
KR100823198B1 (ko) * 2007-03-19 2008-04-18 삼성에스디아이 주식회사 전지용 전극 및 전지용 전극의 제조 방법
GB0709165D0 (en) 2007-05-11 2007-06-20 Nexeon Ltd A silicon anode for a rechargeable battery
ITMI20071148A1 (it) 2007-06-05 2008-12-06 Getters Spa Batterie ricaricabili al litio comprendenti mezzi in forma di foglio polimerico multistrato per l'assorbimento di sostanze nocive
ITMI20071147A1 (it) 2007-06-05 2008-12-06 Getters Spa Batterie ricaricabili al litio comprendenti mezzi per l'assorbimento di sostanze nocive
GB0713898D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB0713895D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Production
GB0713896D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd Method
US8790801B2 (en) * 2007-09-07 2014-07-29 Oerlikon Advanced Technologies Ag Integrated electrochemical and solar cell
US7626538B2 (en) * 2007-10-24 2009-12-01 Northrop Grumman Systems Corporation Augmented passive tracking of moving emitter
FR2925227B1 (fr) * 2007-12-12 2009-11-27 Commissariat Energie Atomique Dispositif electrochimique au lithium encaspule.
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
KR20100102180A (ko) * 2007-12-21 2010-09-20 인피니트 파워 솔루션스, 인크. 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법
EP2266183B1 (en) 2008-04-02 2018-12-12 Sapurast Research LLC Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting
US20090263708A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-22 Josh Bender System and method of integrated thermal management for a multi-cell battery pack
US20100136405A1 (en) * 2008-04-02 2010-06-03 Karl Johnson Battery pack with optimized mechanical, electrical, and thermal management
DE102008023571A1 (de) * 2008-05-03 2009-11-05 Varta Microbattery Gmbh Dünne Gehäusefolie für galvanische Elemente
EP2319101B1 (en) 2008-08-11 2015-11-04 Sapurast Research LLC Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
CN102150185B (zh) 2008-09-12 2014-05-28 无穷动力解决方案股份有限公司 具有经由电磁能进行数据通信的组成导电表面的能量装置及其方法
WO2010035195A1 (en) * 2008-09-29 2010-04-01 Nxp B.V. Solid state battery
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
GB2464158B (en) 2008-10-10 2011-04-20 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
GB2464157B (en) 2008-10-10 2010-09-01 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material
US8316976B2 (en) * 2008-11-20 2012-11-27 Mission Motor Company Frame for a ride-on vehicle having a plurality of battery packs
JP5540643B2 (ja) * 2009-02-03 2014-07-02 ソニー株式会社 薄膜固体リチウムイオン二次電池及びその製造方法
JP4835742B2 (ja) * 2009-02-20 2011-12-14 ソニー株式会社 電池および電池パック
US8703333B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-22 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Electrode compositions and processes
US8709659B2 (en) * 2009-02-27 2014-04-29 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Electrode composition with enhanced performance characteristics
GB2470056B (en) 2009-05-07 2013-09-11 Nexeon Ltd A method of making silicon anode material for rechargeable cells
GB2470190B (en) 2009-05-11 2011-07-13 Nexeon Ltd A binder for lithium ion rechargeable battery cells
US9853292B2 (en) 2009-05-11 2017-12-26 Nexeon Limited Electrode composition for a secondary battery cell
DE102009034532A1 (de) * 2009-07-23 2011-02-03 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat
KR101792287B1 (ko) 2009-09-01 2017-10-31 사푸라스트 리써치 엘엘씨 집적된 박막 배터리를 갖는 인쇄 회로 보드
US8269931B2 (en) * 2009-09-14 2012-09-18 The Aerospace Corporation Systems and methods for preparing films using sequential ion implantation, and films formed using same
GB201005979D0 (en) 2010-04-09 2010-05-26 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
US8312954B2 (en) 2010-04-22 2012-11-20 Mission Motor Company Frame for a two wheeled electric vehicle
JP5455766B2 (ja) 2010-04-23 2014-03-26 トヨタ自動車株式会社 複合正極活物質、全固体電池、および、それらの製造方法
US20110300432A1 (en) 2010-06-07 2011-12-08 Snyder Shawn W Rechargeable, High-Density Electrochemical Device
GB201009519D0 (en) 2010-06-07 2010-07-21 Nexeon Ltd An additive for lithium ion rechargeable battery cells
GB201014707D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Electroactive material
GB201014706D0 (en) 2010-09-03 2010-10-20 Nexeon Ltd Porous electroactive material
US8946864B2 (en) 2011-03-16 2015-02-03 The Aerospace Corporation Systems and methods for preparing films comprising metal using sequential ion implantation, and films formed using same
WO2012157119A1 (ja) * 2011-05-19 2012-11-22 トヨタ自動車株式会社 リチウム固体電池
EP2742524A4 (en) 2011-08-08 2015-07-15 Applied Materials Inc THIN-LAYER STRUCTURES AND DEVICES WITH INTEGRATED LIGHT AND HEAT LOCKING LAYERS FOR LASER PATTERN REALIZATION
US9105779B2 (en) 2011-09-26 2015-08-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a flexible photovoltaic film cell with an iron diffusion barrier layer
US20130106029A1 (en) 2011-10-27 2013-05-02 Infinite Power Solutions, Inc. Fabrication of High Energy Density Battery
US9324579B2 (en) 2013-03-14 2016-04-26 The Aerospace Corporation Metal structures and methods of using same for transporting or gettering materials disposed within semiconductor substrates
US9748582B2 (en) 2014-03-31 2017-08-29 X Development Llc Forming an interconnection for solid-state batteries
EP3327837A1 (en) * 2016-11-23 2018-05-30 Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt EMPA Li-ion based electrochemical energy storage cell
FR3062520B1 (fr) 2017-01-31 2019-03-29 Stmicroelectronics (Tours) Sas Batterie a contacts en face avant et en face arriere
US10896950B2 (en) 2017-02-27 2021-01-19 Nxp Usa, Inc. Method and apparatus for a thin film dielectric stack
FR3078200B1 (fr) * 2018-02-16 2020-03-20 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de fabrication d'une electrode positive pour microbatterie tout solide au lithium
US10923286B2 (en) 2018-02-21 2021-02-16 Nxp Usa, Inc. Method and apparatus for compensating for high thermal expansion coefficient mismatch of a stacked device
JP7032973B2 (ja) * 2018-03-29 2022-03-09 太陽誘電株式会社 全固体電池およびその製造方法
WO2019212521A1 (en) * 2018-04-30 2019-11-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Additive manufactured resistivity
DE102018206798A1 (de) * 2018-05-03 2019-11-07 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Fertigen einer Batteriezelle mit einer Sauerstoff-Diffusionsbarriereschicht
KR20200009177A (ko) * 2018-07-18 2020-01-30 현대자동차주식회사 운송 수단용 리튬 이온 전지 및 이의 제조 방법
WO2020037235A1 (en) * 2018-08-17 2020-02-20 The Trustees Of Dartmouth College Solar receiver, selectively absorbing material, and associated fabrication methods
US20210275699A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-09 Emil Vulcu Process and apparatus for killing skin or tissue surface bacteria
KR20220149828A (ko) 2021-04-30 2022-11-09 삼성전자주식회사 반도체 소자

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5912575A (ja) 1982-07-12 1984-01-23 Nippon Denso Co Ltd 有機電池
JPH10284130A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Nec Corp 半導体基板搭載型二次電池
US6280875B1 (en) * 1999-03-24 2001-08-28 Teledyne Technologies Incorporated Rechargeable battery structure with metal substrate
JP2001313237A (ja) * 2000-04-25 2001-11-09 Korea Advanced Inst Of Sci Technol 薄膜型スーパーコンデンサ及びその製造方法並びにそれを利用したハイブリッド電池
JP2003133420A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2003529895A (ja) * 1999-11-01 2003-10-07 ポリプラス バッテリー カンパニー 積層構造を有するリチウム電極
JP2004022250A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 全固体電池
JP2004146297A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電池
JP2004165098A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Sony Corp 負極および電池、並びにそれらのその製造方法
WO2005027245A2 (en) 2003-09-15 2005-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochemical energy source, electronic device and method of manufacturing said energy source
JP2007518246A (ja) * 2004-01-06 2007-07-05 シンベット コーポーレーション 境界を有する１若しくはそれ以上の層を備える層状のバリア構造及び該バリア構造の製造方法

Family Cites Families (642)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US712316A (en) 1899-10-26 1902-10-28 Francois Loppe Electric accumulator.
US2970180A (en) 1959-06-17 1961-01-31 Union Carbide Corp Alkaline deferred action cell
US3616403A (en) 1968-10-25 1971-10-26 Ibm Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz
US3797091A (en) 1972-05-15 1974-03-19 Du Pont Terminal applicator
US3850604A (en) 1972-12-11 1974-11-26 Gte Laboratories Inc Preparation of chalcogenide glass sputtering targets
US4111523A (en) 1973-07-23 1978-09-05 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Thin film optical waveguide
US3939008A (en) 1975-02-10 1976-02-17 Exxon Research And Engineering Company Use of perovskites and perovskite-related compounds as battery cathodes
US4127424A (en) 1976-12-06 1978-11-28 Ses, Incorporated Photovoltaic cell array
US4082569A (en) 1977-02-22 1978-04-04 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Solar cell collector
DE2849294C3 (de) 1977-11-22 1982-03-04 Asahi Kasei Kogyo K.K., Osaka Dünne Metall-Halogen-Zelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
IE49121B1 (en) 1978-12-11 1985-08-07 Triplex Safety Glass Co Producing glass sheets of required curved shape
US4318938A (en) 1979-05-29 1982-03-09 The University Of Delaware Method for the continuous manufacture of thin film solar cells
US4442144A (en) 1980-11-17 1984-04-10 International Business Machines Corporation Method for forming a coating on a substrate
US5055704A (en) 1984-07-23 1991-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with battery housing
US4664993A (en) 1981-08-24 1987-05-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
US4756717A (en) 1981-08-24 1988-07-12 Polaroid Corporation Laminar batteries and methods of making the same
JPS58216476A (ja) 1982-06-11 1983-12-16 Hitachi Ltd 光発電蓄電装置
JPS5950027A (ja) 1982-09-13 1984-03-22 Hitachi Ltd 二硫化チタン薄膜およびその形成法
US4518661A (en) 1982-09-28 1985-05-21 Rippere Ralph E Consolidation of wires by chemical deposition and products resulting therefrom
US4437966A (en) 1982-09-30 1984-03-20 Gte Products Corporation Sputtering cathode apparatus
JPS59217964A (ja) 1983-05-26 1984-12-08 Hitachi Ltd 薄膜電池の正極構造
JPS59227090A (ja) 1983-06-06 1984-12-20 Hitachi Ltd 不揮発性メモリ装置
DE3345659A1 (de) 1983-06-16 1984-12-20 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V., 3400 Göttingen Keramikkoerper aus zirkoniumdioxid (zro(pfeil abwaerts)2(pfeil abwaerts)) und verfahren zu seiner herstellung
DE3472398D1 (en) 1983-10-17 1988-08-04 Tosoh Corp High-strength zirconia type sintered body and process for preparation thereof
DE3417732A1 (de) 1984-05-12 1986-07-10 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens
GB8414878D0 (en) 1984-06-11 1984-07-18 Gen Electric Co Plc Integrated optical waveguides
JPH06101335B2 (ja) 1984-11-26 1994-12-12 株式会社日立製作所 全固体リチウム電池
US4785459A (en) 1985-05-01 1988-11-15 Baer Thomas M High efficiency mode matched solid state laser with transverse pumping
US4710940A (en) 1985-10-01 1987-12-01 California Institute Of Technology Method and apparatus for efficient operation of optically pumped laser
US5296089A (en) 1985-12-04 1994-03-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US5173271A (en) 1985-12-04 1992-12-22 Massachusetts Institute Of Technology Enhanced radiative zone-melting recrystallization method and apparatus
US4964877A (en) 1986-01-14 1990-10-23 Wilson Greatbatch Ltd. Non-aqueous lithium battery
US4668593A (en) 1986-08-29 1987-05-26 Eltron Research, Inc. Solvated electron lithium electrode for high energy density battery
US4977007A (en) 1986-09-19 1990-12-11 Matsushita Electrical Indust. Co. Solid electrochemical element and production process therefor
US4740431A (en) 1986-12-22 1988-04-26 Spice Corporation Integrated solar cell and battery
US4728588A (en) 1987-06-01 1988-03-01 The Dow Chemical Company Secondary battery
US4865428A (en) 1987-08-21 1989-09-12 Corrigan Dennis A Electrooptical device
JP2692816B2 (ja) 1987-11-13 1997-12-17 株式会社きもと 薄型一次電池
US4826743A (en) 1987-12-16 1989-05-02 General Motors Corporation Solid-state lithium battery
US4878094A (en) 1988-03-30 1989-10-31 Minko Balkanski Self-powered electronic component and manufacturing method therefor
US4915810A (en) 1988-04-25 1990-04-10 Unisys Corporation Target source for ion beam sputter deposition
US4903326A (en) 1988-04-27 1990-02-20 Motorola, Inc. Detachable battery pack with a built-in broadband antenna
US5096852A (en) 1988-06-02 1992-03-17 Burr-Brown Corporation Method of making plastic encapsulated multichip hybrid integrated circuits
US5403680A (en) 1988-08-30 1995-04-04 Osaka Gas Company, Ltd. Photolithographic and electron beam lithographic fabrication of micron and submicron three-dimensional arrays of electronically conductive polymers
FR2638764B1 (fr) 1988-11-04 1993-05-07 Centre Nat Rech Scient Element composite comportant une couche en chalcogenure ou oxychalcogenure de titane, utilisable en particulier comme electrode positive dans une cellule electrochimique en couches minces
JPH02133599A (ja) 1988-11-11 1990-05-22 Agency Of Ind Science & Technol 酸化イリジウム膜の製造方法
US5006737A (en) 1989-04-24 1991-04-09 Motorola Inc. Transformerless semiconductor AC switch having internal biasing means
US5100821A (en) 1989-04-24 1992-03-31 Motorola, Inc. Semiconductor AC switch
JP2808660B2 (ja) 1989-05-01 1998-10-08 ブラザー工業株式会社 薄膜電池内蔵プリント基板の製造方法
US5540742A (en) 1989-05-01 1996-07-30 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Method of fabricating thin film cells and printed circuit boards containing thin film cells using a screen printing process
US5217828A (en) 1989-05-01 1993-06-08 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Flexible thin film cell including packaging material
US5221891A (en) 1989-07-31 1993-06-22 Intermatic Incorporated Control circuit for a solar-powered rechargeable power source and load
US5119269A (en) 1989-08-23 1992-06-02 Seiko Epson Corporation Semiconductor with a battery unit
US5792550A (en) 1989-10-24 1998-08-11 Flex Products, Inc. Barrier film having high colorless transparency and method
JP2758948B2 (ja) 1989-12-15 1998-05-28 キヤノン株式会社 薄膜形成方法
DE4022090A1 (de) 1989-12-18 1991-06-20 Forschungszentrum Juelich Gmbh Elektro-optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
US5169408A (en) 1990-01-26 1992-12-08 Fsi International, Inc. Apparatus for wafer processing with in situ rinse
US5124782A (en) 1990-01-26 1992-06-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5196374A (en) 1990-01-26 1993-03-23 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with molded cell
US5252194A (en) 1990-01-26 1993-10-12 Varian Associates, Inc. Rotating sputtering apparatus for selected erosion
US5085904A (en) 1990-04-20 1992-02-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Barrier materials useful for packaging
US5306569A (en) 1990-06-15 1994-04-26 Hitachi Metals, Ltd. Titanium-tungsten target material and manufacturing method thereof
JP2755471B2 (ja) 1990-06-29 1998-05-20 日立電線株式会社 希土類元素添加光導波路及びその製造方法
US5645626A (en) 1990-08-10 1997-07-08 Bend Research, Inc. Composite hydrogen separation element and module
US5225288A (en) 1990-08-10 1993-07-06 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solvent blockers and multilayer barrier coatings for thin films
US5147985A (en) 1990-08-14 1992-09-15 The Scabbard Corporation Sheet batteries as substrate for electronic circuit
US5110694A (en) 1990-10-11 1992-05-05 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Secondary Li battery incorporating 12-Crown-4 ether
US5110696A (en) 1990-11-09 1992-05-05 Bell Communications Research Rechargeable lithiated thin film intercalation electrode battery
US5273608A (en) 1990-11-29 1993-12-28 United Solar Systems Corporation Method of encapsulating a photovoltaic device
US5493177A (en) 1990-12-03 1996-02-20 The Regents Of The University Of California Sealed micromachined vacuum and gas filled devices
US5057385A (en) 1990-12-14 1991-10-15 Hope Henry F Battery packaging construction
NL9002844A (nl) 1990-12-21 1992-07-16 Philips Nv Systeem omvattende een apparaat en een cassette, alsmede een apparaat en een cassette geschikt voor toepassing in een dergelijk systeem.
CA2056139C (en) 1991-01-31 2000-08-01 John C. Bailey Electrochromic thin film state-of-charge detector for on-the-cell application
US5227264A (en) 1991-02-14 1993-07-13 Hydro-Quebec Device for packaging a lithium battery
US6110531A (en) 1991-02-25 2000-08-29 Symetrix Corporation Method and apparatus for preparing integrated circuit thin films by chemical vapor deposition
US5180645A (en) 1991-03-01 1993-01-19 Motorola, Inc. Integral solid state embedded power supply
US5119460A (en) 1991-04-25 1992-06-02 At&T Bell Laboratories Erbium-doped planar optical device
US5200029A (en) 1991-04-25 1993-04-06 At&T Bell Laboratories Method of making a planar optical amplifier
US5107538A (en) 1991-06-06 1992-04-21 At&T Bell Laboratories Optical waveguide system comprising a rare-earth Si-based optical device
US5208121A (en) 1991-06-18 1993-05-04 Wisconsin Alumni Research Foundation Battery utilizing ceramic membranes
US5187564A (en) 1991-07-26 1993-02-16 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Application of laminated interconnect media between a laminated power source and semiconductor devices
US5153710A (en) 1991-07-26 1992-10-06 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with laminated backup cell
US5171413A (en) 1991-09-16 1992-12-15 Tufts University Methods for manufacturing solid state ionic devices
US5196041A (en) 1991-09-17 1993-03-23 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of forming an optical channel waveguide by gettering
US5355089A (en) 1992-07-22 1994-10-11 Duracell Inc. Moisture barrier for battery with electrochemical tester
JP2755844B2 (ja) 1991-09-30 1998-05-25 シャープ株式会社 プラスチック基板液晶表示素子
US5702829A (en) 1991-10-14 1997-12-30 Commissariat A L'energie Atomique Multilayer material, anti-erosion and anti-abrasion coating incorporating said multilayer material
DE69218587T2 (de) 1991-12-06 1997-08-14 Yuasa Battery Co Ltd Dünne batterie und monolitische dünne batterie
ES2103030T3 (es) 1991-12-11 1997-08-16 Mobil Oil Corp Pelicula de barrera de alta calidad.
US5287427A (en) 1992-05-05 1994-02-15 At&T Bell Laboratories Method of making an article comprising an optical component, and article comprising the component
US6144916A (en) 1992-05-15 2000-11-07 Micron Communications, Inc. Itinerary monitoring system for storing a plurality of itinerary data points
US5497140A (en) 1992-08-12 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
SE9201585L (sv) 1992-05-19 1993-11-01 Gustavsson Magnus Peter M Elektriskt uppvärmt plagg eller liknande
US6045652A (en) 1992-06-17 2000-04-04 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5779839A (en) 1992-06-17 1998-07-14 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
DE4319878A1 (de) 1992-06-17 1993-12-23 Micron Technology Inc Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) und Verfahren zu ihrer Herstellung
US5326652A (en) 1993-01-25 1994-07-05 Micron Semiconductor, Inc. Battery package and method using flexible polymer films having a deposited layer of an inorganic material
US6741178B1 (en) 1992-06-17 2004-05-25 Micron Technology, Inc Electrically powered postage stamp or mailing or shipping label operative with radio frequency (RF) communication
US5776278A (en) 1992-06-17 1998-07-07 Micron Communications, Inc. Method of manufacturing an enclosed transceiver
US5338625A (en) 1992-07-29 1994-08-16 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Thin film battery and method for making same
US7158031B2 (en) 1992-08-12 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Thin, flexible, RFID label and system for use
JP3214910B2 (ja) 1992-08-18 2001-10-02 富士通株式会社 平面導波路型光増幅器の製造方法
US5538796A (en) 1992-10-13 1996-07-23 General Electric Company Thermal barrier coating system having no bond coat
US5597661A (en) 1992-10-23 1997-01-28 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
JP3231900B2 (ja) 1992-10-28 2001-11-26 株式会社アルバック 成膜装置
US5326653A (en) 1992-10-29 1994-07-05 Valence Technology, Inc. Battery unit with reinforced current collector tabs and method of making a battery unit having strengthened current collector tabs
US5942089A (en) 1996-04-22 1999-08-24 Northwestern University Method for sputtering compounds on a substrate
JP3214107B2 (ja) 1992-11-09 2001-10-02 富士電機株式会社 電池搭載集積回路装置
JPH06158308A (ja) 1992-11-24 1994-06-07 Hitachi Metals Ltd インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法
US5279624A (en) 1992-11-27 1994-01-18 Gould Inc. Solder sealed solid electrolyte cell housed within a ceramic frame and the method for producing it
US5307240A (en) 1992-12-02 1994-04-26 Intel Corporation Chiplid, multichip semiconductor package design concept
US6022458A (en) 1992-12-07 2000-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Method of production of a semiconductor substrate
AU669754B2 (en) 1992-12-18 1996-06-20 Becton Dickinson & Company Barrier coating
US5303319A (en) 1992-12-28 1994-04-12 Honeywell Inc. Ion-beam deposited multilayer waveguides and resonators
SE500725C2 (sv) 1992-12-29 1994-08-15 Volvo Ab Anordning vid paneler för farkoster
US5718813A (en) 1992-12-30 1998-02-17 Advanced Energy Industries, Inc. Enhanced reactive DC sputtering system
US5427669A (en) 1992-12-30 1995-06-27 Advanced Energy Industries, Inc. Thin film DC plasma processing system
US5547780A (en) 1993-01-18 1996-08-20 Yuasa Corporation Battery precursor and a battery
US5300461A (en) 1993-01-25 1994-04-05 Intel Corporation Process for fabricating sealed semiconductor chip using silicon nitride passivation film
US5338624A (en) 1993-02-08 1994-08-16 Globe-Union Inc. Thermal management of rechargeable batteries
JPH06279185A (ja) 1993-03-25 1994-10-04 Canon Inc ダイヤモンド結晶およびダイヤモンド結晶膜の形成方法
US5613995A (en) 1993-04-23 1997-03-25 Lucent Technologies Inc. Method for making planar optical waveguides
US5665490A (en) 1993-06-03 1997-09-09 Showa Denko K.K. Solid polymer electrolyte, battery and solid-state electric double layer capacitor using the same as well as processes for the manufacture thereof
DE69426003T2 (de) 1993-07-28 2001-05-17 Asahi Glass Co Ltd Verfahren und Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung
US5499207A (en) 1993-08-06 1996-03-12 Hitachi, Ltd. Semiconductor memory device having improved isolation between electrodes, and process for fabricating the same
US5360686A (en) 1993-08-20 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
US5599355A (en) 1993-08-20 1997-02-04 Nagasubramanian; Ganesan Method for forming thin composite solid electrolyte film for lithium batteries
JP2642849B2 (ja) 1993-08-24 1997-08-20 株式会社フロンテック 薄膜の製造方法および製造装置
US5478456A (en) 1993-10-01 1995-12-26 Minnesota Mining And Manufacturing Company Sputtering target
DE69430230T2 (de) 1993-10-14 2002-10-31 Neuralsystems Corp Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallinen dünnen Films
US5314765A (en) 1993-10-14 1994-05-24 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Protective lithium ion conducting ceramic coating for lithium metal anodes and associate method
US5411537A (en) 1993-10-29 1995-05-02 Intermedics, Inc. Rechargeable biomedical battery powered devices with recharging and control system therefor
US5445856A (en) 1993-11-10 1995-08-29 Chaloner-Gill; Benjamin Protective multilayer laminate for covering an electrochemical device
US5512387A (en) 1993-11-19 1996-04-30 Ovonic Battery Company, Inc. Thin-film, solid state battery employing an electrically insulating, ion conducting electrolyte material
US5985485A (en) 1993-11-19 1999-11-16 Ovshinsky; Stanford R. Solid state battery having a disordered hydrogenated carbon negative electrode
US5738731A (en) 1993-11-19 1998-04-14 Mega Chips Corporation Photovoltaic device
US5433835B1 (en) 1993-11-24 1997-05-20 Applied Materials Inc Sputtering device and target with cover to hold cooling fluid
US5487822A (en) 1993-11-24 1996-01-30 Applied Materials, Inc. Integrated sputtering target assembly
US5387482A (en) 1993-11-26 1995-02-07 Motorola, Inc. Multilayered electrolyte and electrochemical cells used same
US5654984A (en) 1993-12-03 1997-08-05 Silicon Systems, Inc. Signal modulation across capacitors
US5419982A (en) 1993-12-06 1995-05-30 Valence Technology, Inc. Corner tab termination for flat-cell batteries
US5569520A (en) 1994-01-12 1996-10-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Rechargeable lithium battery for use in applications requiring a low to high power output
US5961672A (en) 1994-02-16 1999-10-05 Moltech Corporation Stabilized anode for lithium-polymer batteries
US5561004A (en) 1994-02-25 1996-10-01 Bates; John B. Packaging material for thin film lithium batteries
US5464706A (en) 1994-03-02 1995-11-07 Dasgupta; Sankar Current collector for lithium ion battery
US6408402B1 (en) 1994-03-22 2002-06-18 Hyperchip Inc. Efficient direct replacement cell fault tolerant architecture
US5475528A (en) 1994-03-25 1995-12-12 Corning Incorporated Optical signal amplifier glasses
US5470396A (en) 1994-04-12 1995-11-28 Amoco Corporation Solar cell module package and method for its preparation
US5805223A (en) 1994-05-25 1998-09-08 Canon Kk Image encoding apparatus having an intrapicture encoding mode and interpicture encoding mode
US5411592A (en) 1994-06-06 1995-05-02 Ovonic Battery Company, Inc. Apparatus for deposition of thin-film, solid state batteries
CA2169350A1 (en) 1994-06-13 1995-12-21 Mitsui Chemicals, Incorporated Lithium ionic conducting glass thin film and carbon dioxide sensor comprising the glass thin film
US5472795A (en) 1994-06-27 1995-12-05 Board Of Regents Of The University Of The University Of Wisconsin System, On Behalf Of The University Of Wisconsin-Milwaukee Multilayer nanolaminates containing polycrystalline zirconia
WO1996000996A1 (en) 1994-06-30 1996-01-11 The Whitaker Corporation Planar hybrid optical amplifier
US5457569A (en) 1994-06-30 1995-10-10 At&T Ipm Corp. Semiconductor amplifier or laser having integrated lens
JP3407409B2 (ja) 1994-07-27 2003-05-19 富士通株式会社 高誘電率薄膜の製造方法
US5504041A (en) 1994-08-01 1996-04-02 Texas Instruments Incorporated Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials
US6181283B1 (en) 1994-08-01 2001-01-30 Rangestar Wireless, Inc. Selectively removable combination battery and antenna assembly for a telecommunication device
US5445906A (en) 1994-08-03 1995-08-29 Martin Marietta Energy Systems, Inc. Method and system for constructing a rechargeable battery and battery structures formed with the method
US5458995A (en) 1994-08-12 1995-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Solid state electrochemical cell including lithium iodide as an electrolyte additive
US5483613A (en) 1994-08-16 1996-01-09 At&T Corp. Optical device with substrate and waveguide structure having thermal matching interfaces
US5909346A (en) 1994-08-26 1999-06-01 Aiwa Research & Development, Inc. Thin magnetic film including multiple geometry gap structures on a common substrate
US5498489A (en) 1995-04-14 1996-03-12 Dasgupta; Sankar Rechargeable non-aqueous lithium battery having stacked electrochemical cells
US5437692A (en) 1994-11-02 1995-08-01 Dasgupta; Sankar Method for forming an electrode-electrolyte assembly
JPH08148709A (ja) 1994-11-15 1996-06-07 Mitsubishi Electric Corp 薄型太陽電池の製造方法及び薄型太陽電池の製造装置
US7162392B2 (en) 1994-11-21 2007-01-09 Phatrat Technology, Inc. Sport performance systems for measuring athletic performance, and associated methods
US6025094A (en) 1994-11-23 2000-02-15 Polyplus Battery Company, Inc. Protective coatings for negative electrodes
CN1075243C (zh) 1994-12-28 2001-11-21 松下电器产业株式会社 集成电路用电容元件及其制造方法
US6204111B1 (en) 1994-12-28 2001-03-20 Matsushita Electronics Corporation Fabrication method of capacitor for integrated circuit
US5555342A (en) 1995-01-17 1996-09-10 Lucent Technologies Inc. Planar waveguide and a process for its fabrication
US5607789A (en) 1995-01-23 1997-03-04 Duracell Inc. Light transparent multilayer moisture barrier for electrochemical cell tester and cell employing same
US5755831A (en) 1995-02-22 1998-05-26 Micron Communications, Inc. Method of forming a button-type battery and a button-type battery with improved separator construction
US6444750B1 (en) 1995-03-06 2002-09-03 Exxonmobil Oil Corp. PVOH-based coating solutions
US5612153A (en) 1995-04-13 1997-03-18 Valence Technology, Inc. Battery mask from radiation curable and thermoplastic materials
ES2202439T3 (es) 1995-04-25 2004-04-01 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Sistema de pulverizacion que utiliza un magnetron cilindrico rotativo alimentado electricamente utilizando corriente alterna.
US5771562A (en) 1995-05-02 1998-06-30 Motorola, Inc. Passivation of organic devices
JP3827725B2 (ja) 1995-05-18 2006-09-27 旭硝子セラミックス株式会社 スパッタリング用ターゲットの製造方法
US5645960A (en) 1995-05-19 1997-07-08 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Thin film lithium polymer battery
US5601952A (en) 1995-05-24 1997-02-11 Dasgupta; Sankar Lithium-Manganese oxide electrode for a rechargeable lithium battery
US5758575A (en) 1995-06-07 1998-06-02 Bemis Company Inc. Apparatus for printing an electrical circuit component with print cells in liquid communication
US6265652B1 (en) 1995-06-15 2001-07-24 Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kabushiki Kaisha Integrated thin-film solar battery and method of manufacturing the same
KR100342189B1 (ko) 1995-07-12 2002-11-30 삼성전자 주식회사 휘발성복합체를사용한희토류원소첨가광섬유제조방법
US6459418B1 (en) 1995-07-20 2002-10-01 E Ink Corporation Displays combining active and non-active inks
US6639578B1 (en) 1995-07-20 2003-10-28 E Ink Corporation Flexible displays
US6118426A (en) 1995-07-20 2000-09-12 E Ink Corporation Transducers and indicators having printed displays
US5677784A (en) 1995-07-24 1997-10-14 Ellis D. Harris Sr. Family Trust Array of pellicle optical gates
ATE204029T1 (de) 1995-08-18 2001-08-15 Heraeus Gmbh W C Target für die kathodenzerstäubung und verfahren zur herstellung eines solchen targets
US5563979A (en) 1995-08-31 1996-10-08 Lucent Technologies Inc. Erbium-doped planar optical device
US5582935A (en) 1995-09-28 1996-12-10 Dasgupta; Sankar Composite electrode for a lithium battery
US5689522A (en) 1995-10-02 1997-11-18 The Regents Of The University Of California High efficiency 2 micrometer laser utilizing wing-pumped Tm3+ and a laser diode array end-pumping architecture
US5716736A (en) 1995-10-06 1998-02-10 Midwest Research Institute Solid lithium-ion electrolyte
US5616933A (en) 1995-10-16 1997-04-01 Sony Corporation Nitride encapsulated thin film transistor fabrication technique
US5719976A (en) 1995-10-24 1998-02-17 Lucent Technologies, Inc. Optimized waveguide structure
JP3298799B2 (ja) 1995-11-22 2002-07-08 ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド クラッディングポンプファイバとその製造方法
US5686360A (en) 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices
US5811177A (en) 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5644207A (en) 1995-12-11 1997-07-01 The Johns Hopkins University Integrated power source
US6608464B1 (en) 1995-12-11 2003-08-19 The Johns Hopkins University Integrated power source layered with thin film rechargeable batteries, charger, and charge-control
US5897522A (en) 1995-12-20 1999-04-27 Power Paper Ltd. Flexible thin layer open electrochemical cell and applications of same
US5955161A (en) 1996-01-30 1999-09-21 Becton Dickinson And Company Blood collection tube assembly
US5637418A (en) 1996-02-08 1997-06-10 Motorola, Inc. Package for a flat electrochemical device
US5721067A (en) 1996-02-22 1998-02-24 Jacobs; James K. Rechargeable lithium battery having improved reversible capacity
US5845990A (en) 1996-03-11 1998-12-08 Hilite Systems, L.L.C. High signal lights for automotive vehicles
US5930584A (en) 1996-04-10 1999-07-27 United Microelectronics Corp. Process for fabricating low leakage current electrode for LPCVD titanium oxide films
JPH1010675A (ja) 1996-04-22 1998-01-16 Fuji Photo Film Co Ltd 記録材料
JP3346167B2 (ja) 1996-05-27 2002-11-18 三菱マテリアル株式会社 高強度誘電体スパッタリングターゲットおよびその製造方法並びに膜
JP3862760B2 (ja) 1996-06-12 2006-12-27 トレスパファン、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング 低い薄膜干渉を示す透明なバリヤコーティング
EP0814529A1 (fr) 1996-06-19 1997-12-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Carte mince comprenant un accumulateur plat et des contacts
US5948464A (en) 1996-06-19 1999-09-07 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US5731661A (en) 1996-07-15 1998-03-24 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
US5855744A (en) 1996-07-19 1999-01-05 Applied Komatsu Technology, Inc. Non-planar magnet tracking during magnetron sputtering
US5693956A (en) 1996-07-29 1997-12-02 Motorola Inverted oleds on hard plastic substrate
JP3825843B2 (ja) 1996-09-12 2006-09-27 キヤノン株式会社 太陽電池モジュール
KR20000049093A (ko) 1996-10-11 2000-07-25 자르밀라 제트. 흐르벡 배터리용 중합체 전해질, 인터칼레이션 화합물 및 전극
US6007945A (en) 1996-10-15 1999-12-28 Electrofuel Inc. Negative electrode for a rechargeable lithium battery comprising a solid solution of titanium dioxide and tin dioxide
JP3631341B2 (ja) 1996-10-18 2005-03-23 Ｔｄｋ株式会社 積層型複合機能素子およびその製造方法
US5841931A (en) 1996-11-26 1998-11-24 Massachusetts Institute Of Technology Methods of forming polycrystalline semiconductor waveguides for optoelectronic integrated circuits, and devices formed thereby
US5783333A (en) 1996-11-27 1998-07-21 Polystor Corporation Lithium nickel cobalt oxides for positive electrodes
WO1998026429A1 (en) 1996-12-11 1998-06-18 Tonen Chemical Corporation Thin aprotic electrolyte film, immobilized liquid film conductor, and polymer cell
US6144795A (en) 1996-12-13 2000-11-07 Corning Incorporated Hybrid organic-inorganic planar optical waveguide device
US5842118A (en) 1996-12-18 1998-11-24 Micron Communications, Inc. Communication system including diversity antenna queuing
US6289209B1 (en) 1996-12-18 2001-09-11 Micron Technology, Inc. Wireless communication system, radio frequency communications system, wireless communications method, radio frequency communications method
JPH10195649A (ja) 1996-12-27 1998-07-28 Sony Corp マグネトロンスパッタ装置および半導体装置の製造方法
US5705293A (en) 1997-01-09 1998-01-06 Lockheed Martin Energy Research Corporation Solid state thin film battery having a high temperature lithium alloy anode
US5882812A (en) 1997-01-14 1999-03-16 Polyplus Battery Company, Inc. Overcharge protection systems for rechargeable batteries
US5790489A (en) 1997-01-21 1998-08-04 Dell Usa, L.P. Smart compact disk including a processor and a transmission element
US5944964A (en) 1997-02-13 1999-08-31 Optical Coating Laboratory, Inc. Methods and apparatus for preparing low net stress multilayer thin film coatings
JPH10229201A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Sony Corp 薄膜半導体装置の製造方法
JP3345878B2 (ja) 1997-02-17 2002-11-18 株式会社デンソー 電子回路装置の製造方法
US5847865A (en) 1997-02-18 1998-12-08 Regents Of The University Of Minnesota Waveguide optical amplifier
US5970393A (en) 1997-02-25 1999-10-19 Polytechnic University Integrated micro-strip antenna apparatus and a system utilizing the same for wireless communications for sensing and actuation purposes
JP3767151B2 (ja) 1997-02-26 2006-04-19 ソニー株式会社 薄型電池
JPH10302843A (ja) 1997-02-28 1998-11-13 Mitsubishi Electric Corp 電池用接着剤及びそれを用いた電池とその製造法
JP3098204B2 (ja) 1997-03-07 2000-10-16 ティーディーケイ株式会社 光磁気記録用合金ターゲット、その製造方法およびその再生方法
US5952778A (en) 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JPH10265948A (ja) 1997-03-25 1998-10-06 Rohm Co Ltd 半導体装置用基板およびその製法
ATE199196T1 (de) 1997-03-27 2001-02-15 Tno Erbiumdotierter planarer wellenleiter
US6106933A (en) 1997-04-03 2000-08-22 Toray Industries, Inc. Transparent gas barrier biaxially oriented polypropylene film, a laminate film, and a production method thereof
US6242132B1 (en) 1997-04-16 2001-06-05 Ut-Battelle, Llc Silicon-tin oxynitride glassy composition and use as anode for lithium-ion battery
US5948215A (en) 1997-04-21 1999-09-07 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for ionized sputtering
DE69802134T2 (de) 1997-04-23 2002-03-07 Hydro Quebec Dünnschicht Feststoff Lithiumzellen und Verfahren zur Herstellung
US6422698B2 (en) 1997-04-28 2002-07-23 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US6394598B1 (en) 1997-04-28 2002-05-28 Binney & Smith Inc. Ink jet marker
US5882721A (en) 1997-05-01 1999-03-16 Imra America Inc Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6329213B1 (en) 1997-05-01 2001-12-11 Micron Technology, Inc. Methods for forming integrated circuits within substrates
JP3290375B2 (ja) 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
JP4326041B2 (ja) 1997-05-15 2009-09-02 エフエムシー・コーポレイション ドープされた層間化合物およびその作製方法
US5895731A (en) 1997-05-15 1999-04-20 Nelson E. Smith Thin-film lithium battery and process
US5830330A (en) 1997-05-22 1998-11-03 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for low pressure sputtering
US6000603A (en) 1997-05-23 1999-12-14 3M Innovative Properties Company Patterned array of metal balls and methods of making
US5977582A (en) 1997-05-23 1999-11-02 Lucent Technologies Inc. Capacitor comprising improved TaOx -based dielectric
US6316563B2 (en) 1997-05-27 2001-11-13 Showa Denko K.K. Thermopolymerizable composition and use thereof
US6077106A (en) 1997-06-05 2000-06-20 Micron Communications, Inc. Thin profile battery mounting contact for printed circuit boards
KR19990007150A (ko) 1997-06-20 1999-01-25 이데이 노부유끼 전지
US5865860A (en) 1997-06-20 1999-02-02 Imra America, Inc. Process for filling electrochemical cells with electrolyte
US6051114A (en) 1997-06-23 2000-04-18 Applied Materials, Inc. Use of pulsed-DC wafer bias for filling vias/trenches with metal in HDP physical vapor deposition
US5831262A (en) 1997-06-27 1998-11-03 Lucent Technologies Inc. Article comprising an optical fiber attached to a micromechanical device
JP3813740B2 (ja) 1997-07-11 2006-08-23 Ｔｄｋ株式会社 電子デバイス用基板
US5982144A (en) 1997-07-14 1999-11-09 Johnson Research & Development Company, Inc. Rechargeable battery power supply overcharge protection circuit
JP3335884B2 (ja) 1997-07-16 2002-10-21 株式会社荏原製作所 腐食・防食解析方法
US5973913A (en) 1997-08-12 1999-10-26 Covalent Associates, Inc. Nonaqueous electrical storage device
KR100250855B1 (ko) 1997-08-28 2000-04-01 손욱 하이브리드 폴리머 전해질, 그 제조 방법 및 이를 사용하여제조한 리튬 전지
US6252564B1 (en) 1997-08-28 2001-06-26 E Ink Corporation Tiled displays
JPH11111273A (ja) 1997-09-29 1999-04-23 Furukawa Battery Co Ltd:The リチウム二次電池用極板の製造法及びリチウム二次電池
US5916704A (en) 1997-10-10 1999-06-29 Ultralife Batteries Low pressure battery vent
DE69840914D1 (de) 1997-10-14 2009-07-30 Patterning Technologies Ltd Methode zur Herstellung eines elektrischen Kondensators
US6094292A (en) 1997-10-15 2000-07-25 Trustees Of Tufts College Electrochromic window with high reflectivity modulation
US6982132B1 (en) 1997-10-15 2006-01-03 Trustees Of Tufts College Rechargeable thin film battery and method for making the same
US5985484A (en) 1997-10-20 1999-11-16 Amtek Research International Llc Battery separation
US6084285A (en) 1997-10-20 2000-07-04 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Lateral flux capacitor having fractal-shaped perimeters
WO1999021128A1 (en) 1997-10-22 1999-04-29 Cambridge Consultants Limited Portable ic card
US5948562A (en) 1997-11-03 1999-09-07 Motorola, Inc. Energy storage device
US6041734A (en) 1997-12-01 2000-03-28 Applied Materials, Inc. Use of an asymmetric waveform to control ion bombardment during substrate processing
US6052397A (en) 1997-12-05 2000-04-18 Sdl, Inc. Laser diode device having a substantially circular light output beam and a method of forming a tapered section in a semiconductor device to provide for a reproducible mode profile of the output beam
US5976327A (en) 1997-12-12 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation
US6042965A (en) 1997-12-12 2000-03-28 Johnson Research & Development Company, Inc. Unitary separator and electrode structure and method of manufacturing separator
US6120890A (en) 1997-12-12 2000-09-19 Seagate Technology, Inc. Magnetic thin film medium comprising amorphous sealing layer for reduced lithium migration
US6045942A (en) 1997-12-15 2000-04-04 Avery Dennison Corporation Low profile battery and method of making same
US6019284A (en) 1998-01-27 2000-02-01 Viztec Inc. Flexible chip card with display
US6137671A (en) 1998-01-29 2000-10-24 Energenius, Inc. Embedded energy storage device
US6391166B1 (en) 1998-02-12 2002-05-21 Acm Research, Inc. Plating apparatus and method
US6402795B1 (en) 1998-02-18 2002-06-11 Polyplus Battery Company, Inc. Plating metal negative electrodes under protective coatings
US6753108B1 (en) 1998-02-24 2004-06-22 Superior Micropowders, Llc Energy devices and methods for the fabrication of energy devices
US6223317B1 (en) 1998-02-28 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Bit synchronizers and methods of synchronizing and calculating error
US6080508A (en) 1998-03-06 2000-06-27 Electrofuel Inc. Packaging assembly for a lithium battery
US6610440B1 (en) 1998-03-10 2003-08-26 Bipolar Technologies, Inc Microscopic batteries for MEMS systems
US6004660A (en) 1998-03-12 1999-12-21 E.I. Du Pont De Nemours And Company Oxygen barrier composite film structure
US5889383A (en) 1998-04-03 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for charging batteries with ambient acoustic energy
GB9808061D0 (en) 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
US6563998B1 (en) 1999-04-15 2003-05-13 John Farah Polished polymide substrate
US6753114B2 (en) 1998-04-20 2004-06-22 Electrovaya Inc. Composite electrolyte for a rechargeable lithium battery
US6175075B1 (en) 1998-04-21 2001-01-16 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell module excelling in reliability
US6169474B1 (en) 1998-04-23 2001-01-02 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6459726B1 (en) 1998-04-24 2002-10-01 Micron Technology, Inc. Backscatter interrogators, communication systems and backscatter communication methods
US6324211B1 (en) 1998-04-24 2001-11-27 Micron Technology, Inc. Interrogators communication systems communication methods and methods of processing a communication signal
US6905578B1 (en) 1998-04-27 2005-06-14 Cvc Products, Inc. Apparatus and method for multi-target physical-vapor deposition of a multi-layer material structure
US6214061B1 (en) 1998-05-01 2001-04-10 Polyplus Battery Company, Inc. Method for forming encapsulated lithium electrodes having glass protective layers
US6420961B1 (en) 1998-05-14 2002-07-16 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interfacing devices, communication methods, methods of interfacing with an interrogator, and methods of operating an interrogator
US6075973A (en) 1998-05-18 2000-06-13 Micron Technology, Inc. Method of communications in a backscatter system, interrogator, and backscatter communications system
US6115616A (en) 1998-05-28 2000-09-05 International Business Machines Corporation Hand held telephone set with separable keyboard
JP3126698B2 (ja) 1998-06-02 2001-01-22 富士通株式会社 スパッタ成膜方法、スパッタ成膜装置及び半導体装置の製造方法
US6093944A (en) 1998-06-04 2000-07-25 Lucent Technologies Inc. Dielectric materials of amorphous compositions of TI-O2 doped with rare earth elements and devices employing same
US7854684B1 (en) 1998-06-24 2010-12-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Wearable device
KR100287176B1 (ko) 1998-06-25 2001-04-16 윤종용 고온산화를이용한반도체소자의커패시터형성방법
US6058233A (en) 1998-06-30 2000-05-02 Lucent Technologies Inc. Waveguide array with improved efficiency for wavelength routers and star couplers in integrated optics
GB9814123D0 (en) 1998-07-01 1998-08-26 British Gas Plc Electrochemical fuel cell
EP0969521A1 (de) 1998-07-03 2000-01-05 ISOVOLTAÖsterreichische IsolierstoffwerkeAktiengesellschaft Fotovoltaischer Modul sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung
DE19831719A1 (de) 1998-07-15 2000-01-20 Alcatel Sa Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur
US6358810B1 (en) 1998-07-28 2002-03-19 Applied Materials, Inc. Method for superior step coverage and interface control for high K dielectric capacitors and related electrodes
US6146225A (en) 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US6129277A (en) 1998-08-03 2000-10-10 Privicon, Inc. Card reader for transmission of data by sound
US6579728B2 (en) 1998-08-03 2003-06-17 Privicom, Inc. Fabrication of a high resolution, low profile credit card reader and card reader for transmission of data by sound
US6160373A (en) 1998-08-10 2000-12-12 Dunn; James P. Battery operated cableless external starting device and methods
KR100305903B1 (ko) 1998-08-21 2001-12-17 박호군 수직으로통합연결된박막형전지를구비하는전기및전자소자와그제작방법
JP2000067852A (ja) 1998-08-21 2000-03-03 Pioneer Electronic Corp リチウム二次電池
JP3386756B2 (ja) 1998-08-31 2003-03-17 松下電池工業株式会社 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US6210832B1 (en) 1998-09-01 2001-04-03 Polyplus Battery Company, Inc. Mixed ionic electronic conductor coatings for redox electrodes
US6192222B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Backscatter communication systems, interrogators, methods of communicating in a backscatter system, and backscatter communication methods
JP4014737B2 (ja) 1998-09-17 2007-11-28 昭和電工株式会社 熱重合性組成物及びその用途
US6236793B1 (en) 1998-09-23 2001-05-22 Molecular Optoelectronics Corporation Optical channel waveguide amplifier
US6159635A (en) 1998-09-29 2000-12-12 Electrofuel Inc. Composite electrode including current collector
US7323634B2 (en) 1998-10-14 2008-01-29 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
KR100282487B1 (ko) 1998-10-19 2001-02-15 윤종용 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법
US6605228B1 (en) 1998-10-19 2003-08-12 Nhk Spring Co., Ltd. Method for fabricating planar optical waveguide devices
JP4126711B2 (ja) 1998-10-23 2008-07-30 ソニー株式会社 非水電解質電池
JP3830008B2 (ja) 1998-10-30 2006-10-04 ソニー株式会社 非水電解質電池
US6157765A (en) 1998-11-03 2000-12-05 Lucent Technologies Planar waveguide optical amplifier
KR100280705B1 (ko) 1998-11-05 2001-03-02 김순택 리튬 이온 폴리머 전지용 전극 활물질 조성물 및 이를 이용한리튬 이온 폴리머 전지용 전극판의 제조방법
CN1330019C (zh) 1998-11-06 2007-08-01 株式会社杰士汤浅 非水二次电解质电池
EP1001666B1 (en) 1998-11-09 2006-07-12 Ballard Power Systems Inc. Electrical contacting device for an electrochemical fuel cell
US6117279A (en) 1998-11-12 2000-09-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for increasing the metal ion fraction in ionized physical vapor deposition
US6384573B1 (en) 1998-11-12 2002-05-07 James Dunn Compact lightweight auxiliary multifunctional reserve battery engine starting system (and methods)
CA2319460C (en) 1998-12-03 2010-02-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Lithium storage battery
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
EP1145338B1 (en) 1998-12-16 2012-12-05 Samsung Display Co., Ltd. Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
JP2000188099A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Mitsubishi Chemicals Corp 薄膜型電池の製造方法
GB9900396D0 (en) 1999-01-08 1999-02-24 Danionics As Arrangements of electrochemical cells
US6599662B1 (en) 1999-01-08 2003-07-29 Massachusetts Institute Of Technology Electroactive material for secondary batteries and methods of preparation
JP4074418B2 (ja) 1999-01-11 2008-04-09 三菱化学株式会社 薄膜型リチウム二次電池
US6379835B1 (en) 1999-01-12 2002-04-30 Morgan Adhesives Company Method of making a thin film battery
US6290822B1 (en) 1999-01-26 2001-09-18 Agere Systems Guardian Corp. Sputtering method for forming dielectric films
US6302939B1 (en) 1999-02-01 2001-10-16 Magnequench International, Inc. Rare earth permanent magnet and method for making same
US6306265B1 (en) 1999-02-12 2001-10-23 Applied Materials, Inc. High-density plasma for ionized metal deposition capable of exciting a plasma wave
DE60044384D1 (de) 1999-02-25 2010-06-24 Kaneka Corp Photoelektrische Dünnschicht-Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zur Abscheidung durch Zerstäubung
US6210544B1 (en) 1999-03-08 2001-04-03 Alps Electric Co., Ltd. Magnetic film forming method
US6356764B1 (en) 1999-03-09 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Wireless communication systems, interrogators and methods of communicating within a wireless communication system
US6603391B1 (en) 1999-03-09 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator
US6277520B1 (en) 1999-03-19 2001-08-21 Ntk Powerdex, Inc. Thin lithium battery with slurry cathode
DE69907866T2 (de) 1999-03-25 2004-03-11 Kaneka Corp. Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen-Modulen
US6160215A (en) 1999-03-26 2000-12-12 Curtin; Lawrence F. Method of making photovoltaic device
US6148503A (en) 1999-03-31 2000-11-21 Imra America, Inc. Process of manufacturing porous separator for electrochemical power supply
US6242129B1 (en) 1999-04-02 2001-06-05 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6168884B1 (en) 1999-04-02 2001-01-02 Lockheed Martin Energy Research Corporation Battery with an in-situ activation plated lithium anode
US6398824B1 (en) 1999-04-02 2002-06-04 Excellatron Solid State, Llc Method for manufacturing a thin-film lithium battery by direct deposition of battery components on opposite sides of a current collector
US6855441B1 (en) 1999-04-14 2005-02-15 Power Paper Ltd. Functionally improved battery and method of making same
CA2366540A1 (en) 1999-04-14 2000-10-19 Baruch Levanon Functionally improved battery and method of making same
US6416598B1 (en) 1999-04-20 2002-07-09 Reynolds Metals Company Free machining aluminum alloy with high melting point machining constituent and method of use
KR100296741B1 (ko) 1999-05-11 2001-07-12 박호군 트렌치 구조를 갖는 전지 및 그 제조방법
US6281142B1 (en) 1999-06-04 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Dielectric cure for reducing oxygen vacancies
JP3736205B2 (ja) 1999-06-04 2006-01-18 三菱電機株式会社 バッテリ蓄電装置
US6046081A (en) 1999-06-10 2000-04-04 United Microelectronics Corp. Method for forming dielectric layer of capacitor
US6133670A (en) 1999-06-24 2000-10-17 Sandia Corporation Compact electrostatic comb actuator
US6413676B1 (en) 1999-06-28 2002-07-02 Lithium Power Technologies, Inc. Lithium ion polymer electrolytes
JP2001020065A (ja) 1999-07-07 2001-01-23 Hitachi Metals Ltd スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料
JP2001021744A (ja) 1999-07-07 2001-01-26 Shin Etsu Chem Co Ltd 光導波路基板の製造方法
JP2001025666A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Nippon Sheet Glass Co Ltd 積層体およびその製造方法
US6290821B1 (en) 1999-07-15 2001-09-18 Seagate Technology Llc Sputter deposition utilizing pulsed cathode and substrate bias power
KR100456647B1 (ko) 1999-08-05 2004-11-10 에스케이씨 주식회사 리튬 이온 폴리머 전지
US6249222B1 (en) 1999-08-17 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating color based alerting signals
US6344795B1 (en) 1999-08-17 2002-02-05 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for generating temperature based alerting signals
US6356230B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of monitoring movement of a radio frequency identification device, methods of monitoring movement of a remote communication device and movement monitoring methods
US6414626B1 (en) 1999-08-20 2002-07-02 Micron Technology, Inc. Interrogators, wireless communication systems, methods of operating an interrogator, methods of operating a wireless communication system, and methods of determining range of a remote communication device
US6537428B1 (en) 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6664006B1 (en) 1999-09-02 2003-12-16 Lithium Power Technologies, Inc. All-solid-state electrochemical device and method of manufacturing
US6645675B1 (en) 1999-09-02 2003-11-11 Lithium Power Technologies, Inc. Solid polymer electrolytes
US6392565B1 (en) 1999-09-10 2002-05-21 Eworldtrack, Inc. Automobile tracking and anti-theft system
US6528212B1 (en) 1999-09-13 2003-03-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Lithium battery
US6344366B1 (en) 1999-09-15 2002-02-05 Lockheed Martin Energy Research Corporation Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing
US6296949B1 (en) 1999-09-16 2001-10-02 Ga-Tek Inc. Copper coated polyimide with metallic protective layer
JP4240679B2 (ja) 1999-09-21 2009-03-18 ソニー株式会社 スパッタリング用ターゲットの製造方法
US6296967B1 (en) 1999-09-24 2001-10-02 Electrofuel Inc. Lithium battery structure incorporating lithium pouch cells
TW457767B (en) 1999-09-27 2001-10-01 Matsushita Electric Works Ltd Photo response semiconductor switch having short circuit load protection
US6368275B1 (en) 1999-10-07 2002-04-09 Acuson Corporation Method and apparatus for diagnostic medical information gathering, hyperthermia treatment, or directed gene therapy
DE19948839A1 (de) 1999-10-11 2001-04-12 Bps Alzenau Gmbh Leitende transparente Schichten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6500287B1 (en) 1999-10-14 2002-12-31 Forskarpatent I Uppsala Ab Color-modifying treatment of thin films
US20070196682A1 (en) 1999-10-25 2007-08-23 Visser Robert J Three dimensional multilayer barrier and method of making
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6623861B2 (en) 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6413645B1 (en) 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6413284B1 (en) 1999-11-01 2002-07-02 Polyplus Battery Company Encapsulated lithium alloy electrodes having barrier layers
US6271793B1 (en) 1999-11-05 2001-08-07 International Business Machines Corporation Radio frequency (RF) transponder (Tag) with composite antenna
CN1258830C (zh) 1999-11-11 2006-06-07 皇家菲利浦电子有限公司 含凝胶电解质的锂电池
JP3999424B2 (ja) 1999-11-16 2007-10-31 ローム株式会社 端子基板、端子基板を備えた電池パック、および端子基板の製造方法
US6797428B1 (en) 1999-11-23 2004-09-28 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US7247408B2 (en) 1999-11-23 2007-07-24 Sion Power Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6582481B1 (en) 1999-11-23 2003-06-24 Johnson Research & Development Company, Inc. Method of producing lithium base cathodes
US6511516B1 (en) 2000-02-23 2003-01-28 Johnson Research & Development Co., Inc. Method and apparatus for producing lithium based cathodes
US6733924B1 (en) 1999-11-23 2004-05-11 Moltech Corporation Lithium anodes for electrochemical cells
US6350353B2 (en) 1999-11-24 2002-02-26 Applied Materials, Inc. Alternate steps of IMP and sputtering process to improve sidewall coverage
US6426863B1 (en) 1999-11-25 2002-07-30 Lithium Power Technologies, Inc. Electrochemical capacitor
US6294288B1 (en) 1999-12-01 2001-09-25 Valence Technology, Inc. Battery cell having notched layers
EP1234199A1 (en) 1999-12-02 2002-08-28 Gemfire Corporation Photodefinition of optical devices
US6344419B1 (en) 1999-12-03 2002-02-05 Applied Materials, Inc. Pulsed-mode RF bias for sidewall coverage improvement
JP2001176464A (ja) 1999-12-17 2001-06-29 Sumitomo Electric Ind Ltd 非水電解質電池
US6426163B1 (en) 1999-12-21 2002-07-30 Alcatel Electrochemical cell
US6534809B2 (en) 1999-12-22 2003-03-18 Agilent Technologies, Inc. Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks
US6576546B2 (en) 1999-12-22 2003-06-10 Texas Instruments Incorporated Method of enhancing adhesion of a conductive barrier layer to an underlying conductive plug and contact for ferroelectric applications
CN1307376A (zh) 2000-01-27 2001-08-08 钟馨稼 一种可反复充放电的铬氟锂固体动力电池
US6372383B1 (en) 2000-01-31 2002-04-16 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Method for preparing electrodes for Ni/Metal hydride secondary cells using Cu
US6627056B2 (en) 2000-02-16 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for ionized plasma deposition
TW523615B (en) 2000-02-17 2003-03-11 L3 Optics Inc Guided wave optical switch based on an active semiconductor amplifier and a passive optical component
DE60133453T2 (de) 2000-02-18 2009-05-07 Cypak Ab Verfahren und vorrichtung zur identifizierung und authentisierung
WO2001065615A2 (en) 2000-02-23 2001-09-07 Sri International Biologically powered electroactive polymer generators
TW584905B (en) 2000-02-25 2004-04-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for depositing films
US6410471B2 (en) 2000-03-07 2002-06-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for preparation of sintered body of rare earth oxide
SK12902002A3 (sk) 2000-03-09 2003-05-02 ISOVOLTA �sterreichische Isolierstoffwerke Aktiengesellschaft Spôsob výroby tenkovrstvového fotovoltaického modulu
JP2001259494A (ja) 2000-03-17 2001-09-25 Matsushita Battery Industrial Co Ltd 薄膜形成方法
AU2001247790A1 (en) 2000-03-24 2001-10-08 Cymbet Corporation Battery-operated wireless-communication apparatus and method
US6387563B1 (en) 2000-03-28 2002-05-14 Johnson Research & Development, Inc. Method of producing a thin film battery having a protective packaging
JP4106644B2 (ja) 2000-04-04 2008-06-25 ソニー株式会社 電池およびその製造方法
US6423106B1 (en) 2000-04-05 2002-07-23 Johnson Research & Development Method of producing a thin film battery anode
US6709778B2 (en) 2000-04-10 2004-03-23 Johnson Electro Mechanical Systems, Llc Electrochemical conversion system
GB2361244B (en) 2000-04-14 2004-02-11 Trikon Holdings Ltd A method of depositing dielectric
US6365319B1 (en) 2000-04-20 2002-04-02 Eastman Kodak Company Self-contained imaging media comprising opaque laminated support
US20010052752A1 (en) 2000-04-25 2001-12-20 Ghosh Amalkumar P. Thin film encapsulation of organic light emitting diode devices
KR100341407B1 (ko) 2000-05-01 2002-06-22 윤덕용 플라즈마 처리에 의한 리튬전이금속 산화물 박막의 결정화방법
US6433465B1 (en) 2000-05-02 2002-08-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Energy-harvesting device using electrostrictive polymers
US6423776B1 (en) 2000-05-02 2002-07-23 Honeywell International Inc. Oxygen scavenging high barrier polyamide compositions for packaging applications
US6760520B1 (en) 2000-05-09 2004-07-06 Teralux Corporation System and method for passively aligning and coupling optical devices
US6261917B1 (en) 2000-05-09 2001-07-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. High-K MOM capacitor
US6384473B1 (en) 2000-05-16 2002-05-07 Sandia Corporation Microelectronic device package with an integral window
JP4432206B2 (ja) 2000-05-18 2010-03-17 株式会社ブリヂストン 積層膜の形成方法
US6436156B1 (en) 2000-05-25 2002-08-20 The Gillette Company Zinc/air cell
EP1160900A3 (en) 2000-05-26 2007-12-12 Kabushiki Kaisha Riken Embossed current collector separator for electrochemical fuel cell
US6284406B1 (en) 2000-06-09 2001-09-04 Ntk Powerdex, Inc. IC card with thin battery
US6524750B1 (en) 2000-06-17 2003-02-25 Eveready Battery Company, Inc. Doped titanium oxide additives
US6432577B1 (en) 2000-06-29 2002-08-13 Sandia Corporation Apparatus and method for fabricating a microbattery
JP2002026173A (ja) 2000-07-10 2002-01-25 Fuji Photo Film Co Ltd Ｉｃ装置、基板、およびｉｃ組付基板
US20040247921A1 (en) 2000-07-18 2004-12-09 Dodsworth Robert S. Etched dielectric film in hard disk drives
US6524466B1 (en) 2000-07-18 2003-02-25 Applied Semiconductor, Inc. Method and system of preventing fouling and corrosion of biomedical devices and structures
JP3608507B2 (ja) 2000-07-19 2005-01-12 住友電気工業株式会社 アルカリ金属薄膜部材の製造方法
KR100336407B1 (ko) 2000-07-19 2002-05-10 박호군 박막 전지를 위한 전해질용 리튬인산염 스퍼터링 타겟제조방법
US6506289B2 (en) 2000-08-07 2003-01-14 Symmorphix, Inc. Planar optical devices and methods for their manufacture
US6402796B1 (en) 2000-08-07 2002-06-11 Excellatron Solid State, Llc Method of producing a thin film battery
WO2002049405A2 (en) 2000-08-15 2002-06-20 World Properties, Inc. Multi-layer circuits and methods of manufacture thereof
US6572173B2 (en) 2000-08-28 2003-06-03 Mueller Hermann-Frank Sun shield for vehicles
KR100387121B1 (ko) 2000-08-31 2003-06-12 주식회사 애니셀 수직 방향으로 집적된 다층 박막전지 및 그의 제조방법
US6866963B2 (en) 2000-09-04 2005-03-15 Samsung Sdi Co., Ltd. Cathode active material and lithium battery employing the same
US7056620B2 (en) 2000-09-07 2006-06-06 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
US6632563B1 (en) 2000-09-07 2003-10-14 Front Edge Technology, Inc. Thin film battery and method of manufacture
EP1364424A2 (de) 2000-09-14 2003-11-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Elektrochemisch aktivierbare schicht oder folie
US6628876B1 (en) 2000-09-15 2003-09-30 Triquint Technology Holding Co. Method for making a planar waveguide
TW448318B (en) 2000-09-18 2001-08-01 Nat Science Council Erbium, Yttrium co-doped Titanium oxide thin film material for planar optical waveguide amplifier
DE10165080B4 (de) 2000-09-20 2015-05-13 Hitachi Metals, Ltd. Siliciumnitrid-Pulver und -Sinterkörper sowie Verfahren zu deren Herstellung und Leiterplatte damit
US6637916B2 (en) 2000-10-05 2003-10-28 Muellner Hermann-Frank Lamp for vehicles
US6660660B2 (en) 2000-10-10 2003-12-09 Asm International, Nv. Methods for making a dielectric stack in an integrated circuit
JP4532713B2 (ja) 2000-10-11 2010-08-25 東洋鋼鈑株式会社 多層金属積層フィルム及びその製造方法
KR100389655B1 (ko) 2000-10-14 2003-06-27 삼성에스디아이 주식회사 우수한 사이클링 안정성과 높은 이온 전도도를 갖는리튬-이온 이차 박막 전지
US6622049B2 (en) 2000-10-16 2003-09-16 Remon Medical Technologies Ltd. Miniature implantable illuminator for photodynamic therapy
US6488822B1 (en) 2000-10-20 2002-12-03 Veecoleve, Inc. Segmented-target ionized physical-vapor deposition apparatus and method of operation
US6525976B1 (en) 2000-10-24 2003-02-25 Excellatron Solid State, Llc Systems and methods for reducing noise in mixed-mode integrated circuits
US6413382B1 (en) 2000-11-03 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Pulsed sputtering with a small rotating magnetron
US6863699B1 (en) 2000-11-03 2005-03-08 Front Edge Technology, Inc. Sputter deposition of lithium phosphorous oxynitride material
JP3812324B2 (ja) 2000-11-06 2006-08-23 日本電気株式会社 リチウム二次電池とその製造方法
US6494999B1 (en) 2000-11-09 2002-12-17 Honeywell International Inc. Magnetron sputtering apparatus with an integral cooling and pressure relieving cathode
DE60129196T2 (de) 2000-11-18 2007-10-11 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Dünnschicht Anode für Lithium enthaltende Sekundärbatterie
KR100389908B1 (ko) 2000-11-18 2003-07-04 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막
US20020106297A1 (en) 2000-12-01 2002-08-08 Hitachi Metals, Ltd. Co-base target and method of producing the same
NL1016779C2 (nl) 2000-12-02 2002-06-04 Cornelis Johannes Maria V Rijn Matrijs, werkwijze voor het vervaardigen van precisieproducten met behulp van een matrijs, alsmede precisieproducten, in het bijzonder microzeven en membraanfilters, vervaardigd met een dergelijke matrijs.
JP4461656B2 (ja) 2000-12-07 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 光電変換素子
US20020071989A1 (en) 2000-12-08 2002-06-13 Verma Surrenda K. Packaging systems and methods for thin film solid state batteries
US20020091929A1 (en) 2000-12-19 2002-07-11 Jakob Ehrensvard Secure digital signing of data
CN1279633C (zh) 2000-12-21 2006-10-11 分子技术股份有限公司 电化学电池用的锂阳极
US6444336B1 (en) 2000-12-21 2002-09-03 The Regents Of The University Of California Thin film dielectric composite materials
US6620545B2 (en) 2001-01-05 2003-09-16 Visteon Global Technologies, Inc. ETM based battery
US6650000B2 (en) 2001-01-16 2003-11-18 International Business Machines Corporation Apparatus and method for forming a battery in an integrated circuit
US6533907B2 (en) 2001-01-19 2003-03-18 Symmorphix, Inc. Method of producing amorphous silicon for hard mask and waveguide applications
US6673716B1 (en) 2001-01-30 2004-01-06 Novellus Systems, Inc. Control of the deposition temperature to reduce the via and contact resistance of Ti and TiN deposited using ionized PVD techniques
US6558836B1 (en) 2001-02-08 2003-05-06 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Structure of thin-film lithium microbatteries
US6589299B2 (en) 2001-02-13 2003-07-08 3M Innovative Properties Company Method for making electrode
US20020139662A1 (en) 2001-02-21 2002-10-03 Lee Brent W. Thin-film deposition of low conductivity targets using cathodic ARC plasma process
US20020164441A1 (en) 2001-03-01 2002-11-07 The University Of Chicago Packaging for primary and secondary batteries
US7048400B2 (en) 2001-03-22 2006-05-23 Lumimove, Inc. Integrated illumination system
US7164206B2 (en) 2001-03-28 2007-01-16 Intel Corporation Structure in a microelectronic device including a bi-layer for a diffusion barrier and an etch-stop layer
US6797137B2 (en) 2001-04-11 2004-09-28 Heraeus, Inc. Mechanically alloyed precious metal magnetic sputtering targets fabricated using rapidly solidfied alloy powders and elemental Pt metal
US7033406B2 (en) 2001-04-12 2006-04-25 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US7914755B2 (en) 2001-04-12 2011-03-29 Eestor, Inc. Method of preparing ceramic powders using chelate precursors
US7595109B2 (en) 2001-04-12 2009-09-29 Eestor, Inc. Electrical-energy-storage unit (EESU) utilizing ceramic and integrated-circuit technologies for replacement of electrochemical batteries
US6677070B2 (en) 2001-04-19 2004-01-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hybrid thin film/thick film solid oxide fuel cell and method of manufacturing the same
US6782290B2 (en) 2001-04-27 2004-08-24 Medtronic, Inc. Implantable medical device with rechargeable thin-film microbattery power source
US7744735B2 (en) 2001-05-04 2010-06-29 Tokyo Electron Limited Ionized PVD with sequential deposition and etching
US6743488B2 (en) 2001-05-09 2004-06-01 Cpfilms Inc. Transparent conductive stratiform coating of indium tin oxide
JP2002344115A (ja) 2001-05-16 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 成膜方法及びプリント基板の製造方法
US6650942B2 (en) 2001-05-30 2003-11-18 Medtronic, Inc. Implantable medical device with dual cell power source
US6517968B2 (en) 2001-06-11 2003-02-11 Excellatron Solid State, Llc Thin lithium film battery
US6752842B2 (en) 2001-06-18 2004-06-22 Power Paper Ltd. Manufacture of flexible thin layer electrochemical cell
JP3737389B2 (ja) 2001-06-19 2006-01-18 京セラ株式会社 バッテリー
JP3929839B2 (ja) 2001-06-28 2007-06-13 松下電器産業株式会社 電池及び電池パック
US6768855B1 (en) 2001-07-05 2004-07-27 Sandia Corporation Vertically-tapered optical waveguide and optical spot transformer formed therefrom
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
US20030029715A1 (en) 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US6758404B2 (en) 2001-08-03 2004-07-06 General Instrument Corporation Media cipher smart card
US7022431B2 (en) 2001-08-20 2006-04-04 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
US6500676B1 (en) 2001-08-20 2002-12-31 Honeywell International Inc. Methods and apparatus for depositing magnetic films
US7335441B2 (en) 2001-08-20 2008-02-26 Power Paper Ltd. Thin layer electrochemical cell with self-formed separator
KR100382767B1 (ko) 2001-08-25 2003-05-09 삼성에스디아이 주식회사 리튬 2차 전지용 음극 박막 및 그의 제조방법
WO2003021606A1 (fr) 2001-08-28 2003-03-13 Tdk Corporation Composition pour dispositif capacitif a couches minces, couche isolante a constante dielectrique elevee, dispositif capacitif a couches minces et condensateur ceramique multicouche a couches minces
CN1293664C (zh) 2001-09-03 2007-01-03 松下电器产业株式会社 电化学元件的制造方法
US7118825B2 (en) 2001-09-05 2006-10-10 Omnitek Partners Llc Conformal power supplies
US6637906B2 (en) 2001-09-11 2003-10-28 Recot, Inc. Electroluminescent flexible film for product packaging
TW560102B (en) 2001-09-12 2003-11-01 Itn Energy Systems Inc Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design
US20030068559A1 (en) 2001-09-12 2003-04-10 Armstrong Joseph H. Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration
US6838209B2 (en) 2001-09-21 2005-01-04 Eveready Battery Company, Inc. Flexible thin battery and method of manufacturing same
US7115516B2 (en) 2001-10-09 2006-10-03 Applied Materials, Inc. Method of depositing a material layer
JP2003124491A (ja) 2001-10-15 2003-04-25 Sharp Corp 薄膜太陽電池モジュール
JP4015835B2 (ja) 2001-10-17 2007-11-28 松下電器産業株式会社 半導体記憶装置
FR2831318B1 (fr) 2001-10-22 2006-06-09 Commissariat Energie Atomique Dispositif de stockage d'energie a recharge rapide, sous forme de films minces
US6666982B2 (en) 2001-10-22 2003-12-23 Tokyo Electron Limited Protection of dielectric window in inductively coupled plasma generation
US6750156B2 (en) 2001-10-24 2004-06-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming an anti-reflective coating on a substrate
KR100424637B1 (ko) 2001-10-25 2004-03-24 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 박막 전극 및 그 제조방법
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6805999B2 (en) 2001-11-13 2004-10-19 Midwest Research Institute Buried anode lithium thin film battery and process for forming the same
KR100425585B1 (ko) 2001-11-22 2004-04-06 한국전자통신연구원 가교 고분자 보호박막을 갖춘 리튬 고분자 이차 전지 및그 제조 방법
US20030097858A1 (en) 2001-11-26 2003-05-29 Christof Strohhofer Silver sensitized erbium ion doped planar waveguide amplifier
US6830846B2 (en) 2001-11-29 2004-12-14 3M Innovative Properties Company Discontinuous cathode sheet halfcell web
US20030109903A1 (en) 2001-12-12 2003-06-12 Epic Biosonics Inc. Low profile subcutaneous enclosure
US6683749B2 (en) 2001-12-19 2004-01-27 Storage Technology Corporation Magnetic transducer having inverted write element with zero delta in pole tip width
US6737789B2 (en) 2002-01-18 2004-05-18 Leon J. Radziemski Force activated, piezoelectric, electricity generation, storage, conditioning and supply apparatus and methods
US20040081415A1 (en) 2002-01-22 2004-04-29 Demaray Richard E. Planar optical waveguide amplifier with mode size converter
US20030143853A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Celii Francis G. FeRAM capacitor stack etch
US20030152829A1 (en) 2002-02-12 2003-08-14 Ji-Guang Zhang Thin lithium film battery
JP3565207B2 (ja) 2002-02-27 2004-09-15 日産自動車株式会社 電池パック
US6713987B2 (en) 2002-02-28 2004-03-30 Front Edge Technology, Inc. Rechargeable battery having permeable anode current collector
US7081693B2 (en) 2002-03-07 2006-07-25 Microstrain, Inc. Energy harvesting for wireless sensor operation and data transmission
US20030175142A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Vassiliki Milonopoulou Rare-earth pre-alloyed PVD targets for dielectric planar applications
US20030174391A1 (en) 2002-03-16 2003-09-18 Tao Pan Gain flattened optical amplifier
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6885028B2 (en) 2002-03-25 2005-04-26 Sharp Kabushiki Kaisha Transistor array and active-matrix substrate
TWI283031B (en) 2002-03-25 2007-06-21 Epistar Corp Method for integrating compound semiconductor with substrate of high thermal conductivity
JP2003282142A (ja) 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜積層体、薄膜電池、コンデンサ、及び薄膜積層体の製造方法と製造装置
US6792026B2 (en) 2002-03-26 2004-09-14 Joseph Reid Henrichs Folded cavity solid-state laser
KR100454092B1 (ko) 2002-04-29 2004-10-26 광주과학기술원 급속 열처리법을 이용한 박막전지용 양극박막의 제조방법
US6949389B2 (en) 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
DE10318187B4 (de) 2002-05-02 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verkapselungsverfahren für organische Leuchtdiodenbauelemente
US6700491B2 (en) 2002-06-14 2004-03-02 Sensormatic Electronics Corporation Radio frequency identification tag with thin-film battery for antenna
US6780208B2 (en) 2002-06-28 2004-08-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of making printed battery structures
US6818356B1 (en) 2002-07-09 2004-11-16 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
US7410730B2 (en) 2002-07-09 2008-08-12 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Thin film battery and electrolyte therefor
US7362659B2 (en) 2002-07-11 2008-04-22 Action Manufacturing Company Low current microcontroller circuit
US6835493B2 (en) 2002-07-26 2004-12-28 Excellatron Solid State, Llc Thin film battery
US6770176B2 (en) 2002-08-02 2004-08-03 Itn Energy Systems. Inc. Apparatus and method for fracture absorption layer
JP2004071305A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Hitachi Maxell Ltd 非水電解質二次電池
JP3729164B2 (ja) 2002-08-05 2005-12-21 日産自動車株式会社 自動車用電池
US20080003496A1 (en) 2002-08-09 2008-01-03 Neudecker Bernd J Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US6916679B2 (en) 2002-08-09 2005-07-12 Infinite Power Solutions, Inc. Methods of and device for encapsulation and termination of electronic devices
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
KR20040017478A (ko) 2002-08-21 2004-02-27 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
WO2004021532A1 (en) 2002-08-27 2004-03-11 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
US20040048157A1 (en) 2002-09-11 2004-03-11 Neudecker Bernd J. Lithium vanadium oxide thin-film battery
US6994933B1 (en) 2002-09-16 2006-02-07 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Long life thin film battery and method therefor
US20040081860A1 (en) 2002-10-29 2004-04-29 Stmicroelectronics, Inc. Thin-film battery equipment
JP2004149849A (ja) 2002-10-30 2004-05-27 Hitachi Chem Co Ltd 金属薄膜の形成方法及び電極付基板
US20040085002A1 (en) 2002-11-05 2004-05-06 Pearce Michael Baker Method and apparatus for an incidental use piezoelectric energy source with thin-film battery
JP2004158268A (ja) 2002-11-06 2004-06-03 Sony Corp 成膜装置
EP1563570A1 (en) 2002-11-07 2005-08-17 Fractus, S.A. Integrated circuit package including miniature antenna
KR100682883B1 (ko) 2002-11-27 2007-02-15 삼성전자주식회사 고체 전해질, 그의 제조방법 및 이를 채용한 리튬전지 및 박막전지
JP4777593B2 (ja) 2002-11-29 2011-09-21 株式会社オハラ リチウムイオン二次電池の製造方法
DE50305946D1 (de) 2002-12-16 2007-01-25 Basf Ag Verfahren zur Gewinnung von Lithium
JP4072049B2 (ja) 2002-12-25 2008-04-02 京セラ株式会社 燃料電池セル及び燃料電池
TWI261045B (en) 2002-12-30 2006-09-01 Ind Tech Res Inst Composite nanofibers and their fabrications
US6906436B2 (en) 2003-01-02 2005-06-14 Cymbet Corporation Solid state activity-activated battery device and method
US7067197B2 (en) 2003-01-07 2006-06-27 Cabot Corporation Powder metallurgy sputtering targets and methods of producing same
IL153895A (en) 2003-01-12 2013-01-31 Orion Solar Systems Ltd Solar cell device
KR100513726B1 (ko) 2003-01-30 2005-09-08 삼성전자주식회사 고체 전해질, 이를 채용한 전지 및 그 고체 전해질의 제조방법
DE10304824A1 (de) 2003-01-31 2004-08-12 Varta Microbattery Gmbh Dünne elektronische Chipkarte
RU2241281C2 (ru) 2003-02-10 2004-11-27 Институт химии и химической технологии СО РАН Способ получения тонких пленок кобальтата лития
JP2004273436A (ja) 2003-02-18 2004-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 全固体薄膜積層電池
WO2004077519A2 (en) 2003-02-27 2004-09-10 Mukundan Narasimhan Dielectric barrier layer films
US6936407B2 (en) 2003-02-28 2005-08-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film electronic device module
KR100590376B1 (ko) 2003-03-20 2006-06-19 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 집합전지
CN1274052C (zh) 2003-03-21 2006-09-06 比亚迪股份有限公司 锂离子二次电池的制造方法
US6955986B2 (en) 2003-03-27 2005-10-18 Asm International N.V. Atomic layer deposition methods for forming a multi-layer adhesion-barrier layer for integrated circuits
US20070141468A1 (en) 2003-04-03 2007-06-21 Jeremy Barker Electrodes Comprising Mixed Active Particles
CN100358144C (zh) 2003-04-04 2007-12-26 松下电器产业株式会社 搭载电池的集成电路装置
US20040258984A1 (en) 2003-04-14 2004-12-23 Massachusetts Institute Of Technology Integrated thin film batteries on silicon integrated circuits
KR100508945B1 (ko) 2003-04-17 2005-08-17 삼성에스디아이 주식회사 리튬 전지용 음극, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬전지
US7088031B2 (en) 2003-04-22 2006-08-08 Infinite Power Solutions, Inc. Method and apparatus for an ambient energy battery or capacitor recharge system
US7045246B2 (en) 2003-04-22 2006-05-16 The Aerospace Corporation Integrated thin film battery and circuit module
US6936377B2 (en) 2003-05-13 2005-08-30 C. Glen Wensley Card with embedded IC and electrochemical cell
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US6852139B2 (en) 2003-07-11 2005-02-08 Excellatron Solid State, Llc System and method of producing thin-film electrolyte
US6886240B2 (en) 2003-07-11 2005-05-03 Excellatron Solid State, Llc Apparatus for producing thin-film electrolyte
US20050070097A1 (en) 2003-09-29 2005-03-31 International Business Machines Corporation Atomic laminates for diffusion barrier applications
US7230321B2 (en) 2003-10-13 2007-06-12 Mccain Joseph Integrated circuit package with laminated power cell having coplanar electrode
US20050079418A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for thin film battery fabrication
US7211351B2 (en) 2003-10-16 2007-05-01 Cymbet Corporation Lithium/air batteries with LiPON as separator and protective barrier and method
FR2861218B1 (fr) 2003-10-16 2007-04-20 Commissariat Energie Atomique Couche et procede de protection de microbatteries par une bicouche ceramique-metal
US7674360B2 (en) 2003-12-12 2010-03-09 Applied Materials, Inc. Mechanism for varying the spacing between sputter magnetron and target
EP1544917A1 (en) 2003-12-15 2005-06-22 Dialog Semiconductor GmbH Integrated battery pack with lead frame connection
JP2005196971A (ja) 2003-12-26 2005-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd リチウム二次電池用負極とその製造方法ならびにリチウム二次電池
TWI302760B (en) 2004-01-15 2008-11-01 Lg Chemical Ltd Electrochemical device comprising aliphatic nitrile compound
JP3859645B2 (ja) 2004-01-16 2006-12-20 Ｎｅｃラミリオンエナジー株式会社 フィルム外装電気デバイス
US7968233B2 (en) 2004-02-18 2011-06-28 Solicore, Inc. Lithium inks and electrodes and batteries made therefrom
US7624499B2 (en) 2004-02-26 2009-12-01 Hei, Inc. Flexible circuit having an integrally formed battery
DE102004010892B3 (de) 2004-03-06 2005-11-24 Christian-Albrechts-Universität Zu Kiel Chemisch stabiler fester Lithiumionenleiter
JP4418262B2 (ja) 2004-03-12 2010-02-17 三井造船株式会社 基板・マスク固定装置
US7052741B2 (en) 2004-05-18 2006-05-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of fabricating a fibrous structure for use in electrochemical applications
US7195950B2 (en) 2004-07-21 2007-03-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Forming a plurality of thin-film devices
US7645246B2 (en) 2004-08-11 2010-01-12 Omnitek Partners Llc Method for generating power across a joint of the body during a locomotion cycle
JP4892180B2 (ja) 2004-08-20 2012-03-07 セイコーインスツル株式会社 電気化学セル、その製造方法およびその外観検査方法
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
US7670724B1 (en) 2005-01-05 2010-03-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Alkali-hydroxide modified poly-vinylidene fluoride/polyethylene oxide lithium-air battery
US20060155545A1 (en) 2005-01-11 2006-07-13 Hosanna, Inc. Multi-source powered audio playback system
EP1842250B1 (en) 2005-01-19 2013-09-04 Arizona Board of Regents, acting for and on behalf of Arizona State University Electric current-producing device having a sulfone-based electrolyte
DE102005014427B4 (de) 2005-03-24 2008-05-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Verkapseln eines Halbleiterbauelements
EP1713024A1 (en) 2005-04-14 2006-10-18 Ngk Spark Plug Co., Ltd. A card, a method of manufacturing the card, and a thin type battery for the card
US20060237543A1 (en) 2005-04-20 2006-10-26 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Card, manufacturing method of card, and thin type battery for card
US8182661B2 (en) 2005-07-27 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Controllable target cooling
US7400253B2 (en) 2005-08-04 2008-07-15 Mhcmos, Llc Harvesting ambient radio frequency electromagnetic energy for powering wireless electronic devices, sensors and sensor networks and applications thereof
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
US7553582B2 (en) 2005-09-06 2009-06-30 Oak Ridge Micro-Energy, Inc. Getters for thin film battery hermetic package
US7202825B2 (en) 2005-09-15 2007-04-10 Motorola, Inc. Wireless communication device with integrated battery/antenna system
US7345647B1 (en) 2005-10-05 2008-03-18 Sandia Corporation Antenna structure with distributed strip
US20070187836A1 (en) 2006-02-15 2007-08-16 Texas Instruments Incorporated Package on package design a combination of laminate and tape substrate, with back-to-back die combination
DE102006009789B3 (de) 2006-03-01 2007-10-04 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils aus einer Verbundplatte mit Halbleiterchips und Kunststoffgehäusemasse
US8155712B2 (en) 2006-03-23 2012-04-10 Sibeam, Inc. Low power very high-data rate device
DE102006025671B4 (de) 2006-06-01 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung von dünnen integrierten Halbleitereinrichtungen
JP4058456B2 (ja) 2006-10-23 2008-03-12 富士通株式会社 情報処理装置用機能拡張装置
DE102006054309A1 (de) 2006-11-17 2008-05-21 Dieter Teckhaus Batteriezelle mit Kontaktelementenanordnung
JP4466668B2 (ja) 2007-03-20 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
US7915089B2 (en) 2007-04-10 2011-03-29 Infineon Technologies Ag Encapsulation method
DE102007030604A1 (de) 2007-07-02 2009-01-08 Weppner, Werner, Prof. Dr. Ionenleiter mit Granatstruktur
KR101606183B1 (ko) 2008-01-11 2016-03-25 사푸라스트 리써치 엘엘씨 박막 배터리 및 기타 소자를 위한 박막 캡슐화
EP2319101B1 (en) 2008-08-11 2015-11-04 Sapurast Research LLC Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
US8389160B2 (en) 2008-10-07 2013-03-05 Envia Systems, Inc. Positive electrode materials for lithium ion batteries having a high specific discharge capacity and processes for the synthesis of these materials

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5912575A (ja) 1982-07-12 1984-01-23 Nippon Denso Co Ltd 有機電池
JPH10284130A (ja) * 1997-04-04 1998-10-23 Nec Corp 半導体基板搭載型二次電池
US6280875B1 (en) * 1999-03-24 2001-08-28 Teledyne Technologies Incorporated Rechargeable battery structure with metal substrate
JP2003529895A (ja) * 1999-11-01 2003-10-07 ポリプラス バッテリー カンパニー 積層構造を有するリチウム電極
JP2001313237A (ja) * 2000-04-25 2001-11-09 Korea Advanced Inst Of Sci Technol 薄膜型スーパーコンデンサ及びその製造方法並びにそれを利用したハイブリッド電池
JP2003133420A (ja) * 2001-10-22 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2004022250A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 全固体電池
JP2004146297A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固体電池
JP2004165098A (ja) * 2002-11-15 2004-06-10 Sony Corp 負極および電池、並びにそれらのその製造方法
WO2005027245A2 (en) 2003-09-15 2005-03-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochemical energy source, electronic device and method of manufacturing said energy source
JP2007518246A (ja) * 2004-01-06 2007-07-05 シンベット コーポーレーション 境界を有する１若しくはそれ以上の層を備える層状のバリア構造及び該バリア構造の製造方法

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009530776A (ja) * 2006-03-16 2009-08-27 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 金属箔カプセル封入
JP2011510436A (ja) * 2008-01-11 2011-03-31 インフィニット パワー ソリューションズ， インコーポレイテッド 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化
JP2011108603A (ja) * 2009-11-20 2011-06-02 Ulvac Japan Ltd 薄膜リチウム二次電池及び薄膜リチウム二次電池の形成方法
JP2011113976A (ja) * 2009-11-23 2011-06-09 Gsnanotech Co Ltd 向上した電流集電効率を有する薄膜電池
US9543587B2 (en) 2009-11-23 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Thin film battery having improved efficiency of collecting electric current
JP2017107867A (ja) * 2011-06-17 2017-06-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 薄膜電池のマスクレス製造
US9520615B2 (en) 2011-12-16 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Thin film battery having improved battery performance through substrate surface treatment and method for manufacturing same
JP2015500560A (ja) * 2011-12-16 2015-01-05 ジーエス エナジー コーポレーション 基板表面処理を通じて電池性能が向上した薄膜電池及びその製造方法
JP2013164971A (ja) * 2012-02-10 2013-08-22 Sony Corp 二次電池、負極集電体、電子機器および電動車両
JP2016507865A (ja) * 2012-12-31 2016-03-10 アイ テン 積層構造の全固体電池の製造方法
JP2016511929A (ja) * 2013-02-28 2016-04-21 アイ テン モノリシック全固体状態電池の製造プロセス
JP2016523441A (ja) * 2013-06-28 2016-08-08 グーグル インコーポレイテッド 固体電池のための基板
US10084207B2 (en) 2013-06-28 2018-09-25 Google Llc Substrate for solid-state battery

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