JPH04273450A - Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体及びその製造方法 - Google Patents
Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体及びその製造方法Info
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- JPH04273450A JPH04273450A JP5931091A JP5931091A JPH04273450A JP H04273450 A JPH04273450 A JP H04273450A JP 5931091 A JP5931091 A JP 5931091A JP 5931091 A JP5931091 A JP 5931091A JP H04273450 A JPH04273450 A JP H04273450A
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Landscapes
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新しいオプトエレクトロ
ニクス材料として期待されるＩＩ−ＶＩ 族化合物半導
体の低抵抗化された半導体の製造方法、ならびに低抵抗
化されたｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に関する。
ニクス材料として期待されるＩＩ−ＶＩ 族化合物半導
体の低抵抗化された半導体の製造方法、ならびに低抵抗
化されたｐ型ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体は、発光素
子などの新しいオプトエレクトロニクス材料としての適
用が期待され、近年その開発研究が盛んに行われている
。
子などの新しいオプトエレクトロニクス材料としての適
用が期待され、近年その開発研究が盛んに行われている
。
【０００３】しかし、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体は高
抵抗であり、特に従来のｐ型セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）
の抵抗率は１０−１Ω・ｃｍ台どまりであった（例えば
、ジャーナルオブ アプライド フィジックス
１９８９年６５巻４８５９−４８６３ページ）。抵抗率
が１０−２Ω・ｃｍ以下の低抵抗なＺｎＳｅは得られて
いないのが現状である。
抵抗であり、特に従来のｐ型セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）
の抵抗率は１０−１Ω・ｃｍ台どまりであった（例えば
、ジャーナルオブ アプライド フィジックス
１９８９年６５巻４８５９−４８６３ページ）。抵抗率
が１０−２Ω・ｃｍ以下の低抵抗なＺｎＳｅは得られて
いないのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】半導体の抵抗率が高い
と、半導体を作動させるには高電圧を必要とし、しかも
半導体としての効率が悪く、発熱量が大きくなる。発熱
量が大きくなると熱による半導体の劣化も激しくなり、
半導体寿命も低下するといった問題がある。
と、半導体を作動させるには高電圧を必要とし、しかも
半導体としての効率が悪く、発熱量が大きくなる。発熱
量が大きくなると熱による半導体の劣化も激しくなり、
半導体寿命も低下するといった問題がある。
【０００５】これらの問題は、半導体中の不純物がＩＩ
族元素サイトあるいはＶＩ族元素サイトに正確に位置し
ていないためであると考えられる。
族元素サイトあるいはＶＩ族元素サイトに正確に位置し
ていないためであると考えられる。
【０００６】本発明は上記の欠点を解消し、低抵抗なＩ
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体の新規な製造方法ならびに低
抵抗の半導体が得られにくいｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体において低抵抗のｐ型半導体を提供することを目
的とするものである。
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体の新規な製造方法ならびに低
抵抗の半導体が得られにくいｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体において低抵抗のｐ型半導体を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は次の構成を有する。
に本発明は次の構成を有する。
【０００８】（１） ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体に
電子線を照射することによって、ＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体の抵抗率を下げることを特徴とする半導体の製造
方法。
電子線を照射することによって、ＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体の抵抗率を下げることを特徴とする半導体の製造
方法。
【０００９】（２） ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体が
アクセプタ性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体である前記（１）
項に記載の半導体の製造方法。
アクセプタ性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ族化合物半導体である前記（１）
項に記載の半導体の製造方法。
【００１０】（３） ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体が
ドナー性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体である前記（１）項
に記載の半導体の製造方法。
ドナー性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体である前記（１）項
に記載の半導体の製造方法。
【００１１】（４） アクセプタ性不純物の活性化率
が１０％以上であることを特徴とするをｐ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体。
が１０％以上であることを特徴とするをｐ型ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体。
【００１２】
【作用】ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体に電子線を照射す
ることによって、照射した電子線のエネルギーにより正
確に位置していない不純物を動かすことができ、不純物
を正確な元素サイトに入れることができ、そのため不純
物の活性化率は著しく増大し、低抵抗なＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を得ることができるものと推定される。
ることによって、照射した電子線のエネルギーにより正
確に位置していない不純物を動かすことができ、不純物
を正確な元素サイトに入れることができ、そのため不純
物の活性化率は著しく増大し、低抵抗なＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を得ることができるものと推定される。
【００１３】また、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体として
アクセプタ性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることに
より、照射した電子線のエネルギーにより正確に位置し
ていないアクセプタ性不純物を正確な元素サイトに入れ
ることができ、そのためアクセプタ性不純物の活性化率
は著しく増大し、低抵抗なｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半
導体を得ることができるものと推定される。
アクセプタ性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることに
より、照射した電子線のエネルギーにより正確に位置し
ていないアクセプタ性不純物を正確な元素サイトに入れ
ることができ、そのためアクセプタ性不純物の活性化率
は著しく増大し、低抵抗なｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半
導体を得ることができるものと推定される。
【００１４】また、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体として
ドナー性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることにより
、照射した電子線のエネルギーにより正確に位置してい
ないドナー性不純物を正確な元素サイトに入れることが
でき、そのためドナー性不純物の活性化率は著しく増大
し、低抵抗なｎ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を得るこ
とができるものと推定される。
ドナー性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることにより
、照射した電子線のエネルギーにより正確に位置してい
ないドナー性不純物を正確な元素サイトに入れることが
でき、そのためドナー性不純物の活性化率は著しく増大
し、低抵抗なｎ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を得るこ
とができるものと推定される。
【００１５】また、アクセプタ性不純物の活性化率が１
０％以上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とすることにより
、低抵抗のｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を提供でき
る。
０％以上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とすることにより
、低抵抗のｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を提供でき
る。
【００１６】
【実施例】本発明のＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の例と
しては、その構成元素は、ＩＩ族元素としてＺｎ、Ｃｄ
、Ｈｇ等が、またＩＶ族元素としてＳ、Ｓｅ、Ｔｅ等が
挙げられ、これらの２元以上の組み合わせからなる化合
物半導体が挙げられる。
しては、その構成元素は、ＩＩ族元素としてＺｎ、Ｃｄ
、Ｈｇ等が、またＩＶ族元素としてＳ、Ｓｅ、Ｔｅ等が
挙げられ、これらの２元以上の組み合わせからなる化合
物半導体が挙げられる。
【００１７】具体的な例としては例えば、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ
、ＨｇＴｅ、ＨｇＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳＳｅ、Ｚｎ
ＣｄＳＳｅなどが挙げられる。
ｎＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳ
、ＨｇＴｅ、ＨｇＳｅ、ＺｎＣｄＳ、ＺｎＳＳｅ、Ｚｎ
ＣｄＳＳｅなどが挙げられる。
【００１８】本発明で用いられるｐ型半導体用のアクセ
プター性不純物の具体例としては、例えばＩ族元素、Ｖ
族元素などが用いられる。
プター性不純物の具体例としては、例えばＩ族元素、Ｖ
族元素などが用いられる。
【００１９】Ｉ族元素としてはＬｉ、Ｎａ、Ｋ等が、Ｖ
族元素としてはＮ、Ｐ、Ａｓ等が挙げられ、中でもＶ族
元素が好ましく、特にＮ、Ｐが好ましい。
族元素としてはＮ、Ｐ、Ａｓ等が挙げられ、中でもＶ族
元素が好ましく、特にＮ、Ｐが好ましい。
【００２０】また本発明で用いられるｎ型半導体用のド
ナー性不純物の具体例としては、例えばＩＩＩ 族元素
、ＶＩＩ 族元素などが用いられる。
ナー性不純物の具体例としては、例えばＩＩＩ 族元素
、ＶＩＩ 族元素などが用いられる。
【００２１】ＩＩＩ 族元素としてはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ
等が、ＶＩＩ 族元素としてはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等が
挙げられ、中でもＶＩＩ 族元素が好ましく、特にＣｌ
、Ｂｒ、Ｉが好ましい。
等が、ＶＩＩ 族元素としてはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等が
挙げられ、中でもＶＩＩ 族元素が好ましく、特にＣｌ
、Ｂｒ、Ｉが好ましい。
【００２２】これらの不純物の含有密度は、１×１０１
７ｃｍ−３以上の密度で添加することが低抵抗化を達成
する上で好ましく、上限は特に限定するわけではないが
、１×１０１９ｃｍ−３程度で十分であり、それ以上添
加しても添加効果は特に向上するわけではない。通常は
、１×１０１８ｃｍ−３前後が好ましい。
７ｃｍ−３以上の密度で添加することが低抵抗化を達成
する上で好ましく、上限は特に限定するわけではないが
、１×１０１９ｃｍ−３程度で十分であり、それ以上添
加しても添加効果は特に向上するわけではない。通常は
、１×１０１８ｃｍ−３前後が好ましい。
【００２３】電子線の照射は通常１０−６Ｔｏｏｒ以下
の真空下で行われ、加速電圧は半導体の種類や組成など
によって異なるので一概に規定しがたいが通常１Ｖ以上
、好ましくは３Ｖ以上である。この電子線の照射によっ
て、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の抵抗率を下げること
ができる。
の真空下で行われ、加速電圧は半導体の種類や組成など
によって異なるので一概に規定しがたいが通常１Ｖ以上
、好ましくは３Ｖ以上である。この電子線の照射によっ
て、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の抵抗率を下げること
ができる。
【００２４】また、従来、ｐ型のＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体のアクセプター性不純物の活性化率は通常１％程
度以下であり、低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が得られていないが、本発明においては、例えば前記
した電子線の照射により、アクセプター性不純物の活性
化率が１０％以上のｐ型のＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を得ることが可能となり、その結果、低抵抗のｐ型のＩ
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体を提供できる。
半導体のアクセプター性不純物の活性化率は通常１％程
度以下であり、低抵抗のｐ型のＩＩ−ＶＩ族化合物半導
体が得られていないが、本発明においては、例えば前記
した電子線の照射により、アクセプター性不純物の活性
化率が１０％以上のｐ型のＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を得ることが可能となり、その結果、低抵抗のｐ型のＩ
Ｉ−ＶＩ 族化合物半導体を提供できる。
【００２５】以下、具体的実施例について説明するが、
下記実施例において活性化率などは次の定義による。
下記実施例において活性化率などは次の定義による。
【００２６】ｐ型半導体の活性化率は下記式（数１）で
、またｎ型半導体の活性化率は下記式（数２）によって
示されるものである。
、またｎ型半導体の活性化率は下記式（数２）によって
示されるものである。
【００２７】
【数１】
ｐ型半導体の活性化率＝（ｐＲＴ／ＮＡ ）×１００（
％）但し、式（数１）においてｐＲＴはｐ型半導体の室
温における正孔の濃度［単位ｃｍ−３］、ＮＡ はＳＩ
ＭＳ測定法（２次イオン質量分析法）によって得られた
半導体結晶中に存在するアクセプター性不純物の密度［
単位ｃｍ−３］を示す。
％）但し、式（数１）においてｐＲＴはｐ型半導体の室
温における正孔の濃度［単位ｃｍ−３］、ＮＡ はＳＩ
ＭＳ測定法（２次イオン質量分析法）によって得られた
半導体結晶中に存在するアクセプター性不純物の密度［
単位ｃｍ−３］を示す。
【００２８】
【数２】
ｎ型半導体の活性化率＝（ｎＲＴ／ＮＤ ）×１００（
％）但し、式（数２）においてｎＲＴはｎ型半導体の室
温における電子の濃度［単位ｃｍ−３］、ＮＤ はＳＩ
ＭＳ測定法（２次イオン質量分析法）によって得られた
半導体結晶中に存在するドナー性不純物の密度［単位ｃ
ｍ−３］を示す。
％）但し、式（数２）においてｎＲＴはｎ型半導体の室
温における電子の濃度［単位ｃｍ−３］、ＮＤ はＳＩ
ＭＳ測定法（２次イオン質量分析法）によって得られた
半導体結晶中に存在するドナー性不純物の密度［単位ｃ
ｍ−３］を示す。
【００２９】ｐＲＴやｎＲＴ、ならびに後述する半導体
の比抵抗はホール測定により測定できる。 尚、以下
ｐ型半導体の室温における正孔の濃度、ならびにｎ型半
導体の室温における電子の濃度を共にキャリア濃度と略
称する。
の比抵抗はホール測定により測定できる。 尚、以下
ｐ型半導体の室温における正孔の濃度、ならびにｎ型半
導体の室温における電子の濃度を共にキャリア濃度と略
称する。
【００３０】実施例１
ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体の代表としてセレン化亜鉛
半導体（ＺｎＳｅ）を用いて電子線の照射を行った。
半導体（ＺｎＳｅ）を用いて電子線の照射を行った。
【００３１】図１に電子線を照射している状態の概念断
面図を示す。
面図を示す。
【００３２】図１は窒素（Ｎ）をドープしたＺｎＳｅ膜
１に電子線２を照射している状態の断面図である。
１に電子線２を照射している状態の断面図である。
【００３３】窒素（Ｎ）をドープしたＺｎＳｅ膜１は砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板３の上にエピタキシャル成
長させて得られたものを使用した。
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板３の上にエピタキシャル成
長させて得られたものを使用した。
【００３４】図１のように、ＺｎＳｅ膜１は電気的には
接地してある金属板４の上に置かれる。電子線照射は、
１×１０−７Ｔｏｒｒの真空雰囲気で行われる。フィラ
メント５に電流を流してフィラメント５を加熱して電子
線を発生させ、発生した電子線がＮドープＺｎＳｅ膜１
の方向に向かうようにフィラメント５と金属板４の間に
は直流電圧が印加される（図示せず）。尚、フィラメン
ト５よりでた電子線２は偏向電極６に電圧を印加し、印
加電圧を変化させることにより所望の方向に向きを変え
ることができ、１で示されるＺｎＳｅの大きさに応じて
トラバースして所望の部分に電子線を照射することがで
きる。電子線２の電流はおよそ１０−３Ａに、加速電圧
はおよそ１ＫＶに設定した。電子線２を照射する前のＮ
ドープＺｎＳｅ膜１はホール測定の結果１０Ω・ｃｍ程
度の抵抗率を有していたが、照射によってＺｎＳｅ膜１
の抵抗率を０．０５Ω・ｃｍ程度まで下げることができ
た。
接地してある金属板４の上に置かれる。電子線照射は、
１×１０−７Ｔｏｒｒの真空雰囲気で行われる。フィラ
メント５に電流を流してフィラメント５を加熱して電子
線を発生させ、発生した電子線がＮドープＺｎＳｅ膜１
の方向に向かうようにフィラメント５と金属板４の間に
は直流電圧が印加される（図示せず）。尚、フィラメン
ト５よりでた電子線２は偏向電極６に電圧を印加し、印
加電圧を変化させることにより所望の方向に向きを変え
ることができ、１で示されるＺｎＳｅの大きさに応じて
トラバースして所望の部分に電子線を照射することがで
きる。電子線２の電流はおよそ１０−３Ａに、加速電圧
はおよそ１ＫＶに設定した。電子線２を照射する前のＮ
ドープＺｎＳｅ膜１はホール測定の結果１０Ω・ｃｍ程
度の抵抗率を有していたが、照射によってＺｎＳｅ膜１
の抵抗率を０．０５Ω・ｃｍ程度まで下げることができ
た。
【００３５】これは、電子線照射によってトープした窒
素の結晶格子中での元素サイトをより正確な位置に入れ
ることができ、正孔の濃度および移動度が向上して、比
抵抗がさらに低くなったものと推定される。
素の結晶格子中での元素サイトをより正確な位置に入れ
ることができ、正孔の濃度および移動度が向上して、比
抵抗がさらに低くなったものと推定される。
【００３６】結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
活性化率 キ
ャリア 比抵抗 ＳＩＭＳ測定による
濃度
不純物の密度 （
％） （ｃｍ−３） （Ω・ｃｍ） （ｃｍ
−３）
電子線処理前 １ １×１０１６
１０ １×１０１８
電子線処理後 ５０ ５×１０１７
０．０５ １×１０１８
尚、同様に窒素（Ｎ）あるいは燐（Ｐ）でドープしたＺ
ｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＴｅならびにＺｎＳＳｅについても
電子線照射により、同様に低抵抗のｐ型半導体を得るこ
とができた。
ャリア 比抵抗 ＳＩＭＳ測定による
濃度
不純物の密度 （
％） （ｃｍ−３） （Ω・ｃｍ） （ｃｍ
−３）
電子線処理前 １ １×１０１６
１０ １×１０１８
電子線処理後 ５０ ５×１０１７
０．０５ １×１０１８
尚、同様に窒素（Ｎ）あるいは燐（Ｐ）でドープしたＺ
ｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＴｅならびにＺｎＳＳｅについても
電子線照射により、同様に低抵抗のｐ型半導体を得るこ
とができた。
【００３８】実施例２
ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体としてテルル化亜鉛半導体
（ＺｎＴｅ）を用いて電子線の照射を行った。
（ＺｎＴｅ）を用いて電子線の照射を行った。
【００３９】電子線を照射は実施例１の図１とほぼ同様
に行った。
に行った。
【００４０】塩素（Ｃｌ）をドープしたＺｎＴｅ膜は砒
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板の上にエピタキシャル成長
させて得られたものを使用した。
化ガリウム（ＧａＡｓ）基板の上にエピタキシャル成長
させて得られたものを使用した。
【００４１】実施例１の図１と同様に、ＺｎＴｅ膜は電
気的には接地してある金属板４の上に置かれる。電子線
照射は、実施例１と同様に１×１０−７Ｔｏｒｒの真空
雰囲気で行った。
気的には接地してある金属板４の上に置かれる。電子線
照射は、実施例１と同様に１×１０−７Ｔｏｒｒの真空
雰囲気で行った。
【００４２】電子線２の電流はおよそ１０−３Ａに、加
速電圧はおよそ１ＫＶに設定した。電子線を照射する前
のＣｌドープしたＺｎＴｅ膜はホール測定の結果５０Ω
・ｃｍ程度の抵抗率を有していたが、電子線照射によっ
て抵抗率を０．５Ω・ｃｍ程度まで下げたｎ型ＺｎＴｅ
膜を得ることができた。
速電圧はおよそ１ＫＶに設定した。電子線を照射する前
のＣｌドープしたＺｎＴｅ膜はホール測定の結果５０Ω
・ｃｍ程度の抵抗率を有していたが、電子線照射によっ
て抵抗率を０．５Ω・ｃｍ程度まで下げたｎ型ＺｎＴｅ
膜を得ることができた。
【００４３】結果を表２に示す。
【００４４】
【表２】
活性化率 キ
ャリア 比抵抗 ＳＩＭＳ測定による
濃度
不純物の密度 （
％） （ｃｍ−３） （Ω・ｃｍ） （ｃｍ
−３）
電子線処理前 ０．２ ２×１０１
５ ５０ １×１０１８
電子線処理後 ２０ ２×１０１
７ ０．５ １×１０１８
本発明の方法は低抵抗なｎ型が得にくいＺｎＴｅにおい
ても有効であることがわかる。
ャリア 比抵抗 ＳＩＭＳ測定による
濃度
不純物の密度 （
％） （ｃｍ−３） （Ω・ｃｍ） （ｃｍ
−３）
電子線処理前 ０．２ ２×１０１
５ ５０ １×１０１８
電子線処理後 ２０ ２×１０１
７ ０．５ １×１０１８
本発明の方法は低抵抗なｎ型が得にくいＺｎＴｅにおい
ても有効であることがわかる。
【００４５】尚、同様に塩素（Ｃｌ）あるいは臭素（Ｂ
ｒ）でドープしたＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＴｅならびにＺ
ｎＳＳｅについても電子線照射により、同様に低抵抗の
ｎ型半導体を得ることができた。
ｒ）でドープしたＺｎＣｄＳ、ＺｎＳｅＴｅならびにＺ
ｎＳＳｅについても電子線照射により、同様に低抵抗の
ｎ型半導体を得ることができた。
【００４６】以上、本発明においてさらに、抵抗率を下
げるには十分なキャリヤ密度をもたせることが好ましく
、そのためドナー性不純物やアクセプタ性不純物を１×
１０１７ｃｍ−３以上の密度で添加したＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を用いることがより好ましい。
げるには十分なキャリヤ密度をもたせることが好ましく
、そのためドナー性不純物やアクセプタ性不純物を１×
１０１７ｃｍ−３以上の密度で添加したＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を用いることがより好ましい。
【００４７】
【発明の効果】本発明は低抵抗なＩＩ−ＶＩ 族化合物
半導体を得ることができる効果的な製造方法を提供でき
る。
半導体を得ることができる効果的な製造方法を提供でき
る。
【００４８】また、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体として
アクセプタ性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることに
より、より容易に低抵抗なｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半
導体を製造する方法を提供できる。
アクセプタ性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度
で含有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることに
より、より容易に低抵抗なｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半
導体を製造する方法を提供できる。
【００４９】また、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体として
ドナー性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることにより
、より容易に低抵抗なｎ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を製造する方法を提供できる。
ドナー性不純物が１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含
有するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体を用いることにより
、より容易に低抵抗なｎ型ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
を製造する方法を提供できる。
【００５０】また、アクセプタ性不純物の活性化率が１
０％以上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とすることにより
、従来得られていなかった低抵抗のｐ型ＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を提供できる。
０％以上のＩＩ−ＶＩ族化合物半導体とすることにより
、従来得られていなかった低抵抗のｐ型ＩＩ−ＶＩ 族
化合物半導体を提供できる。
【図１】本発明の一実施例における半導体に電子線を照
射している状態の概念断面図である。
射している状態の概念断面図である。
１…ＮドープＺｎＳｅ膜
２…電子線
３…ＧａＡｓ基板
４…金属板
５…フィラメント
６…偏向電極
Claims (4)
- 【請求項１】 ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体に電子線
を照射することによって、ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体
の抵抗率を下げることを特徴とする半導体の製造方法。 - 【請求項２】 ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体がアクセ
プタ性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含有
するＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体である請求項１記載の
半導体の製造方法。 - 【請求項３】 ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体がドナー
性不純物を１×１０１７ｃｍ−３以上の密度で含有する
ＩＩ−ＶＩ 族化合物半導体である請求項１記載の半導
体の製造方法。 - 【請求項４】 アクセプタ性不純物の活性化率が１０
％以上であることを特徴とするをｐ型ＩＩ−ＶＩ 族化
合物半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931091A JPH04273450A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5931091A JPH04273450A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04273450A true JPH04273450A (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=13109671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5931091A Pending JPH04273450A (ja) | 1991-02-28 | 1991-02-28 | Ｉｉ−ｖｉ族化合物半導体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04273450A (ja) |
-
1991
- 1991-02-28 JP JP5931091A patent/JPH04273450A/ja active Pending
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