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Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI467761B (zh) * 2008-01-17 2015-01-01 Idemitsu Kosan Co Field effect transistor, semiconductor device and manufacturing method thereof
US9041202B2 (en) 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP4844627B2 (ja) * 2008-12-24 2011-12-28 ソニー株式会社 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置の製造方法
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
TWI540647B (zh) * 2008-12-26 2016-07-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR101048996B1 (ko) * 2009-01-12 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
US8174021B2 (en) * 2009-02-06 2012-05-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device
KR101681884B1 (ko) 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
EP2256814B1 (en) * 2009-05-29 2019-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Oxide semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101476817B1 (ko) * 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
SG10201403913PA (en) 2009-07-10 2014-10-30 Semiconductor Energy Lab Method for manufacturing semiconductor device
JP5685805B2 (ja) * 2009-07-23 2015-03-18 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器
US8481373B2 (en) 2009-07-24 2013-07-09 Sharp Kabushiki Kaisha Method for manufacturing thin film transistor substrate
KR102490468B1 (ko) * 2009-07-31 2023-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
TWI830077B (zh) 2009-08-07 2024-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US8115883B2 (en) * 2009-08-27 2012-02-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR101988341B1 (ko) * 2009-09-04 2019-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치를 제작하기 위한 방법
WO2011043217A1 (en) * 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device including the same
KR101778513B1 (ko) 2009-10-09 2017-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기
KR101680047B1 (ko) * 2009-10-14 2016-11-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
WO2011046025A1 (en) 2009-10-16 2011-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit and semiconductor device
JP2011091110A (ja) * 2009-10-20 2011-05-06 Canon Inc 酸化物半導体素子を用いた回路及びその製造方法、並びに表示装置
US8187929B2 (en) * 2009-11-04 2012-05-29 Cbrite, Inc. Mask level reduction for MOSFET
KR101506304B1 (ko) * 2009-11-27 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011068021A1 (en) * 2009-12-04 2011-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
EP2513893A4 (en) 2009-12-18 2016-09-07 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device and electronic device
CN102714023B (zh) 2010-01-20 2016-05-04 株式会社半导体能源研究所 液晶显示设备的驱动方法
KR101842860B1 (ko) 2010-01-20 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 구동 방법
JP2011187506A (ja) * 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
US8643010B2 (en) * 2010-04-21 2014-02-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method for fabricating the same, active matrix substrate, and display device
WO2011142061A1 (ja) * 2010-05-14 2011-11-17 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置
CN102906804B (zh) * 2010-05-24 2014-03-12 夏普株式会社 薄膜晶体管基板及其制造方法
JP5610855B2 (ja) * 2010-06-04 2014-10-22 京セラディスプレイ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US20130215370A1 (en) * 2010-08-18 2013-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Display device substrate, method for producing the same, and display device
US8229943B2 (en) * 2010-08-26 2012-07-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and method for modifying an executing query
US8558960B2 (en) 2010-09-13 2013-10-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US9035299B2 (en) 2010-12-01 2015-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device and method for producing same
KR101768478B1 (ko) * 2010-12-17 2017-08-17 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
TW201237967A (en) * 2011-03-10 2012-09-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Manufacturing method of thin film transistor
JP5825812B2 (ja) * 2011-03-24 2015-12-02 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置の製造方法
US9379143B2 (en) * 2011-03-30 2016-06-28 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, display device, and active matrix substrate manufacturing method
JP5788701B2 (ja) * 2011-04-11 2015-10-07 関東化学株式会社 透明導電膜用エッチング液組成物
JP2013055080A (ja) * 2011-08-31 2013-03-21 Japan Display East Co Ltd 表示装置および表示装置の製造方法
TWI497689B (zh) * 2011-12-02 2015-08-21 財團法人工業技術研究院 半導體元件及其製造方法
WO2013137014A1 (en) 2012-03-13 2013-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for driving the same
WO2013161738A1 (ja) * 2012-04-23 2013-10-31 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6076626B2 (ja) 2012-06-14 2017-02-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
WO2013191044A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101486363B1 (ko) * 2012-08-22 2015-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
WO2014042125A1 (ja) * 2012-09-12 2014-03-20 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101454190B1 (ko) * 2012-12-07 2014-11-03 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
US8981374B2 (en) 2013-01-30 2015-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9915848B2 (en) 2013-04-19 2018-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
CN103236442B (zh) * 2013-04-23 2016-12-28 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、电子装置
CN103928530B (zh) * 2013-05-09 2018-09-21 上海天马微电子有限公司 氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
TWI618058B (zh) 2013-05-16 2018-03-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
JP6128961B2 (ja) * 2013-05-30 2017-05-17 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタ、表示パネル用基板、表示パネル、表示装置および薄膜トランジスタの製造方法
TWI687748B (zh) 2013-06-05 2020-03-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6475424B2 (ja) 2013-06-05 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2014239173A (ja) * 2013-06-10 2014-12-18 株式会社ジャパンディスプレイ 薄膜トランジスタ及びそれを用いた表示装置
KR102244553B1 (ko) 2013-08-23 2021-04-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 용량 소자 및 반도체 장치
JP6607681B2 (ja) 2014-03-07 2019-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI695375B (zh) 2014-04-10 2020-06-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置及半導體裝置
WO2015170220A1 (en) 2014-05-09 2015-11-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and electronic device
CN104091831A (zh) * 2014-06-27 2014-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板和显示装置
US9698173B2 (en) * 2014-08-24 2017-07-04 Royole Corporation Thin film transistor, display, and method for fabricating the same
KR102247659B1 (ko) * 2014-09-25 2021-05-03 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
JP6681117B2 (ja) 2015-03-13 2020-04-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2016166628A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
US9841833B2 (en) * 2015-06-30 2017-12-12 Lg Display Co., Ltd. Touch sensor integrated display device
US9741400B2 (en) 2015-11-05 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device
KR20180093000A (ko) * 2015-12-11 2018-08-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 분리 방법
US10114263B2 (en) * 2015-12-18 2018-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9887010B2 (en) 2016-01-21 2018-02-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, memory device, and driving method thereof
CN109075122B (zh) * 2016-05-10 2023-05-12 夏普株式会社 有源矩阵基板、其制造方法和显示装置
WO2018087631A1 (en) * 2016-11-09 2018-05-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, display module, electronic device, and method for manufacturing the display device
JP7064309B2 (ja) * 2017-10-20 2022-05-10 株式会社ジャパンディスプレイ ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置
TWI683427B (zh) * 2018-08-15 2020-01-21 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN109659238B (zh) * 2019-03-12 2019-05-31 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法
CN111081783A (zh) * 2019-12-05 2020-04-28 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW449670B (en) * 1996-05-15 2001-08-11 Seiko Epson Corp Method for making thin film device with coating film, liquid crystal panel and electronic device
JP3333476B2 (ja) 1999-08-27 2002-10-15 理化学研究所 ｎ型ＺｎＯにおけるオーム性電極の形成方法
JP3567142B2 (ja) * 2000-05-25 2004-09-22 シャープ株式会社 金属配線およびそれを用いたアクティブマトリクス基板
JP2002040484A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Hitachi Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2003050405A (ja) * 2000-11-15 2003-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル
JP2004055654A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Pioneer Electronic Corp 有機半導体素子
JP2004349583A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Sharp Corp トランジスタの製造方法
EP1737044B1 (en) * 2004-03-12 2014-12-10 Japan Science and Technology Agency Amorphous oxide and thin film transistor
JP2005268724A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Sony Corp 電子素子およびその製造方法
US7211825B2 (en) * 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP5015470B2 (ja) * 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007220818A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center 薄膜トランジスタ及びその製法
JP5015471B2 (ja) * 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタ及びその製法
JP2007250982A (ja) * 2006-03-17 2007-09-27 Canon Inc 酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5110803B2 (ja) * 2006-03-17 2012-12-26 キヤノン株式会社 酸化物膜をチャネルに用いた電界効果型トランジスタ及びその製造方法

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