JP2006261636A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006261636A5
JP2006261636A5 JP2005344679A JP2005344679A JP2006261636A5 JP 2006261636 A5 JP2006261636 A5 JP 2006261636A5 JP 2005344679 A JP2005344679 A JP 2005344679A JP 2005344679 A JP2005344679 A JP 2005344679A JP 2006261636 A5 JP2006261636 A5 JP 2006261636A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
atomic
alloy
thin film
film transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005344679A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2006261636A (ja
JP4117001B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2005344679A external-priority patent/JP4117001B2/ja
Priority to JP2005344679A priority Critical patent/JP4117001B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to US11/349,520 priority patent/US7622809B2/en
Priority to TW095104763A priority patent/TWI300624B/zh
Priority to KR1020060015284A priority patent/KR20060092145A/ko
Priority to SG200601044A priority patent/SG125216A1/en
Priority to SG201004073-1A priority patent/SG162772A1/en
Publication of JP2006261636A publication Critical patent/JP2006261636A/ja
Publication of JP2006261636A5 publication Critical patent/JP2006261636A5/ja
Publication of JP4117001B2 publication Critical patent/JP4117001B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to KR1020080085114A priority patent/KR20080084790A/ko
Priority to US12/349,562 priority patent/US8088259B2/en
Priority to US13/286,284 priority patent/US8350303B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2005344679A 2005-02-17 2005-11-29 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット Expired - Fee Related JP4117001B2 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005344679A JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2005-11-29 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
US11/349,520 US7622809B2 (en) 2005-02-17 2006-02-08 Display device and sputtering target for producing the same
TW095104763A TWI300624B (en) 2005-02-17 2006-02-13 Display device and sputtering target for producing the same
KR1020060015284A KR20060092145A (ko) 2005-02-17 2006-02-16 디스플레이 장치 및 그의 제조용 스퍼터링 타겟
SG200601044A SG125216A1 (en) 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producingthe same
SG201004073-1A SG162772A1 (en) 2005-02-17 2006-02-16 Display device and sputtering target for producing the same
KR1020080085114A KR20080084790A (ko) 2005-02-17 2008-08-29 디스플레이 장치 및 그의 제조용 스퍼터링 타겟
US12/349,562 US8088259B2 (en) 2005-02-17 2009-01-07 Display device and sputtering target for producing the same
US13/286,284 US8350303B2 (en) 2005-02-17 2011-11-01 Display device and sputtering target for producing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005040787 2005-02-17
JP2005344679A JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2005-11-29 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008018783A Division JP2008124499A (ja) 2005-02-17 2008-01-30 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006261636A JP2006261636A (ja) 2006-09-28
JP2006261636A5 true JP2006261636A5 (enExample) 2008-03-06
JP4117001B2 JP4117001B2 (ja) 2008-07-09

Family

ID=36814990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005344679A Expired - Fee Related JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2005-11-29 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7622809B2 (enExample)
JP (1) JP4117001B2 (enExample)
KR (2) KR20060092145A (enExample)
SG (2) SG162772A1 (enExample)
TW (1) TWI300624B (enExample)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4330517B2 (ja) * 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
KR100796592B1 (ko) * 2005-08-26 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
US7781767B2 (en) 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) * 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) * 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP5060904B2 (ja) * 2006-10-13 2012-10-31 株式会社神戸製鋼所 反射電極および表示デバイス
WO2008047726A1 (fr) 2006-10-13 2008-04-24 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho Substrat de transistor en film mince et dispositif d'affichage
US20090183902A1 (en) * 2006-10-16 2009-07-23 Takashi Kubota Multilayer film for wiring and wiring circuit
JP4377906B2 (ja) * 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP2008127623A (ja) * 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4355743B2 (ja) * 2006-12-04 2009-11-04 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金配線膜とそのＣｕ合金配線膜を用いたフラットパネルディスプレイ用ＴＦＴ素子、及びそのＣｕ合金配線膜を作製するためのＣｕ合金スパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) * 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP4656441B2 (ja) * 2007-03-29 2011-03-23 株式会社日本製鋼所 薄膜の結晶化方法および結晶化装置
JP2008304830A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
JP2009004518A (ja) * 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009010053A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置およびスパッタリングターゲット
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
US20090001373A1 (en) * 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009010052A (ja) * 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
JP5143649B2 (ja) * 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4611417B2 (ja) * 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
JP4469913B2 (ja) 2008-01-16 2010-06-02 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
KR101163329B1 (ko) * 2008-02-22 2012-07-05 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 터치 패널 센서
KR100927585B1 (ko) * 2008-03-05 2009-11-23 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5432550B2 (ja) * 2008-03-31 2014-03-05 株式会社コベルコ科研 Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2009282504A (ja) * 2008-03-31 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示デバイス
KR101023597B1 (ko) * 2008-03-31 2011-03-21 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 Ａｌ기 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
JP5139134B2 (ja) 2008-03-31 2013-02-06 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
TWI434421B (zh) * 2008-03-31 2014-04-11 Kobe Steel Ltd A display device, a manufacturing method thereof, and a sputtering target
JP5475260B2 (ja) * 2008-04-18 2014-04-16 株式会社神戸製鋼所 配線構造、薄膜トランジスタ基板およびその製造方法、並びに表示装置
KR20100127290A (ko) * 2008-04-23 2010-12-03 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 표시 장치용 Ａｌ 합금막, 표시 장치 및 스퍼터링 타깃
JP2009282514A (ja) * 2008-04-24 2009-12-03 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
US8535997B2 (en) * 2008-07-03 2013-09-17 Kobe Steel, Ltd. Wiring structure, thin film transistor substrate, method for manufacturing thin film transistor substrate, and display device
JP4684367B2 (ja) * 2008-07-07 2011-05-18 三井金属鉱業株式会社 Ａｌ−Ｎｉ系合金配線電極材料
JP2010065317A (ja) * 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
JP4678062B2 (ja) * 2008-09-22 2011-04-27 Ｔｄｋ株式会社 光メディア、およびその製造方法
JP5012984B2 (ja) * 2008-09-22 2012-08-29 Ｔｄｋ株式会社 光メディアの反射層用スパッタリングターゲット、及び、その製造方法
JP5368806B2 (ja) * 2009-01-13 2013-12-18 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜および表示装置
JP2010134458A (ja) * 2008-11-05 2010-06-17 Kobe Steel Ltd 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
US20110198602A1 (en) * 2008-11-05 2011-08-18 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Aluminum alloy film for display device, display device, and sputtering target
JP5357515B2 (ja) * 2008-11-05 2013-12-04 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット
KR100986897B1 (ko) * 2008-11-10 2010-10-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터 및 그를 구비하는 평판 표시 장치
JP4567091B1 (ja) 2009-01-16 2010-10-20 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ｃｕ合金膜および表示装置
JP2010181839A (ja) * 2009-02-09 2010-08-19 Kobe Steel Ltd 表示デバイスの製造方法
TWI383232B (zh) 2009-03-19 2013-01-21 Au Optronics Corp 薄膜電晶體陣列基板
US20100244032A1 (en) * 2009-03-31 2010-09-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Aluminum-nickel alloy wiring material, device for a thin film transistor and a thin film transistor substrate using the same, and method of manufacturing the thin film transistor substrate
JP4735734B2 (ja) 2009-04-02 2011-07-27 Ｔｄｋ株式会社 光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法
US9024311B2 (en) * 2009-06-24 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor, method for manufacturing same, active matrix substrate, display panel and display device
CN102473732B (zh) 2009-07-27 2015-09-16 株式会社神户制钢所 布线结构以及具备布线结构的显示装置
TWI445179B (zh) * 2009-07-27 2014-07-11 Kobe Steel Ltd A wiring structure and a manufacturing method thereof, and a display device having a wiring structure
WO2011043194A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP5223840B2 (ja) * 2009-10-19 2013-06-26 三菱マテリアル株式会社 光記録媒体用アルミニウム合金反射膜およびこの反射膜を形成するためのスパッタリングターゲット
US8404500B2 (en) 2009-11-02 2013-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device, lighting device, and electronic appliance
JP5235011B2 (ja) * 2009-11-16 2013-07-10 株式会社神戸製鋼所 有機ｅｌディスプレイ用の反射アノード電極
JP5179604B2 (ja) * 2010-02-16 2013-04-10 株式会社神戸製鋼所 表示装置用Ａｌ合金膜
JP2011222567A (ja) 2010-04-02 2011-11-04 Kobe Steel Ltd 配線構造、表示装置、および半導体装置
JP2012027159A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP2012180540A (ja) 2011-02-28 2012-09-20 Kobe Steel Ltd 表示装置および半導体装置用Ａｌ合金膜
JP5524905B2 (ja) * 2011-05-17 2014-06-18 株式会社神戸製鋼所 パワー半導体素子用Ａｌ合金膜
JP2013084907A (ja) 2011-09-28 2013-05-09 Kobe Steel Ltd 表示装置用配線構造
TWI567237B (zh) 2013-11-12 2017-01-21 神戶製鋼所股份有限公司 電極及其製造方法
WO2015118947A1 (ja) * 2014-02-07 2015-08-13 株式会社神戸製鋼所 フラットパネルディスプレイ用配線膜
CN105304643A (zh) * 2015-09-28 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种tft阵列基板及其制作方法
US9916986B2 (en) * 2016-06-27 2018-03-13 International Business Machines Corporation Single or mutli block mask management for spacer height and defect reduction for BEOL
JP2018032601A (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 株式会社神戸製鋼所 反射電極およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US10269714B2 (en) 2016-09-06 2019-04-23 International Business Machines Corporation Low resistance contacts including intermetallic alloy of nickel, platinum, titanium, aluminum and type IV semiconductor elements
JP6325641B1 (ja) * 2016-11-30 2018-05-16 株式会社コベルコ科研 アルミニウム合金スパッタリングターゲット
US10760156B2 (en) 2017-10-13 2020-09-01 Honeywell International Inc. Copper manganese sputtering target
US11035036B2 (en) 2018-02-01 2021-06-15 Honeywell International Inc. Method of forming copper alloy sputtering targets with refined shape and microstructure

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0656883B2 (ja) 1986-03-03 1994-07-27 鐘淵化学工業株式会社 半導体装置
JPS62240739A (ja) 1986-04-11 1987-10-21 Nippon Mining Co Ltd 半導体配線材料用ｂ、ｃ、ｎ含有アルミニウム合金
KR930003684B1 (ko) 1990-12-22 1993-05-08 삼성전관 주식회사 필름형 스페이서와 이를 이용한 액정 셀의 제조방법
KR100228414B1 (ko) 1991-01-17 1999-11-01 가토 유이치 알루미늄 합금 배선층과 그의 제법, 및 알루미늄 합금 스퍼터링 타겟
KR0159123B1 (ko) 1992-07-15 1999-01-15 사토 후미오 액정표시장치
JP2733006B2 (ja) 1993-07-27 1998-03-30 株式会社神戸製鋼所 半導体用電極及びその製造方法並びに半導体用電極膜形成用スパッタリングターゲット
JP3438945B2 (ja) 1993-07-27 2003-08-18 株式会社神戸製鋼所 Ａｌ合金薄膜
JP3213196B2 (ja) * 1995-03-08 2001-10-02 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、金属配線層の形成方法
JP3707704B2 (ja) 1995-03-08 2005-10-19 日本アイ・ビー・エム株式会社 配線材料、液晶ディスプレー装置、および配線層の形成方法
JPH09241834A (ja) 1996-03-04 1997-09-16 Mitsubishi Materials Corp 鋳造Ａｌ合金製スパッタリングターゲット
JPH10183337A (ja) 1996-11-01 1998-07-14 Japan Energy Corp Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金スパッタリングターゲット
US6337520B1 (en) 1997-02-26 2002-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for a wiring, a wiring using the composition, manufacturing method thereof, a display using the wiring and manufacturing method thereof
KR100471770B1 (ko) 1996-12-23 2005-06-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP3365954B2 (ja) 1997-04-14 2003-01-14 株式会社神戸製鋼所 半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜および半導体電極用Ａｌ−Ｎｉ−Ｙ 合金薄膜形成用スパッタリングターゲット
US6736947B1 (en) * 1997-12-24 2004-05-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Sputtering target, A1 interconnection film, and electronic component
JPH11337976A (ja) 1998-03-26 1999-12-10 Toshiba Corp 表示装置用アレイ基板及びこのアレイ基板を備えた平面表示装置
JP4458563B2 (ja) 1998-03-31 2010-04-28 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタの製造方法およびこれを用いた液晶表示装置の製造方法
JP4663829B2 (ja) 1998-03-31 2011-04-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタおよび該薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
JP2000235961A (ja) 1999-02-16 2000-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 導電性薄膜材料及びこれを用いた薄膜トランジスタ用配線
KR100670060B1 (ko) 2000-04-20 2007-01-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
KR100586241B1 (ko) 2000-10-28 2006-06-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 어레이기판 및 제조방법
KR20020089982A (ko) 2001-05-25 2002-11-30 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 액정표시소자 패널의 제조방법
JP4783525B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP2003089864A (ja) * 2001-09-18 2003-03-28 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd アルミニウム合金薄膜及びその薄膜を有する配線回路並びにその薄膜を形成するターゲット材
JP4134548B2 (ja) 2001-10-29 2008-08-20 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP2004191500A (ja) 2002-12-09 2004-07-08 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示装置
JP3940385B2 (ja) 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
JP4237479B2 (ja) 2002-12-25 2009-03-11 株式会社東芝 スパッタリングターゲット、Ａｌ合金膜および電子部品
US20050112019A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-26 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) Aluminum-alloy reflection film for optical information-recording, optical information-recording medium, and aluminum-alloy sputtering target for formation of the aluminum-alloy reflection film for optical information-recording
US7166921B2 (en) * 2003-11-20 2007-01-23 Hitachi Metals, Ltd. Aluminum alloy film for wiring and sputter target material for forming the film
JP2005303003A (ja) 2004-04-12 2005-10-27 Kobe Steel Ltd 表示デバイスおよびその製法
JP4541787B2 (ja) 2004-07-06 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
JP4330517B2 (ja) 2004-11-02 2009-09-16 株式会社神戸製鋼所 Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ合金スパッタリングターゲット並びにフラットパネルディスプレイ
JP4117001B2 (ja) 2005-02-17 2008-07-09 株式会社神戸製鋼所 薄膜トランジスタ基板、表示デバイス、および表示デバイス用のスパッタリングターゲット
JP4542008B2 (ja) 2005-06-07 2010-09-08 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス
US7411298B2 (en) 2005-08-17 2008-08-12 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) Source/drain electrodes, thin-film transistor substrates, manufacture methods thereof, and display devices
US7683370B2 (en) 2005-08-17 2010-03-23 Kobe Steel, Ltd. Source/drain electrodes, transistor substrates and manufacture methods, thereof, and display devices
US7781767B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-24 Kobe Steel, Ltd. Thin film transistor substrate and display device
JP2008098611A (ja) 2006-09-15 2008-04-24 Kobe Steel Ltd 表示装置
JP4280277B2 (ja) 2006-09-28 2009-06-17 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスの製法
JP2008127623A (ja) 2006-11-20 2008-06-05 Kobelco Kaken:Kk Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4377906B2 (ja) 2006-11-20 2009-12-02 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法
JP4170367B2 (ja) 2006-11-30 2008-10-22 株式会社神戸製鋼所 表示デバイス用Ａｌ合金膜、表示デバイス、及びスパッタリングターゲット
JP4705062B2 (ja) 2007-03-01 2011-06-22 株式会社神戸製鋼所 配線構造およびその作製方法
JP2009004518A (ja) 2007-06-20 2009-01-08 Kobe Steel Ltd 薄膜トランジスタ基板、および表示デバイス
JP2009010052A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 表示装置の製造方法
US20090001373A1 (en) 2007-06-26 2009-01-01 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Electrode of aluminum-alloy film with low contact resistance, method for production thereof, and display unit
JP2009008770A (ja) 2007-06-26 2009-01-15 Kobe Steel Ltd 積層構造およびその製造方法
JP5143649B2 (ja) 2007-07-24 2013-02-13 株式会社コベルコ科研 Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP4611417B2 (ja) 2007-12-26 2011-01-12 株式会社神戸製鋼所 反射電極、表示デバイス、および表示デバイスの製造方法
TWI434421B (zh) 2008-03-31 2014-04-11 Kobe Steel Ltd A display device, a manufacturing method thereof, and a sputtering target
US8535997B2 (en) 2008-07-03 2013-09-17 Kobe Steel, Ltd. Wiring structure, thin film transistor substrate, method for manufacturing thin film transistor substrate, and display device
JP2010065317A (ja) 2008-08-14 2010-03-25 Kobe Steel Ltd 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006261636A5 (enExample)
TW200700866A (en) Display device
JP2004214606A5 (enExample)
JP2011100990A5 (ja) 半導体装置
JP2011502330A5 (enExample)
SG125216A1 (en) Display device and sputtering target for producingthe same
JP2013510397A5 (enExample)
JP5895370B2 (ja) パネル用Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及び積層膜
JP2011122238A5 (ja) スパッタリングターゲット、及び、トランジスタ
JP2013048297A5 (enExample)
TWI456442B (zh) 觸控感測器配置，及用於形成接觸結構以對其進行接觸的方法
MY184937A (en) Alloy material, contact probe, and connection terminal
JP2011054946A5 (enExample)
JP2012243876A5 (ja) パワー半導体素子用Ａｌ合金膜
TW200952122A (en) TFT-type substrate, TFT LCD device and method for making TFT-type substrate
TW200523374A (en) Ag-base interconnecting film for flat panel display, ag-base sputtering target and flat panel display
JP2007233349A5 (enExample)
JP2004506814A5 (enExample)
JP2009135479A5 (enExample)
JPWO2006132413A1 (ja) 電極、配線及び電磁波遮蔽用の銀合金
TW200746439A (en) Semiconductor device and active matrix display device
CN102321832B (zh) Cu电极保护膜用NiCu合金靶材以及叠层膜
WO2006132410A1 (ja) 電極、配線及び電磁波遮蔽用の銀合金
WO2009054466A1 (ja) 表示装置およびこれに用いるＣｕ合金膜
WO2009001832A1 (ja) 表示装置およびスパッタリングターゲット