|
JPS60198861A
(ja)
|
1984-03-23 |
1985-10-08 |
Fujitsu Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
EP0182645B1
(en)
|
1984-11-16 |
1991-01-23 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
Active matrix circuit for liquid crystal displays
|
|
JPH0646345B2
(ja)
|
1985-04-20 |
1994-06-15 |
松下電器産業株式会社 |
アクテイブマトリクス基板
|
|
JPH0244256B2
(ja)
|
1987-01-28 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244258B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244260B2
(ja)
|
1987-02-24 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63210023A
(ja)
|
1987-02-24 |
1988-08-31 |
Natl Inst For Res In Inorg Mater |
ＩｎＧａＺｎ↓４Ｏ↓７で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
|
|
JPH0244262B2
(ja)
|
1987-02-27 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPH0244263B2
(ja)
|
1987-04-22 |
1990-10-03 |
Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho |
Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
|
|
JPS63309924A
(ja)
|
1987-06-10 |
1988-12-19 |
Fujitsu Ltd |
アクティブマトリクス型液晶表示装置
|
|
US5204659A
(en)
|
1987-11-13 |
1993-04-20 |
Honeywell Inc. |
Apparatus and method for providing a gray scale in liquid crystal flat panel displays
|
|
US5151689A
(en)
|
1988-04-25 |
1992-09-29 |
Hitachi, Ltd. |
Display device with matrix-arranged pixels having reduced number of vertical signal lines
|
|
JPH0353218A
(ja)
|
1989-07-21 |
1991-03-07 |
Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> |
画像表示パネル
|
|
JPH03242625A
(ja)
|
1990-02-21 |
1991-10-29 |
Toshiba Corp |
アクティブマトリクス型液晶表示装置
|
|
DE69108062T2
(de)
|
1990-01-17 |
1995-07-20 |
Toshiba Kawasaki Kk |
Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix.
|
|
US5302987A
(en)
|
1991-05-15 |
1994-04-12 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate including connecting electrode with extended portion
|
|
JP2669956B2
(ja)
|
1991-05-15 |
1997-10-29 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板
|
|
JPH05251705A
(ja)
|
1992-03-04 |
1993-09-28 |
Fuji Xerox Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP3091300B2
(ja)
|
1992-03-19 |
2000-09-25 |
富士通株式会社 |
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその駆動回路
|
|
EP0589478B1
(en)
|
1992-09-25 |
1999-11-17 |
Sony Corporation |
Liquid crystal display device
|
|
JP3343160B2
(ja)
|
1992-09-25 |
2002-11-11 |
ソニー株式会社 |
液晶表示装置
|
|
GB9223697D0
(en)
|
1992-11-12 |
1992-12-23 |
Philips Electronics Uk Ltd |
Active matrix display devices
|
|
JPH0713191A
(ja)
|
1993-06-28 |
1995-01-17 |
Casio Comput Co Ltd |
アクティブマトリックス液晶表示素子
|
|
JP3479375B2
(ja)
|
1995-03-27 |
2003-12-15 |
科学技術振興事業団 |
亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとｐｎ接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
|
|
WO1997006554A2
(en)
|
1995-08-03 |
1997-02-20 |
Philips Electronics N.V. |
Semiconductor device provided with transparent switching element
|
|
JP3549299B2
(ja)
|
1995-09-06 |
2004-08-04 |
松下電器産業株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP3625598B2
(ja)
|
1995-12-30 |
2005-03-02 |
三星電子株式会社 |
液晶表示装置の製造方法
|
|
JP4170454B2
(ja)
|
1998-07-24 |
2008-10-22 |
Ｈｏｙａ株式会社 |
透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
|
|
JP2000150861A
(ja)
|
1998-11-16 |
2000-05-30 |
Tdk Corp |
酸化物薄膜
|
|
JP3276930B2
(ja)
|
1998-11-17 |
2002-04-22 |
科学技術振興事業団 |
トランジスタ及び半導体装置
|
|
JP3654490B2
(ja)
*
|
1998-12-25 |
2005-06-02 |
富士通ディスプレイテクノロジーズ株式会社 |
薄膜トランジスタマトリクスとその製造方法
|
|
KR100291770B1
(ko)
|
1999-06-04 |
2001-05-15 |
권오경 |
액정표시장치
|
|
TW460731B
(en)
|
1999-09-03 |
2001-10-21 |
Ind Tech Res Inst |
Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
|
|
JP4089858B2
(ja)
|
2000-09-01 |
2008-05-28 |
国立大学法人東北大学 |
半導体デバイス
|
|
KR20020038482A
(ko)
|
2000-11-15 |
2002-05-23 |
모리시타 요이찌 |
박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
|
|
JP3997731B2
(ja)
|
2001-03-19 |
2007-10-24 |
富士ゼロックス株式会社 |
基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
|
|
JP2002289859A
(ja)
|
2001-03-23 |
2002-10-04 |
Minolta Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
JP3918147B2
(ja)
|
2001-06-22 |
2007-05-23 |
株式会社日立製作所 |
液晶表示装置および携帯情報機器
|
|
JP4090716B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2008-05-28 |
雅司 川崎 |
薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
|
|
JP3925839B2
(ja)
|
2001-09-10 |
2007-06-06 |
シャープ株式会社 |
半導体記憶装置およびその試験方法
|
|
JP2003084298A
(ja)
|
2001-09-11 |
2003-03-19 |
Toshiba Corp |
平面表示装置
|
|
US7061014B2
(en)
|
2001-11-05 |
2006-06-13 |
Japan Science And Technology Agency |
Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
|
|
JP4164562B2
(ja)
|
2002-09-11 |
2008-10-15 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
|
|
JP4083486B2
(ja)
|
2002-02-21 |
2008-04-30 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
ＬｎＣｕＯ（Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ）単結晶薄膜の製造方法
|
|
US7049190B2
(en)
|
2002-03-15 |
2006-05-23 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Method for forming ZnO film, method for forming ZnO semiconductor layer, method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device
|
|
JP3933591B2
(ja)
|
2002-03-26 |
2007-06-20 |
淳二 城戸 |
有機エレクトロルミネッセント素子
|
|
US7339187B2
(en)
|
2002-05-21 |
2008-03-04 |
State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University |
Transistor structures
|
|
JP2004022625A
(ja)
|
2002-06-13 |
2004-01-22 |
Murata Mfg Co Ltd |
半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
|
|
US7105868B2
(en)
|
2002-06-24 |
2006-09-12 |
Cermet, Inc. |
High-electron mobility transistor with zinc oxide
|
|
JP4014955B2
(ja)
|
2002-07-10 |
2007-11-28 |
三菱電機株式会社 |
液晶表示装置
|
|
WO2004027748A1
(en)
|
2002-09-23 |
2004-04-01 |
Koninklijke Philips Electronics N.V. |
Active matrix display devices
|
|
US7067843B2
(en)
|
2002-10-11 |
2006-06-27 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Transparent oxide semiconductor thin film transistors
|
|
US7807999B2
(en)
|
2002-12-21 |
2010-10-05 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Array substrate, liquid crystal display apparatus having the same and method for driving liquid crystal display apparatus
|
|
KR100961941B1
(ko)
|
2003-01-03 |
2010-06-08 |
삼성전자주식회사 |
다중 도메인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
|
|
JP4166105B2
(ja)
|
2003-03-06 |
2008-10-15 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
|
|
JP2004273732A
(ja)
|
2003-03-07 |
2004-09-30 |
Sharp Corp |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
KR100913303B1
(ko)
*
|
2003-05-06 |
2009-08-26 |
삼성전자주식회사 |
액정표시장치
|
|
KR20040105934A
(ko)
*
|
2003-06-10 |
2004-12-17 |
삼성전자주식회사 |
다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
|
|
JP4108633B2
(ja)
|
2003-06-20 |
2008-06-25 |
シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
|
|
US7262463B2
(en)
|
2003-07-25 |
2007-08-28 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Transistor including a deposited channel region having a doped portion
|
|
US7206048B2
(en)
|
2003-08-13 |
2007-04-17 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Liquid crystal display and panel therefor
|
|
JP4265788B2
(ja)
|
2003-12-05 |
2009-05-20 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP2005258007A
(ja)
|
2004-03-11 |
2005-09-22 |
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd |
液晶表示装置の製造方法
|
|
US7297977B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-11-20 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Semiconductor device
|
|
US7282782B2
(en)
|
2004-03-12 |
2007-10-16 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Combined binary oxide semiconductor device
|
|
KR101019337B1
(ko)
|
2004-03-12 |
2011-03-07 |
도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 |
아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터
|
|
US7145174B2
(en)
|
2004-03-12 |
2006-12-05 |
Hewlett-Packard Development Company, Lp. |
Semiconductor device
|
|
US7211825B2
(en)
|
2004-06-14 |
2007-05-01 |
Yi-Chi Shih |
Indium oxide-based thin film transistors and circuits
|
|
US7142261B2
(en)
|
2004-06-29 |
2006-11-28 |
Au Optronics Corporation |
Liquid crystal display having compensation capacitor
|
|
JP4539209B2
(ja)
|
2004-07-22 |
2010-09-08 |
株式会社アドヴィックス |
車両用ブレーキ液圧制御装置
|
|
JP2006100760A
(ja)
|
2004-09-02 |
2006-04-13 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
US7285501B2
(en)
|
2004-09-17 |
2007-10-23 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Method of forming a solution processed device
|
|
KR101189266B1
(ko)
|
2004-09-24 |
2012-10-09 |
삼성디스플레이 주식회사 |
액정 표시 장치
|
|
TWI261712B
(en)
|
2004-09-30 |
2006-09-11 |
Chi Mei Optoelectronics Corp |
Liquid crystal display
|
|
EP1795948A4
(en)
|
2004-09-30 |
2008-11-05 |
Sharp Kk |
LIQUID CRYSTAL DISPLAY
|
|
TWI338796B
(en)
|
2004-10-29 |
2011-03-11 |
Chimei Innolux Corp |
Multi-domain vertically alignmentliquid crystal display panel
|
|
US7298084B2
(en)
|
2004-11-02 |
2007-11-20 |
3M Innovative Properties Company |
Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
|
|
EP1818903A4
(en)
|
2004-11-05 |
2009-06-03 |
Sharp Kk |
Liquid crystal display device and method for its activation
|
|
JP4571845B2
(ja)
|
2004-11-08 |
2010-10-27 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
|
|
CA2585190A1
(en)
|
2004-11-10 |
2006-05-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Amorphous oxide and field effect transistor
|
|
US7829444B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-11-09 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Field effect transistor manufacturing method
|
|
US7791072B2
(en)
|
2004-11-10 |
2010-09-07 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Display
|
|
US7863611B2
(en)
|
2004-11-10 |
2011-01-04 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Integrated circuits utilizing amorphous oxides
|
|
US7453065B2
(en)
|
2004-11-10 |
2008-11-18 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Sensor and image pickup device
|
|
CN101057333B
(zh)
|
2004-11-10 |
2011-11-16 |
佳能株式会社 |
发光器件
|
|
CN101057338B
(zh)
|
2004-11-10 |
2011-03-16 |
佳能株式会社 |
采用无定形氧化物的场效应晶体管
|
|
JP5126729B2
(ja)
|
2004-11-10 |
2013-01-23 |
キヤノン株式会社 |
画像表示装置
|
|
KR101133757B1
(ko)
|
2004-11-25 |
2012-04-09 |
삼성전자주식회사 |
액정 표시 장치
|
|
KR101197044B1
(ko)
|
2004-12-02 |
2012-11-06 |
삼성디스플레이 주식회사 |
액정 표시 장치
|
|
JP4571855B2
(ja)
|
2004-12-28 |
2010-10-27 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法
|
|
JP4658622B2
(ja)
|
2005-01-19 |
2011-03-23 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置用基板及び液晶表示装置
|
|
JP4738000B2
(ja)
|
2005-01-19 |
2011-08-03 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
US7579224B2
(en)
|
2005-01-21 |
2009-08-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Method for manufacturing a thin film semiconductor device
|
|
KR101133761B1
(ko)
|
2005-01-26 |
2012-04-09 |
삼성전자주식회사 |
액정 표시 장치
|
|
TWI472037B
(zh)
|
2005-01-28 |
2015-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
TWI569441B
(zh)
|
2005-01-28 |
2017-02-01 |
半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置，電子裝置，和半導體裝置的製造方法
|
|
US7858451B2
(en)
|
2005-02-03 |
2010-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
|
|
US7948171B2
(en)
|
2005-02-18 |
2011-05-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Light emitting device
|
|
US20060197092A1
(en)
|
2005-03-03 |
2006-09-07 |
Randy Hoffman |
System and method for forming conductive material on a substrate
|
|
US8681077B2
(en)
|
2005-03-18 |
2014-03-25 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
|
|
WO2006105077A2
(en)
|
2005-03-28 |
2006-10-05 |
Massachusetts Institute Of Technology |
Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material
|
|
JP4438665B2
(ja)
*
|
2005-03-29 |
2010-03-24 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP2006276582A
(ja)
|
2005-03-30 |
2006-10-12 |
Sanyo Epson Imaging Devices Corp |
液晶表示装置
|
|
US7645478B2
(en)
|
2005-03-31 |
2010-01-12 |
3M Innovative Properties Company |
Methods of making displays
|
|
US8300031B2
(en)
|
2005-04-20 |
2012-10-30 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
|
|
JP4731206B2
(ja)
|
2005-05-30 |
2011-07-20 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
US7286192B2
(en)
|
2005-06-07 |
2007-10-23 |
Au Optronics Corporation |
Transflective liquid crystal display
|
|
JP2006344849A
(ja)
|
2005-06-10 |
2006-12-21 |
Casio Comput Co Ltd |
薄膜トランジスタ
|
|
US7691666B2
(en)
|
2005-06-16 |
2010-04-06 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7402506B2
(en)
*
|
2005-06-16 |
2008-07-22 |
Eastman Kodak Company |
Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
|
|
US7507618B2
(en)
|
2005-06-27 |
2009-03-24 |
3M Innovative Properties Company |
Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
|
|
KR20070002221A
(ko)
|
2005-06-30 |
2007-01-05 |
엘지.필립스 엘시디 주식회사 |
멀티 도메인 액정 표시 장치
|
|
TWI330735B
(en)
|
2005-07-11 |
2010-09-21 |
Chi Mei Optoelectronics Corp |
Multi-domain vertical alignment lcd
|
|
KR100711890B1
(ko)
|
2005-07-28 |
2007-04-25 |
삼성에스디아이 주식회사 |
유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
|
|
JP2007059128A
(ja)
|
2005-08-23 |
2007-03-08 |
Canon Inc |
有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
|
|
JP4280736B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2009-06-17 |
キヤノン株式会社 |
半導体素子
|
|
JP4850457B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2012-01-11 |
キヤノン株式会社 |
薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
|
|
JP2007073705A
(ja)
|
2005-09-06 |
2007-03-22 |
Canon Inc |
酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5116225B2
(ja)
|
2005-09-06 |
2013-01-09 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体デバイスの製造方法
|
|
US7768604B2
(en)
|
2005-09-20 |
2010-08-03 |
Au Optronics Corporation |
Transflective liquid crystal display with partially shifted reflectivity curve
|
|
JP5078246B2
(ja)
|
2005-09-29 |
2012-11-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
EP1998374A3
(en)
|
2005-09-29 |
2012-01-18 |
Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. |
Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
|
|
KR20070041988A
(ko)
|
2005-10-17 |
2007-04-20 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
|
|
JP5037808B2
(ja)
|
2005-10-20 |
2012-10-03 |
キヤノン株式会社 |
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
|
|
TWI342418B
(en)
|
2006-01-26 |
2011-05-21 |
Chimei Innolux Corp |
Multi-domain vertically alignment liquid crystal display panel
|
|
KR101358954B1
(ko)
|
2005-11-15 |
2014-02-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
다이오드 및 액티브 매트릭스 표시장치
|
|
US7576720B2
(en)
*
|
2005-11-30 |
2009-08-18 |
Au Optronics Corporation |
Transflective liquid crystal display
|
|
US7764329B2
(en)
*
|
2005-12-02 |
2010-07-27 |
Au Optronics Corp. |
MVA LCD device and pixel circuit thereof
|
|
TWI292281B
(en)
|
2005-12-29 |
2008-01-01 |
Ind Tech Res Inst |
Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
|
|
US7867636B2
(en)
|
2006-01-11 |
2011-01-11 |
Murata Manufacturing Co., Ltd. |
Transparent conductive film and method for manufacturing the same
|
|
JP4977478B2
(ja)
|
2006-01-21 |
2012-07-18 |
三星電子株式会社 |
ＺｎＯフィルム及びこれを用いたＴＦＴの製造方法
|
|
US7576394B2
(en)
|
2006-02-02 |
2009-08-18 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
|
|
US7977169B2
(en)
|
2006-02-15 |
2011-07-12 |
Kochi Industrial Promotion Center |
Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
|
|
TWI345213B
(en)
|
2006-03-09 |
2011-07-11 |
Au Optronics Corp |
Low color-shift liquid crystal display and its driving method
|
|
JP4873976B2
(ja)
|
2006-03-29 |
2012-02-08 |
京セラ株式会社 |
半透過型液晶表示パネル、半透過型液晶表示装置および半透過型液晶表示システム
|
|
KR20070101595A
(ko)
|
2006-04-11 |
2007-10-17 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ ＴＦＴ
|
|
JP4863758B2
(ja)
|
2006-04-27 |
2012-01-25 |
京セラ株式会社 |
液晶表示システム
|
|
US20070252928A1
(en)
|
2006-04-28 |
2007-11-01 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
|
|
JP5028033B2
(ja)
|
2006-06-13 |
2012-09-19 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
TWI342975B
(en)
*
|
2006-08-08 |
2011-06-01 |
Au Optronics Corp |
Polymer stabilized alignment lcd panel
|
|
JP4254820B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2009-04-15 |
エプソンイメージングデバイス株式会社 |
電気光学装置及び電子機器
|
|
JP4609797B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2011-01-12 |
Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 |
薄膜デバイス及びその製造方法
|
|
JP4999400B2
(ja)
|
2006-08-09 |
2012-08-15 |
キヤノン株式会社 |
酸化物半導体膜のドライエッチング方法
|
|
TW200811796A
(en)
|
2006-08-22 |
2008-03-01 |
Quanta Display Inc |
Display method for improving PLM image quality and device used the same
|
|
TWI336804B
(en)
|
2006-08-25 |
2011-02-01 |
Au Optronics Corp |
Liquid crystal display and operation method thereof
|
|
JP4332545B2
(ja)
|
2006-09-15 |
2009-09-16 |
キヤノン株式会社 |
電界効果型トランジスタ及びその製造方法
|
|
JP4245028B2
(ja)
|
2006-09-25 |
2009-03-25 |
エプソンイメージングデバイス株式会社 |
電気光学装置及び電子機器
|
|
JP5164357B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2013-03-21 |
キヤノン株式会社 |
半導体装置及び半導体装置の製造方法
|
|
JP4274219B2
(ja)
|
2006-09-27 |
2009-06-03 |
セイコーエプソン株式会社 |
電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
|
|
US7622371B2
(en)
|
2006-10-10 |
2009-11-24 |
Hewlett-Packard Development Company, L.P. |
Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
|
|
KR20080046873A
(ko)
*
|
2006-11-23 |
2008-05-28 |
삼성전자주식회사 |
표시패널
|
|
US7772021B2
(en)
|
2006-11-29 |
2010-08-10 |
Samsung Electronics Co., Ltd. |
Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
|
|
JP2008140684A
(ja)
|
2006-12-04 |
2008-06-19 |
Toppan Printing Co Ltd |
カラーｅｌディスプレイおよびその製造方法
|
|
KR101303578B1
(ko)
|
2007-01-05 |
2013-09-09 |
삼성전자주식회사 |
박막 식각 방법
|
|
US8207063B2
(en)
|
2007-01-26 |
2012-06-26 |
Eastman Kodak Company |
Process for atomic layer deposition
|
|
TWI364609B
(en)
|
2007-02-16 |
2012-05-21 |
Chimei Innolux Corp |
Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
|
|
KR100851215B1
(ko)
|
2007-03-14 |
2008-08-07 |
삼성에스디아이 주식회사 |
박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
|
|
JP4876005B2
(ja)
|
2007-03-26 |
2012-02-15 |
株式会社 日立ディスプレイズ |
表示装置
|
|
US7795613B2
(en)
|
2007-04-17 |
2010-09-14 |
Toppan Printing Co., Ltd. |
Structure with transistor
|
|
KR101325053B1
(ko)
|
2007-04-18 |
2013-11-05 |
삼성디스플레이 주식회사 |
박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
|
|
KR20080094300A
(ko)
|
2007-04-19 |
2008-10-23 |
삼성전자주식회사 |
박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
|
|
KR101334181B1
(ko)
|
2007-04-20 |
2013-11-28 |
삼성전자주식회사 |
선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
|
|
WO2008133345A1
(en)
|
2007-04-25 |
2008-11-06 |
Canon Kabushiki Kaisha |
Oxynitride semiconductor
|
|
JP5542296B2
(ja)
|
2007-05-17 |
2014-07-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
|
|
JP5542297B2
(ja)
*
|
2007-05-17 |
2014-07-09 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
|
|
KR101345376B1
(ko)
|
2007-05-29 |
2013-12-24 |
삼성전자주식회사 |
ＺｎＯ 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
|
|
US8202365B2
(en)
|
2007-12-17 |
2012-06-19 |
Fujifilm Corporation |
Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film
|
|
JP4623179B2
(ja)
|
2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
|
|
JP5451280B2
(ja)
|
2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
|
|
CN102023441B
(zh)
|
2009-09-17 |
2013-10-30 |
群康科技(深圳)有限公司 |
单核间隙式半穿半反液晶显示器及其驱动方法
|