JP2003133420A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
オンの半導体基板への拡散を防ぐ信頼性に優れた半導体
装置を提供する。 【解決手段】半導体基板の上に固体電解質二次電池が形
成された半導体装置であって、固体電解質二次電池直下
の半導体基板aがN型の不純物をドープした拡散層gを
有する。固体電解質二次電池の負極に対する拡散層gの
電位差は、固体電解質二次電池の負極に対する正極の電
位差と同じか、またはそれ以上の電位差で固定されてい
る。半導体基板aと固体電解質二次電池の接する部分に
バリア層hを有する。
Description
体電解質二次電池を共存可能な半導体装置に関するもの
である。
についても小型化、軽量化の要望が強くなっている。こ
れまで、半導体チップのように劇的に縮小化が進んでい
る分野もある一方で、電池のように遅々として縮小化が
進まない分野もある。これらを合わせて一機に縮小化を
進めるため、従来から固体電解質二次電池を用いた半導
体基板一体型二次電池が注目されており、特許開示もい
くつかある。固体電解質二次電池を半導体基板上に形成
した半導体装置に関して、米国特許第5,567,21
0号、第5,597,660号、特公昭61−1659
65、特開平6−153412、特開平10−2841
30等がある。
電および放電を担うイオンが半導体基板に与える影響に
ついての記述が全くない。
ある発電要素から半導体基板にイオンが拡散されると、
半導体基板に形成されている集積回路の誤動作が生じ
る。例えば、リチウムイオンがアルミ配線と合金化した
り、トランジスタの拡散層にリチウムイオンが拡散され
その応答性や耐電圧性が劣化したり、集積回路のリーク
電流が増大するなど様々なトラブルが懸念される。
で、固体電解質二次電池の充電および放電を担うイオン
の半導体基板への拡散を防ぐ信頼性に優れた半導体装置
を提供することを目的とする。
置は、半導体基板の上に固体電解質二次電池が形成され
た半導体装置であって、前記固体電解質二次電池直下の
半導体基板が、N型の不純物をドープした基板であるこ
と、またはN型の不純物をドープした拡散層を有するこ
とを特徴とするものである。
おいて、N型の不純物をドープした半導体基板、または
N型の不純物をドープした拡散層は、固体電解質二次電
池の負極に対するそれらの電位差が固体電解質二次電池
の負極に対する正極の電位差と同じか、あるいはそれ以
上の電位差となっているものである。
おいて、固体電解質二次電池の正極集電体の金属膜のサ
イズが、その上に形成される正極活物質と固体電解質と
負極活物質と負極集電体の積層膜よりも大きいものであ
る。
おいて、固体電解質二次電池の正極が半導体基板側であ
るものである。
おいて、固体電解質二次電池の正極が半導体基板側であ
る。
の上に固体電解質二次電池が形成された半導体装置であ
って、前記半導体基板と前記固体電解質二次電池の接す
る部分にバリア層を有し、前記固体電解質二次電池の直
下の半導体基板が、N型の不純物をドープした半導体基
板であること、またはN型の不純物をドープした拡散層
を有することを特徴とするものである。
おいて、バリア層が無機化合物であり、チッ化ケイ素、
および二酸化ケイ素から選択されたものである。
おいて、バリア層が有機化合物であり、ポリイミド、エ
ポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、およびフェノール樹脂
から選択されたものである。
おいて、バリア層が金属であり、白金,金,ニッケル,
銅,タングステン,モリブデン,およびこれらを主体と
してなる合金から選択されたものである。
1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請求項
6、請求項7、請求項8、請求項9において、拡散層の
サイズは、その上に形成する固体電解質二次電池のサイ
ズよりも大きく、前記拡散層の領域内に前記固体電解質
二次電池が形成されているものである。
は、例えば半導体装置である集積回路が形成された半導
体基板において、固体電解質二次電池を形成する予定の
領域に、あらかじめ例えば燐や砒素等の5価元素の不純
物をドープした拡散層を設け、その燐や砒素等の不純物
をドープした拡散層は固体電解質二次電池の負極に対す
る電位差が固体電解質二次電池の負極に対する正極の電
位差と同じか、あるいはそれより大きい電位差となって
いることを特徴とする半導体装置である。
電池直下の半導体基板を固体電解質二次電池の負極に対
する電位差が固体電解質二次電池の負極に対する正極の
電位差と同じか、あるいはそれより大きい電位差に固定
できるため、発電要素から半導体基板にイオンが拡散さ
れることを防ぐことができる。この半導体装置によれ
ば、発電要素から半導体基板へのイオンの拡散が抑えら
れるため、半導体基板に形成されている集積回路の誤動
作が生じない半導体装置を提供できる。
る集積回路が形成された半導体基板において、固体電解
質二次電池を形成する際に、正極の集電体である金属膜
が固体電解質膜、負極活物質膜、負極集電体膜の積層膜
よりも大きく、固体電解質二次電池を上面から見ると、
最外周に正極の金属集電体が例えば0.1μm以上突出
していることを特徴とする半導体装置である。
電池を形成する正極活物質、固体電解質、負極活物質と
半導体基板の境界部に正極集電体の金属バリア層が設け
られるため、後述の請求項6から請求項9の特徴と同様
に発電要素から半導体基板にイオンが拡散されることを
防ぐことができる。更に、固体電解質二次電池直下の半
導体基板を固体電解質二次電池の負極に対する電位差が
固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じ
か、あるいはそれより大きい電位差に固定できるため、
発電要素から半導体基板にイオンが拡散されることを防
ぐことができ、半導体基板に形成されている集積回路の
誤動作が生じない信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
の固体電解質二次電池の正極が半導体基板と接する側に
形成されていることを特徴とする半導体装置である。
電池の放電時に負極からデインターカレーションしたイ
オンが半導体基板に拡散することを抑えることができる
ため、半導体基板に形成されている集積回路の誤動作が
生じない半導体装置を提供できる。
えば半導体装置である集積回路が形成された半導体基板
において、固体電解質二次電池を形成する予定の領域
に、あらかじめ例えば燐や砒素等の5価元素の不純物を
ドープしたN型拡散層を設け、そのN型の不純物をドー
プした拡散層は固体電解質二次電池の負極に対する電位
差が固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と
同じか、またはそれ以上の電位差で固定されており、更
に半導体基板と固体電解質二次電池との境界部にバリア
層として例えばポリイミド等の有機化合物の膜がスピン
コーター装置を使った塗布・乾燥法により成膜される
か、またはCVD法により窒化珪素膜等が成膜されてい
るか、蒸着法かスパッタ法により金属銅の膜等が成膜さ
れていることを特徴とする半導体装置である。
化ケイ素、および二酸化ケイ素から選択され、有機化合
物としてポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエステル樹
脂、およびフェノール樹脂から選択され、金属として白
金,金,ニッケル,銅,タングステン,モリブデン,お
よびこれらを主体としてなる合金から選択される。
電池と半導体基板の境界部にバリア層が設けられている
ため、発電要素から半導体基板にイオンが拡散されるこ
とを防ぐことができる。更に、固体電解質二次電池の直
下部の半導体基板を固体電解質二次電池の負極に対する
電位差が固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位
差と同じか、あるいはそれより大きい電位差で固定でき
るため、発電要素から半導体基板にイオンが拡散される
ことを防ぐことができ、半導体基板に形成されている集
積回路の誤動作が生じない信頼性の高い半導体装置を提
供できる。
ある集積回路が形成された半導体基板において、固体電
解質二次電池を形成する予定の領域に、あらかじめ例え
ば燐や砒素等の5価元素の不純物をドープしたN型拡散
層を設け、そのN型の不純物をドープした拡散層が固体
電解質二次電池のサイズよりも0.1μm以上大きく、
拡散層の領域内に固体電解質二次電池が形成されている
ことを特徴とする半導体装置である。
電池を形成する際にズレが生じても例えば5価元素のN
型拡散層領域から固体電解質二次電池がはみ出すことが
無く発電要素から半導体基板にイオンが拡散されること
を防ぐことができ、信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
体装置の一実施の形態の断面図を図3に示す。ここで、
固体電解質二次電池の正極が半導体基板と接する側に形
成されていることが重要であることを示すため、負極が
半導体基板と接する側に形成されている半導体装置の断
面図を図4に示す。図3と図4において、それぞれ放電
時の電池のイオンの動きをA、Bの矢印で示している。
aは半導体基板、gはN型拡散層、hはポリイミド膜、
iは正極集電体、kはN型拡散層電位取りだし端子、m
は正極活物質、nは固体電解質、oは負極活物質、pは
負極集電体、rは表面保護膜である。
る側に形成されている半導体装置では、イオンが基板に
引っ張られるBの動きが生じる。ポリイミド膜hおよび
負極集電体pで防ぐことはできるが、膜ピンホール等の
欠陥があれば基板中へのイオンの拡散は進行するため、
図3に示すように固体電解質二次電池の正極を半導体基
板aと接する側に形成して、信頼性の高い半導体装置と
した。ここで用いる固体電解質薄膜材料としては,銀イ
オン導電性固体電解質,銅イオン導電性固体電解質,リ
チウムイオン導電性固体電解質,プロトン導電性固体電
解質を用いることができる。リチウムイオン導電性固体
電解質薄膜を用いた場合には,電極材料薄膜としては,
LixCoO2,LixNiO2,LixMn2O4,LixT
iS2,LixMoS2,LixMoO2,LixV2O5,L
ixV6O13,金属リチウム,Li3/4Ti5/3O4等通常
リチウム電池に用いられる化合物を所望する電池電圧に
より組み合わせて用いることができる。リチウムイオン
導電性固体電解質としては,Li2S−SiS2,Li3
PO4−Li2S−SiS2,LiI−Li2S−Si
S2,LiI,LiI−Al2O3,Li3N,Li3N−
LiI−LiOH,Li2O−SiO2,Li2O−B2O
3,LiI−Li2S−P2O5,LiI−Li2S−B2S
3,Li3.6Si0.6P0.4O4,LiI−Li3PO4−P2
S5等が用いることができる。また、固体電解質薄膜に
銅イオン導電体を用いた場合には,金属Cu,Cu
2S,CuxTiS2,Cu2Mo6S7.8等を用いることが
できる。銅イオン導電性固体電解質としては,RbCu
4I1.5Cl3.5,CuI−Cu2O−MoO3,Rb4Cu
16I7Cl13等を用いることができる。また,固体電解
質薄膜に銀イオン導電体を用いた場合には,金属Ag,
Ag0.7V2O5,AgxTiS2等を用いることができ
る。銀イオン導電性固体電解質膜としてはα―AgI,
Ag6I4WO4,C6H5NHAg5I6,AgI−Ag2O
−MoO3,AgI−Ag2O−B2O3,AgI−Ag2
O−V2O5等を用いることができる。さらにプロトン導
電性固体電解質を用いた場合には形成する電池がニッケ
ル水素電池の場合には,負極にTiFe,ZnMn2,
ZrV2,ZrNi2,CaNi5,LaNi5,MmNi
5,Mg2Ni,Mg2Cu,正極にはNi(OH)2を用
いることができる。プロトン導電体としてはLaMg
0.5Ce0.5O3,La2Zr2O7,α―Al2O3等を用い
ることができる。
て説明する。
〜(4)は本発明にかかる形成方法の工程順断面図を示
している。図1の(1)は半導体集積回路が搭載される
シリコン基板aを示す。まず図1(2)に示すようにプ
ラズマCVD法(Chemical Vapor De
position)によってシリコン酸化膜cを150
0Å形成する。反応ガスはSiH4、N2Oを用いて、成
長温度は380℃、プラズマは50kHz、4kWで発
生する。その上に感光性レジストをスピンコーター(2
000rpm)を用いて3000Åの膜厚に塗布し、1
00℃で15分間のベーキングを行いレジスト膜bを形
成する。
された石英マスクdを用いてPLA露光装置(Para
ller Line Aliener)により、短波長
光線eを照射する。その後、有機アルカリの現像液(テ
トラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)に浸しレ
ジスト膜bのパターニングが完了する。次に、RIEド
ライエッチングにより、レジスト膜bが被覆していない
部分のシリコン酸化膜cをエッチングする。ドライエッ
チングはRF:13.56MHz、エッチングガス:C
HF3で行う。この時、マスク合わせマークも形成して
おく。以降のレジスト露光工程はこのマークを基準にし
てマスク合わせを行う。これによって後工程で形成さ
れ、パターニングされる成膜が各々の間でずれが生じな
いことになる。最後にレジスト膜bをレジスト剥離液に
浸漬して除去する。
によりN型の不純物である燐イオンfを100KeVの
電圧で加速し、1014/cm2の量を打ち込む。その後
1000℃、1時間の加熱処理を炉で行い、N型拡散層
gを形成する(図1(5))。N型拡散層領域は深さ3
μmで面積は縦横1cmの1cm2とした。その後、フ
ッ酸水溶液(5vol%)に5分間浸漬してシリコン酸
化膜cを除去する。ここまでの工程は、半導体装置の形
成工程の中で行う。
導体基板の上に、スピンコーター(1000rpm)を
用いてポリイミド膜hを1μmの厚みで形成する(図2
(1))。その後、図1(3)と同じフォトリソグラフ
ィ技術を使ってバリア層としてポリイミド膜hを縦横
1.5cmの面積2.25cm2にパターニングし、そ
の上に正極の集電体として金属アルミ膜iを真空蒸着装
置により(10mTorr)、厚み1μm、縦横9mm
の81mm2形成し、前述同様のフォトリソグラフィ技
術とRIEドライエッチング装置を用いて、集電体金属
アルミ膜iとN型拡散層gの電位取りだし端子kをパタ
ーニングする(図2(2))。その上にLiCoO2の
正極活物質膜mを金属マスク(SUS304)を用いて
スパッタする。スパッタ条件は200Wパワー、Ar/
O2=3/1を20SCCM、20mTorrとする。
成膜は厚み5μm、縦横8mmの64mm2で形成し、
400℃で2時間アニ−ルを行い、その上にLi2S−
SiS2−Li3PO4の固体電解質膜nを厚み2μmで
形成し、更にその上に、グラファイトの負極活物質膜o
を厚み5μmで形成し、順にレーザーアブレーション法
により積層する。レーザーアブレーションの条件は、レ
ーザー:YAGレーザー266nm、エネルギー密度:
2025mJ/cm2、繰り返し周波数10Hz、ショ
ット数:36000、基板温度:800℃、10-2To
rrで行う。それらの成膜はそれぞれ、前述と同様のフ
ォトリソグラフィ技術とRIEドライエッチング装置を
用いて面積が縦横7mmの49mm2にパターニングす
る。更にその上に負極の集電体の金属銅膜pをパターニ
ングされた金属マスク(SUS304)を用いて、真空
蒸着法で1μm、縦横7mmの49mm2形成する(図
2(3))。最後にスピンコーター(1500rpm)
を用いて、液状エポキシ樹脂(日立化成製:CEL−C
−1102)を1μm形成し、150℃3時間の熱硬化
で表面保護膜rを形成し、前述と同様のフォトリソグラ
フィ技術とRIEドライエッチング装置を用いてパター
ニングする(図2(4))。
電が行えて300μAhの容量が得られた。また電池に
隣接するMOSトランジスタの基本特性異常も認められ
なかった。
半導体基板の上に、プラズマCVD法によりシリコン窒
化膜を1000Å形成する。反応ガスはSiH4、NH3
を用いて、成長温度は420℃、プラズマは50kH
z、4kWで発生させる。その後、その上に感光性レジ
ストをスピンコーター(2000rpm)を用いて30
00Åの膜厚に塗布し、100℃で15分間のベーキン
グを行いレジスト膜を形成する。次にパターニングされ
た石英マスクを用いてPLA露光装置(Paralle
r Line Aliener)により、短波長光線を
照射する。その後、有機アルカリの現像液(テトラメチ
ルアンモニウムハイドロオキサイド)に浸しレジスト膜
のパターニングが完了する。次に、RIEドライエッチ
ングにより、レジスト膜が被覆していない部分のシリコ
ン窒化膜をエッチングする。ドライエッチングはRF:
13.56MHz、エッチングガス:CHF3で行う。
最後にレジスト膜をレジスト剥離液に浸漬して除去し、
シリコン窒化膜をバリア層として縦横1.5cmの面積
2.25cm2にパターニングする。その上に正極の集
電体の金属アルミ膜を真空蒸着法で(10mTor
r)、厚み0.7μm、縦横9mmの81mm2形成
し、前述と同様のフォトリソグラフィ技術とRIEドラ
イエッチング装置を用いて、集電体金属アルミ膜とN型
拡散層の電位取りだし端子をパターニングする。その上
にLiMn2O4の正極活物質膜を金属マスク(SUS3
04)を用いてスパッタする。スパッタ条件は200W
パワー、Ar/O2=4/1を30sccm、10mT
orrとする。成膜は厚み5μm、縦横8mmの64m
m2で形成し、その上にLi3PO4をターゲットとして
N2雰囲気中でスパッタ(RFパワー35W、20mT
oor)を実施して、Li3PO4-XNXの固体電解質膜
を厚み1000Å、縦横8mmの64mm2で形成す
る。更にその上にパターニングされた金属マスク(SU
S304)を用いて、金属Liを蒸着する(10mTo
rr)。金属Liは厚み2000Åで形成する。更にそ
の上にパターニングされた金属マスク(SUS304)
を用いて、負極の集電体の金属銅膜を蒸着法で厚み10
00Åで形成する。それらの成膜はそれぞれ、前述と同
様のフォトリソグラフィ技術とRIEドライエッチング
装置を用いて面積が縦横8mmの64mm2にパターニ
ングする。最後にスピンコーター(1000rpm)を
用いて、表面保護膜として感光性のポリイミドを1μm
形成し、前述と同様のフォトリソグラフィ技術を用いて
パターニングする。
上のシリコン窒化膜を含めた厚みが2.6μmと薄型
で、正常に充放電が行えた。また電池に隣接するMOS
トランジスタの基本特性異常も認められなかった。
−SiO2、Li2O−B2O3、Li−Li2S−P
2O5、LiI−Li2S−B2S3、Li3.6Si0.6P0.4
O4、LiI−Li3PO4−P2S5なども有効であっ
た。
造)、製造方法は同じにして、負極にCu、固体電解質
としてRbCuI1.5Cl3.5、正極にTiS2を用いて固
体電解質二次電池を作製した。レート特性は実施例1の
Li系に比べて低下したが、サイクル寿命等は同等であ
った。また、電池と混成した集積回路の誤動作も認めら
れなかった。
u16I7Cl13、Rb4Cu16I7Cl 13、CuI−Cu2
O−MoO3等も有効であった。
造)、製造方法は同じにして、負極にAg、固体電解質
としてAg6I4WO4、正極にV2O5を用いて固体電解
質二次電池を作製した。レート特性は実施例1のLi系
に比べて低下したが、サイクル寿命等は同等であった。
また、電池と混成した集積回路の誤動作も認められなか
った。
Ag2O−MoO3、α―AgI、C 6H5NHAg5I6、
AgI−Ag2O−B2O3、AgI−Ag2O−V3O5等
も有効であった。
造)、製造方法は同じにして、バリア層の有機化合物が
エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂でも
有効であった。またポリイミドを含めたそれらの有機化
合物の厚みが1000Å以上(1000Å、5000
Å)でも電池と混成した集積回路の誤動作は認められ
ず、有効であった。
造)、製造方法は同じにして、バリア層の無機化合物が
二酸化ケイ素でも有効であった。またチッ化ケイ素を含
めたそれらの無機化合物の厚みが100Å以上(100
Å、500Å)でも電池と混成した集積回路の誤動作は
認められず、有効であった。
造)、製造方法は同じにして、N型拡散層領域を形成す
るイオンが砒素でも有効であった。イオン注入機により
砒素イオンを150KeVの電圧で加速し、1016/c
m2の量を打ち込み、その後で1200℃、1時間の加
熱処理を炉で行い、N型拡散層を形成した場合でも電池
と混成した集積回路の誤動作は認められず、有効であっ
た。
の混成チップを、半導体装置で用いられるリードフレー
ム上に銀ペーストで接着し、200℃加熱硬化15分の
後、集積回路と電池の混成チップとアウターリードを金
ワイヤーでワイヤーボンダ−を使って接続した。その
後、半導体チップをパッケージングするようにエポキシ
樹脂(日立化成製)を使って、トランスファー成形し
た。あるいは、ブチルゴム系樹脂(日東電工製:LSS
810)をディップした。あるいは、アウターリードが
外部端子となるように液晶ポリマーフィルム(クラレ
製)で挟み、280℃加熱シールを行った。これらいず
れの場合も集積回路の誤動作は認められず、固体電解質
二次電池は正常に充放電が行えた。
型の不純物をドープした基板であってもよい。この場合
は拡散層を設けずに直接またはバリア層を介して基板上
に固体電解質二次電池が形成される。
負極が半導体基板側であってもよい。
ば、固体電解質二次電池直下の半導体基板は固体電解質
二次電池の負極との電位差が固体電解質二次電池の負極
に対する正極との電位差と同じ、またはそれより大きい
電位差で固定できるため、発電要素から半導体基板にイ
オンが拡散されることを防ぐことができる。この半導体
装置によれば、発電要素から半導体基板へのイオンの拡
散が抑えられるため、半導体基板に形成されている集積
回路の誤動作が生じない、信頼性に優れた半導体装置を
提供することができる。
質二次電池を形成する正極活物質、固体電解質、負極活
物質と半導体基板の境界部に正極集電体の金属バリア層
が設けられるため、後述の請求項6から請求項9の特徴
と同様に発電要素から半導体基板にイオンが拡散される
ことを防ぐことができる。更に、固体電解質二次電池直
下の半導体基板は固体電解質二次電池の負極との電位差
が固体電解質二次電池の負極に対する正極の電位差と同
じか、またはそれより大きい電位差で固定できるため、
発電要素から半導体基板にイオンが拡散されることを防
ぐことができ、半導体基板に形成されている集積回路の
誤動作が生じない信頼性の高い半導体装置を提供でき
る。
ば、固体電解質二次電池の放電時に負極からデインター
カレーションしたイオンが半導体基板に拡散することを
抑えることができるため、半導体基板に形成されている
集積回路の誤動作が生じない半導体装置を提供できる。
ば、固体電解質二次電池と半導体基板の境界部にバリア
層が設けられているため、発電要素から半導体基板にイ
オンが拡散されることを防ぐことができる。更に、固体
電解質二次電池の直下部の半導体基板は固体電解質二次
電池の負極との電位差が固体電解質二次電池の負極に対
する正極の電位差と同じか、またはそれより大きい電位
差で固定できるため、発電要素から半導体基板にイオン
が拡散されることを防ぐことができ、半導体基板に形成
されている集積回路の誤動作が生じない信頼性の高い半
導体装置を提供できる。
解質二次電池を形成する際にズレが生じても例えば5価
元素のN型拡散層領域から固体電解質二次電池がはみ出
すことが無く発電要素から半導体基板にイオンが拡散さ
れることを防ぐことができ、信頼性の高い半導体装置を
提供できる。
示し、N型拡散層の形成までの断面図である。
スの断面図である
イオンの動きを示す図2(4)の拡大図である。
放電時のイオンの動きを示す断面図である。
Claims (10)
- 【請求項1】 半導体基板の上に固体電解質二次電池が
形成された半導体装置であって、前記固体電解質二次電
池直下の半導体基板が、N型の不純物をドープした基板
であること、またはN型の不純物をドープした拡散層を
有することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 N型の不純物をドープした半導体基板、
またはN型の不純物をドープした拡散層は、固体電解質
二次電池の負極に対するそれらの電位差が前記固体電解
質二次電池の負極に対する正極の電位差と同じか、ある
いはそれ以上の電位差となっている請求項1記載の半導
体装置。 - 【請求項3】 固体電解質二次電池の正極集電体の金属
膜のサイズが、その上に形成される正極活物質と固体電
解質と負極活物質と負極集電体の積層膜よりも大きい請
求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】 固体電解質二次電池の正極が半導体基板
側である請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項5】 固体電解質二次電池の正極が半導体基板
側である請求項2記載の半導体装置。 - 【請求項6】 半導体基板の上に固体電解質二次電池が
形成された半導体装置であって、前記半導体基板と前記
固体電解質二次電池の接する部分にバリア層を有し、前
記固体電解質二次電池の直下の半導体基板が、N型の不
純物をドープした半導体基板であること、またはN型の
不純物をドープした拡散層を有することを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項7】 バリア層が無機化合物であり、チッ化ケ
イ素、および二酸化ケイ素から選択されたものである請
求項6記載の半導体装置。 - 【請求項8】 バリア層が有機化合物であり、ポリイミ
ド、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、およびフェノー
ル樹脂から選択されたものである請求項6記載の半導体
装置。 - 【請求項9】 バリア層が金属であり、白金,金,ニッ
ケル,銅,タングステン,モリブデン,およびこれらを
主体としてなる合金から選択されたものである請求項6
記載の半導体装置。 - 【請求項10】 拡散層のサイズは、その上に形成する
固体電解質二次電池のサイズよりも大きく、前記拡散層
の領域内に前記固体電解質二次電池が形成されている請
求項1、請求項2、請求項3、請求項4、請求項5、請
求項6、請求項7、請求項8、請求項9記載の半導体装
置。
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