JP5368806B2 - 表示装置用Al合金膜および表示装置 - Google Patents
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Description
Ge:4.2×10−16m2/s(300℃)
Ni:2.3×10−17m2/s(300℃)
その後、Al合金膜をパターニングする。次に、絶縁層として約300nm厚さのSiNを成膜し、その後、表に示す熱処理を行なった。次に、コンタクトホール形成のため、レジスト塗布、露光、現像、SiN膜のエッチング、およびレジストの剥離洗浄を順次行い、次いで、透明画素電極としてITO膜を成膜した。透明画素電極(ITO膜)の成膜条件は、雰囲気ガス=アルゴン、圧力=0.8mTorr、基板温度=25℃(室温)である。
上記Al合金膜に対し、10μm幅のラインアンドスペースパターンを形成し、4端子法で電気抵抗率を測定した。そして下記基準で、熱処理後のAl合金膜自体の電気抵抗率の良否を判定した。
(判定基準)
○:5.0μΩ・cm未満
×:5.0μΩ・cm以上
本実施例では、本発明のAl合金膜による有用性(特に、剥離液洗浄時間に依存しない、低いコンタクト抵抗)を調べるため、剥離液洗浄時間を、従来(代表的には3〜5分程度)よりも短い10〜50秒としたときのダイレクトコンタクト抵抗を中心に調べた。
(判定基準)
○:1000Ω未満
×:1000Ω以上
Claims (6)
- 表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるAl合金膜であって、
前記Al合金膜は、Coを0.1〜6原子%、Geを0.1〜2原子%含有すると共に、
270〜350℃で5〜30分間加熱することによって得られる、アルミマトリックス結晶粒界のGe濃度(原子%)が、前記Al合金膜のGe濃度(原子%)の1.8倍超であることを特徴とする表示装置用Al合金膜。 - Ge/Coの比が1.2以上である請求項1に記載の表示装置用Al合金膜。
- 更に、希土類元素を0.1〜2原子%含有する請求項1または2に記載の表示装置用Al合金膜。
- 更に、Cuを0.1〜6原子%含有する請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜。
- Cu/Coの比が0.5以下である請求項4に記載の表示装置用Al合金膜。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の表示装置用Al合金膜が、薄膜トランジスタに用いられていることを特徴とする表示装置。
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