JP2016511929A - モノリシック全固体状態電池の製造プロセス - Google Patents

モノリシック全固体状態電池の製造プロセス Download PDF

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Abstract

本発明は、全固体状態電池の製造プロセスに関するもので、前記電池は、複数の基本セルのアセンブリからなる全固体状態電池を得るために、アノード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「アノード層」)と、固体電解質材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「電解質層」)と、カソード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「カソード層」)とを備えたことを特徴とする。

Description

本発明は、電池及び特にリチウムイオン電池の分野に関する。より具体的には、全固体状態リチウムイオン電池、及びそのような電池の新しい製造プロセスに関する。
リチウムイオン電池(「Liイオン電池」)を製造する方法は、多くの論文や特許文献に記載され、非特許文献1は、それらのよい評価を与えている。Liイオン電池の電極は当業者に公知のプリンティング又はデポジション技術(特に、ロールコーティング、ドクターブレード、テープコーティング)により製造され得る。これらの技術によれば、50〜400μmの範囲の厚さのデポジション層を形成することができる。そのデポジション層の厚さに依存して、その気孔率や活性な粒子の大きさ、電池の電力及びエネルギーは調節され得る。
特に近年、他のLiイオン電池アーキテクチャが出現してきている。これらは主として全固体状態薄膜マイクロ電池である。これらのマイクロ電池は平面状のアーキテクチャを有しており、すなわち、これらは本来的に基本電池セルを形成する3層(電解質層により隔てられたアノード層及びカソード層)のアセンブリにより構成される。これらの電池は「全固体状態」と呼ばれており、これは2つの電極(アノード及びカソード)及び電解質層が非多孔性固体材料により形成されているためである。これらの電池は、非プロトン系溶媒に溶解したリチウム塩(液体又はゲル電解質)を含有する、従来の電解質系電池の性能に比べて、その優れた性能により、重要な利点を有する。液体電解質を含まないことにより、電池における内部短絡及び熱暴走の危険性は大幅に低減する。
薄膜マイクロ電池の製造においては、種々の真空デポジション技術が使用されている。特に、物理蒸着法(PVD)は、これらの薄膜マイクロ電池の製造に際し現在最も一般的に使用される技術である。この技術によれば、気孔のない良質な電極及び電解質層を製造することができる。これらの層は、電極厚の増加に伴う過剰な電力損失を生じないように、概して薄い(概して5μm未満)。
全固体状態電池を製造するために数多くのアプローチが提案されている。概して、これらのアプローチは、電極及び電解質材料粉末の高圧機械的圧密化のみに基づいている。
W. van Schalkwijk 及びB. Scrosati編 「Advance in Lithium−Ion Batteries」Kluever Academic / Plenum Publishers 2002年 H.Kitaura、Journal of Power Sources, 2009, 189, 145−148
しかしながら、得られた電極及び電解質層は多孔質であり、これらの間の密着性は最適ではないので、当該電池の内部抵抗が高くなりすぎ及び高出力をもたらすことができない。
全固体状態電池の性能を向上させるために、加熱処理 (Journal of Power Sources,2007,174,K.Nagata)又はパルス電流(Material Research Bulletin,2008,X.Xu)のいずれかを用いた複数の焼結技術が使用されている。しかしながら、焼結は、重大な収縮及び/又は高温の使用につながる。結果として、導電性金属基板、及びより具体的にはアルミニウム基板上への全固体状態電極の形成を行うことができない。実際、過剰な高温によりその金属基板は酸化され、又は重大な損傷を受け得る。また、基板上に形成された層には焼結中にクラックが発生し得る。これらの不利な効果は、カソード/電解質/アノードスタックにより形成された電池 セルの端部に形成された集電体を要する。結果として、集電体形成に伴う制約により、全固体状態、モノリシックであり、複数の基本セルからなる3次元電池アセンブリを製造することができない。
従って、本発明は、全固体状態モノリシックLiイオン電池、すなわち複数の基本セルからなるモノリシック本体を、電池集電体として働く基板の両面に直接緻密な電極層を作製することにより、及び得られた緻密な電極層の少なくとも1つに全固体状態の緻密な電解質層を形成することにより、製造することを目的とする。
本発明は全固体状態電池の製造プロセスに関し、前記電池は、複数の基本セルのアセンブリからなる全固体状態電池を得るために、アノード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「アノード層」)と、固体電解質材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「電解質層」)と、カソード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「カソード層」)とを含み、前記方法は以下のステップを含む:
a)緻密なアノード層及び緻密なカソード層は、それぞれこれらの個々の導電性基板上に形成され、前記導電性基板は、それぞれアノード及びカソード集電体として機能し得るステップと、
b)緻密な固体電解質層は、ステップa)で得られた2層のうちの少なくとも1つの上に堆積されるステップと、
c)ステップa)、b)及びc)の層の堆積は、全てが電気泳動堆積法により行われたものではないとの理解のもとで、少なくとも1つのMs結合材料を含む層は、ステップa)及び/又はb)で得られた少なくとも1つの層の上に堆積されるステップと、
d)ステップc)で得られた前記層は、ステップa)、b)又はc)で得られた層と対向してスタックされるステップと、
e)電池として機能し得る、基本セルの全固体状態アセンブリを得るために、前記対向してスタックされた2層間の接触を促進する加熱処理及び/又は機械的圧密化が施されるステップ。
好ましくは、これらの各々の導電性基板の両面にアノード及びカソード層の堆積を行う。
好ましい実施形態では、ステップe)で行われた加熱処理は、前記加熱処理ステップにさらされる少なくとも1つの最も融けやすいMs結合材料の融点又は分解温度(℃)の、好ましくは0.7倍、より好ましくは0.5倍、(さらに好ましくは0.3倍)を超えない温度Tで行われる。
同様に、ステップe)で得られたアセンブリの機械的圧密化は、10MPaから100MPaの間、好ましくは10MPaから50MPaの間の圧力で行われる。
ステップa)、b)及びc)の層の堆積は、気相及び/又は液相堆積法、及びより具体的には以下の技術の少なくとも1つにより行われる:
i)物理蒸着法(PVD)、及びより具体的には、真空蒸着法、レーザーアブレーション、イオンビーム、カソードスパッタリング;
ii)化学気相蒸着法(CVD)、及びより具体的には、プラズマ促進化学気相蒸着法(PECVD)、レーザー化学気相蒸着法(LACVD)、又はエアロゾル化学気相蒸着法(AA−CVD);
iii)エレクトロスプレー法;
iv)エアロゾル堆積法;
v)電気泳動堆積法;
vi)ゾル−ゲル法;
vii)ディップ法、より具体的には、ディップコーティング、スピンコーティング又はラングミュア−ブロジェット法。
Ms結合材料は、好ましくは、以下の材料の1つ以上から選ばれる:
a)Li3.6Ge0.60.4;LiO−Nb;LiSiO;LiO;Li14Zn(GeO;LiZr;LiZrO;Li0.35La0.55TiO;Li0.5La0.5TiO;LiLaZr12;Li5+xLa(Zrx,2−x)O12、但し、A=Sc,Ti,V,Y,Nb,Hf,Ta,Al,Si,Ga,Ge,Sn及び1.4≦x≦2から選ばれる酸化物系材料;
b)LiN;LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3、但し0<x<4、又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)から選ばれる窒化物又は酸窒化物系材料;リチウム及びリン酸窒化物系材料(いわゆるLiPON)で、シリコン(いわゆるLiSiPON)、ホウ素(いわゆるLiPONB)、硫黄(いわゆるLiPONS)、ジルコニウム又はアルミニウム(いわゆるLiPAON)又はアルミニウム、ホウ素、硫黄及び/又はシリコンの組み合わせを含有し得る;リチウム及びホウ素酸窒化物系材料(いわゆるLiBON)で、シリコン(いわゆるLiSiBON)、硫黄(いわゆるLiBONS)又はアルミニウム(いわゆるLiBAON)又はアルミニウム、硫黄及びシリコンの組み合わせを含有し得る;及びより具体的にはLixPOyNz系の材料で、但し、式中x〜2.8及び2y=3z但し0.16≦z≦0.46;又はLiPO、但し、(2x+3y+2z)=(5+w)及び3.2≦x≦3.8;0.13≦y≦0.4;0≦z≦0.2;2.9≦w≦3.3;又はLiAl、但し、(5x+3y)=5;(2u+3v+2w)=(5+t);2.9≦t≦3.3;0.84≦x≦0.94;0.094≦y≦0.26;3.2≦u≦3.8;0.13≦v≦0.46;0≦w≦0.2;又はLi1.9Si0.21.01.11.0;又はLi2.9PO3.30.46;又はLi6−0.75x1.75xZr2−2x7−y、但しz≦14/3;2y=3z及びx≦0.8;又はLi8−3.5x1.5xZr1−xz6−y、但しx≦0.8;z≦4及び2y=3z;又はLi8−3xLaZrO6−y、但しO<x≦2;z≦4及び2y=3z;又はLi(Sc2−x)(PO4−y)、但しx≦2;z≦8/3;2y=3z及びM=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
c)以下から選ばれる硫黄系材料:Li1−yM’、但しM=Si,Ge,Sn及びM’=P,Al,Zn,Ga,Sb;LiS;B;P;70LiS−30P;Li11;Li10GeP12;LiPS;Li3.25Ge0.250.75;Li10MP12、但しM=Si,Ge,Sn及び、LiSと、P,GeS,Ga又はSiSの中の化合物の1つとの混合物;
d)以下から選ばれるリン酸又はホウ酸系材料;LiPO;LiTi(PO;Li1+xAl2−x(PO(ここで、M=Ge,Ti、及び/又はHf及び0<x<1);Li1.3Al0.3Ti1.7(PO;Li1+x+yAlTi2−xSi3−y12(ここで、0≦x≦1及び0≦y≦1);Li1+x+zMx(Ge1−yTi2−xSi3−z12(ここで、0≦x≦0.8,0≦y≦1.0,0≦z≦0.6);2(Li1.4TiSi0.42.612)−AlPO;LiAlz−yGa(PO又はLiAlz−yGa(BO又はLiGez−ySi(PO又はLiGez−ySi(BO又はより一般的にはLiz−yM’Sw(PO又はLiz−yM’(BO、但し4<w<20,3<x<10,0≦y≦1,1≦z≦4及び0<c<20及びM又はM’はAl,Si,Ge,Ga,P,Zn,Sbの中の元素;又はLiSc2−xPO、但し、M=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
e)以下から選ばれる混合材料;LiSと、LiPO,LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3(但し、0<x<4)又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)の中の化合物の1つとの混合物;LiS及び/又はB,SiS,P,GeS,Ga及びケイ酸リチウムLiSiO,ホウ酸リチウムLiBO又はリン酸リチウムLiPOなどのLiMO型化合物の混合物。
特定の実施形態によれば、少なくとも1つのMs結合材料は、リチウム塩を含浸可能な少なくとも1つのポリマーを含み/からなり、前記ポリマーは、好ましくはポリエチレンオキシド、ポリイミド類、ビニリデンポリフルオライド、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリシロキサン類により形成される群から選ばれ、前記リチウム塩は、好ましくはLiCl,LiBr,LiI,Li(ClO),Li(BF),Li(PF),Li(AsF),Li(CHCO),Li(CFSO),Li(CFSON,Li(CFSO,Li(CFCO),Li(B(C),Li(SCN),Li(NO)により形成される群から選ばれる。
好ましくは、少なくとも1つのMs結合材料層の厚さは、100nm未満、好ましくは50nm未満、及びさらにより好ましくは30nm未満である。
好ましい実施形態では、少なくとも1つのMs結合材料を含む層は、ステップa),b)又はc)で得られた少なくとも1つの緻密な層上に堆積したナノ粒子層である。
好ましくは、それは電気泳動により堆積される。
好ましくは、導電性アノード又はカソード電流基板は、任意で貴金属で被覆された金属シート又は任意で貴金属で被覆されたポリマーシート又は任意で貴金属で被覆されたグラファイトシートである。
より具体的には、金属シート形状の導電性アノード又はカソード電流基板は、アルミニウム、銅又はニッケルである。より具体的には、ポリマーシート形状の導電性アノード又はカソード電流基板は、以下のポリマーから選ばれる:ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、テフロン(登録商標)(PTFE)、ポリイミド(PI)及びより具体的にはカプトン(登録商標)。
好ましくは、貴金属は以下の金属から選ばれる:金、白金、パラジウム、バナジウム、コバルト、ニッケル、マンガン、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、タングステン又はこれらの金属の少なくとも1つを含む任意の合金。
本発明はまた、本発明に係るプロセスにより製造され得る全固体電池に関し、前記電池は、アノード材料を含む少なくとも1つの緻密な層と、固体電解質材料を含む少なくとも1つの緻密な層と、カソード材料を含む少なくとも1つの緻密な層とにより形成されたモノリシック本体を含む;好ましくは、電池のモノリシック本体は、並列に接続された複数の基本セルからなる。好ましくは、2つの隣接セル間の電気的接続は、前記電解質により確保される。
本発明に係るプロセスにより得ることができる電池は、全固体多層電池であり得る。
本発明に係る電池の一実施形態では、前記電池は、少なくとも1つの封止層、好ましくはセラミック又はガラス−セラミック層を含む。好ましくは、前記電池は、前記第1の封止層上に堆積された第2の封止層を含み、前記第2層は好ましくはシリコンポリマー製である。
好ましくは、前記電池は、カソード及びアノード集電体を視認可能なターミナルを含む。好ましくは、前記アノード接続及びカソード接続は、前記スタックの両側に配置されている。好ましくは、前記ターミナルはまた電気化学セルと接触するニッケル層により被覆されており、前記ニッケル層はスズ層により被覆されている。
好ましくは、前記少なくとも1つの封止層は、前記電池の6面のうちの4面を被覆しており、電池の他の2面はターミナルにより被覆されている。
いくつかの実施形態では、本発明に係るプロセスにより得ることができる電池は、完全に無機材料である(entirely inorganic)。
好ましくは、本発明により得られた電池は、完全に無機材料である(entirely inorganic)。
図1Aは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図1Bは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図1Cは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図1Dは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図1Eは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図1Fは、本発明に係る複数の実施形態により得ることができる製品を示す。 図2は、電解質層及びMs結合材料層で被覆されたアノード及びカソードのスタックを示す。 図3は、本発明の堆積方法の実施形態により得ることができる電池を示す。 図4は、本発明に係る一実施形態による電池を製造する工程を模式的に示す。 図5は、本発明に係る他の実施形態による電池を製造する工程を模式的に示す。 図6は、電解質層で被覆されたアノードフィルム(図の右側)とカソードフィルム(図の左側)を模式的に示す図であり、2つの層は、パンチングにより切り抜かれたパターンを含む。黒い矢印は、電解質で被覆されたカソード及びアノードシートの交互のスタッキング動作を示し、これらの切り抜きパターンはヘッドトゥテール配置でスタックされている。パンチングは、電極層を堆積させる前に金属基板上に施される。 図7は、図6に示すスタッキングから得られる電解質層で被覆されたカソード及びアノードシートのスタッキングの詳細を模式的に示す図である。 図8は、特定の実施形態により、本発明に係るプロセスに基づいて得ることができる多層電池を示す。より具体的には、多層電池は以下を含む:−金属シート、若しくは貴金属で被覆された金属シート、又は貴金属で金属化されたポリマーシート、又は貴金属で被覆されたグラファイトシート製の複数の基板層20;−複数の固体電解質層22;−複数の薄いアノード層21;−複数の薄いカソード層24;−複数のMs結合材料層(図示せず);−例えば酸化物、窒化物、リン酸塩、酸窒化物、又はシロキサンの形であり得るポリマー、セラミック若しくはガラスセラミック材料により構成され得る少なくとも1つの薄い封止層37。効果的には、この封止層は、エポキシ樹脂又はシリコーン樹脂で被覆されたセラミック又はガラスセラミック層を含む;−各々の末端で交互に正と負の電気的接続を利用することができるターミナル35,36。これらのターミナルによれば、異なる電池要素間で並列に電気的接続を作ることが可能となる。このため、一方の末端では接続(+)が生じ、他方の末端では(−)が得られる。好ましくは、接続(+)及び(−)は横方向にオフセットされ、封止することによりこれらの両端に短絡が存在することが防止される。ここで、ターミナル35,36は二層として示されているが、単層として形成してもよい。
[定義]
「全固体状態」電池は、電極及び電解質は固体であり、液相、すなわち固相に含浸された液相さえも含まない電池である。
本発明に係る「全固体状態多層電池」は、複数の「基本セル」のスタックにより形成されたワンピースの電池である。本発明の「基本セル」は、リチウムイオン伝導性の固体電解質によって分離されたリチウムイオンの挿入を伴うアノード及びカソードにより構成される電気化学セルである。
「Ms結合材料」は、アノード層とカソード層のアセンブリを可能にする任意のリチウムイオン伝導性材料であり、前記アノード層及びカソード層の少なくとも一方が、前記スタックの低温加熱処理及び/又は機械的圧縮後に全固体状態多層電池をスタッキングにより形成するために、加熱処理及び/又は機械的に圧縮処理された電解質層で被覆されている。
本発明に係るいくつかの実施形態では、電池は全て無機材料、すなわち、これらは、電極や電解質にポリマーを含有しないが、炭素原子は含有し得る (例えば、グラファイト)。
本発明の文脈では、「緻密な」層は、質量体の理論密度の85%より大きい、及び好ましくは90%又はさらに95%より大きい密度を有する層である。
本発明の文脈では、粒子のサイズは、その最大径である。従って、「ナノ粒子」は、少なくとも1つの径が、100nm未満の径である粒子である。粉末又は粒子群の「粒子サイズ」又は「平均粒子サイズ」は、D50で与えられる。
<1.カソード電解質及びアノード用材料>
本発明によれば、カソード層の製造のために使用される材料は、好ましくは以下の材料の一つ以上から選択されるが、限定されることはない:
(i)酸化物:LiMn,LiCoO,LiNiO,LiMn1.5Ni0.5,LiMn1.5Ni0.5−x(ここでXはAl、Fe、Cr、Co、Rh、Ndなどの希土類元素から選ばれ、0<x<0.1),LiFeO,LiMn1/31/3Co1/3
(ii)リン酸塩:LiFePO,LiMnPO,LiCoPO,LiNiPO,Li(PO;式LiMNPOのリン酸塩,ここで、M及びN(MとNとは異なる)は、Fe,Mn,Ni,Co,Vから選択される;
(iii)以下のカルコゲン化合物のリチウム化されたものの全て:V,V,TiS,TiO,WO,CuS,CuS
本発明によれば、アノード層の製造のために使用される材料は、好ましくは以下の材料の一つ以上から選択されるが、限定されることはない:
(i)スズ酸窒化物(一般式SnO);
(ii)ケイ素及びスズの混合酸窒化物(一般式SiSn、但しa>0、b>0、a+b≦2、0<y≦4、0<z≦3)(いわゆるSiTON)、特にSiSn0.871.21.72;及び式SiSn、ここでa>0,b>0、a+b≦2、0<c−10、0<y<24、0<z<17で表される酸窒化物;SiSn及びSiSn、ここでXがF、Cl、Br、I、S、Se、Te、P、As、Sb、Bi、Ge、Pbの元素の少なくとも1つ);
(iii)式Siで表される窒化物(特にx=3及びy=4)、Sn(特にx=3及びy=4)、Zn(特にx=3及びy=4)、Li3−XN(ここでM=Co、Ni、Cu);
(iv)酸化物SnO,LiTi12,SnB0.60.42.9
アノード層はまた、リチウム 挿入電位が、カソード層の製造に使用される材料の挿入電位よりも低い全ての材料から製造され得る。例えば、LiMn1.50.5がカソード材料として使用される場合には、LiFePOがアノード材料として使用され得る。
アノード層を作製するためには、より具体的にはLiTi12ナノ粒子が好ましい。
アノード又はカソードの作製では、上述の材料に、電解質層を形成するために使用されるタイプの導電性材料、特に、グラファイト及び/又はリチウムイオン伝導性材料のナノ粒子を添加してもよい。実際、ある種の電極材料は、イオン伝導性及び電気伝導性に劣っている。従って、1μmより大きい厚さで堆積された場合、電極は抵抗が高くなりすぎる。一般的に、良好なエネルギー密度の電池を有するためには、電極は1〜10μmの厚さが望ましい。この場合、電極材料粒子と(イオン及び/又は電気的)伝導性粒子を共堆積させる必要がある。
電解質は、良好なイオン伝導体であるだけでなく、電気的絶縁体である必要がある。本発明によれば、電解質層を製造するために使用されるナノ粒子は、以下の材料の一つ以上から好ましくは選択される:
a)以下から選ばれる酸化物系材料;Li3.6Ge0.60.4;LiO−Nb;LiSiO;LiO;Li14Zn(GeO;LiZr;LiZrO;Li0.35La0.55TiO;Li0.5La0.5TiO;LiLaZr12;Li5+xLa(Zrx,2−x)O12、但し、A=Sc,Ti,V,Y,Nb,Hf,Ta,Al,Si,Ga,Ge,Sn及び1.4≦x≦2;
b)LiN;LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3、但し0<x<4、又はLiBO3−x2x/3、(但し0<x<3)から選ばれる窒化物又は酸窒化物系材料;リチウム及びリン酸窒化物系材料(いわゆるLiPON)で、シリコン(いわゆるLiSiPON)、ホウ素(いわゆるLiPONB)、硫黄(いわゆるLiPONS)、ジルコニウム又はアルミニウム(いわゆるLiPAON)又はアルミニウム、ホウ素、硫黄及び/又はシリコンの組み合わせを含有し得る;リチウム及びホウ素酸窒化物系材料(いわゆるLiBON)で、シリコン(いわゆるLiSiBON)、硫黄(いわゆるLiBONS)又はアルミニウム(いわゆるLiBAON)又はアルミニウム、硫黄及びシリコンの組み合わせを含有し得る;及びより具体的にはLixPOyNz系の材料で、但し、式中x〜2.8及び2y=3z但し0.16≦z≦0.46;又はLiPO、但し、(2x+3y+2z)=(5+w)及び3.2≦x≦3.8;0.13≦y≦0.4;0≦z≦0.2;2.9≦w≦3.3;又はLiAl、但し、(5x+3y)=5;(2u+3v+2w)=(5+t);2.9≦t≦3.3;0.84≦x≦0.94;0.094≦y≦0.26;3.2≦u≦3.8;0.13≦v≦0.46;0≦w≦0.2;又はLi1.9Si0.21.01.11.0;又はLi2.9PO3.30.46;又はLi6−0.75x1.75xZr2−2x7−y、但しz≦14/3;2y=3z及びx≦0.8;又はLi8−3.5x1.5xZr1−xz6−y、但しx≦0.8;z≦4及び2y=3z;又はLi8−3xLaZrO6−y、但しO<x≦2;z≦4及び2y=3z;又はLi(Sc2−x)(PO4−y)、但しx≦2;z≦8/3;2y=3z及びM=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
c)以下から選ばれる硫黄系材料:Li1−yM’、但しM=Si,Ge,Sn及びM’=P,Al,Zn,Ga,Sb;LiS;B;P;70LiS−30P;Li11;Li10GeP12;LiPS;Li3.25Ge0.250.75;Li10MP12、但しM=Si,Ge,Sn及び、LiSと、P,GeS,Ga又はSiSの中の化合物の1つとの混合物;
d)以下から選ばれるリン酸又はホウ酸系材料;LiPO;LiTi(PO;Li1+xAl2−x(PO(ここで、M=Ge,Ti、及び/又はHf及び0<x<1);Li1.3Al0.3Ti1.7(PO;Li1+x+yAlTi2−xSi3−y12(ここで、0≦x≦1及び0≦y≦1);Li1+x+zMx(Ge1−yTi2−xSi3−z12(ここで、0≦x≦0.8,0≦y≦1.0,0≦z≦0.6);2(Li1.4TiSi0.42.612)−AlPO;LiAlz−yGa(PO又はLiAlz−yGa(BO又はLiGez−ySi(PO又はLiGez−ySi(BO又はより一般的にはLiz−yM’Sw(PO又はLiz−yM’(BO、但し4<w<20,3<x<10,0≦y≦1,1≦z≦4及び0<c<20及びM又はM’はAl,Si,Ge,Ga,P,Zn,Sbの中の元素;又はLiSc2−xPO、但し、M=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
e)以下から選ばれる混合材料;LiSと、LiPO,LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3(但し、0<x<4)又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)の中の化合物の1つとの混合物;LiS及び/又はB,SiS,P,GeS,Ga及びケイ酸リチウムLiSiO,ホウ酸リチウムLiBO又はリン酸リチウムLiPOなどのLiMO型化合物の混合物。
<2.アノード、カソード及び固体電解質層の形成>
本発明によれば、アノード、カソード及び電解質材料の層は、少なくとも1つの以下に記載されたデポジション技術により得ることができる。
真空デポジション技術によれば、アノード及びカソード集電体として作動可能な金属基板上に直接極めて緻密な層を形成することができる。
公知の真空デポジション技術の中で、物理蒸着法(PVD)技術、より具体的には真空蒸着法、レーザーアブレーション、イオンビーム又はカソードスパッタリング;化学気相蒸着法(CVD)技術、及びより具体的にはプラズマ促進化学気相蒸着法(PECVD)、レーザー化学気相蒸着法(LACVD)、又はエアロゾル化学気相蒸着法(AA−CVD)技術を挙げることができる。
これらのデポジション技術は、極めて純度の高い電極(カソード/アノード)を製造することができる。電極の良好な作動を確保するためには、アノード及びカソード層を製造するために使用される材料に応じて抵抗効果を誘発しないように、堆積層は薄く、好ましくは10μm未満、より好ましくは5μmとする必要がある。また、5μmよりも大きい厚さでは、規則的な界面の減少をもたらすカラム成長を促進する危険性がある。
好ましくは、エレクトロスプレーデポジション技術もまた電極(アノード/カソード)及び/又は電解質材料を含む緻密な層の堆積を形成させるのに使用される。これらの層は、電界の影響下で反応し、乾燥後に界面に電極及び/又は電解質材料の薄膜を形成する化合物をスプレーすることにより形成される。そのような層形成の例は、論文「エレクトロスプレー法によるLiMn薄膜の製造」(J.of Aerosol Science,Vol.25,no.6,p.1229−1235)」において開示されている。電極(アノード/カソード)及び/又は電解質材料を含有する緻密な層の堆積はまた、「エアロゾル」デポジション技術により製造され得る。容器に含まれるMs材料のナノ粒子は、容器に加圧ガスを注入することにより移動する。粒子ジェット上に凝集を分離させ、調整されたサイズの粒子流れを確保するために、解凝集装置を設置してもよい。このデポジション技術を用いることにより、種々の厚さを有する層を製造することができる。また、このデポジション技術によれば、活性材料及びイオン及び/又は電子伝導性材料の粒子を共堆積させることができる。この技術により堆積された層の密度は、粒子サイズ、粒子の不応性(refractory character)、及び粒子のプロジェクションスピードに依存する。また、このデポジション技術は、低温で行うことができるとともに、金属基板、より具体的には、アルミニウム、銅又はニッケル金属基板上に直接緻密なアノード及びカソード層を形成することができる。
ゾル−ゲルデポジション技術は、電極(アノード/カソード)及び/又は電解質材料を含有する緻密な堆積層を形成するのに使用され得る。この技術は、特に、100nm未満、好ましくは50nm未満、及びさらにより好ましくは30nm未満の厚さを有する薄層を形成するのに効果がある。また、この技術を使用して、より薄い層、すなわち、0.1〜10μmの層を堆積させることもできる。そして、複数の連続ステップで、層を順次堆積させることにより堆積層を形成させる(「レイヤーバイレイヤー」成長技術)必要があり、これにより後者(the latter)が限界厚さを超えた場合に堆積層にクラックが生じるのを避けることができる。 An 実施例 of the production of 電極s by この技術により電極を形成する例は、論文「ゾル−ゲル法により得られた前駆体からのLiTi12及びLiCoO薄膜電極の形成」,Y.H.Rho,K.Kanamura,Solid State Ionics 151 (2002) 151−157.に記載されている。しかしながら、特に前記堆積が600℃を超える温度での加熱処理を必要とする場合には、ゾル−ゲル技術は、カソード材料又はアノード材料を含む層を、例えば、アルミニウムなどの、低い融点を持つ金属基板上に形成することには好適ではない。
また、電極及び/又は電解質材料のナノ粒子の懸濁液を作製することにより緻密な電極及び/又は電解質層を得ることも可能である。被覆対象の表面にナノ粒子を堆積させ得る複数の技術が知られている。これらの技術のうち、特に、インク法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、及びラングミュア−ブロジェット法を挙げることができる。まず、堆積させる材料のナノ粒子を溶媒に懸濁させ、その後溶媒を蒸発させる。そして、緻密な電極及び/又は電解質層を得るためには、層毎の堆積を形成、乾燥及び統合させる必要がある。In order forそのような工程を行うことができるためには、ナノ粒子の堆積層が乾燥工程(及び/又は必要ならば加熱緻密化処)において互いに結合可能なほど緻密であることを要する。ナノ粒子が一旦層形状に堆積され、乾燥されると、ナノ粒子を互いに凝集させるために加熱及び/又は機械処理が行われる。ナノ粒子の堆積が金属基板上に形成される場合には、圧密化ステップ中の横方向の収縮を避けるために、一軸加圧(加熱あり、又はなしで)が好ましくは堆積層上に施される。また、この技術によれば、活性材料、リチウムイオン伝導性材料及び/又は電子伝導性材料を含有する複合堆積層を形成することができ、それらの伝導(イオン及び/又は電子の)性能を変えることなく電極層の厚さを増加させることができる。
電気泳動デポジション技術はまた、電極及び/又は電解質材料の緻密な層を得ることができる。堆積させる粒子のサイズが100nm未満、好ましくは50nm未満、及びさらにより好ましくは30nm未満である場合には、電気泳動法により直接金属導電性基板上に、質量体の理論密度の50%より大きい密度の緻密な層を得ることができる。堆積後の層のクラッキングを防ぐためには、懸濁したナノ粒子は小さく且つ完全に安定でなければならない。堆積させたナノ粒子の性質、緻密さ、層の厚さによれば、前記堆積層の密度を向上させるために、追加的な加熱及び/又は機械処理が施され得る。これにより、質量体の理論密度の85%又はさらに90%より大きい密度を得ることができる。
粒子懸濁液の安定性が低い場合には、電気泳動法による堆積は、好ましくは連続ステップで行われ得る。実際、堆積層の厚さに応じて、乾燥ステップにおけるクラック発生の危険性は重大である。従って、連続層の堆積及び圧密化により、0.5μmより大きい厚さのクラックのない堆積層を製造することができる。例えば、以下のステップを行うことにより、厚い緻密な層を得ることができる:
a)アノード又はカソード材料、電子伝導性材料及びリチウムイオン伝導性材料の粒子の混合物を電気泳動法により0.4μm厚さに堆積させる(クラックを生じない程度に十分細かい);
b)堆積層を加熱、凍結乾燥又は堆積層を超臨界状態のCOに浸すことにより乾燥させる;
c)任意で、堆積層の一軸機械的圧密化を、好ましくは加熱とともに行う;
d)所望の厚さの層が得られるまでステップa)、b)及びc)を繰り返し行う。
この技術は、厚い緻密な層の製造に効果がある。また、この技術は、活性材料、イオン及び/又は電子伝導性材料を含有する複合堆積層を形成することができ、後者が厚い場合であっても電極の良好な伝導性を保持することができる。また、この技術は金属の伝導性基板上に直接行うことができ、及び緻密なアノード、カソード及び/又は電解質層を形成することができる。また、堆積した材料の粒子のサイズに応じて、加熱処理及び機械的圧密化は変更され得る。100nmよりも小さな、好ましくは50nmより小さな、及びさらにより好ましくは30nmより小さなサイズを有するナノ粒子の懸濁液を電気泳動法により堆積させると、特に、堆積させた材料が、不応性でなく(non−refractory)、且つ高い表面エネルギーを有する場合には、得られた層は堆積後直接緻密であり得る。しかしながら、よりも大きな粒子では、一軸機械的圧密化及び/又は加熱処理の適用は、前記層の密度を向上させるために行われ得る。従って、この技術は、比較的厚い堆積層を素早く形成することができるとともに、特に、高エネルギー密度電池用の厚い電極の形成に好適である。
基板は導電性の表面又は導電性要素、例えば、導電性領域を有するシート又は帯材であり得る。電極と接触している基板の性質は、不活性であって、干渉してはならず、リチウムイオン電池の作動電位の範囲で副反応を起こしてはならない。例えば、6μmであるような厚さの銅、アルミニウム、又はニッケル帯材、又は導電性表面堆積層を有するポリマー帯材(ここで金属化ポリマーフィルムと称される)が使用され得る。
本発明の文脈において、基板は、図3及び図10に示されているが、電極の微細な切り抜きを行うことができるように、薄い厚さを有する必要がある。金属及び/又は金属化ポリマーフィルムが好ましい。電極シートのパターンは、電極を堆積させる前に形成しておいてよい。このパターンは、この目的にための既知の任意の工程、すなわち、任意の機械的、化学的、又は電気化学的工程により製造され得る。
本発明による方法の利点は、「全固体状態」多層構造を低温で製造することができる点にある。従って、金属化ポリマーフィルム系基板を好適に用いることができる。このようなフィルムは、工業的に、1μmのオーダーの厚さで製造することができ、これにより薄膜電池の体積エネルギー密度を増加させることができる。
効果的には、電気的接触の品質を向上させ、電極材料との副反応の発生を回避するために、コーティングされた集電体表面は、金属化により貴金属又は遷移金属で被覆される。好ましくは、集電体の表面上に堆積させることができる金属は、以下の金属から選択される:金、白金、パラジウム、バナジウム、コバルト、ニッケル、マンガン、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、タングステン、又はこれらの金属の少なくとも一種を含む合金。代替的に、インジウムスズ酸化物(ITO)などの酸化物導電膜が、基板と電極との間の接触の質を向上させるために、基板上のコーティングとして使用され得る。
好ましくは、これらのコーティングは、薄いままでなければならず、その厚さが500nmよりも大きくてはならない。そして、好ましくは、表面の金属化層の厚さが100nmのオーダーであり得る。これらの金属化層は、例えばアルミニウム、銅又はニッケルのフィルム、薄いの金属帯材上に形成され得る。好ましくは、これらの帯材の厚さは20μm未満、より好ましくは10μm、さらにより好ましくは5μm以下である。
金属化ポリマーフィルムはまた、好ましくは5μm未満、より好ましくは1μmのオーダーの薄い厚さでなければならない。金属化層の性質は上述されており、そのフィルムは、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、又はテフロン(登録商標)(PTFE)、ポリイミド(PI)、及びより具体的には、300℃での熱処理を必要とする工程のためには、カプトン(登録商標)のいずれかからなることができる。
好ましくは、基板の粗さは、電池要素間の最適な接触を確保し、電極特性の均一性を確保するために、堆積した電極の厚さの10%を超えない。
基板は、例えば、次のように製造することができる:それは、5〜20μm、好ましくは15μmのオーダーの厚さのアルミニウム帯材を準備する。そして、帯材は「フラット」に維持されるように配置される。好ましくは、アルミニウム帯材の表面は、例えば洗浄槽に浸漬することによって、洗浄される。例えば、この洗浄は、NGL技術洗浄槽に浸漬して超音波を印加した後、蒸留水でリンスすることにより行われる。効果的には、帯材は、その厚さを減少させる、及び/又は、表面粗さ及びマイクロラフネスを除去するために、電解研磨処理される。この電解研磨処理は、以下の化学組成を有する溶液中で行われ得る:80%の無水エタノール、13.8%の蒸留水、6.2%の70%過塩素酸。印加電圧は15V程度である。必要に応じて、処理浴は、高電流密度に伴う過熱を防ぐために冷却することができる。
より高品質な表面のために、例えば、EP−システムのEPS1250又はEPS1300系の槽などの他の槽の組成を使用することができる。
電解研磨処理後、表面を蒸留水で洗浄する。この処理後、帯材の厚さは、概して1〜10μmである。
他の実施形態において、帯材の厚さの低減、及び/又は表面粗さ及び微小粗さの除去は、金属フィルム、及びより具体的にはアルミニウム、ニッケル又は銅の金属フィルムの電気化学的堆積により行われる。
この帯材は、好ましくは、本発明に係るプロセスにおいてアノード基板及びカソード基板として使用される。
好ましくは、ニッケルめっき処理を、その電解研磨処理直後のアルミニウム帯材の表面上に直接行ってもよい。この処理は、電気化学的堆積によって、又はニッケル塩を含む溶液に浸漬することによって、又はその両方を連続して行う方法のいずれかにより、異なる方法で実行することができる。例えば、電気的堆積は、以下の組成の浴で行うことができる:スルファミン酸ニッケルを300g/L、HBOを30g/L、NiClを30g/L。ニッケルめっきは、ニッケルカウンタ電極を用い、2A/dmのオーダーの電流密度で電解することによってその表面が前もって活性化されたアルミニウム帯材上で実行される。このニッケルめっき処理によれば、アルミニウム表面の酸化物層の形成を防止し、電気的接触の質及び堆積層の密着性を向上させることができる。
上述のごとく、上記処理は、アルミニウム帯材の表面上に堆積させることができる他の金属、すなわち、金、白金、パラジウム、バナジウム、コバルト、マンガン、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、タングステン、ニッケル、又はこれらの金属の少なくとも一種を含む合金を用いて行うことができる。堆積は、当業者に周知の技術により行うことができ、特に、化学気相成長法又は物理蒸着により、特に蒸着及び/又は物理的気相成長法により行うことができる。
<3.Ms結合材料層の形成>
本発明者らは、層を互いに組み合わせることは困難であり、従って、それらを結合させるためには、熱的及び/又は機械的に大量のエネルギーを供給する必要があることを見出している。層を組み合わせるために高温を使用することは、極めて不利である。なぜなら、それらの層が酸化され、層内で相互拡散の問題が生じると、集電体は大幅に劣化し得るからである。
本発明の本質的な態様によれば、層の積み重ねを容易にするために、前記スタッキング工程の前に、Ms結合材料料の層が次の表面上に堆積される:
−本発明に係るプロセスのステップa)において直接得られたアノード層又はカソード層の表面上;又は、
−本発明に係るプロセスのステップb)により得られた電解質層で被覆されたアノード層及び/又はカソード層の表面上;又は
−(ステップb)で得られた)電解質層で被覆されたアノード層の表面上に、及び(ステップa)で得られた)カソード層の表面上;又は(ステップa)で得られた)アノード層の表面上に、及び(ステップb)で得られた)電解質層でコーティングされたカソード層の表面上。
Ms結合材料層は、電解質のように、良いリチウムイオン伝導性である必要がある。
堆積される結合材料層の融点は、それが接触している層のものよりも低い必要がある。これは、Ms材料の選択だけでなく、層内でのそれらの形状に起因し得る。特に、ナノ粒子の形状で存在する材料の融点が高密度の材料の融点よりも低いことが知られており、このことはナノ粒子の高表面エネルギーに関連する。
効果的な実施形態では、Ms結合材料は、ナノ粒子を含む層の形状で堆積され、及び/又は非常に薄い層(例えば50nm又は20nm未満の厚さ)の形で堆積され、ステップe)での熱処理温度を低下させる。そして、2つの緻密層の少なくとも一方上にMs結合材料層を堆積させることにより、これらの2つの緻密層を対向して積層することが可能であり、これにより、これらの2つの緻密層を密着させることができる熱処理温度TRは、緻密層を構成する材料の溶融温度よりも低くなる。
一実施形態では、2つの同一の材料の機械的な積み重ねを提供するための本発明に係るプロセスの可能性を示しているが、Ms結合材料として、電解質材料のナノメートル粒子の薄層を緻密化された電解質層上に堆積され、その後、前記薄い結合材料層上に、第2の電解質緻密化層が(典型的には機械的に)スタックされ、そして、このアセンブリは、熱処理及び/又は機械的な緻密化処理に供され、その間結合材料は、2つの電解質層間の密着を確実化させる。この密着は、おそらく、それが接触している、可融性は低いが化学的に同一の層の方向に向かう、より融けやすい結合材料の拡散又は移動機構により生じる。
一般に、本発明に係るプロセスにより得られた前記層を積層して組み立てられるように、前記Ms結合材料層は、以下の材料の1つ以上から選ばれる:
a)以下から選ばれる酸化物系材料;Li3.6Ge0.60.4;LiO−Nb;LiSiO;LiO;Li14Zn(GeO;LiZr;LiZrO;Li0.35La0.55TiO;Li0.5La0.5TiO;LiLaZr12;Li5+xLa(Zrx,2−x)O12)、但し、A=Sc,Ti,V,Y,Nb,Hf,Ta,Al,Si,Ga,Ge,Sn及び1.4≦x≦2;
b)LiN; LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3、但し0<x<4、又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)から選ばれる窒化物又は酸窒化物系材料;リチウム及びリン酸窒化物系材料(いわゆるLiPON)で、シリコン(いわゆるLiSiPON)、ホウ素(いわゆるLiPONB)、硫黄(いわゆるLiPONS)、ジルコニウム又はアルミニウム(いわゆるLiPAON)又はアルミニウム、ホウ素、硫黄及び/又はシリコンの組み合わせを含有し得る;リチウム及びホウ素酸窒化物系材料(いわゆるLiBON)で、シリコン(いわゆるLiSiBON)、硫黄(いわゆるLiBONS)又はアルミニウム(いわゆるLiBAON)又はアルミニウム、硫黄及びシリコンの組み合わせを含有し得る;及びより具体的にはLixPOyNz系の材料で、但し、式中x〜2.8及び2y=3z但し0.16≦z≦0.46;又はLiPO、但し、(2x+3y+2z)=(5+w)及び3.2≦x≦3.8;0.13≦y≦0.4;0≦z≦0.2;2.9≦w≦3.3;又はLiAl、但し、(5x+3y)=5;(2u+3v+2w)=(5+t);2.9≦t≦3.3;0.84≦x≦0.94;0.094≦y≦0.26;3.2≦u≦3.8;0.13≦v≦0.46;0≦w≦0.2;又はLi1.9Si0.21.01.11.0;又はLi2.9PO3.30.46;又はLi6−0.75x1.75xZr2−2x7−y、但しz≦14/3;2y=3z及びx≦0.8;又はLi8−3.5x1.5xZr1−xz6−y、但しx≦0.8;z≦4及び2y=3z;又はLi8−3xLaZrO6−y、但しO<x≦2;z≦4及び2y=3z;又はLi(Sc2−x)(PO4−y)、但しx≦2;z≦8/3;2y=3z及びM=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
c)以下から選ばれる硫黄系材料:Li1−yM’、但しM=Si,Ge,Sn及びM’=P,Al,Zn,Ga,Sb;LiS;B;P;70LiS−30P;Li11;Li10GeP12;LiPS;Li3.25Ge0.250.75;Li10MP12、但しM=Si,Ge,Sn及び、LiSと、P,GeS,Ga又はSiSの中の化合物の1つとの混合物;
d)以下から選ばれるリン酸又はホウ酸系材料;LiPO;LiTi(PO;Li1+xAl2−x(PO(ここで、M=Ge,Ti、及び/又はHf及び0<x<1);Li1.3Al0.3Ti1.7(PO;Li1+x+yAlTi2−xSi3−y12(ここで、0≦x≦1及び0≦y≦1);Li1+x+zMx(Ge1−yTi2−xSi3−z12(ここで、0≦x≦0.8,0≦y≦1.0,0≦z≦0.6);2(Li1.4TiSi0.42.612)−AlPO;LiAlz−yGa(PO又はLiAlz−yGa(BO又はLiGez−ySi(PO又はLiGez−ySi(BO又はより一般的にはLiz−yM’Sw(PO又はLiz−yM’(BO、但し4<w<20,3<x<10,0≦y≦1,1≦z≦4及び0<c<20及びM又はM’はAl,Si,Ge,Ga,P,Zn,Sbの中の元素;又はLiSc2−xPO、但し、M=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
e)以下から選ばれる混合材料;LiSと、LiPO,LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3(但し、0<x<4)又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)の中の化合物の1つとの混合物;LiS及び/又はB,SiS,P,GeS,Ga及びケイ酸リチウムLiSiO,ホウ酸リチウムLiBO又はリン酸リチウムLiPOなどのLiMO型化合物の混合物。
代替の実施形態では、前記Ms結合材料層は、リチウム塩含浸ポリマーの少なくとも1つを含み/からなり、前記ポリマーは、好ましくはポリエチレンオキシド、ポリイミド類、ビニリデンポリフルオライド、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリシロキサン類により形成される群から選ばれ、前記リチウム塩は、好ましくはLiCl,LiBr,LiI,Li(ClO),Li(BF),Li(PF),Li(AsF),Li(CHCO),Li(CFSO),Li(CFSON,Li(CFSO,Li(CFCO),Li(B(C),Li(SCN),Li(NO)から選ばれる。
本発明に係るプロセスのステップa)、b)及びc)の層の堆積は全てが電気泳動法により行われるものではないとの理解のもとで、前記Ms結合材料層の堆積は、以下の技術の1つにより行われる:
i)物理蒸着法(PVD)、及びより具体的には、真空蒸着法、レーザーアブレーション、イオンビーム、カソードスパッタリング;
ii)化学気相蒸着法(CVD)、及びより具体的には、プラズマ促進化学気相蒸着法(PECVD)、レーザー化学気相蒸着法(LACVD)、又はエアロゾル化学気相蒸着法(AA−CVD);
iii)エレクトロスプレー法;
iv)エアロゾル堆積法;
v)電気泳動堆積法;
vi)ゾル−ゲル法;
vii)ディップ法、より具体的には、ディップコーティング、スピンコーティング又はラングミュア−ブロジェット法。
電極の良好な性能を確保するために、これらの堆積層は、好ましくは200nm未満、さらにより好ましくは100nm未満の薄さにして、電池セルに過剰な抵抗効果をもたらさないようにするべきである。
ゾル−ゲル堆積技術は、Ms結合材料の緻密な堆積層を形成することができる。この手法は、200nm未満の厚さを有する層の製造に好適である。
これは、予めMs結合材料料のナノ粒子を好適な液体に含む懸濁液を使用して、その液体を後で蒸発させることにより、Ms結合材料層を堆積させることも可能である。この技術は、特に、インク法、ディップ法、スピンコート法、又はラングミュア−ブロジェット法を含む。
エレクトロスプレー堆積技術もまた、ナノ粒子の形態でMs結合材料料の堆積層を形成するために使用され得る。この堆積は、乾燥後のMs結合材料の表面層を形成するために、電界の影響下で反応する化合物の噴霧によって行われ、表面上で、乾燥後にMs結合材料層を形成する(cf.本明細書中のポイント2.2(cf. point 2.2 of this description))。
別の実施形態では、Ms結合材料のナノ粒子の堆積は、「エアロゾル」堆積技術によって形成され得る。容器内に含まれるMs材料のナノ粒子は、その容器内に圧縮ガスを吹き込むことによって移動する。凝集体を破壊し、制御された粒子サイズの流れを確保するために、解凝集装置が粒子ジェット上に配置され得る(cf.本明細書中のポイント2.2(cf. point 2.2 of this description))。
最後に、電気泳動堆積技術によれば、薄いMs結合材料層を得ることができる。
電気泳動により得られた層の少なくとも1つの表面上にMs材料層を堆積した後、この層が対向してスタックされ、機械的に圧縮され、及び/又は加熱処理され、電池として機能し得る、基本セルの全固体状態アセンブリを得る。好ましくは、組み立てられた層の加熱処理は、Ms結合材料の融点又は分解温度(℃)の、好ましくは0.7倍を超えない、より好ましくは0.5倍、(さらに好ましくは0.3倍)を超えない温度Tで行われる。
加熱処理は、材料の融点、ナノ粒子のサイズ及び機械的処理の強度に依存する、比較的低い温度(T)で行われる。効果的には、Tは、600℃を超えない、及び好ましくは500℃又はさらには400℃を超えない。効果的には、加熱処理は、堆積した粒子の表面の汚染を最小限にすべく、真空下又は不活性ガス下で行われる。
効果的なことに、組み立てられる層の機械的圧縮は、10〜100MPa、好ましくは10〜50MPaの圧力で実施される。
Ms結合材料層の全体の厚さも、組み立てられる層の性質に依存する。例えば、それぞれ電解質層で被覆されたカソード層とアノード層とをアセンブルしたい場合、Ms結合材料層の厚さが非常に薄く、すなわち100nm未満、好ましくは50nm未満、さらにより好ましくは30nm未満でなければならず、これにより、得られた電解質層は良好なイオン伝導性を保持する。最後に、電解質層で被覆されていないアノード層(又はカソード層)及び電解質層で被覆されていないカソード層(又はアノード層)をアセンブルしたい場合、Ms結合材料層の厚さは、100nm未満、好ましくは50nm未満、さらにより好ましくは30nm未満である。効果的には、Ms材料粒子の大きさは、そのMs材料が堆積される層の厚みよりも小さい。
ここで、Ms結合材料を選択し、堆積させるためのいくつかの好ましい実施形態について述べる。結合材料は、無機材料、及びこの場合ナノ粒子から堆積され得、ナノ粒子から堆積したフィルムは好ましくは加熱及び/又は機械的圧密化工程を施すことが効果的である;ナノ粒子形状で堆積されるということは、マッシブ相についての融点を低下させる。結合材料は、予めリチウムイオンを含浸したポリマーを含み得、この場合、このポリマー相の融点は、前記ポリマーが接触する無機層の融点よりも低くなり得る。最後に、ある種のリン酸塩及びホウ酸塩は比較的低い融点を有しており、溶けやすくし且つ対向してスタックされた2つの層間の接触を促進させるために、ナノ粒子の形状で堆積させる必要はない。
<4.電池の組立>
図4及び図5は、本発明に係るプロセスの異なる実施形態における電池の製造工程を模式的に示している。これらの実施形態は、限定されないが、例示として与えられている。
図4に模式的に示されている本発明の実施形態による各ステップで得られた製品は図1A〜図1Dに模式的に示されている。ステップ1.A及びステップ1.B(図4及び図5)では、カソード24及びアノード21の層は、それぞれ、導電性基板20上に物理蒸着法(PVD)により堆積される。図1Aに示すようにアノード21では、この堆積は導電性基板の2つの面に行われ得る。
ステップ2.A及び2.Bでは、電解質層22がアノード21及びカソード24のそれぞれの上に堆積される(図4)。その厚さは1μm未満であることが好ましい。図1Bに概略的に示すように、この堆積はまた電極のエッジを覆う。この電極のエッジの絶縁性により、短絡の危険性及びリーク電流の危険性が回避される。ステップ3.A及び3.Bでは、この電解質堆積層は乾燥される。
本発明の特定の実施形態では、堆積層は、ステップ4.A及び4.Bにおいて、機械的及び/又は熱的手段によって緻密化される。得られた電解質層が、乾燥工程後に既に緻密且つコンパクトな場合は、このステップは必要ではない。
別の実施形態では、図5に示すように、電解質層22はカソード24上にのみ堆積される。その厚さは、好ましくは1μm未満である。図1Bに概略的に示すように、この堆積層はまた電極のエッジを覆う。この電極のエッジの絶縁性により、短絡の危険性及びリーク電流の危険性が回避される。また、封止化も単純化され得る。ある種のリチウムイオン伝導性セラミックス及び/又はガラスセラミックスはまた、セルを外的環境から保護し得る。また、ポリマー又はシリコーン状の単一の封止層が、電池セルを保護するのに使用され得る。ステップ3.Aでは、前記電解質層を乾燥させる。
ステップ5.A及び5.B(図4,5)において、Ms結合材料層が電気泳動堆積により得られた2つの層の少なくとも1つの表面に堆積され、対向してスタックされる。
ステップ6.A及び6.Bでは、図1D又は図1Fに示すように、電極のエッジはカットされている。効果的には、帯材に接続されているエッジは、エッジ上が電解質で被覆された3つのエッジを残すようにカットされている。この電解質が誘電体物質である場合、次のスタッキング工程で、セルの片側のアノード接触及び反対側のカソード接触のみ各々さらすことができ、これにより、電池要素の並列なアセンブリを形成し、より高容量の電池セルを形成することができる。図1D又は図1Fは、カット後のそのようなセルの断面を模式的示している:基板20は、カソード層21で被覆され(ここでは両側に)、エッジ23でカットされる。ステップ7では、スタックが形成され、そのスタックの両側に交互に一連のカットされたアノード21のエッジ23及びカソード21のエッジが存在し、任意で電解質層22で覆われ、及び任意でMs結合材料層25で被覆されている。図2は2つの基板20のスタックを示しており、これらの基板の一方は、両面に、電解質層22とその電解質層22の片側の面にMs結合材料層25とで被覆されたアノード層21を有しており、上記基板の他方は、電解質層22とその電解質層22の片側の面にMs結合材料層25とで被覆されたカソード層24を有しており、各々アノード21及びカソード24上に堆積され、各々Ms結合材料25で被覆された電解質層22の2つの面は、共通の界面26を形成するように互いに配置されている。従って、2つの隣接セル間の電気的接続は、前記電解質により確保される。
ステップ8において、熱処理及び/又は機械的圧縮が行われることにより、対向してスタックされた2層間の接触が促進され、電池として作動可能な初期セルの全固体状態アセンブリとなる。一度スタックが形成されると、ターミナル(電気的接触)35,36が、カソード又はアノード集電体を視認可能なレベルで付加される(絶縁性の電解質では被覆されていない)。これら接触領域は、図3に示すように、集電するために、スタックの対向する側面にあってもよいし、又は同じ側面若しくは隣接した側面にあってもよい。
特定の実施形態では、図3に示すスタックは、円柱状のセルを得るために、2つの半電池を互いにマンドレル上にワインドすることにより製造される。
そして、図3の配置のように、アノード接続は、一方の側面に現れる一方、カソード接続は他方の側面に現れる。
特定の実施形態では、好ましくはそのスタッキング後であり且つそのターミナルが付加される前に、セラミック又はガラスセラミック層を堆積させることによりスタックを封止し、電池セルの大気からの保護を確実化することが効果的である。これらの封止層は化学的に安定で、高温に耐性が高く、大気雰囲気に対して不透過性でなければならない(バリア層)。これらの層は、効果的には、接触可能なスタック表面の全てを覆うことができる化学気相蒸着(CVD)によって堆積させることができる。従って、封止はスタック上に直接行うことができ、これによりコーティングは、存在し得る空孔全てに浸透することができる。効果的には、外部環境からの電池セルの保護を強化するために、第1の封止層の上に、第2の封止層を堆積させることができる。典型的には、この第2の層の堆積は、シリコーン含浸によって行うことができる。高温に耐性があることにより、ガラス転移を起こすことなく、回路基板に半田付けすることによって、電池を容易に組み立てることができるという理由に基づいて、そのような材料の選択が行われる。
効果的なことに、電池の封止化は、スタックの6つの面のうちの4面上で行われる。封止層はスタックの周囲を囲んでおり、大気からの保護は、ターミナルにより得られる層により確実に維持される。
一度スタックが行われ、スタックの封止工程が行われる場合はその封止工程後に、ターミナル(電気的接触)35,36が付加され、カソード、アノード、及び集電体が覆われる(絶縁性電解質により被覆されない)。これらの接触領域は、電流を集電するためにスタックの対向する側に存在するだけでなく、図3に示すように、同じ側及び隣接する側に存在する。
ターミナル35,36を形成するために、任意で被覆されたスタックは、一体の電池体を得ることができるカッティング面によりカットされ、電池の接続(+)及び(−)のカッティング面のそれぞれが覆われる。そして、接続は当業者に公知のプラズマ蒸着技術により金属化され得る。ターミナル35,36は好ましくは、電池の半田付けを容易にする外側のスズ層と、そのスズ層の下側にあり且つ電池セルを熱的に保護するためのニッケル層とにより構成される。
従って、本発明の方法によれば、全てが互いに並列に接続された複数の基本セルにより構成される全固体状態三次元電池の製造が可能となる。
本発明に係る製造プロセスは、以下の理由により多くの利点を有している:
(i)高温を使用することなく、コンパクトな全固体状態電池を製造できる;
(ii)使用される温度が低いため、界面での相互拡散や固相反応のリスクを制限する;
(iii)本方法によれば、組立工程中の電極及び電解質層の収縮に伴う亀裂の危険性がなく全固体状態電池を製造できる;
(iv)本発明による方法は、基本セルのアセンブリによって全固体状態コンパクト電池を製造することができる。実際、本発明の方法によれば、全固体状態電池セルの三次元アセンブリを可能にする。全てのセルの一段階アセンブリによれば、全てが互いに並列に接続された複数の基本セルからなる全固体状態一体型電池を製造することができる。この基本セルは互いに独立していない。
本発明による方法によれば、スタッキングと全固体状態アセンブリの構造により硬さが与えられるため、固い基板を使用しないことができる。また、この製造技術によれば、極めて薄い金属化フィルム上に形成することができ、これにより極めて高容量の且つ高エネルギー密度の電池セルを得ることができる。
また、この技術は、内部短絡の危険性がなく、自己放電量の小さい完全に安全な電池を製造することができる。
最後に、本方法により得られた電池は、高容量且つ高エネルギー密度であり、その物理的及び化学的特性が変化することなく極端な温度条件においても作動することができる。
[実施例1]:Ni/LiTi12/LiPON/LiCoO/Niのアセンブリ
<a)基板の製造>
厚さ20μmのニッケル帯材を準備する。これら帯材上に、約100nmのPtフィルムで被覆したITO薄膜が、加熱処理ステップ中にニッケルが電極材料中に拡散しないようにするために、それぞれ堆積された。帯材は、基板を保持するために固定構造を形成すべく保持枠内に配置される。
<b)アノード層の堆積/アノード層上への電解質層の堆積>
アノード層は、ゾル−ゲル法により基板上に堆積される。PVP(ポリビニルピロリドン)、チタニウムイソプロポキサイド(CHCHO)Ti、酢酸(CHCOOH)及びリチウムイソプロポキサイドLi(OC)を含有する溶液がディップ法により基板上に堆積される。この溶液の化学組成のモル比は、Li(OC)/((CHCHO)Ti/PVP/CHCOOH/i−COH=4:5:5:100:100である。そして、この第1堆積層は乾燥され、700℃1時間で焼成され、その後、上述の溶液をドリップすることにより堆積ステップが行われる。そして、この焼結後に得られたLiTi12層上に行われた新しい堆積が、乾燥され700℃1時間で焼成される。ステップは、1μm厚さのLiTi12の緻密な層が得られるまで繰り返される。
一度アノード電極が形成されると、1μm厚さのLiPONフィルムが真空技術を用いて堆積される。このLIPONフィルムは、窒素雰囲気の減圧下でLiPOターゲットをスプレーすることにより形成される。
<c)カソード層の形成>
カソード層は、物理蒸着により、ニッケル基板上に堆積される。LiCoOターゲットは、出力300WでRFマグネトロンスプレー(RF magnetron spraying)により真空下蒸着される。蒸着を行う前に、蒸着チャンバは、5.10−6Torrの真空状態とする。そして、純アルゴンが蒸着用ガスとして使用され、蒸着圧は10mTorrに保持される。このように蒸着されたLiCoOフィルムは、その後ハロゲンランプを用いて蒸着チャンバ中で650℃の温度で15分間熱処理される。
<d)Ms結合材料層の形成>
アノード上に堆積されたカソード及び固体電解質表面のレベルで2つの班電極のアセンブリの製造を促進するために、まず、Li1.3Al0.3Ti1.7(POのナノ粒子を、カソード表面に堆積した。この堆積は、Li1.3Al0.3Ti1.7(POのナノ粒子のエタノール懸濁液にカソードフィルム表面を浸漬することにより行う。粒子サイズは、15nmのオーダーである。カソードフィルムは、Li1.3Al0.3Ti1.7(POのコロイド懸濁液にディップされ、100mm/分の速度で除去された。堆積厚さは50 nmのオーダーである。
<e)多層セル製造のための電極のアセンブリ>
Ms結合材料で被覆されたカソードと、固体電解質フィルム(LiPON)で被覆されたアノードとの間のアセンブリは、アニール処理により、アセンブルされた2つの表面間の接触圧が80MPaで行われる。温度の増加率は、450℃まで100℃/分であり、この温度で5分間維持した後、アセンブリを冷却する。
Ni/LiTi12/LiPON/LiCoO/Niの固体アセンブリは、LiPONとLiCoOカソードとの間の界面にMs結合材料を有する。
[実施例2]:Ni/LiTi12/LiSc1.6Al0.4(PO/LiCoO/Niのアセンブリ
<a)基板の製造>
厚さ10μmのニッケル帯材を準備する。これら帯材上に、約100nmのパラジウムフィルムがそれぞれ堆積される。帯材は、基板を保持するために固定構造を形成すべく保持枠内に配置される。
<b)アノード層の堆積/アノード層上への電解質層の堆積>
アノード層は、ゾル−ゲル法により基板上に堆積される。PVP(ポリビニルピロリドン)、チタニウムイソプロポキサイド(CHCHO)Ti、酢酸(CHCOOH)及びリチウムイソプロポキサイドLi(OC)を含有する溶液がディップ法により基板上に堆積される。この溶液の化学組成のモル比は、Li(OC)/((CHCHO)Ti/PVP/CHCOOH/i−COH=4:5:5:100:100である。そして、この第1堆積層は乾燥され、700℃1時間で焼成され、その後、上述の溶液をドリップすることにより堆積ステップが行われる。そして、この焼結後に得られたLiTi12層上に行われた新しい堆積が、乾燥され700℃1時間で焼成される。ステップは、1μm厚さのLiTi12の緻密な層が得られるまで繰り返される。
一度アノード電極が形成されると、1μm厚さのLiSc1.6AI0.4(P0のLiPONフィルムが真空技術を用いて堆積される。
<c)カソード層の形成>
カソード層は、物理蒸着により、ニッケル基板上に堆積される。LiCoOターゲットは、出力300WでRFマグネトロンスプレー(RF magnetron spraying)により真空下蒸着される。蒸着を行う前に、蒸着チャンバは、5.10−6Torrの真空状態とする。そして、純アルゴンが蒸着用ガスとして使用され、蒸着圧は10mTorrに保持される。このように蒸着されたLiCoOフィルムは、その後ハロゲンランプを用いて蒸着チャンバ中で650℃の温度で15分間熱処理される。
<d)Ms結合材料層の形成>
アノード上に堆積されたカソード及び固体電解質表面のレベルで2つの班電極のアセンブリの製造を促進するために、まず、LiSc1.6Al0.4(POのナノ粒子を、カソードに堆積した。この堆積は、LiSc1.6Al0.4(POのナノ粒子のエタノール懸濁液にカソードフィルム表面を浸漬することにより行った。粒子サイズは、15nmのオーダーである。カソードフィルムは、LiSc1.6Al0.4(POのコロイド懸濁液にディップされ、100mm/分の速度で除去された。堆積厚さは50nmのオーダーである。
<e)多層セル製造のための電極のアセンブリ>
スタックさせる前に、作製する電池のサイズに応じた切り抜きを形成するために、固体電解質膜で被覆されたアノードとカソードはパンチングされる。これらのパターン(図6及び図7、符号B参照)は、互いに隣接し、電池のサイズを決定する3つの切り抜きを含む。第2のスロット(図6及び図7、符号A参照)は、コンポーネントの封止化に必要な成分の透過を確実化することができるように、未切断側に形成された。
Ms接着材料の堆積は、この電極パンチング工程の前又は後に行うことができる。そして、アノード電極とカソード電極は、複数の基本セルのスタックを形成するように、交互にスタックされる。図7に示すように、アノードとカソードの切り抜きパターンは、「ヘッド−トゥ−テール」配置に設定された。そして、このスタックは、一体型の固い多層積層構造を得るために、50MPaで加圧されるとともに、350℃で10分間加熱された。
次に、この積載されたシートのアセンブリは、内側や切り抜き領域を含む、スタック表面全体を覆う保護封止材料の堆積層を形成するために、真空下で堆積チャンバ内に配置された。切り抜きA(図6,7参照)は、スタックされた層の内部表面に堆積された材料の浸透を促進させる。この保護材料は、プラズマ促進化学気相蒸着により蒸着されたヘキサメチルジシロキサン(HMDSO)のコーティングであってもよい。この第一のコーティング層により、外部環境、特に水分から電池セルを保護することができる。そして、15μmのシリコーンの第2の層は、機械的損傷から電池を保護する層で電池セルを被覆するために、インジェクションにより形成される。
この電池セルアセンブリは、スタック及びコーティングされ、そして一体型電池コンポーネントを得ることができるカッティング面により切り抜かれ、両側で、電池の接続(+)及び(−)のカッティング面の各々が覆われる。そして、これらの接続は、図8に示す電池コンポーネントを得るために、プラズマ蒸着技術により金属化される。ターミナルは、電池セルを熱的に保護するニッケル層と、得られた電池の半田付けを容易にするスズ層とにより構成される。
<f)電極のアセンブリ>
Ms結合材料で被覆されたカソードと、LiSc1.6Al0.4(POの固体電解質フィルムで被覆されたアノードの間のアセンブリはアニール処理、及びアセンブルする2つの表面間の接触圧を80Mpaとすることにより行われた。この温度増加率は、450℃までは100℃/分であり、この温度で5分間維持した後、アセンブリは冷却された。
Ni/LiTi12/LiSc1.6Al0.4(PO/LiCoONの固体アセンブリは、LiSc1.6Al0.4(PO及びLiCoOカソード間の界面にMs結合材料を有する。

Claims (27)

  1. 全固体状態電池の製造プロセスであって、
    前記電池は、複数の基本セルのアセンブリからなる全固体状態電池を得るために、アノード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「アノード層」)と、固体電解質材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「電解質層」)と、カソード材料を含む少なくとも1つの緻密な層(「カソード層」)とを備え、
    前記製造プロセスは、以下のステップを含む:
    a)緻密なアノード層及び緻密なカソード層は、それぞれこれらの個々の導電性基板上に形成され、
    前記導電性基板は、それぞれアノード及びカソード集電体として機能し得る
    ステップと、
    b)緻密な固体電解質層は、前記ステップa)で得られた2層のうちの少なくとも1つの上に堆積されるステップと、
    c)前記ステップa)、b)及びc)における層の堆積は、全てが電気泳動堆積法により行われたものではないという理解のもとで、
    前記少なくとも1つのMs結合材料のナノ粒子の層が、前記ステップa)及び/又はb)で得られた少なくとも1つの緻密な層上に、好ましくは電気泳動法により、堆積され、
    前記少なくとも1つのMs結合材料のナノ粒子層の融点は、それが接触している層の融点よりも低い
    ステップと、
    d)前記ステップc)で得られた層は、ステップa)、b)又はc)で得られた層と対向してスタックされるステップと、
    e)電池として機能し得る、基本セルの全固体状態アセンブリを得るために、対向してスタックされた前記2層間の接触を促進する加熱処理及び/又は機械的圧密化が施されるステップ。
  2. 請求項1に記載の製造プロセスであって、
    前記ステップe)で行われた加熱処理は、前記加熱処理ステップにさらされる少なくとも1つの最も融けやすいMs結合材料の融点又は分解温度(℃)の、好ましくは0.7倍、より好ましくは0.5倍、(さらに好ましくは0.3倍)を超えない温度Tで行われる
    ことを特徴とする製造プロセス。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の製造プロセスであって、
    前記ステップe)で得られたアセンブリの機械的圧密化は、10MPaから100MPaの間、好ましくは10MPaから50MPaの間の圧力で行われる
    ことを特徴とする製造プロセス。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載の製造プロセスであって、
    前記ステップa)、b)及びc)の層の堆積は、気相及び/又は液相堆積法で行われる
    ことを特徴とする製造プロセス。
  5. 請求項4に記載の製造プロセスであって、
    前記気相堆積法によるステップa)、b)及びc)の層の堆積が、以下の技術の少なくとも1つを使用して行われることを特徴とする製造プロセス:
    i)物理蒸着法(PVD)、及びより具体的には、真空蒸着法、レーザーアブレーション、イオンビーム、カソードスパッタリング;
    ii)化学気相蒸着法(CVD)、及びより具体的には、プラズマ促進化学気相蒸着法(PECVD)、レーザー化学気相蒸着法(LACVD)、又はエアロゾル化学気相蒸着法(AA−CVD);
    iii)エレクトロスプレー法;
    iv)エアロゾル堆積法。
  6. 請求項4に記載の製造プロセスであって、
    前記液相堆積法による前記ステップa)、b)及びc)の層の堆積が、以下の技術の少なくとも1つを使用して行われることを特徴とする製造プロセス:
    i)電気泳動堆積法;
    ii)ゾル−ゲル法;
    iii)ディップ法、より具体的には、ディップコーティング、スピンコーティング又はラングミュア−ブロジェット法。
  7. 請求項1〜6のいずれか1項に記載の製造プロセスであって、
    前記少なくとも1つのMs結合材料は、以下の材料の1つ以上から選ばれることを特徴とする製造プロセス:
    a)以下から選ばれる酸化物系材料;Li3.6Ge0.60.4;LiO−Nb;LiSiO;LiO;Li14Zn(GeO;LiZr;LiZrO;Li0.35La0.55TiO;Li0.5La0.5TiO;LiLaZr12;Li5+xLa(Zrx,2−x)O12)、但し、A=Sc,Ti,V,Y,Nb,Hf,Ta,Al,Si,Ga,Ge,Sn及び1.4≦x≦2;
    b)LiN;LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3、但し0<x<4、又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)から選ばれる窒化物又は酸窒化物系材料;リチウム及びリン酸窒化物系材料(いわゆるLiPON)で、シリコン(いわゆるLiSiPON)、ホウ素(いわゆるLiPONB)、硫黄(いわゆるLiPONS)、ジルコニウム又はアルミニウム(いわゆるLiPAON)又はアルミニウム、ホウ素、硫黄及び/又はシリコンの組み合わせを含有し得る;リチウム及びホウ素酸窒化物系材料(いわゆるLiBON)で、シリコン(いわゆるLiSiBON)、硫黄(いわゆるLiBONS)又はアルミニウム(いわゆるLiBAON)又はアルミニウム、硫黄及びシリコンの組み合わせを含有し得る;及びより具体的にはLixPOyNz系の材料で、但し、式中x〜2.8及び2y=3z但し0.16≦z≦0.46;又はLiPO、但し、(2x+3y+2z)=(5+w)及び3.2≦x≦3.8;0.13≦y≦0.4;0≦z≦0.2;2.9≦w≦3.3;又はLiAl、但し、(5x+3y)=5;(2u+3v+2w)=(5+t);2.9≦t≦3.3;0.84≦x≦0.94;0.094≦y≦0.26;3.2≦u≦3.8;0.13≦v≦0.46;0≦w≦0.2;又はLi1.9Si0.21.01.11.0;又はLi2.9PO3.30.46;又はLi6−0.75x1.75xZr2−2x7−y、但しz≦14/3;2y=3z及びx≦0.8;又はLi8−3.5x1.5xZr1−xz6−y、但しx≦0.8;z≦4及び2y=3z;又はLi8−3xLaZrO6−y、但しO<x≦2;z≦4及び2y=3z;又はLi(Sc2−x)(PO4−y)、但しx≦2;z≦8/3;2y=3z及びM=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
    c)以下から選ばれる硫黄系材料:Li1−yM’、但しM=Si,Ge,Sn及びM’=P,Al,Zn,Ga,Sb;LiS;B;P;70LiS−30P;Li11;Li10GeP12;LiPS;Li3.25Ge0.250.75;Li10MP12、但しM=Si,Ge,Sn及び、LiSと、P,GeS,Ga又はSiSの中の化合物の1つとの混合物;
    d)以下から選ばれるリン酸又はホウ酸系材料;LiPO;LiTi(PO;Li1+xAl2−x(PO(ここで、M=Ge,Ti、及び/又はHf及び0<x<1);Li1.3Al0.3Ti1.7(PO;Li1+x+yAlTi2−xSi3−y12(ここで、0≦x≦1及び0≦y≦1);Li1+x+zMx(Ge1−yTi2−xSi3−z12(ここで、0≦x≦0.8,0≦y≦1.0,0≦z≦0.6);2(Li1.4TiSi0.42.612)−AlPO;LiAlz−yGa(PO又はLiAlz−yGa(BO又はLiGez−ySi(PO又はLiGez−ySi(BO又はより一般的にはLiz−yM’Sw(PO又はLiz−yM’(BO、但し4<w<20,3<x<10,0≦y≦1,1≦z≦4及び0<c<20及びM又はM’はAl,Si,Ge,Ga,P,Zn,Sbの中の元素;又はLiSc2−xPO、但し、M=Al,Y又はAl1−a、但しa<1;
    e)以下から選ばれる混合材料;LiSと、LiPO,LiPO4−x2x/3,LiSiO4−x2x/3,LiGeO4−x2x/3(但し、0<x<4)又はLiBO3−x2x/3(但し、0<x<3)の中の化合物の1つとの混合物;LiS及び/又はB,SiS,P,GeS,Ga及びケイ酸リチウムLiSiO,ホウ酸リチウムLiBO又はリン酸リチウムLiPOなどのLiMO型化合物の混合物。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の製造プロセスであって、
    前記少なくとも1つのMs結合材料は、任意でリチウム塩を含浸可能な少なくとも1つのポリマーを含み、
    前記ポリマーは、好ましくはポリエチレンオキシド、ポリイミド類、ビニリデンポリフルオライド、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリシロキサン類により形成される群から選ばれ、
    前記リチウム塩は、好ましくはLiCl,LiBr,LiI,Li(ClO),Li(BF),Li(PF),Li(AsF),Li(CHCO),Li(CFSO),Li(CFSON,Li(CFSO,Li(CFCO),Li(B(C),Li(SCN),Li(NO)により形成される群から選ばれる
    ことを特徴とする製造プロセス。
  9. 請求項8に記載の製造プロセスであって、
    前記Ms結合材料は、任意でリチウム塩を含浸可能な少なくとも1つのポリマーからなり、
    前記ポリマーは、好ましくはポリエチレンオキシド、ポリイミド類、ビニリデンポリフルオライド、ポリアクリロニトリル、ポリメチルメタクリレート、ポリシロキサン類により形成される群から選ばれ、
    前記リチウム塩は、好ましくは、LiCl,LiBr,LiI,Li(ClO),Li(BF),Li(PF),Li(AsF),Li(CHCO),Li(CFSO),Li(CFSON,Li(CFSO,Li(CFCO),Li(B(C),Li(SCN),Li(NO)により形成される群から選ばれる
    ことを特徴とする製造プロセス。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載の製造プロセスであって、
    前記少なくとも1つのMs結合材料層の厚さは、100nm未満、好ましくは50nm未満、及びさらにより好ましくは30nm未満である
    ことを特徴とする製造プロセス。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載の製造プロセスであって、
    少なくとも1つの封止層を堆積させることにより前記電池を封止する工程を含む
    ことを特徴とする製造プロセス。
  12. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の製造プロセスにより製造された全固体状態電池。
  13. 請求項1〜11のいずれか1項に記載の製造プロセスにより製造された全固体状態多層電池。
  14. 請求項11又は請求項12に記載された電池であって、
    互いに並列に接続された複数の基本セルのアセンブリからなる
    ことを特徴とする電池。
  15. 請求項12〜14のいずれか1項に記載の電池であって、
    前記導電性のアノード及びカソード電流基板は、任意で貴金属で被覆された金属シート、又は、任意で貴金属で被覆されたポリマーシート、又は、任意で貴金属で被覆されたグラファイトシートである
    ことを特徴とする電池。
  16. 請求項15に記載の電地であって、
    前記金属シート形状のアノード及びカソード集電体は、アルミニウム、銅又はニッケル製である
    ことを特徴とする電池。
  17. 請求項15に記載の電地であって、
    ポリマーシート形状の前記アノード及びカソード電流導電性基板は、次のポリマーから選ばれることを特徴とする電池:
    ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリプロピレン(PP)、テフロン(登録商標)(PTFE)、ポリイミド(PI)及びより具体的にはカプトン(登録商標)。
  18. 請求項15〜17のいずれか1項に記載された電池であって、
    前記貴金属は以下の金属から選ばれることを特徴とする電池:
    金、白金、パラジウム、バナジウム、コバルト、ニッケル、マンガン、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、チタン、パラジウム、ジルコニウム、タングステン又はこれらの金属の少なくとも1種を含有する全ての合金。
  19. 請求項13〜18のいずれか1項に記載された電池であって、
    前記少なくとも1つの封止層、好ましくはセラミック又はガラスセラミック層を含む
    ことを特徴とする電池。
  20. 請求項19に記載された電池であって、
    前記封止層は、セラミック又はガラスセラミック製である
    ことを特徴とする電池。
  21. 請求項20に記載された電池であって、
    第1の前記封止層上に堆積された第2の封止層を含む
    ことを特徴とする電池。
  22. 請求項21に記載された電池であって、
    前記第2の封止層はシリコーンポリマー製である
    ことを特徴とする電池。
  23. 請求項19〜22のいずれか1項に記載された電池であって、
    前記少なくとも1つの封止層は、前記電池の6面のうち4面を被覆している
    ことを特徴とする電池。
  24. 請求項13〜23のいずれか1項に記載された電池であって、
    前記カソード及びアノードの各々の集電体が視認可能なターミナル(35,36)を含むことを特徴とする電池。
  25. 請求項24に記載された電池であって、
    前記アノード接続及びカソード接続は、前記スタックの対向する両側に配置されていることを特徴とする電池。
  26. 請求項24又は請求項25に記載された電池であって、
    前記ターミナルはまた電気化学セルと接触するニッケル層で被覆されており、
    前記ニッケル層は、スズ層により被覆されている
    ことを特徴とする電池。
  27. 請求項12〜26のいずれか1項に記載された電池であって、
    全て無機材料であることを特徴とする電池。
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