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Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011010415A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
JP2011029304A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器
JP2011091110A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Canon Inc 酸化物半導体素子を用いた回路及びその製造方法、並びに表示装置
JP2011100117A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
JP2011170327A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法
JP2011187506A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
WO2011142061A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2011254037A (ja) * 2010-06-04 2011-12-15 Optrex Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
JP2012084865A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法
JP2012203121A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP2012222180A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Kanto Chem Co Inc 透明導電膜用エッチング液組成物
JP2013507771A (ja) * 2009-11-04 2013-03-04 シーブライト・インコーポレイテッド マスク・レベルを削減した金属酸化物ｆｅｔの製造法
US8482004B2 (en) 2009-10-09 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and electronic device including the same
WO2013161738A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2013191044A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2014042125A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2014170942A (ja) * 2008-05-16 2014-09-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
TWI455313B (zh) * 2009-11-27 2014-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP2014232824A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
US9035299B2 (en) 2010-12-01 2015-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing same
KR20160036749A (ko) * 2014-09-25 2016-04-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
JP2016106400A (ja) * 2009-02-06 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9496292B2 (en) 2012-06-14 2016-11-15 Japan Display Inc. Display device and manufacturing method for same
JP2017085158A (ja) * 2009-07-03 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2017103463A (ja) * 2009-08-07 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20170071481A (ko) * 2014-08-24 2017-06-23 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 장치, 디스플레이, 및 이들의 제조 방법
JP2017116957A (ja) * 2009-12-04 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
KR101768478B1 (ko) * 2010-12-17 2017-08-17 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
WO2017195699A1 (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
WO2019077901A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置
JP2019186566A (ja) * 2009-10-14 2019-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR20190140106A (ko) * 2009-09-04 2019-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
JP2020127012A (ja) * 2009-07-10 2020-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10955950B2 (en) 2016-11-09 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
JP2021106291A (ja) * 2009-07-31 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2022141737A (ja) * 2009-10-16 2022-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2023002589A (ja) * 2009-05-29 2023-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023093470A (ja) * 2009-08-27 2023-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8704217B2 (en) * 2008-01-17 2014-04-22 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Field effect transistor, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method
EP2515337B1 (en) * 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
JP4844627B2 (ja) * 2008-12-24 2011-12-28 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
TWI474408B (zh) 2008-12-26 2015-02-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101048996B1 (ko) * 2009-01-12 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
CN102667910B (zh) 2009-12-18 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备和电子设备
WO2011089843A1 (en) 2010-01-20 2011-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving display device
CN102859702B (zh) * 2010-04-21 2014-07-16 夏普株式会社 半导体元件及其制造方法、有源矩阵基板及显示装置
CN102906804B (zh) * 2010-05-24 2014-03-12 夏普株式会社 薄膜晶体管基板及其制造方法
CN103069334A (zh) * 2010-08-18 2013-04-24 夏普株式会社 显示装置用基板及其制造方法、显示装置
US8229943B2 (en) * 2010-08-26 2012-07-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for modifying an executing query
TW201237967A (en) * 2011-03-10 2012-09-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Manufacturing method of thin film transistor
WO2012133103A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、表示装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
JP2013055080A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Japan Display East Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
TWI497689B (zh) * 2011-12-02 2015-08-21 財團法人工業技術研究院 半導體元件及其製造方法
KR20140136975A (ko) 2012-03-13 2014-12-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 그 구동 방법
KR101486363B1 (ko) * 2012-08-22 2015-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101454190B1 (ko) * 2012-12-07 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN103236442B (zh) 2013-04-23 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置
CN103928530B (zh) * 2013-05-09 2018-09-21 上海天马微电子有限公司 氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI649606B (zh) 2013-06-05 2019-02-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP2014239173A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI767772B (zh) 2014-04-10 2022-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
WO2015170220A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
CN104091831A (zh) * 2014-06-27 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
US9905700B2 (en) 2015-03-13 2018-02-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device or memory device and driving method thereof
KR102788207B1 (ko) * 2015-04-13 2025-03-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9841833B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Lg Display Co., Ltd. Touch sensor integrated display device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
US20170168333A1 (en) * 2015-12-11 2017-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and separation method
US10114263B2 (en) * 2015-12-18 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP6822853B2 (ja) 2016-01-21 2021-01-27 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び記憶装置の駆動方法
TWI683427B (zh) * 2018-08-15 2020-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN109659238B (zh) * 2019-03-12 2019-05-31 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法
CN111081783A (zh) * 2019-12-05 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068431A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Inst Of Physical & Chemical Res ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法
JP2002040484A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2004055654A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
JP2004318165A (ja) * 1996-05-15 2004-11-11 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜トランジスタの形成方法、及び電子機器の製造方法
WO2005088726A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
JP2005268724A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
JP2007073699A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007220817A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220816A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220818A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007250983A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3567142B2 (ja) * 2000-05-25 2004-09-22 シャープ株式会社 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板
JP2004349583A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004318165A (ja) * 1996-05-15 2004-11-11 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの製造方法、薄膜トランジスタの形成方法、及び電子機器の製造方法
JP2001068431A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Inst Of Physical & Chemical Res ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法
JP2002040484A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2004055654A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
WO2005088726A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Japan Science And Technology Agency アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ
JP2005268724A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
JP2007073699A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007220817A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220816A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220818A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007250983A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CSNC200758940207; 野村研二（他５名）: '「アモルファス酸化物半導体を用いた透明フレキシブルＴＦＴの室温作製」' 第５２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第２分冊, 20050329, 第７０９頁, （社）応用物理学会 *
JPN6013014419; 野村研二（他５名）: '「アモルファス酸化物半導体を用いた透明フレキシブルＴＦＴの室温作製」' 第５２回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 第２分冊, 20050329, 第７０９頁, （社）応用物理学会 *

Cited By (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US11646322B2 (en) 2008-05-16 2023-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having conductive oxide electrode layers in direct contact with oxide semiconductor layer
US10580797B2 (en) 2008-05-16 2020-03-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2014170942A (ja) * 2008-05-16 2014-09-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
US11133332B2 (en) 2008-05-16 2021-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US12300702B2 (en) 2008-05-16 2025-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including storage capacitor having pixel electrode, directly stacked conductive layer, and insulating layer interposed between them, wherein the stacked conductive layers extending towards the gate and source wirings/lines
US9397255B2 (en) 2008-05-16 2016-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2016106400A (ja) * 2009-02-06 2016-06-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018067725A (ja) * 2009-02-06 2018-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2023002589A (ja) * 2009-05-29 2023-01-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7683094B2 (ja) 2009-05-29 2025-05-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2024124431A (ja) * 2009-05-29 2024-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7512342B2 (ja) 2009-05-29 2024-07-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2017085158A (ja) * 2009-07-03 2017-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US11855194B2 (en) 2009-07-10 2023-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2020127012A (ja) * 2009-07-10 2020-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11152493B2 (en) 2009-07-10 2021-10-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2011029304A (ja) * 2009-07-23 2011-02-10 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器
WO2011010415A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
US8481373B2 (en) 2009-07-24 2013-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor substrate
JPWO2011010415A1 (ja) * 2009-07-24 2012-12-27 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板の製造方法
CN102473362A (zh) * 2009-07-24 2012-05-23 夏普株式会社 薄膜晶体管基板的制造方法
JP7116214B2 (ja) 2009-07-31 2022-08-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11348949B2 (en) 2009-07-31 2022-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US11728350B2 (en) 2009-07-31 2023-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including transistor
US12183743B2 (en) 2009-07-31 2024-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2021106291A (ja) * 2009-07-31 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2018120231A (ja) * 2009-08-07 2018-08-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2017103463A (ja) * 2009-08-07 2017-06-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9954005B2 (en) 2009-08-07 2018-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer
JP2023093470A (ja) * 2009-08-27 2023-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US11923206B2 (en) 2009-08-27 2024-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP7456039B2 (ja) 2009-08-27 2024-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US12198941B2 (en) 2009-08-27 2025-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US10672915B2 (en) 2009-09-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR20190140106A (ko) * 2009-09-04 2019-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR20210022775A (ko) * 2009-09-04 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
KR102221207B1 (ko) * 2009-09-04 2021-03-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
US11024747B2 (en) 2009-09-04 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US11626521B2 (en) 2009-09-04 2023-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
KR102389975B1 (ko) * 2009-09-04 2022-04-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
US12057511B2 (en) 2009-09-04 2024-08-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8482690B2 (en) 2009-10-09 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
JP2023126290A (ja) * 2009-10-09 2023-09-07 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11355669B2 (en) 2009-10-09 2022-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and electronic device including an oxide semiconductor layer
US8482004B2 (en) 2009-10-09 2013-07-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and electronic device including the same
US10566497B2 (en) 2009-10-09 2020-02-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device including a first pixel and a second pixel
US9318654B2 (en) 2009-10-09 2016-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and electronic device including the same
JP2017194691A (ja) * 2009-10-09 2017-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2020074012A (ja) * 2009-10-09 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2011100117A (ja) * 2009-10-09 2011-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び当該液晶表示装置を具備する電子機器
JP2014170239A (ja) * 2009-10-09 2014-09-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR101424950B1 (ko) 2009-10-09 2014-08-01 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치
JP7547571B2 (ja) 2009-10-09 2024-09-09 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11901485B2 (en) 2009-10-09 2024-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device having a first pixel and a second pixel and an oxide semiconductor layer having a region overlapping a light-emitting region of the second pixel
US12224376B2 (en) 2009-10-09 2025-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device and electronic device including a first pixel and a second pixel and an oxide semiconductor region overlapping a light-emitting region
US10411158B2 (en) 2009-10-09 2019-09-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting display device having oxide semiconductor layer overlapping with adjacent pixel electrode
JP2019186566A (ja) * 2009-10-14 2019-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7308336B2 (ja) 2009-10-16 2023-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US12170338B2 (en) 2009-10-16 2024-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
JP2022141737A (ja) * 2009-10-16 2022-09-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US11742432B2 (en) 2009-10-16 2023-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
JP2011091110A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Canon Inc 酸化物半導体素子を用いた回路及びその製造方法、並びに表示装置
JP2013507771A (ja) * 2009-11-04 2013-03-04 シーブライト・インコーポレイテッド マスク・レベルを削減した金属酸化物ｆｅｔの製造法
US10396236B2 (en) 2009-11-27 2019-08-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device
US20190109259A1 (en) 2009-11-27 2019-04-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI455313B (zh) * 2009-11-27 2014-10-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US12396292B2 (en) 2009-11-27 2025-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising first and second conductive layers
TWI691099B (zh) * 2009-11-27 2020-04-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及用於製造半導體裝置的方法
US9748436B2 (en) 2009-11-27 2017-08-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI664749B (zh) * 2009-11-27 2019-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導體裝置
US11894486B2 (en) 2009-11-27 2024-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2017116957A (ja) * 2009-12-04 2017-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9448451B2 (en) 2010-01-20 2016-09-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
US9214121B2 (en) 2010-01-20 2015-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driving method of liquid crystal display device
KR101747421B1 (ko) 2010-01-20 2017-06-14 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR20170135996A (ko) * 2010-01-20 2017-12-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
KR101805102B1 (ko) 2010-01-20 2017-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2011170327A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置の駆動方法
KR102011801B1 (ko) 2010-01-20 2019-08-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치의 구동 방법
JP2011187506A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
WO2011142061A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2011254037A (ja) * 2010-06-04 2011-12-15 Optrex Corp 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US11417688B2 (en) 2010-09-13 2022-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US11024655B2 (en) 2010-09-13 2021-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US10522572B2 (en) 2010-09-13 2019-12-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US11682678B2 (en) 2010-09-13 2023-06-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US12199107B2 (en) 2010-09-13 2025-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9917112B2 (en) 2010-09-13 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
JP2012084865A (ja) * 2010-09-13 2012-04-26 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法
US9035299B2 (en) 2010-12-01 2015-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing same
KR101768478B1 (ko) * 2010-12-17 2017-08-17 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
JP2012203121A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP2012222180A (ja) * 2011-04-11 2012-11-12 Kanto Chem Co Inc 透明導電膜用エッチング液組成物
WO2013161738A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9496292B2 (en) 2012-06-14 2016-11-15 Japan Display Inc. Display device and manufacturing method for same
WO2013191044A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2014042125A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2014232824A (ja) * 2013-05-30 2014-12-11 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
KR20170071481A (ko) * 2014-08-24 2017-06-23 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 장치, 디스플레이, 및 이들의 제조 방법
KR101990712B1 (ko) * 2014-08-24 2019-09-30 선전 로욜 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 박막 트랜지스터 장치, 디스플레이, 및 이들의 제조 방법
KR20160036749A (ko) * 2014-09-25 2016-04-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR102247659B1 (ko) 2014-09-25 2021-05-03 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
WO2017195699A1 (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
JPWO2017195699A1 (ja) * 2016-05-10 2019-02-14 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、その製造方法および表示装置
US10955950B2 (en) 2016-11-09 2021-03-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
JP7064309B2 (ja) 2017-10-20 2022-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置
WO2019077901A1 (ja) * 2017-10-20 2019-04-25 株式会社ジャパンディスプレイ ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置
JP2019079860A (ja) * 2017-10-20 2019-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
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US7737517B2 (en) 2010-06-15

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