JP2001068431A - ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法 - Google Patents
ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】各種のｎ型化合物半導体基板の表面にオーム性
電極を形成する。 【解決手段】ｎ型化合物半導体の表面にオーム性電極を
形成するためのｎ型化合物半導体におけるオーム性電極
の形成方法において、ｎ型化合物半導体の表面にレーザ
ー光を照射する第１のステップと、第１のステップにお
いてレーザー光を照射されたｎ型化合物半導体の表面の
領域に導体を形成する第２のステップとを有する。
電極を形成する。 【解決手段】ｎ型化合物半導体の表面にオーム性電極を
形成するためのｎ型化合物半導体におけるオーム性電極
の形成方法において、ｎ型化合物半導体の表面にレーザ
ー光を照射する第１のステップと、第１のステップにお
いてレーザー光を照射されたｎ型化合物半導体の表面の
領域に導体を形成する第２のステップとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ｎ型化合物半導体
におけるオーム性電極の形成方法に関し、さらに詳細に
は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｎＳ
ｅ（セレン化亜鉛）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）あるい
はＣｄＳ（硫化カドミウム）などのＩＩ−ＶＩ族のｎ型
化合物半導体や、ＧａＰ（燐化ガリウム）、ＧａＡｓ
（砒化ガリウム）、ＧａＳｂ（アンチモン化インジウ
ム）、ＩｎＰ（燐化インジウム）、ＩｎＡｓ（砒化イン
ジウム）あるいはＩｎＳｂ（アンチモン化インジウム）
などのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体などのような、
各種のｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方
法に関する。
におけるオーム性電極の形成方法に関し、さらに詳細に
は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＺｎＳ（硫化亜鉛）、ＺｎＳ
ｅ（セレン化亜鉛）、ＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）あるい
はＣｄＳ（硫化カドミウム）などのＩＩ−ＶＩ族のｎ型
化合物半導体や、ＧａＰ（燐化ガリウム）、ＧａＡｓ
（砒化ガリウム）、ＧａＳｂ（アンチモン化インジウ
ム）、ＩｎＰ（燐化インジウム）、ＩｎＡｓ（砒化イン
ジウム）あるいはＩｎＳｂ（アンチモン化インジウム）
などのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体などのような、
各種のｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方
法に関する。
【０００２】
【発明の背景】従来より、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、
ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合
物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合
物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体が知ら
れている。
ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合
物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、Ｉ
ｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合
物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体が知ら
れている。
【０００３】ところで、近年、ＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合
物半導体であるＺｎＯ系結晶が、新しい短波長発光素子
材料として注目を集めるようになっている。
物半導体であるＺｎＯ系結晶が、新しい短波長発光素子
材料として注目を集めるようになっている。
【０００４】また、Ｗｚ−ＺｎＯ（ウルツ鉱型結晶構造
のＺｎＯ）については、バルク結晶が市販されるように
なってきており、ＺｎＯ系光デバイス構造成長用の基板
としての利用が可能となっている。
のＺｎＯ）については、バルク結晶が市販されるように
なってきており、ＺｎＯ系光デバイス構造成長用の基板
としての利用が可能となっている。
【０００５】さらに、Ｗｚ−ＺｎＯの格子定数は、Ｗｚ
−ＧａＮ（ウルツ鉱型結晶構造のＧａＮ（窒化ガリウ
ム））の格子定数との差が小さいために、Ｗｚ−ＺｎＯ
をＧａＮ系光デバイス構造の基板として用いることも検
討されている。
−ＧａＮ（ウルツ鉱型結晶構造のＧａＮ（窒化ガリウ
ム））の格子定数との差が小さいために、Ｗｚ−ＺｎＯ
をＧａＮ系光デバイス構造の基板として用いることも検
討されている。
【０００６】ところが、ＺｎＯは、上記したようにｎ型
化合物半導体であるために、ＺｎＯ系光デバイス構造成
長用の基板やＧａＮ系光デバイス構造の基板として用い
るためには、ＺｎＯ基板の表面（なお、本明細書におい
て「表面」とは、基板の表側や裏側などの任意の部位の
表面を意味するものとする。）にオーム性電極（電流−
電圧特性が線形な電極）を形成する必要がある。
化合物半導体であるために、ＺｎＯ系光デバイス構造成
長用の基板やＧａＮ系光デバイス構造の基板として用い
るためには、ＺｎＯ基板の表面（なお、本明細書におい
て「表面」とは、基板の表側や裏側などの任意の部位の
表面を意味するものとする。）にオーム性電極（電流−
電圧特性が線形な電極）を形成する必要がある。
【０００７】しかしながら、現在までのところ、上記し
たＺｎＯなどの各種のｎ型化合物半導体の表面にオーム
性電極を形成するための有効な手法は提案されておら
ず、その手法の提案が強く望まれているものであった。
たＺｎＯなどの各種のｎ型化合物半導体の表面にオーム
性電極を形成するための有効な手法は提案されておら
ず、その手法の提案が強く望まれているものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記したよ
うな従来の技術に対する要望に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型
化合物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ
型化合物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体
基板の表面にオーム性電極を形成することを可能にし
た、ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法
を提供しようとするものである。
うな従来の技術に対する要望に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳ
ｅ、ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型
化合物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ
型化合物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体
基板の表面にオーム性電極を形成することを可能にし
た、ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法
を提供しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を
照射し、該レーザー光を照射した領域に金属などの導体
を形成し、この導体をオーム性電極として用いるように
したものである。
に、本発明は、ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を
照射し、該レーザー光を照射した領域に金属などの導体
を形成し、この導体をオーム性電極として用いるように
したものである。
【００１０】即ち、本発明のうち請求項１に記載の発明
は、ｎ型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成する
ためのｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方
法において、ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を照
射する第１のステップと、上記第１のステップにおいて
上記レーザー光を照射された上記ｎ型化合物半導体の表
面の領域に導体を形成する第２のステップとを有するよ
うにしたものである。
は、ｎ型化合物半導体の表面にオーム性電極を形成する
ためのｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方
法において、ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を照
射する第１のステップと、上記第１のステップにおいて
上記レーザー光を照射された上記ｎ型化合物半導体の表
面の領域に導体を形成する第２のステップとを有するよ
うにしたものである。
【００１１】この本発明のうち請求項１に記載の発明に
よれば、上記第２のステップにおいて上記第１のステッ
プで上記レーザー光を照射した上記ｎ型化合物半導体の
表面に形成した導体が、オーム性電極となる。
よれば、上記第２のステップにおいて上記第１のステッ
プで上記レーザー光を照射した上記ｎ型化合物半導体の
表面に形成した導体が、オーム性電極となる。
【００１２】また、本発明のうち請求項２に記載の発明
は、本発明のうち請求項１に記載の発明において、上記
第１のステップが、上記ｎ型化合物半導体の表面への上
記レーザー光の照射により、上記レーザー光を照射され
た上記ｎ型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化するも
のである。
は、本発明のうち請求項１に記載の発明において、上記
第１のステップが、上記ｎ型化合物半導体の表面への上
記レーザー光の照射により、上記レーザー光を照射され
た上記ｎ型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化するも
のである。
【００１３】また、本発明のうち請求項３に記載の発明
は、本発明のうち請求項２に記載の発明において、上記
第１のステップが、上記レーザー光を照射された上記ｎ
型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化し、該低抵抗化
された上記ｎ型化合物半導体の表面の領域と上記第２の
ステップにおいて形成される導体との接触抵抗を低減す
るものである。
は、本発明のうち請求項２に記載の発明において、上記
第１のステップが、上記レーザー光を照射された上記ｎ
型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化し、該低抵抗化
された上記ｎ型化合物半導体の表面の領域と上記第２の
ステップにおいて形成される導体との接触抵抗を低減す
るものである。
【００１４】また、本発明のうち請求項４に記載の発明
は、本発明のうち請求項１、請求項２または請求項３の
いずれか１項に記載の発明において、上記ｎ型化合物半
導体の表面に、該表面の一部を遮蔽するマスクを被覆
し、上記第１のステップにおいて、上記ｎ型化合物半導
体の表面の領域のうちで上記マスクにより遮蔽されてい
ない領域にのみレーザー光が照射されるようにし、上記
第２のステップにおいて、上記ｎ型化合物半導体の表面
の領域のうちで上記マスクにより遮蔽されていない上記
レーザー光を照射された領域にのみ導体を形成するよう
にしたものである。
は、本発明のうち請求項１、請求項２または請求項３の
いずれか１項に記載の発明において、上記ｎ型化合物半
導体の表面に、該表面の一部を遮蔽するマスクを被覆
し、上記第１のステップにおいて、上記ｎ型化合物半導
体の表面の領域のうちで上記マスクにより遮蔽されてい
ない領域にのみレーザー光が照射されるようにし、上記
第２のステップにおいて、上記ｎ型化合物半導体の表面
の領域のうちで上記マスクにより遮蔽されていない上記
レーザー光を照射された領域にのみ導体を形成するよう
にしたものである。
【００１５】また、本発明のうち請求項５に記載の発明
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３または
請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記レ
ーザー光をパルスレーザー光としたものである。
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３または
請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記レ
ーザー光をパルスレーザー光としたものである。
【００１６】また、本発明のうち請求項６に記載の発明
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４または請求項５のいずれか１項に記載の発明におい
て、上記ｎ型化合物半導体が、蒸気圧の高い元素を含む
ものとしたものである。
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４または請求項５のいずれか１項に記載の発明におい
て、上記ｎ型化合物半導体が、蒸気圧の高い元素を含む
ものとしたものである。
【００１７】また、本発明のうち請求項７に記載の発明
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ｎ型化合物半導体をＩＩ−ＶＩ族の
ｎ型化合物半導体としたものである。
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ｎ型化合物半導体をＩＩ−ＶＩ族の
ｎ型化合物半導体としたものである。
【００１８】また、本発明のうち請求項８に記載の発明
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ｎ型化合物半導体をＩＩＩ−Ｖ族の
ｎ型化合物半導体としたものである。
は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載の
発明において、上記ｎ型化合物半導体をＩＩＩ−Ｖ族の
ｎ型化合物半導体としたものである。
【００１９】また、本発明のうち請求項９に記載の発明
は、本発明のうち請求項７に記載の発明において、上記
ＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体をＺｎＯ（酸化亜鉛）
基板としたものである。
は、本発明のうち請求項７に記載の発明において、上記
ＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体をＺｎＯ（酸化亜鉛）
基板としたものである。
【００２０】また、本発明のうち請求項１０に記載の発
明は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請
求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請
求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の発明に
おいて、上記導体を金属としたものである。
明は、本発明のうち請求項１、請求項２、請求項３、請
求項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請
求項９または請求項１０のいずれか１項に記載の発明に
おいて、上記導体を金属としたものである。
【００２１】また、本発明のうち請求項１１に記載の発
明は、本発明のうち請求項１０に記載の発明において、
上記金属を上記第１のステップにおいて上記レーザー光
を照射された上記ｎ型化合物半導体の表面の領域に成膜
するようにしたものである。
明は、本発明のうち請求項１０に記載の発明において、
上記金属を上記第１のステップにおいて上記レーザー光
を照射された上記ｎ型化合物半導体の表面の領域に成膜
するようにしたものである。
【００２２】また、本発明のうち請求項１２に記載の発
明は、本発明のうち請求項１０または請求項１１のいず
れか１項に記載の発明において、上記金属をインジウム
としたものである。
明は、本発明のうち請求項１０または請求項１１のいず
れか１項に記載の発明において、上記金属をインジウム
としたものである。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照しなが
ら、本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法の実施の形態の一例を詳細に説明する。
ら、本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法の実施の形態の一例を詳細に説明する。
【００２４】本発明によるｎ型化合物半導体におけるオ
ーム性電極の形成方法の実施の形態の一例においては、
ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第１の
ステップたるレーザー照射処理と、この第１のステップ
においてレーザー光を照射されたｎ型化合物半導体の表
面の領域に導体を形成する第２のステップたる導体形成
処理との二段階の処理によって、ｎ型化合物半導体にオ
ーム性電極を形成するようになされている。
ーム性電極の形成方法の実施の形態の一例においては、
ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第１の
ステップたるレーザー照射処理と、この第１のステップ
においてレーザー光を照射されたｎ型化合物半導体の表
面の領域に導体を形成する第２のステップたる導体形成
処理との二段階の処理によって、ｎ型化合物半導体にオ
ーム性電極を形成するようになされている。
【００２５】そして、上記した導体形成処理により形成
された導体がオーム性電極となるものであり、ユーザー
はこの導体をオーム性電極として用いることができるも
のである。
された導体がオーム性電極となるものであり、ユーザー
はこの導体をオーム性電極として用いることができるも
のである。
【００２６】なお、本発明においては、ｎ型化合物半導
体としては、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅある
いはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体や、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるい
はＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体など
のような、各種のｎ型化合物半導体を用いることができ
るものであり、ｎ型化合物半導体の表面に形成する導体
としては、Ｉｎ（インジウム）やＡｌ（アルミニウム）
などのような各種の金属などを用いることができるもの
であるが、以下に説明する実施の形態においては、ｎ型
化合物半導体としてｎ型ＺｎＯ基板を用いるとともに、
ｎ型化合物半導体の表面に形成する導体としてインジウ
ムを用いた場合について説明する。
体としては、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅある
いはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体や、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるい
はＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体など
のような、各種のｎ型化合物半導体を用いることができ
るものであり、ｎ型化合物半導体の表面に形成する導体
としては、Ｉｎ（インジウム）やＡｌ（アルミニウム）
などのような各種の金属などを用いることができるもの
であるが、以下に説明する実施の形態においては、ｎ型
化合物半導体としてｎ型ＺｎＯ基板を用いるとともに、
ｎ型化合物半導体の表面に形成する導体としてインジウ
ムを用いた場合について説明する。
【００２７】まず、図１には、本発明によるｎ型化合物
半導体におけるオーム性電極の形成方法のレーザー照射
処理を実現するための装置構成の一例の概念構成説明図
が示されている。
半導体におけるオーム性電極の形成方法のレーザー照射
処理を実現するための装置構成の一例の概念構成説明図
が示されている。
【００２８】この図１に示す装置は、レーザー照射処
理、即ち、常圧（７６０Ｔｏｒｒ）の窒素ガス雰囲気中
でレーザー光をｎ型化合物半導体（上記したように、以
下に説明する実験においては、「ｎ型化合物半導体」は
「ｎ型ＺｎＯ基板」である。）に照射する処理を行うた
めのレーザー照射装置であり、パルスレーザー光を発生
するＫｒＦエキシマレーザー発振装置１０と、ＫｒＦエ
キシマレーザー発振装置１０から出射されたパルスレー
ザー光のレーザーエネルギーを調整するためのレーザー
エネルギー調整用ミラー１２と、レーザーエネルギー調
整用ミラー１２から出射されたパルスレーザー光を後述
するプロジェクションシステム１６へ入射するためのミ
ラー１４と、ミラー１４を介して入射されたパルスレー
ザー光のレーザーエネルギー密度を均一化するとともに
その照射領域を設定するプロジェクションシステム１６
と、合成石英窓１８を有してプロジェクションシステム
１６から出射されたパルスレーザー光を内部に入射可能
になされているとともに当該内部に配設された試料台２
０上に試料２２としてｎ型化合物半導体を載置した真空
チャンバー２４とを有している。
理、即ち、常圧（７６０Ｔｏｒｒ）の窒素ガス雰囲気中
でレーザー光をｎ型化合物半導体（上記したように、以
下に説明する実験においては、「ｎ型化合物半導体」は
「ｎ型ＺｎＯ基板」である。）に照射する処理を行うた
めのレーザー照射装置であり、パルスレーザー光を発生
するＫｒＦエキシマレーザー発振装置１０と、ＫｒＦエ
キシマレーザー発振装置１０から出射されたパルスレー
ザー光のレーザーエネルギーを調整するためのレーザー
エネルギー調整用ミラー１２と、レーザーエネルギー調
整用ミラー１２から出射されたパルスレーザー光を後述
するプロジェクションシステム１６へ入射するためのミ
ラー１４と、ミラー１４を介して入射されたパルスレー
ザー光のレーザーエネルギー密度を均一化するとともに
その照射領域を設定するプロジェクションシステム１６
と、合成石英窓１８を有してプロジェクションシステム
１６から出射されたパルスレーザー光を内部に入射可能
になされているとともに当該内部に配設された試料台２
０上に試料２２としてｎ型化合物半導体を載置した真空
チャンバー２４とを有している。
【００２９】そして、真空チャンバー２４内の試料台２
０上に載置された試料２２に、合成石英窓１８を介して
プロジェクションシステム１６から出射されたパルスレ
ーザー光が照射されるように、それぞれが位置設定され
ている。
０上に載置された試料２２に、合成石英窓１８を介して
プロジェクションシステム１６から出射されたパルスレ
ーザー光が照射されるように、それぞれが位置設定され
ている。
【００３０】また、真空チャンバー２４には、ターボ分
子ポンプ２６、ロータリーポンプ２８、バルブ３０、３
２、圧力計３４などから構成される公知の真空システム
が接続されており、必要に応じて真空チャンバー２４内
を真空状態に設定することができるようになされてい
る。
子ポンプ２６、ロータリーポンプ２８、バルブ３０、３
２、圧力計３４などから構成される公知の真空システム
が接続されており、必要に応じて真空チャンバー２４内
を真空状態に設定することができるようになされてい
る。
【００３１】さらに、真空チャンバー２４には、Ｎ
２（窒素ガス）を封入したガスボンベ（図示せず）から
真空チャンバー２４内に窒素ガスを導入するためのパイ
プライン３６が接続されており、バルブ３８の開閉によ
り適宜に真空チャンバー２４内に窒素ガスを導入するこ
とができるようになされている。
２（窒素ガス）を封入したガスボンベ（図示せず）から
真空チャンバー２４内に窒素ガスを導入するためのパイ
プライン３６が接続されており、バルブ３８の開閉によ
り適宜に真空チャンバー２４内に窒素ガスを導入するこ
とができるようになされている。
【００３２】また、上記したプロジェクションシステム
１６は、ミラー１４を介して入射されたパルスレーザー
光の光路を屈曲させるためのミラー１６ａと、ミラー１
６ａによって光路を屈曲されたパルスレーザー光のレー
ザーエネルギー密度を均一化するフライズアイ型レーザ
ーエネルギー密度均一化素子１６ｂと、フライズアイ型
レーザーエネルギー密度均一化素子１６ｂから出射され
たパルスレーザー光の光路を屈曲させるためのミラー１
６ｃ、１６ｄと、ミラー１６ｄによって光路を屈曲され
たパルスレーザー光を通過させることによって該パルス
レーザー光の照射領域（この実施の形態においては、
２．２ｍｍ×２．２ｍｍ（ｎ型化合物半導体に対してレ
ーザー照射処理を行う場合）または４ｍｍ×４ｍｍ（レ
ーザー照射処理後の電気的測定を行う場合）である。）
を設定するための開口部を備えたアパーチャー１６ｅ
と、アパーチャー１６ｅの開口部を通過して照射領域を
設定されたパルスレーザー光を集光するためのコンデン
サーレンズ１６ｆと、コンデンサーレンズ１６ｆによっ
て集光したパルスレーザー光をチャンバー２４の合成石
英窓１８へ向けて出射するためのプロジェクションレン
ズ１６ｇとを有している。
１６は、ミラー１４を介して入射されたパルスレーザー
光の光路を屈曲させるためのミラー１６ａと、ミラー１
６ａによって光路を屈曲されたパルスレーザー光のレー
ザーエネルギー密度を均一化するフライズアイ型レーザ
ーエネルギー密度均一化素子１６ｂと、フライズアイ型
レーザーエネルギー密度均一化素子１６ｂから出射され
たパルスレーザー光の光路を屈曲させるためのミラー１
６ｃ、１６ｄと、ミラー１６ｄによって光路を屈曲され
たパルスレーザー光を通過させることによって該パルス
レーザー光の照射領域（この実施の形態においては、
２．２ｍｍ×２．２ｍｍ（ｎ型化合物半導体に対してレ
ーザー照射処理を行う場合）または４ｍｍ×４ｍｍ（レ
ーザー照射処理後の電気的測定を行う場合）である。）
を設定するための開口部を備えたアパーチャー１６ｅ
と、アパーチャー１６ｅの開口部を通過して照射領域を
設定されたパルスレーザー光を集光するためのコンデン
サーレンズ１６ｆと、コンデンサーレンズ１６ｆによっ
て集光したパルスレーザー光をチャンバー２４の合成石
英窓１８へ向けて出射するためのプロジェクションレン
ズ１６ｇとを有している。
【００３３】なお、符号４０は、真空チャンバー２４内
の圧力を測定するための圧力計である。
の圧力を測定するための圧力計である。
【００３４】また、図２には、本発明によるｎ型化合物
半導体におけるオーム性電極の形成方法の導体形成処理
を実現するための装置構成の一例の概念構成説明図が示
されている。
半導体におけるオーム性電極の形成方法の導体形成処理
を実現するための装置構成の一例の概念構成説明図が示
されている。
【００３５】この図２に示す装置は、所謂、蒸着装置で
あって、ｎ型化合物半導体表面に導体として金属薄膜を
成膜する金属成膜処理を行うことができるものであり、
図２においては、図１に示すレーザー照射装置によりレ
ーザー照射処理を施されたｎ型化合物半導体としてのＺ
ｎＯ基板の表面に、導体として金属であるインジウムの
薄膜を成膜する場合の例を示している。
あって、ｎ型化合物半導体表面に導体として金属薄膜を
成膜する金属成膜処理を行うことができるものであり、
図２においては、図１に示すレーザー照射装置によりレ
ーザー照射処理を施されたｎ型化合物半導体としてのＺ
ｎＯ基板の表面に、導体として金属であるインジウムの
薄膜を成膜する場合の例を示している。
【００３６】即ち、図２に示す蒸着装置は、内部に配設
された基板ホルダー５０にｎ型化合物半導体としてＺｎ
Ｏ基板５２を取り付けた真空チャンバー５４を有してい
る。
された基板ホルダー５０にｎ型化合物半導体としてＺｎ
Ｏ基板５２を取り付けた真空チャンバー５４を有してい
る。
【００３７】さらに、この真空チャンバー５４内には、
電源５６により通電されて加熱されるタングステン
（Ｗ）製ヒーター５８が設けられており、このタングス
テン製ヒーター５８の加熱によりインジウム６０が蒸発
されることになるものである。
電源５６により通電されて加熱されるタングステン
（Ｗ）製ヒーター５８が設けられており、このタングス
テン製ヒーター５８の加熱によりインジウム６０が蒸発
されることになるものである。
【００３８】また、真空チャンバー５４には、液体窒素
トラップ６２、油拡散ポンプ６４、ロータリーポンプ６
６などから構成される公知の真空システムが接続されて
いる。
トラップ６２、油拡散ポンプ６４、ロータリーポンプ６
６などから構成される公知の真空システムが接続されて
いる。
【００３９】そして、真空チャンバー５４内は、これら
の真空システムにより「３×１０− ６Ｔｏｒｒ」程度の
真空度に維持されている。
の真空システムにより「３×１０− ６Ｔｏｒｒ」程度の
真空度に維持されている。
【００４０】以上の構成において、上記した図１および
図２とともに図３に示す処理工程説明図を参照しなが
ら、本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法の実施の形態の一例を説明する。
図２とともに図３に示す処理工程説明図を参照しなが
ら、本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法の実施の形態の一例を説明する。
【００４１】上記したように、ｎ型化合物半導体として
はｎ型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型化合物半導体に形成する
導体としてはインジウムを用いた場合について説明す
る。
はｎ型ＺｎＯ基板を用い、ｎ型化合物半導体に形成する
導体としてはインジウムを用いた場合について説明す
る。
【００４２】まず、ｎ型ＺｎＯ基板１００（図３（ａ）
参照）の表面に、オーム性電極を形成しようとする領域
を除く領域を遮蔽するマスクとしてシャドウマスク１０
２を被覆し（図３（ｂ）参照）、こうしてシャドウマス
ク１０２を被覆されたｎ型ＺｎＯ基板１００を、図１に
示すレーザー照射装置の真空チャンバー２４内の試料台
２０上に試料２２として載置する。
参照）の表面に、オーム性電極を形成しようとする領域
を除く領域を遮蔽するマスクとしてシャドウマスク１０
２を被覆し（図３（ｂ）参照）、こうしてシャドウマス
ク１０２を被覆されたｎ型ＺｎＯ基板１００を、図１に
示すレーザー照射装置の真空チャンバー２４内の試料台
２０上に試料２２として載置する。
【００４３】それから、図１に示すレーザー照射装置を
作動して、ＫｒＦエキシマレーザー発振装置１０から出
射されるパルスレーザー光を照射することになる。
作動して、ＫｒＦエキシマレーザー発振装置１０から出
射されるパルスレーザー光を照射することになる。
【００４４】そうすると、パルスレーザー光を照射され
たｎ型ＺｎＯ基板１００の表面が低抵抗化され、例え
ば、厚さ１μｍ以下程度の低抵抗化層１０４が形成され
ることになる（図３（ｃ）参照）。
たｎ型ＺｎＯ基板１００の表面が低抵抗化され、例え
ば、厚さ１μｍ以下程度の低抵抗化層１０４が形成され
ることになる（図３（ｃ）参照）。
【００４５】次に、上記のようにして低抵抗化層１０４
が形成されたｎ型ＺｎＯ基板１００を真空チャンバー２
４から取り出して、図２に示す蒸着装置の真空チャンバ
ー５４の基板ホルダー５０に取り付ける。具体的には、
図２における符号５４で示す酸化亜鉛（ＺｎＯ）基板の
位置に配置するものである。
が形成されたｎ型ＺｎＯ基板１００を真空チャンバー２
４から取り出して、図２に示す蒸着装置の真空チャンバ
ー５４の基板ホルダー５０に取り付ける。具体的には、
図２における符号５４で示す酸化亜鉛（ＺｎＯ）基板の
位置に配置するものである。
【００４６】ここで、この真空チャンバー５４は上記し
た真空システムにより真空排気されており、真空チャン
バー５４内が「３×１０−６Ｔｏｒｒ」程度の真空度に
維持されている。
た真空システムにより真空排気されており、真空チャン
バー５４内が「３×１０−６Ｔｏｒｒ」程度の真空度に
維持されている。
【００４７】こうした真空チャンバー５４内において、
タングステン製ヒーター５８に通電して加熱し、これに
よりインジウム６０を蒸発させる。そして、基板ホルダ
ー５０上において蒸発されるインジウム６０の対向位置
に取り付けられたｎ型ＺｎＯ基板１００の表面に、蒸発
されたインジウムを堆積させてインジウムの蒸着を行う
ことにより、低抵抗層１０４の表面にインジウム薄膜１
０６が形成される（図３（ｄ）参照。）上記のようにし
て、低抵抗層１０４の表面に形成されたインジウム薄膜
１０６が、オーム性電極となるものである。
タングステン製ヒーター５８に通電して加熱し、これに
よりインジウム６０を蒸発させる。そして、基板ホルダ
ー５０上において蒸発されるインジウム６０の対向位置
に取り付けられたｎ型ＺｎＯ基板１００の表面に、蒸発
されたインジウムを堆積させてインジウムの蒸着を行う
ことにより、低抵抗層１０４の表面にインジウム薄膜１
０６が形成される（図３（ｄ）参照。）上記のようにし
て、低抵抗層１０４の表面に形成されたインジウム薄膜
１０６が、オーム性電極となるものである。
【００４８】即ち、上記のようにして形成したインジウ
ム薄膜１０６を用いて、図３（ｅ）に示すような通電測
定を行ったところ、電流−電圧特性が線形となり、イン
ジウム薄膜１０６がオーム性電極として機能しているも
のであった。
ム薄膜１０６を用いて、図３（ｅ）に示すような通電測
定を行ったところ、電流−電圧特性が線形となり、イン
ジウム薄膜１０６がオーム性電極として機能しているも
のであった。
【００４９】なお、シャドウマスク１０２は、低抵抗層
１０４の表面にインジウム薄膜１０６を形成したなら
ば、ｎ型ＺｎＯ基板１００の表面から取り外してよい。
１０４の表面にインジウム薄膜１０６を形成したなら
ば、ｎ型ＺｎＯ基板１００の表面から取り外してよい。
【００５０】ここで、本発明者による実験結果について
詳細に説明すると、ｎ型ＺｎＯとしては、熱水法成長の
ｎ型ＺｎＯ（０００１）（ρ＝２０００Ωｃｍ）を用い
た。
詳細に説明すると、ｎ型ＺｎＯとしては、熱水法成長の
ｎ型ＺｎＯ（０００１）（ρ＝２０００Ωｃｍ）を用い
た。
【００５１】そして、図１に示すレーザー照射装置にお
いては、１パルスのパルスレーザー光を「０．２〜０．
４Ｊ／ｃｍ２」のフルエンスでｎ型ＺｎＯ基板１００に
照射した。
いては、１パルスのパルスレーザー光を「０．２〜０．
４Ｊ／ｃｍ２」のフルエンスでｎ型ＺｎＯ基板１００に
照射した。
【００５２】この際に、０．３Ｊ／ｃｍ２以上のフルエ
ンスでは、ｎ型ＺｎＯ基板１００のパルスレーザー光の
照射領域に、Ｚｎ−ｒｉｃｈのｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉ
ｏｍｅｔｒｉｃ（化学量論的組成）層、即ち、ＺｎとＯ
との結合が切れてＺｎが豊富な化学量論的組成でない層
が形成され、低抵抗化層１０４となった。
ンスでは、ｎ型ＺｎＯ基板１００のパルスレーザー光の
照射領域に、Ｚｎ−ｒｉｃｈのｏｆｆ−ｓｔｏｉｃｈｉ
ｏｍｅｔｒｉｃ（化学量論的組成）層、即ち、ＺｎとＯ
との結合が切れてＺｎが豊富な化学量論的組成でない層
が形成され、低抵抗化層１０４となった。
【００５３】この低抵抗化層１０４により、ｎ型ＺｎＯ
基板１００の表面に導体を形成する際において接触抵抗
が低減されることになる。
基板１００の表面に導体を形成する際において接触抵抗
が低減されることになる。
【００５４】ここで、パルスレーザー光を照射する前の
ｎ型ＺｎＯ基板１００の電流−電圧特性の測定において
は、ｎ型ＺｎＯ基板１００の表面にインジウム薄膜１０
６を形成しないものでも、また、図２に示す蒸着装置に
よりｎ型ＺｎＯ基板１００の表面にインジウム薄膜１０
６を形成したものでも、ほとんど電流は流れなかった
（図４の（ａ）参照）。
ｎ型ＺｎＯ基板１００の電流−電圧特性の測定において
は、ｎ型ＺｎＯ基板１００の表面にインジウム薄膜１０
６を形成しないものでも、また、図２に示す蒸着装置に
よりｎ型ＺｎＯ基板１００の表面にインジウム薄膜１０
６を形成したものでも、ほとんど電流は流れなかった
（図４の（ａ）参照）。
【００５５】一方、ｎ型ＺｎＯ基板１００にパルスレー
ザー光を照射した直後において、このパルスレーザー光
を照射により形成された低抵抗化層１０４から導通した
場合には、電流−電圧特性の測定においてオーム性電極
としての特性が得られた（図４の（ｂ）参照）。
ザー光を照射した直後において、このパルスレーザー光
を照射により形成された低抵抗化層１０４から導通した
場合には、電流−電圧特性の測定においてオーム性電極
としての特性が得られた（図４の（ｂ）参照）。
【００５６】しかしながら、３００℃で５分間の窒素雰
囲気アニール後には、電流は２５％まで減少した。
囲気アニール後には、電流は２５％まで減少した。
【００５７】また、図１に示すレーザー照射装置により
形成したｎ型ＺｎＯ基板１００の表面の低抵抗化層１０
４に、図２に示す蒸着装置によりインジウム薄膜１０６
を厚さ５０ｎｍ蒸着したものにおいて、この厚さ５０ｎ
ｍのインジウム薄膜１０６から導通した場合には、電流
−電圧特性の測定において図４の（ｂ）と比較して電流
が増加するとともにオーム性電極としての特性が得られ
た（図４の（ｃ）参照）。
形成したｎ型ＺｎＯ基板１００の表面の低抵抗化層１０
４に、図２に示す蒸着装置によりインジウム薄膜１０６
を厚さ５０ｎｍ蒸着したものにおいて、この厚さ５０ｎ
ｍのインジウム薄膜１０６から導通した場合には、電流
−電圧特性の測定において図４の（ｂ）と比較して電流
が増加するとともにオーム性電極としての特性が得られ
た（図４の（ｃ）参照）。
【００５８】また、３００℃で５分間の窒素雰囲気アニ
ール後にの電流減少も、８２％に抑えることができた。
ール後にの電流減少も、８２％に抑えることができた。
【００５９】なお、上記したように、本発明において
は、ｎ型化合物半導体としては、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ
型化合物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ
型化合物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体
を用いることができるものであるが、例えば、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｏなどのような、レーザー照射による光や熱を加え
たときにぬけるような蒸気圧が高い元素を含むものが好
ましい。
は、ｎ型化合物半導体としては、ＺｎＯ、ＺｎＳ、Ｚｎ
Ｓｅ、ＺｎＴｅあるいはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ
型化合物半導体や、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、Ｉｎ
Ｐ、ＩｎＡｓあるいはＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ
型化合物半導体などのような、各種のｎ型化合物半導体
を用いることができるものであるが、例えば、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｏなどのような、レーザー照射による光や熱を加え
たときにぬけるような蒸気圧が高い元素を含むものが好
ましい。
【００６０】また、ｎ型化合物半導体としては、いずれ
の結晶構造のものも用いることが可能である。
の結晶構造のものも用いることが可能である。
【００６１】さらに、ｎ型化合物半導体の表面に導体と
して金属を成膜する手法としては、上記した蒸着に限ら
れることなしに、スパッタなどの各種の手法を用いるこ
とができる。
して金属を成膜する手法としては、上記した蒸着に限ら
れることなしに、スパッタなどの各種の手法を用いるこ
とができる。
【００６２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅある
いはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体や、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるい
はＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体など
のような、各種のｎ型化合物半導体基板の表面にオーム
性電極を形成することを可能にした、ｎ型化合物半導体
におけるオーム性電極の形成方法を提供することができ
るという優れた効果を奏する。
ているので、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅある
いはＣｄＳなどのＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体や、
ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓあるい
はＩｎＳｂなどのＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体など
のような、各種のｎ型化合物半導体基板の表面にオーム
性電極を形成することを可能にした、ｎ型化合物半導体
におけるオーム性電極の形成方法を提供することができ
るという優れた効果を奏する。
【図１】本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム
性電極の形成方法のレーザー照射処理を実現するための
装置構成の一例の概念構成説明図である。
性電極の形成方法のレーザー照射処理を実現するための
装置構成の一例の概念構成説明図である。
【図２】本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム
性電極の形成方法の導体形成処理を実現するための装置
構成の一例の概念構成説明図である。
性電極の形成方法の導体形成処理を実現するための装置
構成の一例の概念構成説明図である。
【図３】本発明によるｎ型化合物半導体におけるオーム
性電極の形成方法の実施の形態の一例を示す処理工程説
明図である。
性電極の形成方法の実施の形態の一例を示す処理工程説
明図である。
【図４】本発明による実験結果を示す電流−電圧特性の
測定グラフである。
測定グラフである。
１００ ＺｎＯ基板 １０２ シャドウマスク １０４ 低抵抗化層 １０６ インジウム薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4M104 AA04 AA05 AA06 BB36 CC01 DD22 DD34 HH15
Claims (12)
- 【請求項１】 ｎ型化合物半導体の表面にオーム性電極
を形成するためのｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法において、 ｎ型化合物半導体の表面にレーザー光を照射する第１の
ステップと、 前記第１のステップにおいて前記レーザー光を照射され
た前記ｎ型化合物半導体の表面の領域に導体を形成する
第２のステップとを有するｎ型化合物半導体におけるオ
ーム性電極の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のｎ型化合物半導体にお
けるオーム性電極の形成方法において、 前記第１のステップは、前記ｎ型化合物半導体の表面へ
の前記レーザー光の照射により、前記レーザー光を照射
された前記ｎ型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化す
るものであるｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の
形成方法。 - 【請求項３】 請求項２に記載のｎ型化合物半導体にお
けるオーム性電極の形成方法において、 前記第１のステップは、前記レーザー光を照射された前
記ｎ型化合物半導体の表面の領域を低抵抗化し、該低抵
抗化された前記ｎ型化合物半導体の表面の領域と前記第
２のステップにおいて形成される導体との接触抵抗を低
減するものであるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法。 - 【請求項４】 請求項１、請求項２または請求項３のい
ずれか１項に記載のｎ型化合物半導体におけるオーム性
電極の形成方法において、 前記ｎ型化合物半導体の表面に、該表面の一部を遮蔽す
るマスクを被覆し、 前記第１のステップにおいて、前記ｎ型化合物半導体の
表面の領域のうちで前記マスクにより遮蔽されていない
領域にのみレーザー光が照射されるようにし、 前記第２のステップにおいて、前記ｎ型化合物半導体の
表面の領域のうちで前記マスクにより遮蔽されていない
前記レーザー光を照射された領域にのみ導体を形成する
ものであるｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形
成方法。 - 【請求項５】 請求項１、請求項２、請求項３または請
求項４のいずれか１項に記載のｎ型化合物半導体におけ
るオーム性電極の形成方法において、 前記レーザー光は、パルスレーザー光であるものである
ｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法。 - 【請求項６】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４または請求項５のいずれか１項に記載のｎ型化合物半
導体におけるオーム性電極の形成方法において、 前記ｎ型化合物半導体は、蒸気圧の高い元素を含むもの
であるｎ型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方
法。 - 【請求項７】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載のｎ
型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法におい
て、 前記ｎ型化合物半導体は、ＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半
導体であるものであるｎ型化合物半導体におけるオーム
性電極の形成方法。 - 【請求項８】 請求項１、請求項２、請求項３、請求項
４、請求項５または請求項６のいずれか１項に記載のｎ
型化合物半導体におけるオーム性電極の形成方法におい
て、 前記ｎ型化合物半導体は、ＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半
導体であるものであるｎ型化合物半導体におけるオーム
性電極の形成方法。 - 【請求項９】 請求項７に記載のｎ型化合物半導体にお
けるオーム性電極の形成方法において、 前記ＩＩ−ＶＩ族のｎ型化合物半導体は、ＺｎＯ（酸化
亜鉛）基板であるものであるｎ型化合物半導体における
オーム性電極の形成方法。 - 【請求項１０】 請求項１、請求項２、請求項３、請求
項４、請求項５、請求項６、請求項７、請求項８、請求
項９または請求項１０のいずれか１項に記載のｎ型化合
物半導体におけるオーム性電極の形成方法において、 前記導体は、金属であるものであるｎ型化合物半導体に
おけるオーム性電極の形成方法。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載のｎ型化合物半導体
におけるオーム性電極の形成方法において、 前記金属は、前記第１のステップにおいて前記レーザー
光を照射された前記ｎ型化合物半導体の表面の領域に成
膜したものであるｎ型化合物半導体におけるオーム性電
極の形成方法。 - 【請求項１２】 請求項１０または請求項１１のいずれ
か１項に記載のｎ型化合物半導体におけるオーム性電極
の形成方法において、 前記金属は、インジウムであるものであるｎ型化合物半
導体におけるオーム性電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24083999A JP3333476B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | ｎ型ＺｎＯにおけるオーム性電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24083999A JP3333476B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | ｎ型ＺｎＯにおけるオーム性電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001068431A true JP2001068431A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3333476B2 JP3333476B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=17065480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24083999A Expired - Fee Related JP3333476B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | ｎ型ＺｎＯにおけるオーム性電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333476B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073699A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP2009099887A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| CN105659392A (zh) * | 2013-07-24 | 2016-06-08 | 利拉茨有限公司 | 用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法 |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24083999A patent/JP3333476B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073699A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
| JP2009099887A (ja) | 2007-10-19 | 2009-05-07 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| CN105659392A (zh) * | 2013-07-24 | 2016-06-08 | 利拉茨有限公司 | 用于制造太阳能电池、特别是硅薄层太阳能电池的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3333476B2 (ja) | 2002-10-15 |
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