JP7064309B2 - ダイオード、トランジスタ、およびこれらを有する表示装置 - Google Patents
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Description
図1~図7を用いて、本発明の第1実施形態に係るダイオード10の概要について説明する。第1実施形態のダイオード10では、ダイオード接続されたトランジスタの活性層として酸化物半導体層が用いられた構成を例示するが、活性層として酸化物半導体層以外に一般的な半導体層が用いられてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す平面図である。図2Aは、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す断面図である。図2Bは、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す断面図の部分拡大図である。図2Aの断面図は、図1のA-A’線の断面図である。図2Bの拡大図は、図2Aの点線領域を拡大した図である。図1および図2Aに示すように、ダイオード10は、基板100、下地層110、酸化物半導体層120、絶縁層130(第1絶縁層)、導電層140(第1導電層)、絶縁層150(第2絶縁層)、導電層160(第2導電層)、および導電層170を有する。
基板100として、可視光に対して透光性を有する基板が用いられる。基板100として、可撓性を有しない剛性基板および可撓性を有する可撓性基板が用いられる。剛性基板として、ガラス基板、石英基板、およびサファイア基板が用いられてもよい。可撓性基板として、ポリイミド基板、アクリル基板、シロキサン基板、およびフッ素樹脂基板が用いられてもよい。基板100として透光性を有しない基板が用いられてもよい。基板100として、シリコン基板、炭化シリコン基板、化合物半導体基板などの半導体基板、またはステンレス基板などの導電性基板が用いられてもよい。
図3~図7を用いて、本発明の第1実施形態に係るダイオード10の製造方法について、断面図を参照しながら説明する。図3~図7は、いずれも本発明の一実施形態に係るダイオードの製造方法を示す断面図である。
図8を用いて、本発明の第2実施形態に係るダイオード10Aの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図8は、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す断面図である。図8に示すダイオード10Aは図2Aに示すダイオード10に類似しているが、ダイオード10Aは、第2領域123Aの絶縁層130Aの厚さが第1領域121Aの絶縁層130Aの厚さに比べて小さい点において、ダイオード10と相違する。換言すると、平面視において導電層140Aから露出された絶縁層130Aの厚さは、導電層140Aと重畳する絶縁層130Aの厚さに比べて小さい。第2領域123Aの絶縁層130Aの厚さは、10nm以上であればよい。
図8に示すダイオード10Aの絶縁層130Aは、図5の工程において、導電層140をマスクとして絶縁層130をオーバーエッチングすることで得ることができる。図8の絶縁層130Aは、第2領域123Aの膜厚が小さくなっているため、図6に示す不純物導入の工程において、小さいエネルギーで不純物を導入することができる。
図9を用いて、本発明の第3実施形態に係るダイオード10Bの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図9は、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す断面図である。図9に示すダイオード10Bは図2Aに示すダイオード10に類似しているが、ダイオード10Bは、第2領域123Bの絶縁層130Bが除去され、絶縁層150Bが第2領域123Bの酸化物半導体層120Bに接している点において、ダイオード10と相違する。換言すると、第2領域123Bの酸化物半導体層120Bは絶縁層130Bから露出されている。
図10~図12を用いて、ダイオード10Bの製造方法について説明する。図10~図12は、本発明の一実施形態に係るダイオードの製造方法を示す断面図である。ダイオード10Bの製造方法において、図3~図5の製造方法はダイオード10の製造方法と同じなので説明を省略する。図10に示すように、図5に示した状態から、導電層140Bをマスクとして絶縁層130Bをエッチングし、酸化物半導体層120Bを露出する。なお、本実施形態では、酸化物半導体層120Bのパターンを形成した後に導電層140Bのパターンを形成する製造方法を例示したが、この製造方法に限定されない。例えば、導電層140Bのパターンを形成した後に酸化物半導体層120Bのパターンを形成してもよい。酸化物半導体層120Bを導電層140Bの後に形成することで、酸化物半導体層120Bを露出させるエッチングの際に、酸化物半導体層120Bをエッチングストッパとして機能させることができる。
図13を用いて、本発明の第4実施形態に係るダイオード10Cの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図13は、本発明の一実施形態に係るダイオードの概要を示す平面図である。図13に示すダイオード10Cは、図1に示すダイオード10に類似しているが、ダイオード10Cは、平面視において、酸化物半導体層120Cのパターン端部が導電層140Cのパターン端部を囲んでいる点においてダイオード10と相違する。換言すると、第1領域121Cは第2領域123Cによって囲まれている。第1領域121Cの酸化物半導体層120Cはダイオード10Cのチャネルとして機能するが、図13の構成であれば、酸化物半導体層120Cのパターン端部はチャネルとして機能しない。
図14~図21を用いて、本発明の第5実施形態に係るトランジスタ20Dの概要について説明する。本実施形態に係るトランジスタ20Dの構成は、第1実施形態に係るダイオード10の構成に対してゲート絶縁層およびゲート電極が追加された構成である。以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図14は、本発明の一実施形態に係るトランジスタの概要を示す平面図である。図15は、本発明の一実施形態に係るトランジスタの概要を示す断面図である。図14および図15に示すトランジスタ20Dは、図1および図2Aに示すダイオード10に類似しているが、トランジスタ20Dは、第1領域121Dの酸化物半導体層120Dに対応する位置にゲート電極200D(第3導電層)が設けられている点において、ダイオード10と相違する。酸化物半導体層120Dとゲート電極200Dとの間にはゲート絶縁層210D(第3絶縁層)が設けられている。
図16~図21を用いて、本発明の第5実施形態に係るトランジスタ20Dの製造方法について、断面図を参照しながら説明する。図16~図21は、いずれも本発明の一実施形態に係るトランジスタの製造方法を示す断面図である。
図22を用いて、本発明の第6実施形態に係るトランジスタ20Fの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図22は、本発明の一実施形態に係るトランジスタの概要を示す断面図である。図22に示すトランジスタ20Fは図15に示すトランジスタ20Dに類似しているが、トランジスタ20Fは、第2領域123Fの絶縁層130Fの厚さが第1領域121Fの絶縁層130Fの厚さに比べて小さい点において、トランジスタ20Dと相違する。換言すると、平面視において導電層140Fから露出された絶縁層130Fの厚さは、導電層140Fと重畳する絶縁層130Fの厚さに比べて小さい。第2領域123Fの絶縁層130Fの厚さは、10nm以上であればよい。
図23を用いて、本発明の第7実施形態に係るトランジスタ20Gの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図23は、本発明の一実施形態に係るトランジスタの概要を示す断面図である。図23に示すトランジスタ20Gは図15に示すトランジスタ20Dに類似しているが、トランジスタ20Gは、第2領域123Gの絶縁層130Gが除去され、絶縁層150Gが第2領域123Gの酸化物半導体層120Gに接している点において、トランジスタ20Dと相違する。換言すると、第2領域123Gの酸化物半導体層120Gは絶縁層130Gから露出されている。
図24を用いて、本発明の第8実施形態に係るトランジスタ20Hの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
図24は、本発明の一実施形態に係るトランジスタの概要を示す断面図である。図24に示すトランジスタ20Hは図15に示すトランジスタ20Dが互いに向かい合うように接続されたトランジスタである。
図27を用いて、本発明の第9実施形態に係る論理回路40Jの概要について説明する。なお、以下の実施形態で参照する図面において、上記の実施形態と同一部分または同様な機能を有する部分には同一の数字または同一の数字の後にアルファベットを追加した符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
Claims (17)
- 第1領域および前記第1領域よりも低抵抗の第2領域を有する半導体層と、
第1露出部において前記第1領域の前記半導体層を露出し、第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、前記第1露出部および前記第2露出部以外の前記半導体層を覆う第1絶縁層と、
前記第1露出部において前記半導体層に接続され、平面視において前記第1絶縁層を介して前記第1領域の前記半導体層と重畳する第1導電層と、
前記第2露出部において前記半導体層に接続された第2導電層と、
を有し、
前記第1領域と前記第2領域との境界は、平面視において前記第1導電層のパターン端の一部に沿っているダイオード。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層とは異なる層に設けられている、請求項1に記載のダイオード。
- 前記半導体層は、酸化物半導体層である、請求項2に記載のダイオード。
- 前記第1絶縁層および前記第1導電層の上の第2絶縁層をさらに有し、
前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、前記第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、
前記第2導電層は、前記第2絶縁層の上に設けられている、請求項3に記載のダイオード。 - 平面視において、前記半導体層のパターン端部は、前記第1導電層のパターン端部を囲む、請求項4に記載のダイオード。
- 前記第2絶縁層は、前記第2露出部の前記半導体層に接する、請求項4に記載のダイオード。
- 第1領域および前記第1領域よりも低抵抗の第2領域を有する半導体層と、
第1露出部において前記第1領域の前記半導体層を露出し、第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、前記第1露出部および前記第2露出部以外の前記半導体層を覆う第1絶縁層と、
前記第1露出部において前記半導体層に接続され、平面視において前記第1絶縁層を介して前記第1領域の前記半導体層と重畳する第1導電層と、
前記第2露出部において前記半導体層に接続された第2導電層と、
を有し、
前記第2領域に対応する領域の前記第1絶縁層の厚さは、前記第1領域に対応する領域の前記第1絶縁層の厚さより小さいダイオード。 - 第1領域および前記第1領域よりも低抵抗の第2領域を有する半導体層と、
第1露出部において前記第1領域の前記半導体層を露出し、第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、前記第1露出部および前記第2露出部以外の前記半導体層を覆う第1絶縁層と、
前記第1露出部において前記半導体層に接続され、平面視において前記第1絶縁層を介して前記第1領域の前記半導体層と重畳する第1導電層と、
前記第2露出部において前記半導体層に接続された第2導電層と、
前記半導体層に対向する、前記半導体層の下の第3導電層と、
前記半導体層と前記第3導電層との間の第3絶縁層と、
を有し、
前記第1領域と前記第2領域との境界は、平面視において前記第1導電層のパターンの一部に沿っているトランジスタ。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層とは異なる層に設けられている、請求項8に記載のトランジスタ。
- 前記半導体層は、酸化物半導体層である、請求項9に記載のトランジスタ。
- 前記第1絶縁層および前記第1導電層の上の第2絶縁層をさらに有し、
前記第1絶縁層および前記第2絶縁層は、前記第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、
前記第2導電層は、前記第2絶縁層の上に設けられている、請求項10に記載のトランジスタ。 - 平面視において、前記半導体層のパターン端部は、前記第1導電層のパターン端部を囲む、請求項11に記載のトランジスタ。
- 平面視において、前記第3導電層は、前記第1露出部から前記第2領域まで連続して前記半導体層と重畳する、請求項11に記載のトランジスタ。
- 前記第2絶縁層は、前記第2露出部の前記半導体層に接する、請求項11に記載のトランジスタ。
- 第1領域および前記第1領域よりも低抵抗の第2領域を有する半導体層と、
第1露出部において前記第1領域の前記半導体層を露出し、第2露出部において前記第2領域の前記半導体層を露出し、前記第1露出部および前記第2露出部以外の前記半導体層を覆う第1絶縁層と、
前記第1露出部において前記半導体層に接続され、平面視において前記第1絶縁層を介して前記第1領域の前記半導体層と重畳する第1導電層と、
前記第2露出部において前記半導体層に接続された第2導電層と、
前記半導体層に対向する、前記半導体層の下の第3導電層と、
前記半導体層と前記第3導電層との間の第3絶縁層と、
を有し、
前記第2領域に対応する領域の前記第1絶縁層の厚さは、前記第1領域に対応する領域の前記第1絶縁層の厚さより小さいトランジスタ。 - 請求項1乃至7のいずれか一に記載の前記ダイオードを有する表示装置。
- 請求項8乃至15のいずれか一に記載の前記トランジスタを有する表示装置。
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