JP4863758B2 - 液晶表示システム - Google Patents

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本発明は、例えばスイッチング素子としてTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)を有するアクティブマトリクス型の液晶表示パネルを備えた液晶表示システムに関するものである。
近年、携帯型情報端末などの比較的小型の情報通信機器のみならず、モニタやカーナビゲーション装置などの比較的大型の電気機器にも、液晶表示パネルを備える液晶表示装置が普及してきている。しかしながら、携帯型情報端末やカーナビゲーション装置では、日中のように外光の光量が大きい(明るい)場合、視認性を向上すべく表示輝度を非常に高くする必要がある一方、夜間のように外光の光量が小さい(暗い)場合、眩しさを低減すべく表示輝度を充分に低くする必要があった。そこで、外光の光量の変化が大きい場合でも適切に表示画像を認識可能とすべく、表示輝度を変化させる技術が開発され、例えば特許文献1〜3に開示されている。
特開2004−212798号公報 特開2002−062856号公報 特開2002−333870号公報
特許文献1に開示されている技術は、外光の光量が大きい場合に充分な表示輝度を確保することができるバックライト(例えば冷陰極蛍光ランプ(CFL))を採用し、外光の光量が小さい場合にバックライトの光量を低減することによって、表示輝度の低減を図るものである。しかしながら、本技術では、例えばバックライトとしてCFLを採用した場合、光量を低減すべく入力する電力を小さくすると、放電を充分に維持することができなくなる場合がある。つまり、本技術では、比較的狭い範囲でしか表示輝度を変化させることができないため、携帯型情報端末やカーナビゲーション装置の使用環境において望まれる広い範囲で表示輝度を変化させることが困難である。
特許文献2に開示されている技術は、外光の光量が大きい場合に電圧や周波数(パルス)を調整することにより液晶表示パネルの表示領域を構成する各画素の階調を最も表示輝度の大きい階調に設定して充分な表示輝度を確保し、外光の光量が小さい場合に電圧や周波数を調整することにより上記各画素の階調を表示輝度の小さい階調に設定して表示輝度を低減するものである。しかしながら、本技術で表示輝度を小さくするには低階調の表示を多用するため、低階調に圧縮された表示となる。そのため、同一画像を表示する場合において、低階調に圧縮された画像は、全階調(低階調から高階調までわたる全ての階調)を用いて表示する画像と比べて、より細かい(より階調幅の狭い)階調を使用することとなる。したがって、本技術では、低階調の表示を多用することや、より階調幅の狭いことに起因して階調反転が非常に発生し易くなるのに加え、視野角も狭くなり易い。つまり、本技術では、階調反転の発生を適切に抑制し且つ充分な視野角を確保するとともに、表示輝度を適切な範囲で変化させることが困難である。
特許文献3に開示されている技術は、外光の光量が大きい場合に各画素を構成する複数の副画素全て「ON」(点灯状態)にして充分な表示輝度を確保し、外光の光量が小さい場合に複数の副画素のうちの一部のみを「ON」にすることによって表示輝度を低減するものである。しかしながら、本技術では、各画素における複数の副画素が全て独立して制御可能な構成とされているため、配線数が増加してしまい配線構造が非常に複雑となってしまい、ひいては各画素の開口率が小さくなってしまうという問題がある。
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、より広い範囲で表示輝度を変化させることが可能で、階調反転の発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することが可能で、且つ、配線構造の複雑化を抑制することが可能な液晶表示システムを提供することを、目的とする。
本発明液晶表示システムは、数のソース配線および複数のゲート配線を備え、複数の画素を含んでなる液晶表示パネルと、該液晶表示パネルを制御する制御部と、前記液晶表示パネルの外部の光の光量を検知するセンサと、を備え、前記液晶表示パネルにおいて、前記複数の画素の各々は、第1副画素電極および第2副画素電極を含んでなり、前記第1副画素電極第1スイッチング素子を介して前記複数のソース配線のうちの一のソース配線および第1ゲート配線に接続され、前記第2副画素電極スイッチング素子を介して前記第1副画素電極およびゲート配線に接続され、前記制御部は、前記センサが検知した光量が閾値以上である場合、前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子をオンするとともに、前記一のソース配線に信号を入力することにより、前記第1副画素電極および前記第2副画素電極に所定電位を供給し、前記センサが検知した光量が閾値未満である場合、前記第1スイッチング素子をオンおよび前記第2スイッチング素子をオフするとともに、前記一のソース配線に信号を入力することにより、前記第1副画素電極に所定電位を供給する
本液晶表示システムにおいて平面視における前記第1副画素電極の面積は、平面視における前記第2副画素電極の面積よりも小さいことが好ましい。また、本液晶表示システムにおいて前記各画素における前記第2副画素電極は全て一のゲート配線に接続されているのが好ましい。
本液晶表示システムにおいて前記各画素は、該画素に入射される光の少なくとも一部が通過するカラーフィルタを含んでなるのが好ましい。
晶表示システムにおいて前記液晶表示パネルの一方主面に対向配置されるバックライトをさらに備えることが好ましい。
本発明の第1の側面に係る液晶表示パネルでは、複数の画素の各々が複数の副画素を含んでなり、複数の副画素における第1副画素が第1スイッチング素子を介して複数のソース配線のうちの一のソース配線および第1ゲート配線に接続され、第n副画素が第nスイッチング素子を介して第(n−1)副画素および第nゲート配線に接続されている。そのため、本液晶表示パネルでは、各画素における複数の副画素を個別に独立駆動させることができ、各画素において駆動する副画素を適宜選択することにより駆動する副画素の面積を調整することができる。したがって、本液晶表示パネルでは、バックライトの光量を変化させずに(例えば最大光量に設定したままの状態で)、駆動する副画素の面積を調整することにより、表示輝度を変化させることができる。つまり、本液晶表示パネルでは、例えばCFLの放電状態などの制約を受けることなく、より広い範囲で表示輝度を変化させることができるのである。
また、本液晶表示パネルでは、上述の構成としたことにより、各副画素に作用する電圧や周波数を調整しなくても各画素の階調を調整することが可能となる。つまり、本液晶表示パネルでは、表示輝度を小さくする場合においても、各副画素において全階調を用いて表示されるため、階調幅を充分に大きく確保することができる。したがって、本液晶表示パネルでは、全階調を使用し且つ階調幅を充分に確保できるので、階調反転が発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することができるのである。
さらに、本液晶表示パネルでは、第(n−1)副画素に第n副画素を接続(従属)させる構造としたことにより、各副画素を個別に独立駆動可能な構成とする場合に比べて、配線構造を簡略化することができ、ひいては各画素の開口率をより大きく確保することが可能となる。このように、画素の開口率を大きくすると、光の透過率および反射率を高めることができるので、同じバックライトを用いた場合に透過表示の輝度をより高めることができ、同じ周囲光量の場合に反射表示の輝度をより高めることができる。
本液晶表示パネルにおいて、各画素における複数の副画素のうちの第n副画素が全て一のゲート配線に接続されている場合、この一のゲート配線(第nゲート配線)に対して制御信号を送ることにより各画素の第n副画素を一括して制御することができるのに加え、配線構造の簡略化(例えば配線数や駆動回路数の低減)を図ることができる。
本液晶表示パネルにおいて、前記各副画素が、該各副画素に入射される光の少なくとも一部が通過するカラーフィルタを含んでなる場合、画像表示をカラー表示とするうえで好適である。
本液晶表示パネルにおいて、各副画素が、電圧未印加時における透過率が最小となるように構成されている場合、表示させない副画素を黒表示にするうえで好適である。このように、表示させない副画素を適切に黒表示させると、この表示させない副画素からの光の漏れに起因して表示画像全体の色純度が低下してしまうのを抑制することができる。また、表示させない副画素の「ON」「OFF」を制御するスイッチング素子を「OFF」にするだけで、表示させない副画素を適切に黒表示にすることができる。
本発明の第2の側面に係る液晶表示装置は、上述した本発明の第1の側面に係る液晶表示パネルと同様の効果を享受できる。すなわち、本液晶表示装置では、例えばバックライトとしてCFLを採用した場合においても該CFLの放電状態などの制約を受けることなく、より広い範囲で表示輝度を変化させることができるのである。また、本液晶表示装置は、各副画素に作用する電圧や周波数を調整しなくても各画素の階調を調整することができるので、階調の刻みが充分に広くなり、階調反転の発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することができる。さらに、本液晶表示装置は、各副画素を個別に独立駆動可能な構成とする場合に比べて、配線構造を簡略化することができ、その分、画素の開口率をより大きく確保することができるので、光の透過率および反射率を高め、ひいては透過表示あるいは反射表示の輝度をより高めることができる。
本発明の第3の側面に係る液晶表示システムは、本発明の第1の側面に係る液晶表示パネルを含んで構成される液晶表示装置を備えていることから、上述した本発明の第1の側面に係る液晶表示パネルと同様の効果を享受できる。すなわち、本液晶表示システムでは、例えば液晶表示装置のバックライトとしてCFLを採用した場合においても該CFLの放電状態などの制約を受けることなく、より広い範囲で表示輝度を変化させることができるのである。また、本液晶表示システムは、各副画素に作用する電圧や周波数を調整しなくても各画素の階調を調整することができるので、階調の刻みが充分に広くなり、階調反転の発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することができる。さらに、本液晶表示システムは、各副画素を個別に独立駆動可能な構成とする場合に比べて、配線構造を簡略化することができ、その分、画素の開口率をより大きく確保することができるので、光の透過率および反射率を高め、ひいては透過表示あるいは反射表示の輝度をより高めることができる。
本液晶表示システムにおいて、外光の光量を感知するセンサを更に備え、制御手段がセンサにより感知された光量に応じて信号の制御を行う場合、外光の光量に応じて適切な表示輝度に調整することができる。つまり、本構成の液晶表示システムでは、外光の光量を問わず、適切な表示輝度(例えば視認するのに適した表示輝度)を自動的に維持するうえで好適である。
図1は、本発明の実施形態に係る液晶表示パネルXの概略構成を表す断面図である。図2は、図1に示す液晶表示パネルXの画素の一つの概略構成を表す平面図である。図3は、図2のIII−III線に沿った断面図である。
液晶表示パネルXは、液晶層10、第1基体20、第2基体30、および封止部材40を備えており、第1基体20と第2基体30との間に液晶層10を介在させ、該液晶層10を封止部材40により封止することにより、画像を表示するための複数の画素Gを含んでなる表示領域Pが構成されている。
液晶層10は、電気的、光学的、力学的、あるいは磁気的な異方性を示し、固体の規則性と液体の流動性を併せ持つ液晶を含んでなる層である。この液晶としては、ネマティック液晶、コレステリック液晶、スメクティック液晶などが挙げられるが、本実施形態においてはネマティック液晶を採用する。
第1基体20は、透明基板21、ソース配線22a,22b、ゲート配線23a,23b、補助容量部配線24、画素電極25を構成する副画素電極25a,25b、スイッチング素子26a,26b、および配向膜27を備えている。
透明基板21は、後述する副画素電極25a,25bおよび配向膜27を支持し且つ液晶層10を封止するのに寄与する部材であり、その主面に対して交差する方向に光を適切に透過することが可能な構成とされている。透明基板21を構成する材料としては、ガラス、透光性プラスチックなどの所定の透光性(例えば透過された光が視認可能な程度以上の透過性)を有するものが挙げられる。
ソース配線22a,22bは、後述の副画素電極25a,25bに所定の信号(画像信号)を伝搬するためのものであり、主として矢印AB方向に延びるように複数配列されている。
ゲート配線23a,23bは、後述のスイッチング素子26a,26bを「ON」もしくは「OFF」させるための信号(走査信号)を伝搬するためのものであり、主として矢印CD方向(本実施形態においては矢印AB方向に対して略直交する方向)に延びるように複数配列されている。ここで、「ON」とは、ソース配線22a,22bと後述するドレイン配線264,264との間に電流が流れている状態、つまり副画素電極25aと副画素電極25bとが電気的に導通している状態を意味し、「OFF」とは、ソース配線22a,22bとドレイン配線264,264との間に電流が流れていない状態、つまり副画素電極25aと副画素電極25bとが電気的に導通していない状態を意味している。なお、ゲート配線23a,23bを構成する材料としては、クロム(Cr)、タンタル(Ta)、Al、Al合金、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)などが挙げられる。
補助容量部配線24は、液晶層10と並列に容量を形成して充分な電圧保持状態を確保するためのものであり、後述する第2基体30の表示電極35に対して電気的に接続されている。この補助容量部配線24と表示電極35との接続構造は、第1基体20において各画素Gの補助容量部配線24を相互に接続したうえで、その一部を後述する封止部材40あるいは第1基体20と第2基体30との間(ギャップ)に介在する導電性バンプ(図示せず)によって第2基体30の表示電極35に接続することにより達成される。
副画素電極25a,25bは、後述の第2基体30の表示電極35との間に位置する液晶層10の液晶に所定の電圧を印加するための部材であり、一方(下方)側から入射した光を他方(上方)側に透過するように構成されている。副画素電極25aは、後述するスイッチング素子26a(具体的には、ドレイン配線264)を介してソース配線22aおよびゲート配線23aに接続されている。副画素電極25bは、後述するスイッチング素子26b(具体的には、ドレイン配線264)を介して副画素電極25aおよびゲート配線23bに接続されている。副画素電極25a,25bを構成する材料としては、ITO(Indium Tin Oxide)や酸化錫などの所定の透光性(例えば透過された光が視認可能な程度以上の透過性)を有する導電部材が挙げられる。また、副画素電極25aと副画素電極25bとの平面視における面積比率は、必要に応じて適宜設定すればよいが、全ての副画素電極25a,25bの面積を等しくすると、段階的に表示輝度を変化させるうえで好適であり、副画素電極25aと副画素電極25bとの面積比率を1:9(=副画素電極25a:副画素電極25b)とすると、日中と夜間とのように外光の光量が大きく変化する際に視認し易い表示輝度に調整するうえで好適である。なお、本実施形態における副画素電極25aと副画素電極25bとの面積比率は1:9(=副画素電極25a:副画素電極25b)に設定されている。
スイッチング素子26a,26bは、ソース配線22a,22bからの信号をドレイン配線264,264に伝搬するかしないかを制御するためのものであり、例えば薄膜トランジスタ(TFT)などが挙げられる。スイッチング素子26aは、ゲート配線23a、ゲート絶縁膜261、半導体層262、不純物を注入したn半導体層263、ソース配線22a、ドレイン配線264、およびパシベーション層(絶縁層)265を含んで構成されている。ゲート絶縁膜261は、ゲート配線23aと半導体層262を絶縁するための部材である。ゲート絶縁膜261の構成材料としては、SiN、SiO、Taなどが挙げられる。半導体層262は、ソース配線22aとドレイン配線264間の抵抗値を変化させるための部材である。半導体層262の構成材料としてはSiなどが挙げられる。不純物を注入したn半導体層263は、半導体層262とソース配線22aあるいはドレイン配線264との接触抵抗を小さくするための部材である。ドレイン配線264は、スイッチング素子26aを介してソース配線22aからの信号を副画素電極25aに伝搬するための部材である。ドレイン配線264を構成する材料としては、Cr、Ta、Al、Al合金、Mo、W、Cuなどが挙げられる。パシベーション層265は、半導体層262などを保護するため部材である。パシベーション層265の構成材料としては、SiN、SiO、Taなどが挙げられる。スイッチング素子26bは、ゲート配線23b、ゲート絶縁膜261、半導体層262、n半導体層263、ソース配線22b、ドレイン配線264、およびパシベーション層265を含んで構成されている。
配向膜27は、マクロ的にランダムな方向を向く(規則性が小さい)液晶層10の液晶分子を所定方向に配向させるためのものであり、画素電極25およびスイッチング素子26a,26bが形成された透明基板21上に形成されている。配向膜27の構成材料としては、ポリイミド樹脂などが挙げられる。また、配向膜27の厚さは、必要に応じて適宜設定すればよいが、例えば0.05μmに設定される。
第2基体30は、透明基板31、遮光部材32、カラーフィルタ33、平坦化膜34、表示電極35および配向膜36を備えている。
透明基板31は、遮光部材32、カラーフィルタ33、平坦化膜34、表示電極35および配向膜36を支持し且つ液晶層10を封止するのに寄与する部材であり、その主面に対して交差する方向に光を適切に透過することが可能な構成とされている。透明基板31を構成する材料としては、透明基板21を構成する材料と同様のものが挙げられる。
遮光部材32は、光を遮る(光の透過量を所定値以下にする)ための部材であり、カラーフィルタ33間および各画素G間に形成されている。遮光部材32を構成する材料としては、遮光性の高い色(例えば黒色)の染料や顔料が添加された樹脂(例えばアクリル系樹脂)、Crなどが挙げられる。このような遮光部材32を備えることにより、表示画像のコントラスト比を高めることができる。
カラーフィルタ33は、該カラーフィルタ33に入射した光のうち所定の波長を選択的に吸収し、所定の波長のみを選択的に透過させるための部材、例えばアクリル系樹脂に染料や顔料を添加させることにより構成される。カラーフィルタ33としては、例えば赤色可視光の波長を選択的に透過させるための赤色カラーフィルタ(R)、緑色可視光の波長を選択的に透過させるための緑色カラーフィルタ(G)、青色可視光の波長を選択的に透過させるための青色カラーフィルタ(B)などが挙げられる。また、カラーフィルタ33の厚さは、光の透過量などを考慮して適宜設定すればよいが、例えば1.0μmに設定される。
平坦化膜34は、遮光部材32およびカラーフィルタ33を配置することにより生じる凹凸を平坦化するためのものである。平坦化膜34を構成する材料としてはアクリル系樹脂などの透明樹脂が挙げられる。
表示電極35は、第1基体20の画素電極25との間に位置する液晶層10の液晶に所定の電圧を印加するための部材であり、一方(下方)あるいは他方(上方)側から入射した光を他方(上方)あるいは一方(下方)側に透過するように構成されている。表示電極35と画素電極25との対向領域は画素Gを構成しており、本実施形態において画素Gはマトリクス(行列)状に配列されている。表示電極35を構成する材料としては、ITOや酸化錫などの透光性を有する導電部材が挙げられる。また、表示電極35の厚さは、抵抗や光の透過率などを考慮して適宜設定すればよいが、例えば0.12μmに設定される。
配向膜36は、マクロ的にランダムな方向を向く(規則性が小さい)液晶層10の液晶分子を所定方向(例えば配向膜27の配向方向と交差する方向)に配向させるためのものであり、表示電極35が形成された平坦化膜34上に形成されている。配向膜36の構成材料としては、ポリイミド樹脂などが挙げられる。また、配向膜36の厚さは、必要に応じて適宜設定すればよいが、例えば0.05μmに設定される。
封止部材40は、第1基体20と第2基体30との間に液晶層10を封止するのに寄与するとともに、第1基体20と第2基体30とを所定間隔で離間した状態で接合するためのものであり、例えば絶縁材料(絶縁性樹脂など)や導電性シール材(導電性粒子を含有してなるシール樹脂など)である。なお、封止部材40として絶縁材料を採用する場合は、封止部材40の内方に形成される封止領域において、導電性接続材(導電性バンプなど)を介して第1基体20の補助容量部配線24と第2基体30の表示電極35とを電気的に接続し、封止部材40として導電性シール材を採用する場合は、該導電性シール材を介して第1基体20の補助容量部配線24と第2基体30の表示電極35とを電気的に接続する。
本実施形態に係る液晶表示パネルXでは、複数の画素Gの各々が副画素電極25a,25bを含んでなり、副画素電極25aがスイッチング素子26aを介してソース配線22aおよびゲート配線23aに接続され、副画素電極25bがスイッチング素子26bを介して副画素電極25aおよびゲート配線23bに接続されている。そのため、本液晶表示パネルXでは、各画素Gにおける副画素電極25a,25bを個別に独立駆動させることができ、各画素Gにおいて駆動する副画素電極25a,25bを適宜選択することにより駆動する副画素電極25a,25bの面積を調整することができる。したがって、本液晶表示パネルXでは、バックライトの光量を変化させずに(例えば最大光量に設定したままの状態で)、駆動する副画素電極25a,25bの面積を調整することにより、表示輝度を変化させることができる。つまり、本液晶表示パネルXでは、例えばCFLの放電状態などの制約を受けることなく、より広い範囲で表示輝度を変化させることができるのである。
また、液晶表示パネルXでは、上述の構成としたことにより、副画素電極25a,25bに作用する電圧や周波数を調整しなくても各画素Gの階調を調整することができる。つまり、液晶表示パネルXでは、表示輝度を小さくする場合においても、各画素Gを構成する各副画素において全階調を用いて表示されるため、階調幅を充分に大きく確保することができる。したがって、液晶表示パネルXでは、全階調を使用し且つ階調幅を充分に確保できるので、階調反転が発生を抑制しつつ充分な視野角を確保することができるのである。
さらに、本液晶表示パネルXでは、副画素電極25bに副画素電極25aを接続(従属)させる構造としたことにより、副画素電極25a,25bを個別に独立駆動可能な構成とする場合に比べて、配線構造を簡略化することができ、ひいては各画素Gの開口率をより大きく確保することが可能となる。このように、画素Gの開口率を大きくすると、光の透過率を高めることができるので、同じバックライトを用いた場合に透過表示の輝度をより高めることができる。
図4は、本発明に係る液晶表示パネルXを備える液晶表示装置Yの概略構成を表す斜視図である。図5は、図4に示すV−V線に沿った断面図である。液晶表示装置Yは、液晶表示パネルX、2つの偏光板50,51、バックライト60、および筐体70を備えている。
偏光板50,51は、所定の振動方向の光を選択的に透過させるための部材である。本実施形態における偏光板51は、偏光板50の軸方向(この軸方向と平行な振動方向の光を選択的に透過させる)に対して直交するように配置されている。このような構成によると、偏光板50,51を透過する光のシャッタ機能を発揮するうえで好適である。なお、偏光板50と透明基板21との間や偏光板51と透明基板31との間には、必要に応じて位相差フィルムや拡散フィルムなどを配置してもよい。また、本実施形態において偏光板50,51は、液晶表示パネルXの構成要素とはされていないが、液晶表示パネルXの構成要素の一つとしてもよい。
バックライト60は、液晶表示パネルXの一方(下方)から他方(上方)に向けて光を照射するための部材であり、光源61および導光板62を備えている。光源61は、導光板62に向けて光を出射するためのものであり、CFL、LED(Light Emitting Diode)、ハロゲンランプ、キセノンランプ、EL(electro-luminescence)などが挙げられる。導光板62は、光源61からの光を液晶表示パネルXの下面全体にわたって略均一に光を導くための部材である。導光板62は、通常、裏面(下面)に設けられ、光を反射するための反射シート(図示せず)と、表面(上面)に設けられ、より均一な面状発光とすべく光を拡散するための拡散シート(図示せず)と、表面に設けられ、光を略一定方向に集光するためのプリズムシート(図示せず)を有している。導光板62の構成材料としては、アクリル樹脂やポリカーボネート樹脂などの透明樹脂などが挙げられる。なお、本実施形態においてバックライト60は、図4に示すように導光板62の側面に光源61を配したエッジライト方式を採用しているものの、液晶表示パネルXの裏面側に光源61を配した直下方式などの他の方式を採用してもよい。
筐体70は、液晶表示パネルX、2つの偏光板50,51、およびバックライト60を収容するための部材であり、上側筐体71および下側筐体72を含んで構成される。筐体70を構成する材料としては、例えばポリカーボネート樹脂などの樹脂、ステンレス(SUS)やAlなどの金属が挙げられる。
本発明に係る液晶表示装置Yは、液晶表示パネルXを備えていることから、上述した液晶表示パネルXと同様の効果を享受することができる。
図6は、本発明に係る液晶表示パネルXを備える液晶表示システムZの要部を表す回路図である。液晶表示システムZは、液晶表示パネルX、制御部80、およびセンサ90を備えている。
制御部80は、液晶表示パネルXの副画素電極25bを一括制御して該副画素電極25bの「ON」と「OFF」とを切り替えるためのものであり、ゲート配線23bの一端に接続されている。なお、本実施形態においてゲート配線23bは全てのスイッチング素子26bに接続されているものとする。
センサ90は、液晶表示パネルXの外部の光(外光)の光量(輝度)を検知するためのものであり、その検知データを信号として制御部80に伝搬すべく、該制御部80に対して電気的に接続されている。
以下に、センサ90からの検知データに基づく制御部80の制御により液晶表示パネルXで透過表示を行う場合について、外光の光量が大きい(例えば日中)場合と、外光の光量が小さい(例えば夜間)場合とに別けて説明する。
外光の光量が大きい場合、まず、バックライト60を点灯している状態で制御部80によってゲート配線23bに所定電圧(例えば15V)を印加することにより、スイッチング素子26bを「ON」にする。つまり、ゲート配線23bは全てのスイッチング素子26bに接続されているので、全てのスイッチング素子26bを「ON」にする。次に、ゲート配線23aを「ON」にするタイミングでソース配線22aに信号を入力することにより、補助容量部配線24および副画素電極25a,25bの全てに所定電位を供給する。これにより、副画素電極25a,25bと表示電極35との間に所定電圧が印加されることとなり、上記入力信号(画像データ)に応じた液晶層10の液晶分子の配列となる。以上のようにして、副画素電極25aを含んでなる副画素および副画素電極25bを含んでなる副画素の両方で透過表示(カラー表示)を行うことができる。
一方、外光の光量が小さい場合、まず、バックライト60を点灯している状態で制御部80によってゲート配線23bに所定電圧(例えば−12V)を印加することにより、スイッチング素子26bを「OFF」にする。つまり、ゲート配線23bは全てのスイッチング素子26bに接続されているので、全てのスイッチング素子26bを「OFF」にする。次に、ゲート配線23aを「ON」にするタイミングでソース配線22aに信号を入力することにより、補助容量部配線24および副画素電極25aの全てに所定電位を供給する。これにより、副画素電極25aと表示電極35との間に所定電圧が印加されることとなり、上記入力信号(画像データ)に応じた液晶層10の液晶分子の配列となる。以上のようにして、副画素電極25aを含んでなる副画素側でのみ透過表示(カラー表示)を行うことができる。なお、ノーマリーブラック表示モードとしておくことにより、副画素電極25bを含んでなる副画素側の透過表示を黒表示とすることができる。
本発明に係る液晶表示システムZは、液晶表示パネルXを備えていることから、上述した液晶表示パネルXと同様の効果を享受することができる。
また、液晶表示システムZはセンサ90を備えているので、外光の光量に応じて適切な表示輝度に調整することができる。つまり、液晶表示システムZでは、外光の光量を問わず、適切な表示輝度(例えば視認するのに適した表示輝度)を自動的に維持することができる。
さらに、液晶表示システムZでは、ゲート配線23bが全てのスイッチング素子26b(ひいては副画素電極25bを含んでなる副画素)に接続されているため、ゲート配線23bに対して制御信号を送ることにより副画素電極25bを含んでなる副画素を一括して制御することができるのに加え、配線構造の簡略化(例えば配線数や駆動回路数の低減)を図ることができる。
以上、本発明の具体的な実施形態を示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の思想から逸脱しない範囲内で種々の変更が可能である。
液晶表示パネルXにおいて、副画素電極25a,25bを含んでなる各副画素は、表示させない副画素を適切に黒表示にすべく、電圧未印加時における透過率が最小となるように構成してもよい。このように、表示させない副画素を適切に黒表示させると、この表示させない副画素からの光の漏れに起因して表示画像全体の色純度が低下してしまうのを抑制することができる。また、表示させない副画素の「ON」「OFF」を制御するスイッチング素子を「OFF」にするだけで、表示させない副画素を適切に黒表示にすることができる。
液晶表示パネルXにおいて、副画素電極25a,25bの少なくとも一方は反射型副画素電極に置き換えてもよい。反射型副画素電極は、第2基体30の表示電極35との間に位置する液晶層10の液晶に所定の電圧を印加するための部材であり、他方(上方)側から入射した光を他方側に反射するように構成される。反射型副画素電極を構成する材料としては、AlやAl合金(例えばAlNdやAlTi)などのAl系材料、銀(Ag)やAg合金(例えばAgPd,AgPdCu,AuCuAg)などのAg系材料、チタン(Ti)などの光反射性を有する金属が挙げられる。
液晶表示パネルXにおいて、各画素Gにおける副画素電極25a,25bは2つに限られず、3つ以上としてもよい。このように各画素Gを構成する副画素の数を3つ以上にすると、液晶表示パネルにおける表示輝度をより多段階で調整することが可能となる。
本発明の実施形態に係る液晶表示パネルの概略構成を表す断面図である。 図1に示す液晶表示パネルの画素の一つの概略構成を表す平面図である。 図2のIII−III線に沿った断面図である。 本発明に係る液晶表示パネルを備える液晶表示装置の概略構成を表す斜視図である。 図4に示すV−V線に沿った断面図である。 図1に示す液晶表示パネルを備える液晶表示システムの要部を表す回路図である。
符号の説明
X 液晶表示パネル
Y 液晶表示装置
Z 液晶表示システム
10 液晶層
20 第1基体
21 透明基板
22a,22b ソース配線
23a,23b ゲート配線
24 補助容量部配線
25a,25b 副画素電極
26a,26b スイッチング素子
27 配向膜
30 第2基体
31 透明基板
32 遮光部材
33 カラーフィルタ
34 平坦化膜
35 表示電極
36 配向膜
40 封止部材
50,51 偏光板
60 バックライト
70 筐体
80 制御部
90 センサ

Claims (5)

  1. 数のソース配線および複数のゲート配線を備え、複数の画素を含んでなる液晶表示パネルと、該液晶表示パネルを制御する制御部と、前記液晶表示パネルの外部の光の光量を検知するセンサと、を備え、
    前記液晶表示パネルにおいて、
    前記複数の画素の各々は、第1副画素電極および第2副画素電極を含んでなり、
    前記第1副画素電極第1スイッチング素子を介して前記複数のソース配線のうちの一のソース配線および第1ゲート配線に接続され、
    前記第2副画素電極スイッチング素子を介して前記第1副画素電極およびゲート配線に接続され
    前記制御部は、前記センサが検知した光量が閾値以上である場合、前記第1スイッチング素子および前記第2スイッチング素子をオンするとともに、前記一のソース配線に信号を入力することにより、前記第1副画素電極および前記第2副画素電極に所定電位を供給し、前記センサが検知した光量が閾値未満である場合、前記第1スイッチング素子をオンおよび前記第2スイッチング素子をオフするとともに、前記一のソース配線に信号を入力することにより、前記第1副画素電極に所定電位を供給する、液晶表示システム
  2. 平面視における前記第1副画素電極の面積は、平面視における前記第2副画素電極の面積よりも小さい、請求項1に記載の液晶表示システム。
  3. 前記各画素における前記第2副画素電極は全て一のゲート配線に接続されている、請求項1または2に記載の液晶表示システム
  4. 記各画素は、該画素に入射される光の少なくとも一部が通過するカラーフィルタを含んでなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の液晶表示システム
  5. 前記液晶表示パネルの一方主面に対向配置されるバックライトをさらに備える、請求項1〜4のいずれか一項に記載の液晶表示システム
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